【課題】劣化を抑制できる有機ＥＬ素子及び有機ＥＬ素子の製造方法を提供する。
【解決手段】有機ＥＬ素子１の製造方法は、基板２上に下部電極３を形成する下部電極形成工程と、下部電極３上に平坦化膜４を形成する平坦化膜形成工程と、平坦化膜４上に有機発光層５を形成する有機発光層形成工程と、有機発光層５上の所定の領域に上部電極６の陰極２１を形成する陰極形成工程と、平坦化膜４をプラズマによりエッチングするエッチング工程とを備えている。エッチング工程では、陰極２１がマスクとなり、陰極２１から露出した平坦化膜４がプラズマによりエッチングされる。 （もっと読む）

【課題】第２絶縁層の下部電極層との剥がれを抑制することにより、製品の寿命を向上させることができる有機ＥＬ表示装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】
素子基板と、該素子基板上に少なくとも一部が配設された薄膜トランジスタを有する回路部と、前記素子基板上および前記回路部上に配設され、前記導電層の一部領域上に穴構造を有する第１絶縁層と、該第１絶縁層上に形成された下部電極層と、該下部電極上に形成され、有機材料を有する発光層を備える発光素子と、該発光素子上に形成される上部電極層と、前記回路部と、前記上部電極層と電気的に接続された導電層とが、前記穴構造において電気的に接続されたコンタクト部と、該コンタクト部の穴構造内に充填される部分を有する有機材料からなる第２絶縁層と、該第２絶縁層を露出しないように覆う有機材料からなる第３絶縁層と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】第１絶縁層の下部電極層との剥がれを抑制することにより、製品の寿命を向上させることができる有機ＥＬ表示装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】
下部電極層と、該下部電極層上に形成された複数の発光素子と、該発光素子上に形成された上部電極層と、第１絶縁層および第２絶縁層を有するとともに前記発光素子同士の間に配置され隔壁と、を備える有機ＥＬ表示装置の製造方法であって、前記隔壁を形成する工程は、前記第１電極上にフォトリソグラフィ法により、感光性樹脂からなる第１絶縁層を形成する第１工程と、前記第１絶縁層上にフォトリソグラフィ法により、前記第１絶縁層の外周端部が露出するように感光性樹脂からなる第２絶縁層を形成する第２工程と、前記第１絶縁層の外周端部を除去する第３工程と、を備えることを特徴とする （もっと読む）

【課題】低価格に製造することが可能な表示装置を提供する。
【解決手段】半導体回路が形成されている第１の基板と、一方の面には画像表示を行うための電極と、前記電極とはコンタクトホールにより接合されており他方の面に露出している電極とが形成されている第２の基板と、第２の基板の画像表示を行うための電極とともに画像表示を行うための電極の形成されている第３の基板と、第２の基板と第３の基板の間に設けられた画像表示を行うための画像表示層と、第１の基板の半導体回路が形成されている面における電極と、第２の基板における他方の面に露出している電極とが電気的に接続されていることを特徴とする表示装置を提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】安価でかつ新たな技術課題を伴わない平易な構成により、信頼性の高い有機ＥＬ素子を提供する。
【解決手段】マトリクスアレイ基板上に形成された有機平坦化層４上にアノード電極５を形成する工程と、隣り合うアノード電極５の間に真空紫外光化学気相成長法を用いてＳｉＯアノード平坦化層１１を形成する工程と、を含んで有機ＥＬ素子を形成する。ＳｉＯアノード平坦化層１１を形成する酸化ケイ素膜は、高い平坦化性を有しているため、フォトリソ工程を必要としないローコストなプロセスを実現できる。 （もっと読む）

【課題】良好な表示性能を確保しつつ、よりコンパクト化された表示素子を提供する。
【解決手段】有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは、基体１１に設けられた平坦化絶縁層１２の凹部１２１に、第１電極層１３、下部有機層１４、上部有機層１５および第２電極１６が順に設けられたものである。第１電極層１３、下部有機層１４、上部有機層１５は、いずれも凹部１２１に収容されているので、凹凸がなく平坦化された上面を有する絶縁層の上に電極層が設けられた従来の構造と比べ、より薄型化される。また、凹部１２１の底面１２１Ｌは平坦面であるので、良好な表示性能を確保することができる。さらに、平坦化絶縁層１２における凹部１２１を取り囲む凸部１２３が発光領域を規定する開口規定絶縁層として機能するので、構造上の簡素化を実現することができる。 （もっと読む）

【課題】光取出し効率の高い有機ＥＬ素子、照明装置、表示装置およびその製造方法を提供することである。
【解決手段】有機ＥＬ素子１は、低屈折率層２、機能層３、透明な第１電極４、正孔注入層７、発光層５、および第２電極６がこの順に接して積層される。機能層３の表面には、高さが０．５μｍ〜１００μｍの複数の凹凸部が形成される。第１電極４の屈折率ｎ１、機能層３の屈折率ｎ２が、次式（１）を満たす。
【数１】
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【課題】有機ＥＬ装置の陽極に対してプラズマを照射する工程において、プラズマを安定させ、陽極にダメージを与えないように照射量を制御し、陽極に対して均一にプラズマを照射することができる有機ＥＬ装置の製造装置及び有機ＥＬ装置の製造方法を提供する。
【解決手段】陽極と陰極との間に有機層を備える有機エレクトロルミネッセンス装置の前記陽極にプラズマを照射する有機エレクトロルミネッセンス装置の製造装置Ｓであって、プロセスガスが供給される処理室１と、前記処理室１内に配置され、基板２０２を保持する基板保持部２と、前記プロセスガスをプラズマ状態にして前記基板２０２に照射するプラズマ発生源４Ａ，４Ｂと、前記基板２０２と前記プラズマ発生源４Ａとの間に配置され、複数の開口部を有する遮蔽板５とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜と分離隔壁との接着力の低下、およびそれらの界面に発生する応力による故障などの問題点がないパッシブマトリクス駆動型有機ＥＬデバイスおよびその製造方法の提供。
【解決手段】支持体と；第１の方向に延びる複数のストライプ状部分電極からなる第１電極と；第１および第２の方向に延びる複数のストライプ状部分からなる格子形状を有し、Ｓｉを含む無機材料で形成される第１絶縁分離壁と；少なくとも第１絶縁分離壁の第２ストライプ状部分の上に形成され、５〜４０ｎｍの膜厚を有するＳｉの薄膜からなる中間層と；第２の方向に延びる複数のストライプ状部分からなり、有機材料で形成される第２絶縁分離壁と；有機ＥＬ層と；第２の方向に延びる複数のストライプ状部分電極からなる第２電極を含み、第２の方向は第１の方向と交差する方向であることを特徴とする有機ＥＬデバイス。 （もっと読む）

【課題】ＥＬ表示装置に搭載する薄膜トランジスタの作製工程を簡略化する。
【解決手段】第１の導電膜と、絶縁膜と、半導体膜と、不純物半導体膜と、第２の導電膜とを積層し、この上に第１のレジストマスクを形成し、第１のエッチングを行って薄膜積層体を形成し、該薄膜積層体に対してサイドエッチングを伴う第２のエッチングを行ってゲート電極層を形成し、第２のレジストマスクを用いてソース電極及びドレイン電極層等を形成することで、薄膜トランジスタを形成し、該薄膜トランジスタを用いてＥＬ表示装置を作製する。 （もっと読む）

【課題】隣接するサブピクセルへの漏れがなく、かつ均一な膜厚を有する色変換層を、インクジェット法を用いて、低コストおよび高精細に作製することができる方法を提供する。
【解決手段】ドライエッチング法によってバンクを形成する際に、平坦化層５０が無機粒子を含有し、かつ平坦化層５０中の第１マトリクスと第１バンク材料層を構成する第２マトリクスとを同じエッチングガスでエッチングすることのできる材料とすることで、第１バンク層を形成することと隣接するバンク層６０の間に位置する平坦化層５０に選択的に凹凸を形成することとを同一工程で行う。 （もっと読む）

【課題】低コストで色変換膜のパターニングが行える方法を提案する。
【解決手段】透明基板上にそれぞれ異なる波長域の光を透過する複数種のカラーフィルタ層を形成するカラーフィルタ層形成工程と、異種のカラーフィルタ層の境界部分に無機化合物からなるバンク層をドライエッチング法にて形成するバンク形成工程と、互いに隣接するバンク層間の前記複数種のうちの少なくとも１種のカラーフィルタ層の上に、インクジェット法にて、特定の波長の光を吸収し、この波長とは異なる波長を含む光を出力する色変換層を形成する色変換層形成工程を有し、前記カラーフィルタ層形成工程で形成されるカラーフィルタ層のそれぞれおよび前記バンク形成工程で形成されるバンクのそれぞれが第１の方向に伸びる複数のストライプ形状部分から構成され、前記ドライエッチング法が、フッ素系ガスでエッチング後、酸素系ガスでオーバーエッチングしてカラーフィルタ層表面に凹凸を形成するものであることを特徴とする色変換フィルタの製造方法。 （もっと読む）

【課題】簡便な手法により複数種の発光層を高精度に塗り分けることができ、優れた動画特性を得ることができる表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】この表示装置の製造方法は、電極１１上に正孔輸送層１３および赤色発光層１４Ｒを形成する工程と、赤色発光層１４Ｒ上に絶縁層２２ａを形成する工程と、絶縁層２２ａ上にフォトレジスト２１を形成し、フォトレジスト２１をマスクに絶縁層２２ａおよび正孔輸送層１３および赤色発光層１４Ｒをドライエッチング法によりエッチングするエッチング工程と、エッチング工程後、赤色発光層１４Ｒ上に残存した絶縁層２２ａを除去する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】ディスプレイ、照明等に使用される有機発光ダイオード（有機ＥＬ、ＯＬＥＤ）に関するものである。さらに詳しくは、可視光領域を含む遠赤外から紫外領域までの広範囲のエネルギーの取り出し効率を表面プラズモン共鳴によって向上する技術を提供する。
【解決手段】基板上に少なくとも陽極導電層、発光層、陰極導電層を順次積層することで作製する有機発光ダイオード素子において、
粒子単層膜からなる２次元結晶体をエッチングマスクとしたドライエッチング法によって作製した規則的凹凸による周期格子構造を有する基板を用い、規則的凹凸を有する陰極表面での表面プラズモン共鳴を利用して光エネルギーの取り出し効率を向上させることを特徴とする、プラズモニック結晶面発光体である。 （もっと読む）

【課題】少ない工程数で歩留まり良く各画素に光共振器構造を構成することができる電気光学装置の製造方法、および電気光学装置を提供することにある。
【解決手段】電気光学装置１００では、赤色光を出射するための第１画素１１Ｒ、緑色光出射するための第２画素１１Ｇと、および青色光を出射するための第３画素１１Ｂの各々に光共振器構造を備えている。かかる光共振器構造を構成するにあたって、透光性絶縁膜７３を形成するための透光膜の上層に、膜厚が以下の関係
第１画素11R＞第２画素11G＞第３画素11B
を満たすようにレジストマスクを形成した後、レジストマスクを表面側から除去するとともに、透光膜においてレジストマスクから露出した部分を表面側から除去して透光膜を各画素１１で異なる膜厚の光学距離調整層として残す。 （もっと読む）

【課題】所定の素子分離膜のテーパ形状を有する有機ＥＬデバイスの製造装置を提供する。
【解決手段】少なくとも、基板と、駆動回路及び配線と、平坦化層と、下部電極と、素子分離膜と、有機層と、上部電極を有し、前記素子分離膜はドライエッチングによって形成されてなる有機ＥＬデバイスの製造装置において、前記素子分離膜のテーパ形状を検出する手段と、前記検出された信号に基づいて前記素子分離膜をドライエッチングする手段を有することを特徴とする。 （もっと読む）

複数の画素を有する有機半導体デバイスを製造する方法が提供される。この方法は、パターニングされたウェル画定バンク（３０８）の層を含む基板を設けることと、第１の導電材料（３１０，３１２）の層を、ウェル画定バンク（３０８）上とウェル内に形成することであって、第１の導電材料が、ウェル内に第１の電極（３１０）を形成し、前記第１の電極との間に電気的断絶部を有するバスバー（３１２）をウェル画定バンク（３０８）上に形成することと、ウェル内において有機半導体層（３１８）を第１の電極（３１０）上に形成することと、第２の導電性材料（３２０）の層を有機半導体層（３１８）とバスバー（３１２）の両方の上に形成して、連続的な第２の電極（３２０）を有機半導体層（３１８）及びバスバー（３１２）の上に形成することと、を含む。 （もっと読む）

【課題】製造工程の複雑化及び薄膜トランジスタの特性劣化を引き起こす、紫外線照射による、表示装置の電極表面の洗浄工程を省いた、新規な表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１上に駆動回路と発光部を形成する表示装置の製造方法である。発光部を形成する工程は、発光層に電荷を印加する透明アノード電極８を形成する工程と、透明アノード電８上に第１の被覆層９と第２の被覆層１０を形成する工程と、第２の被覆層１０をマスクとして第１の被覆層９をエッチングにより除去する工程と、第１の被覆層９が除去された透明アノード電極８上に発光層を含む層を形成する工程と、を有する。透明アノード電極８は、紫外線照射による洗浄を施したものと同等に清浄な表面となる。 （もっと読む）

【課題】アライメントマークの検出精度が高いマスクを容易に製造できるマスクの製造方法及びマスクを提供すること。
【解決手段】単結晶シリコン基板で形成されたアライメント基板５の面方位によりエッチングレートが異なるエッチャントを用いたウェットエッチングにより、アライメント基板５の一面を粗面化する工程と、アライメント基板５に、被成膜基板との位置合わせに用いるマスクマークを形成してアライメントチップ３を製造する工程と、被成膜基板に形成される薄膜パターンの少なくとも一部の形状に対応する開口部が形成されたマスクチップを製造する工程と、アライメントチップ及びマスクチップを、支持基板上に固定する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】良好な膜厚プロファイルを有する表示装置及び表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】表示装置１０は、画素基板３１上に形成された画素電極３６と、画素電極間に設けられ画素電極３６間を絶縁する第１絶縁層４１と、前記第１絶縁層４１上に形成された第２絶縁層４２と、前記第２絶縁層上に形成されたメタルバンク（金属層）４３と、を備える。第２絶縁層４２は、メタルバンク４３をマスクとして活性な酸素が存在する雰囲気、又は紫外線に曝露することによって形成される。この際、画素電極３６の表面を親液化する。更にメタルバンク４３表面に撥液性溶液を塗布することにより、メタルバンク４３表面を撥液化する。更に画素電極３６上に有機化合物含有液を塗布することにより、正孔注入層３７及び発光層３８を成膜する。 （もっと読む）