【課題】高耐熱性、高透明性の脂環族ポリアミドイミドの原料として有用な、新規なビスナジイミドの誘導体を提供する。
【解決手段】
下記一般式（１）で表されるビスナジイミドのジヒドロジエステル体。


（式中、Ｒ¹は炭素数２〜１２の直鎖状又は分岐状アルカンジイル基、Ｒ²及びＲ³は、それぞれ独立に炭素数１〜５のアルキル基、炭素数２〜５のアルケニル基又は炭素数７〜１０のアラルキル基を示す。） （もっと読む）

【課題】高耐熱性、高透明性の脂環族ポリアミドイミドの原料として有用な、新規なビスナジイミドの誘導体を提供する。
【解決手段】
下記一般式（１）で表されるビスナジイミドのジヒドロジエステル体。


（式中、Ｒ¹は２価の脂環族基、Ｒ²及びＲ³は、それぞれ独立に炭素数１〜５のアルキル基、炭素数２〜５のアルケニル基又は炭素数７〜１０のアラルキル基を示す。） （もっと読む）

【課題】各種光学部品及び電子部品の封止材料、絶縁材料として有用な極性基含有環状オレフィン系重合体の原料モノマーであるＮ−アルキル置換イミド基含有脂環式オレフィン単量体の精製方法の提供。
【解決手段】代表例としてＮ−（２−エチルヘキシル）−ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド（ＮＥＨＩ）であるＮ−アルキル置換イミド基含有脂環式オレフィン単量体を、陽イオン交換樹脂と陰イオン交換樹脂とからなる混合イオン交換樹脂に接触させる精製方法。前記混合イオン交換樹脂における、前記陽イオン交換樹脂と前記陰イオン交換樹脂との割合は、陽イオン交換樹脂：陰イオン交換樹脂の重量比で、１：１〜１０：１であることが好ましい。前記単量体を前記混合イオン交換樹脂とは、１０〜１００℃の条件で、接触させることが好ましい。 （もっと読む）

下式（Ｉ）（式中、Ｒ^１〜Ｒ^８、Ｘ、Ａ、ｍ、ｎ及びｐは、本出願で定義されるものである）の繰り返しサブユニットを有する新規なポリマーロジウム触媒を説明し、そして更に、化学合成変換におけるそれらの触媒並びに前記触媒のための前駆体を使用する方法も説明する。

（もっと読む）

【課題】組成物としたときの保存安定性が良好で、高感度を達成する感光剤、及び該感光剤の原料及び中間体を提供する。
【解決手段】下記式（１）：


で表されるアミノフェノール化合物。 （もっと読む）

【課題】樹脂組成物の架橋剤として用いられたときに、加熱時の揮発性が低く、架橋速度を高め、樹脂硬化物の弾性率を高めることができる新規イミド化合物を提供すること。
【解決手段】１,３,５-トリ（３-アミノフェノキシ）ベンゼン（以下ＴｒｉｓＡＰＢ）を出発物質として、触媒としてｐ-トルエンスルホン酸一水和物（ＰＴＳ）を用い、無水ナディック酸または、無水フェニルエチニルフタル酸無類物などを反応させて得られる、１,３,５-トリ（３-ナディックイミドフェノキシ）ベンゼン（ＴｒｉｓＡＰＢ−ＴＮＩ）、または、１,３,５-トリ（３-フェニルエチニルフタルイミドフェノキシ）ベンゼン（ＴｒｉｓＡＰＢ−ＴＰＥＰＩ）などの新規イミド化合物。 （もっと読む）

【課題】良好なパターンを形成することができ、高い解像度を示す化学増幅型フォトレジスト組成物を与える酸発生剤を提供する。
【解決手段】式（Ｉ）で表される化合物。


［Ｒ^１は、炭素数１〜２０の脂肪族炭化水素基、炭素数５〜１０のアリール基等を表す。Ｗ^１は、−ＣＯ−Ｏ−、−Ｏ−ＣＯ−、−ＣＨ_２−Ｏ−、−Ｏ−ＣＨ_２−等を表す。Ｑ^１及びＱ^２は、水素原子、フッ素原子、炭素数１〜６のアルキル基等を表す。Ａは、式（Ｉ−１）で表される基を表す。Ａ^１は、−ＣＨ_２−ＣＨ_２−、−ＣＨ_２−ＣＨ_２−ＣＨ_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−又は−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ_２−を表す。］ （もっと読む）

【課題】ＡｒＦエキシマレーザー光等に対して高感度で、発生する酸（光発生酸）の酸性度が十分高く、かつレジスト被膜中での拡散長が適度に短く、またマスクパターンの疎密度への依存性が小さい新規な酸発生剤、当該酸発生剤を構成する新規なスルホン酸塩、当該酸発生剤から発生するスルホン酸、当該酸発生剤を合成する原料ないし中間体として有用なスルホン酸誘導体、並びに当該スルホン酸塩を製造するための方法を提供する。
【解決手段】下記一般式（１）で表される構造を有する酸発生剤によって、前記課題は解決する。


〔一般式（１）において、Ｒは置換もしくは非置換の炭素数１〜３０の直鎖状もしくは分岐状の１価の炭化水素基、置換もしくは非置換の炭素数３〜３０の環状もしくは環状の部分構造を有する１価の炭化水素基、置換もしくは非置換の炭素数６〜３０のアリール基または置換もしくは非置換の炭素数４〜３０の１価のヘテロ環状有機基を表す。〕 （もっと読む）

【課題】ポジ型感光性樹脂組成物に光活性剤として用いた場合に、高感度、高解像度を示し、保存安定性の良好な、ハロゲン元素を含まないナフトキノンジアジド化合物の提供。
【解決手段】ナフトキノンジアジド化合物は、一般式（１）：


｛式中、Ｒ_１及びＲ₂は、互いに独立に、１価の有機基（水素は除く）であり、Ｑ_１及びＱ_２は、互いに独立であり、かつ、Ｑ_１及びＱ_２の内の少なくとも１つは、スルホニル基を有するナフトキノンジアジド基であり、そしてＸは、ハロゲン元素を含まない２価の基又は単結合である。｝である。 （もっと読む）

【課題】液晶表示素子の表示品位を向上させるために液晶配向膜に要求される重要な特性である電圧保持率が低いと、フレーム期間中に液晶にかかる電圧が低下し、結果として輝度が低下して正常な諧調表示に支障をきたすことがあり、例え初期の配向状態が良くても高温加速試験後の配向状態が悪くなり、正常に表示品位を維持することが難しい場合がある。これらの問題を解決する試みとして、最近ではいくつかの方法が提案されているが、ポリアミック酸を主成分とする従来の液晶配向剤（ワニス）では、上記の問題は十分に解決されていない。本発明は電圧保持率および長期信頼性の問題が改善された液晶表示素子用の液晶配向剤を開発することを目的とする。
【解決手段】式（Ａ）で表されるナジイミド化合物を成分とする液晶配向剤によって上記課題が達成される。Ｑは炭素数３以上の側鎖基を有する２価の基である。

（もっと読む）

【課題】炭素数５以上のパーフルオロアルカンスルホン酸を含まずに、十分に強い酸を発生する酸発生剤を提供する。更には、ＡｒＦエキシマレーザー光に対して高感度で、露光時の露光量のズレに対しても解像性の劣化を伴わない、露光余裕度を有するレジスト組成物を構成する酸発生剤を提供する。
【解決手段】下記一般式（２）で示されるスルホン酸オニウム塩によって、前記課題は解決する。


（式中、Ｒは置換もしくは非置換の炭素数１〜２０の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数６〜１５のアリール基又は炭素数４〜１５のヘテロアリール基を示す。） 一般式（２）で示されるスルホン酸オニウム塩は３，３，４−トリフルオロ−４−（トリフルオロメチル）−１，２−オキサチエタン−２，２−ジオキシドを出発原料に用い、アルコーリシス（第１工程）、加水分解（第２工程）、塩交換（第３工程）の３工程で製造できる。 （もっと読む）

【解決手段】式（１）で示されるスルホン酸塩。
ＣＦ₃−ＣＨ（ＯＣＯＲ）−ＣＦ₂ＳＯ₃^-Ｍ⁺ （１）
（Ｒは置換もしくは非置換の炭素数１〜２０の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、又は置換もしくは非置換の炭素数６〜１４のアリール基を示す。Ｍ⁺はリチウムイオン、ナトリウムイオン、カリウムイオン、アンモニウムイオン、又はテトラメチルアンモニウムイオン）
【効果】本発明のスルホン酸は、分子内にエステル部位を有しているため、嵩の低いアシル基から嵩高いアシル基、ベンゾイル基、ナフトイル基、アントライル基等の導入が容易であり、分子設計の幅を大きく持つことができる。 （もっと読む）

ペンダントアミン捕捉基を含有する架橋型高分子物質が記載されている。前記アミン捕捉基としては、開環反応によってアミン含有物質と反応可能なＮ−スルホニルジカルボキシイミド基が挙げられる。前記架橋型高分子物質を調製するために使用される反応混合物、当該架橋型高分子物質を含有する物品、物品の製造方法、及びアミン含有物質の不動化方法についてもまた記載されている。 （もっと読む）

基材にアミン含有材料を固定化するテザリング化合物として使用可能な、２個の反応性官能基を有する化合物が記載される。第１の反応性官能基は、基材表面への結合を提供するために使用可能である。第２の反応性官能基は、アミン含有材料、特に第一級脂肪族アミンと反応して、基材とアミン含有材料との間のコネクター基を形成可能なＮ−スルホニルジカルボキシイミド基である。本発明は、アミン含有材料を基材に固定化する物品および方法も提供する。 （もっと読む）