【課題】耐熱衝撃性に優れたセラミックスハニカム集合体を提供すること。
【解決手段】本発明のハニカム集合体は、多孔質のセラミックスよりなり軸方向にのびる多数のセルが区画された略柱状のハニカム分体と、ハニカム分体を接合する接合材層と、を有し、多数のセルを区画するセル壁をガスが通過するウォールフロー型のハニカム集合体において、多孔質のセラミックスが、ＳｉＣよりなるセラミックス粉末と、セラミックス粉末を構成するＳｉＣ粒子同士を結合するＳｉＣよりなる結合材と、を有し、略柱状のハニカム分体の軸方向の長さ（Ｌ）と、ハニカム分体の軸方向に垂直な断面における断面積（Ｓ）との比（Ｌ／Ｓ）が、０．０１（ｍｍ／ｍｍ^２）以上であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】耐摩耗性が高く、かつ耐欠損性を改善した窒化珪素質焼結体を提供する。
【解決手段】 窒化珪素結晶２を９３質量％以上含む窒化珪素質焼結体１であって、焼結体１の表面を含む断面研磨面をフッ酸水溶液によりエッチング処理を行った後の前記断面研磨面の組織写真において、焼結体１の空隙３について、表面領域Ａにおける空隙率が焼結体１の内部Ｂにおける空隙率よりも小さい窒化珪素質焼結体１である。 （もっと読む）

【課題】加工性を大幅に改善したサイアロン焼結体または窒化珪素焼結体を含む超精密加工機に最適な部品を提供する。
【解決手段】β−窒化珪素粉末に焼結助剤を添加して焼結してなるサイアロン焼結体または窒化珪素焼結を用いて流体静圧案内装置部品または工具支持部品とする。これらの焼結体の曲げ強度は、４００〜６００ＭＰａ、ヤング率は、２６０ＧＰａ以上、室温における熱膨張係数は、１．５×１０^−６／Ｋ以下、比重は、３．２７以下、ＳＥＰＢ法による破壊靭性値は、４〜５．５ＭＰａ・ｍ^１／２であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】アルミニウム合金、アルミニウム合金と鋳鉄とからなる材料の切削加工時における、耐摩耗性、耐欠損性の高い窒化珪素焼結体工具の提供。
【解決手段】窒化珪素焼結体の結晶組成１００は、微少な粒子であるα型窒化珪素１０１および針状の粒子であるβ型窒化珪素１０３からなる結晶相１１０と、α型窒化珪素およびβ型窒化珪素の粒子の間に存在する、焼結助剤成分を含む粒界相１２０とから構成されている。窒化珪素焼結体は、α率が３５％以下であり、かつ、二次元断面上での長軸径が２μｍ以上のβ型窒化珪素の粒子面積の占める比率が１０％以下である。こうすることにより、窒化珪素焼結体の組成中に粒子形状が針状のβ型の窒化珪素粒子が存在するので、β型の窒化珪素が亀裂進展に対する抵抗となるとともに、β型の窒化珪素同士が互いに絡み合うことにより靭性が向上し、窒化珪素焼結体の耐磨耗性及び耐欠損性を向上できる。 （もっと読む）

【課題】高周波領域における低い誘電損失と高い熱伝導率を有する低損失緻密質誘電体材料、その製造方法及び部材を提供する。
【解決手段】窒化ケイ素を主体とし、アルカリ土類金属元素化合物、周期律表第３ａ族化合物、及び不純物的酸素を含有する窒化ケイ素質焼結体からなり、該焼結体の粒界が結晶化され、かつ２ＧＨｚと３ＧＨｚにおける誘電損失が５×１０^−４以下であり、熱伝導率が５０Ｗ・ｍ^−１・Ｋ^−１以上であり、気孔率が３％未満の高周波用低損失緻密質誘電体材料、その製造方法及び部材。
【効果】半導体ないし液晶製造装置において、主にマイクロ波などの高周波を使用してプラズマを発生させる装置に用いられる高熱伝導・低誘電損失の高周波用緻密質誘電体材料及び部材を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】少ない工程数で簡易に、フィルタに適した大きさの気孔を形成できると共に、炭化ケイ素の粒子間に強固なネックを形成させて強度を高めることができる、炭化ケイ素質多孔体の製造方法を提供する。
【解決手段】炭化ケイ素質多孔体の製造方法は、骨材としての炭化ケイ素粉末６５〜９５質量％に、ケイ素及び炭素のモル比（Ｓｉ／Ｃ）が０．５〜１．５である窒化ケイ素粉末及び炭素質固体粉末を混合し成形する成形工程と、成形工程で得られた成形体を１８００〜２２００℃の非酸化性雰囲気で一度のみ焼成する焼成工程とを具備し、炭素質固体粉末は、平均粒子径が１０〜５０μｍであり、焼成工程で反応生成させる炭化ケイ素の炭素源であると共に、焼成工程で気孔を形成させる造孔剤として用いられる。 （もっと読む）

【課題】ディーゼルパティキュレートフィルタの基体として用いられる炭化ケイ素質多孔体であって、捕集効率が高く圧力損失の上昇が抑制されていると共に、使用の初期段階におけるＰＭの捕集漏れを低減することができる炭化ケイ素質多孔体を提供する。
【解決手段】炭化ケイ素質多孔体は、画像解析法によって円面積相当径として測定された気孔直径に対する気孔個数分布のモード径が８±１μｍであり、気孔直径が４０μｍ〜５０μｍの気孔の合計体積が、全気孔体積の１０％以上を占めることを特徴とする。また、気孔直径が４０μｍ〜５０μｍの大径の気孔が、前記気孔直径が５μｍ〜２０μｍの小径の気孔によって連結されたアリの巣状の気孔構造を有する。 （もっと読む）

【課題】軽量で機械的物性，耐摩耗性に優れたセラミックス基複合材料及びその製造方法を提供する。また、軽量で機械的物性，耐摩耗性に優れた転動部材及び長寿命な転動装置を提供する。
【解決手段】深溝玉軸受の内輪１，外輪２，及び転動体３のうち少なくとも１つを、セラミックス基複合材料で構成した。このセラミックス基複合材料は、窒化ケイ素，炭化ケイ素，酸化アルミニウム，酸化ケイ素，及び酸化ジルコニウムの少なくとも１種からなるセラミックス６０質量％以上８０質量％以下と、金属４０質量％以下２０質量％以上と、で構成されている。そして、このセラミックス基複合材料は、ナノメートルオーダーの細孔を有する多孔質のセラミックス粉末と、金属の粉末とを混合し、該混合粉末を射出成形又は金型成形により成形した成形物を焼結することにより製造される。 （もっと読む）

【課題】窒化けい素セラミックス基板を用い、パワーモジュールのリーク電流の発生を抑制し、大電力化、大容量化した場合でも絶縁性、動作の信頼性を大幅に向上させることのできるパワーモジュールを提供する。
【解決手段】厚さ１．５ｍｍ以下の窒化けい素焼結体表面に幅が１μｍ以上のマイクロクラックがなく、幅が１μｍ未満のサブミクロンクラックが単位面積１００μｍ^２当たりに０〜２個である窒化けい素焼結体から成り、一定条件下での電流リーク値が４２０ｎＡ以下、熱伝導率が５０Ｗ／ｍ・Ｋ以上、３点曲げ強度が５００ＭＰａ以上、残留炭素含有量が５００ｐｐｍ以下である窒化けい素セラミックス基板２に金属回路板を設け、半導体素子を搭載してなるパワーモジュールであり、窒化けい素セラミックス基板２は、粒界相中における結晶化合物相の割合が２０％以上であり、ＭｇをＭｇＯに換算して０．５〜３．０質量％含有する。 （もっと読む）

【課題】 微細な細孔をもつＳｉＣセラミックスを提供すること。
【解決手段】 本発明のＳｉＣセラミックスは、ＪＣＰＤＳカード番号で０４９−１４２８と規定された結晶相をもつＳｉＣよりなり、異なる粒径をもつＳｉＣ粒子よりなるＳｉＣ粉末と、ＳｉＣ粉末を構成するＳｉＣ粒子同士を結合し、ＳｉＣ粒子を構成するＳｉＣとは結晶相が異なるＳｉＣよりなる結合材と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ｄ_m ｎが１４０万を超えるような高速回転で使用されても寿命が長い転がり軸受を提供する。
【解決手段】玉３を、常温における熱伝導率が４０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上の窒化珪素焼結体からなるものとする。 （もっと読む）

【課題】 半導体の性能や信頼性を高く維持できる半導体製造用部品およびその製法を提供する。
【解決手段】 窒化珪素結晶粒子３と粒界相とからなり、相対密度が９８％以上の窒化珪素焼結体からなる基体１に、該基体１の表層の粒界相を除去して、窒化珪素結晶粒子３が３次元的に連結した多孔質層５を設け、該多孔質層５の表面に、実質的に窒化珪素からなる緻密な高純度窒化珪素層６を設けてなるもので、緻密な高純度窒化珪素層６上にシリコンウエハを載置し、搬送する場合であっても、従来の粒界相を構成する、例えば希土類元素、アルミニウム等の元素がシリコンウエハと接触することがなく、これによりシリコンウエハを汚染し、半導体の性能や信頼性を損ねたりすることがない。 （もっと読む）

【課題】耐摩耗性が高く、かつ耐欠損性を改善した窒化珪素質焼結体を提供する。
【解決手段】窒化珪素を主体として、ＲＥ元素化合物（ただし、ＲＥはイットリウムまたは希土類元素の少なくとも一方の元素）とマグネシウム化合物とを含む窒化珪素質焼結体の表面に、前記ＲＥ元素の含有比率は前記窒化珪素質焼結体の内部における含有比率に対して５％の範囲内で一定であり、かつ前記マグネシウム元素の含有比率は前記窒化珪素質焼結体の内部における含有比率に対して５％よりも少ない表面領域が存在する窒化珪素質焼結体である。 （もっと読む）

【課題】高強度で反りが適正に調整された窒化珪素基板及びその製造方法並びにそれを使用した窒化珪素回路基板及び半導体モジュールを提供する。
【解決手段】窒化珪素原料粉に、酸化マグネシウムを３〜４重量％、少なくとも１種の希土類元素の酸化物を２〜５重量％を合計５〜８ｗｔ％になるように配合し、シート成形体とし、焼結した後、複数枚重ねた状態で０．５〜６．０ｋＰａの荷重を印加しながら１５５０〜１７００℃で熱処理することにより、β型窒化珪素と、イットリウム（Ｙ）と、マグネシウム（Ｍｇ）を含有し、表面におけるＭｇ量の分布を示す変動係数が０．２０以下であり、反りが２．０μｍ／ｍｍ以下の窒化珪素基板を製造する。 （もっと読む）

【課題】塗着効率を損なうことなく、火花放電や絶縁破壊を抑制することが可能な静電塗装用回転霧化頭及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】以下の構成を備えた静電塗装用回転霧化頭及びその製造方法。（イ）少なくとも放出端は、焼結温度Ｔ₁、電気比抵抗ρ₁の絶縁性セラミックスと、焼結温度Ｔ₂（Ｔ₁＜Ｔ₂）、電気比抵抗ρ₂（ρ₁＞ρ₂）の導電性セラミックスとの複合体からなる。（ロ）導電性セラミックス含有量は、９〜１１ｗｔ％である。（ハ）絶縁性セラミックスの平均粒径（Ｄ₁）は、０．５〜１０μｍである。（ニ）導電性セラミックス／絶縁性セラミックスの粒径比（Ｄ₂／Ｄ₁）は、１／８００〜１／５である。（ホ）静電塗装用回転霧化頭は、抵抗値が１０⁶〜１０¹²Ωである。（ヘ）絶縁性セラミックス粒子の周囲に、導電性セラミックス粒子が０．１〜２．０μｍの間隔で不連続に分散し、導電パスを形成している。 （もっと読む）

【課題】焼結体の粒子体積とアスペクト比を最適化することで耐摩耗性に優れた窒化けい素セラミックスを提供する。
【解決手段】窒化けい素の粒子に焼結助剤を加えて成型体とし、その成型体を焼結して得られる窒化けい素系セラミックスにおいて、焼結後の窒化けい素の粒子のアスペクト比を１．８以上、かつ粒子体積を０．１μｍ³以下としたものである。 （もっと読む）

【課題】窒化珪素セラミックスとなるグリーンシートにおける膜厚の均一性を向上させると共に、粒子の配向度の制御を適切に行い、良好な特性の窒化珪素セラミックス基板を容易に製造する。
【解決手段】マイラーシート１２が巻き取り側ロール１６で巻き取られ、生シートがマイラーシート１２から離脱した（離脱工程）後でも、生シート１４においてはそのままシート状となった形態が維持される。離脱工程後の生シート１４は、加熱装置１８を通過する（加熱工程）。この加熱装置１８中においては、生シート１４は再び加熱され、その中に含まれるバインダー成分が軟化する。生シート１４においては、乾燥工程で有機溶媒が蒸発することによって定形性が得られ、その後でバインダーの軟化温度以上での圧延工程を行うことにより、β型窒化珪素粒子の配向が進み、窒化珪素セラミックス基板における面内配向度を０．４以上の値とすることができる。 （もっと読む）

【課題】 耐熱衝撃性に優れたハニカム構造体を提供すること。
【解決手段】 本発明のハニカム構造体１は、セラミックス粒子と、セラミックス粒子同士を結合する結合材と、を有する多孔質セラミックスよりなるハニカム構造体１であって、セラミックス粉末は、１０％粒径（Ｄ１０）と９０％粒径（Ｄ９０）との間隔が１０μｍ以上であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】銃弾，砲弾等の飛翔体の貫通性能が飛躍的に高くなっているが、それらに対して、十分に防護できる防護部材を提供する。
【解決手段】受衝部２をセラミックスで構成し、受衝部２の裏面側に位置する基部３を受衝部２より熱膨張係数の低い材質で構成した防護部材１とすることにより、基部３には圧縮力がかかった状態が維持されるため、着弾した銃弾や砲弾の貫通を阻止する性能が向上する。また、受衝面２ａで発生したクラックの進行は、基部３との境界で止められるため、前記両材質の特性が十分に発揮され、相乗効果により防護性能を高くすることができる。 （もっと読む）

【課題】本来備える高強度特性に加えて、熱伝導率が高く放熱性に優れた窒化けい素焼結体の製法を提供する。
【解決手段】酸素を１．７重量％以下、不純物陽イオン元素としてのＡｌ，Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｆｅ，Ｂａ，Ｍｎ，Ｂを合計で０．３重量％以下、α相型窒化けい素を９０重量％以上含有し、平均粒径１．０μｍ以下の窒化けい素粉末に、希土類元素を酸化物に換算して２．０〜１７．５重量％，Ｍｇを酸化物に換算して０．３〜３．０重量％添加した原料混合体を成形して成形体を調製し、得られた成形体を脱脂後、温度１７００〜１９００℃で焼結し、上記焼結温度から、１５００℃までの冷却速度を毎時１００℃以下にして徐冷することにより、粒界相中における結晶化合物相の粒界相全体に対する割合を２０％以上とすることを特徴とする高熱伝導性窒化けい素焼結体の製造方法である。 （もっと読む）