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Fターム[4G001BA32]の内容

セラミック製品 (17,109) | 原料組成 (4,418) | 窒化物 (833) | Si3N4 (255)

Fターム[4G001BA32]に分類される特許

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【課題】高強度で、かつ耐熱衝撃性に優れた窒化ケイ素基複合セラミックスを提供すること。
【解決手段】本発明の複合セラミックスは、窒化ケイ素基セラミックスを母相とし、窒化ホウ素が2.5vol.%以上、10vol.%以下の割合で分散相として複合されている。JIS R1601に準拠した25℃での四点曲げ強度をσi、JIS R1615に準拠した水中投下法によって800℃以上から25℃の水中に投下による急冷で熱衝撃を与えた後の四点曲げ強度をσfとしたとき、σiの値が400MPa以上で、かつσf/σiの比の値が0.85以上である。 (もっと読む)


【課題】衝撃力が繰り返して作用する条件下で使用した場合においても割れ、欠けなどの損傷を発生せず、高温・高速条件化で長寿命特性および耐クラック性を有し長期に亘って安定した特性を発揮する信頼性が高い耐衝撃部材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】任意の組織断面領域10μm×10μm内に長径が3μm以上である窒化けい素結晶粒子が5個以上存在する窒化けい素焼結体から成ることを特徴とする耐衝撃部材である。 (もっと読む)


少なくとも1つのセラミック成形部品を作成するための方法および装置であって、少なくとも1つの雌型と少なくとも1つの雄型との間に空洞を設けることと、Si含有粉末組成物を空洞にもたらすことと、Si粉末組成物を反応ガス雰囲気中で反応によって境界付けられたセラミック成形部品が得られる温度へと加熱することとを含んでいる方法および装置、ならびにその使用。
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多層構造の平板状のセラミック材料と、セラミック材料の少なくとも1つの表面上に具備された金属被覆を備えた金属セラミック基板であって、その金属被覆がセラミック材料とダイレクトボンディング(DCB法)または活性はんだによって接合され、そのセラミック材料が少なくとも1つの内側層または窒化シリコンセラミックベース層から成り、およびその際少なくとも1つの金属被覆を備えたセラミック材料表面が少なくとも1つのベース層上に施された酸化セラミック中間層を形成する金属セラミック基板。 (もっと読む)


【課題】グリーンシートを複数枚積層して焼成する製造方法を用いた場合に、信頼性の高い窒化珪素基板を得る。
【解決手段】窒化ホウ素からなる分離材を介して複数枚のグリーンシートを積層してから焼成することによって複数枚の窒化珪素焼結体を同時に得た後に当該窒化珪素焼結体を分離し、切断することによって得られた、Siを主成分とする窒化珪素基板であって、算術平均粗さが0.3μm以上であり、基板表面の残留BNに由来するBの蛍光X線強度とSiの蛍光X線強度の比(B/Si)を5×10−5〜2×10−3とする。 (もっと読む)


【課題】低熱膨張性及び高熱伝導性に優れた光学装置の部品に好適なセラミックス部材を提供する。
【解決手段】窒化珪素焼結体からなり、室温の熱伝導率が60W/(m・K)以上、室温から1000℃までの熱膨張係数が3.4×10−6/K以下、L*a*b*表色系における明度L*が0〜80の範囲であることを特徴とするセラミックス部材。L*a*b*表色系における色度a*が−3〜3、色度bが−3〜3である。露光装置用ステージ機構において、例えば、ステージ部品1や、位置測定用のミラー部品4、5等に用いることができる。 (もっと読む)


【課題】 本発明は、熱応力に起因する亀裂及び破損等の不具合を防止すると共に、耐熱性と耐酸化性とに優れたセラミックヒータ及びこのセラミックヒータを備えるグロープラグを提供することを課題とする。
【解決手段】 このセラミックヒータは、モリブデンの珪化物、窒化物及び炭化物、並びに、タングステンの珪化物、窒化物及び炭化物のうち、少なくとも1つを主成分とする発熱体が、窒化珪素を主成分とする基体中に埋設されてなり、
前記基体は、ランタンの酸化物を酸化物換算で4〜9質量%含有すると共に、周期表第5族及び第6族の各族の元素群から選ばれる少なくとも1種の元素の酸化物を酸化物換算で0.5〜4質量%含有することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】特に金属溶湯に接触する溶湯部材に好適な耐熱衝撃性に優れた窒化珪素焼結体を提供する。
【解決手段】窒化珪素を主成分とし、マグネシウム及びイットリウムを酸化物換算で合計0.1〜10質量%、鉄を酸化第二鉄換算で0.1〜0.5質量%含み、Y/MgOで表されるモル比が0.01〜0.10であって、室温の熱伝導率が70W/(m・K)以上、3点曲げ強度が700MPa以上であることを特徴とする窒化珪素焼結体。室温から1000℃までの熱膨張係数が3.4×10−6/K以下である。 (もっと読む)


【課題】 従来の硬質皮膜であるTiN皮膜やTiAlN皮膜よりも耐摩耗性に優れた硬質皮膜およびその形成用スパッタリングターゲット材を提供する。
【解決手段】[1](Zr1-a-b ,Hfa ,Mb )(C1-x x )からなる硬質皮膜(但し、MはW,Moの1種以上)であって、0≦1−a−b、0≦a、0.03≦b≦0.35、0≦x≦1を満たすことを特徴とする硬質皮膜、[2](Zr1-a-b-c ,Hfa ,Mb ,Dc )(C1-x x )からなる硬質皮膜(但し、DはSi,Bの1種以上)であって、0≦1−a−b、0≦a、0.03≦b≦0.35、0.03≦c≦0.3、0≦x≦1を満たすことを特徴とする硬質皮膜等。なお、上記式において、aはHfの原子比、bはMの原子比、cはDの原子比、xはNの原子比を示すものである。 (もっと読む)


【課題】平均熱膨張係数(23〜150℃)が2〜6ppm/Kの範囲に任意に調節可能で、ヤング率が高くかつ機械的強度が大きく、焼結性に優れる窒化珪素・メリライト複合焼結体、およびそれを用いた装置を提供する。
【解決手段】窒化珪素・メリライト複合焼結体は、窒化珪素及びメリライト(MeSi、Meは窒化珪素とメリライトを形成する金属元素)を含む複合焼結体であって、Siを、Si換算で41〜83モル%、Meを、酸化物換算で13〜50モル%、含有する。また、装置は、半導体検査用装置であって、そのような窒化珪素・メリライト複合焼結体を用いて構成される。 (もっと読む)


【課題】抵抗値が低く、炭化珪素発熱体の電力損出を少なくすることができて、省エネルギーを可能とし、製造コストの面でも有利な炭化珪素発熱体端部の製造方法を提供する。
【解決手段】発熱部と端部を接合してなる炭化珪素発熱体の端部を製造する方法において、炭化珪素、炭素および窒化珪素の混合粉末の成形体を、珪素の存在下で、且つ圧力が150〜1500Paの減圧下で、1450〜1700℃の温度に加熱して反応焼結することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】高強度、高靭性を保有して構造材料としての特性に優れたサイアロンを電磁気材料として、磁気的特性を保有する電磁気材料の機械構造的特性を一層向上させたサイアロン及びその製造方法を提供する。
【解決手段】磁性を保有するサイアロンの製造方法であって、窒化珪素、窒化アルミニウム、アルミナ及び希土類酸化物を混合する段階;及び前記混合物を窒素雰囲気で焼結する段階;を含み、サイアロンが0.15〜0.24emu/gの飽和磁化値の範囲を表すようにする。 (もっと読む)


【課題】窒化けい素本来の高強度・高靭性特性に加えて所定の電気抵抗値(導電性)を有し、特に摺動特性が優れた窒化けい素製耐摩耗性部材の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】酸素を1.7質量%以下、α相型窒化けい素を90質量%以上含有する平均粒径1.0μm以下の窒化けい素粉末に、炭化けい素を12〜28質量%、Mo,W,Ta,Nbの炭化物からなる群より選択される少なくとも1種をけい化物換算で3〜15質量%、希土類元素を酸化物に換算して2〜10質量%、アルミニウムを酸化物に換算して2〜10質量%、Ti,Hf,Zr、からなる群より選択される少なくとも1種を酸化物に換算して5質量%以下添加した原料混合体を成形して成形体を調製し、得られた成形体を脱脂後、非酸化性雰囲気下で1650〜1850℃の温度で焼結することにより前記炭化物がけい化物になることを特徴とする窒化けい素製耐摩耗性部材の製造方法である。 (もっと読む)


【課題】特定の複合部材と金属部材との摺動面の間に炭化水素燃料が介在することにより、両部材の摩耗が抑えられる摺動構造を提供する。
【解決手段】本発明の摺動構造は、セラミックス(窒化ケイ素、サイアロン等)に繊維状カーボン(カーボンナノファイバー、カーボンナノチューブ)を分散させた複合材料からなる複合部材と、金属部材(軸受鋼等)とが、互いに摺動する摺動構造(内燃機関に燃料を供給する燃料供給用部品等)において、複合部材と金属部材の各々の摺動面の間に、10−5〜2×10−4質量%の水を含有する炭化水素燃料(パラフィン系炭化水素燃料等)が介在している。 (もっと読む)


【課題】回路基板用窒化珪素セラミックス基板に適切な表面状態を付与することにより密着性、放熱性、耐圧性能(部分放電特性含む)を改善した窒化珪素回路基板を提供する。
【解決手段】窒化珪素基板に金属回路板をろう付け接合した窒化珪素回路基板であって、窒化珪素基板の接合面は算術平均粗さRaが、Ra<1μm、最大高さRyが、Ry<10μm、粗さ曲線から求めたスキューネスRskが、1>Rsk>0であり、ろう付け接合界面のボイドの面積率が3%以下である窒化珪素回路基板。 (もっと読む)


【課題】 高強度高靱性化を図ることができるとともに、放熱性を向上することができる窒化珪素質焼結体およびその製法ならびに回路基板、パワー半導体モジュールを提供する。
【解決手段】 β−Si及びβ−サイアロンのうち少なくとも1種の結晶粒子1と粒界相3とからなる窒化珪素質焼結体であって、結晶粒子1内に、該結晶粒子1の他の部分4よりもAl存在量が多いAl多領域部5を有するとともに、該Al多領域部5が希土類元素を含有する被覆層6で覆われていることを特徴とする。これにより、焼結体の強度と靱性を向上できるとともに、焼結体の熱伝導率を高くすることができ、放熱性を向上できる。 (もっと読む)


本発明は、軸受内の転がり要素として適した窒化ケイ素又はサイアロンの焼結セラミック部品、及びそのようなセラミック部品を生成するための製造方法に関する。該セラミック部品は、高密度と、均一できめ細かな微細構造とを有し、部品に優れた機械的性質を付与する。SPSによる焼結セラミック部品の製造は、費用効果があり迅速である。 (もっと読む)


本発明は、擬等方性微細構造を備えたセラミック材料を製造する方法に関する。焼結セラミック部品を製造するための微細構造を製作する該方法は、放電プラズマ焼結(SPS)工程を含む。SPS工程を少なくとも2ステップで実施することにより、緻密化を粒子成長と分離させることが可能になる。第1の温度及び第1の圧力での最初の焼結ステップと、次のより高温及びより低圧での制御された粒子成長ステップにより、制御された微細構造及び改善された機械的性質を備えたセラミック部品を製造することが可能になる。 (もっと読む)


【課題】セラミックスの曲げ強度及び接触強度を向上できる技術の提供。
【解決手段】SiC微粒子12を10〜30wt%含有するセラミックス焼結体1あるいはSiC製のセラミックス焼結体にショットピーニング処理によって圧縮残留応力を導入するとともに前記セラミックス焼結体1に亀裂2を形成した後、酸素含有雰囲気下で、前記ショットピーニング処理にて導入した圧縮残留応力を全て除去できる加熱温度よりも低い温度での熱処理によってSiCを酸化させSiOを生成する熱処理工程を行うことを特徴とするセラミックス製品の製造方法、セラミックス製品5を提供する。 (もっと読む)


【課題】粒径の均一な結晶シリコン粒子を高い生産性で低コストに製造することができる結晶シリコン粒子の製造方法、坩堝、及び結晶シリコン粒子の製造装置を提供する。
【解決手段】結晶シリコン粒子の製造方法は、坩堝1のノズル部1cからシリコン融液6を滴状に排出して、シリコン融液6を冷却して凝固させることによって結晶シリコン粒子を製造する結晶シリコン粒子の製造方法であって、坩堝1は窒化珪素を含む材料から成るとともに内面の表層部1bが酸窒化珪素から成る。 (もっと読む)


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