【課題】耐摩耗性、耐チッピング性を改善した窒化珪素質焼結体および切削工具ならびに切削加工装置、切削方法を提供する。
【解決手段】窒化珪素質焼結体は、窒化珪素結晶粒子を主体とする結晶相と、前記窒化珪素結晶の粒界にある非結晶の粒界相とを具備する。粒界相は、ランタン、アルミニウム、マグネシウム、珪素及び酸素を含む。前記焼結体は、ランタンを酸化物換算量で０．１質量％以上、アルミニウムを酸化物換算量で０．０５〜０．６質量％、マグネシウムを酸化物換算量で０．３質量％以上、酸素を酸素量が２．５質量％以下含有する。ランタンの酸化物換算量、アルミニウムの酸化物換算量およびマグネシウムの酸化物換算量の合計が３．５質量％以下である。 （もっと読む）

【課題】耐摩耗性、耐チッピング性を改善した窒化珪素質焼結体および切削工具ならびに切削加工装置、切削方法を提供する。
【解決手段】窒化珪素結晶を主とする結晶相と、ランタン、アルミニウム、マグネシウム、珪素及び酸素を含み、窒化珪素結晶の粒界にある非晶質の粒界相とを有し、焼結体の表面から深さ０．３ｍｍの面におけるマグネシウム含有量が酸化物換算で１．３質量％以下であるとともに、焼結体表面から深さ０．３ｍｍの面におけるマグネシウム含有量が、焼結体表面から深さ１ｍｍの面におけるマグネシウム含有量よりも少なく、かつ、焼結体表面から深さ０．３ｍｍの面と深さ１ｍｍの面とのマグネシウム含有量の差が、酸化物換算で０．５質量％以下である。 （もっと読む）

【課題】 高強度高靱性化を図ることができるとともに、放熱性を向上することができる窒化珪素質焼結体およびその製法ならびに回路基板を提供する。
【解決手段】 β−Ｓｉ_３Ｎ_４およびβ−サイアロンのうち少なくとも１種の結晶粒子１と粒界相３とからなる窒化珪素質焼結体であって、結晶粒子１内に、該結晶粒子１の他の部分よりもＡｌ存在量が多いＡｌ多領域５を有するとともに、Ａｌ多領域の平均径が２μｍ以上であり、かつＡｌを全量中０．０５３〜０．４２２質量％含有すること、望ましくは０．１５９〜０．２３８質量％含有することを特徴とする。これにより、焼結体の強度と靱性を向上できるとともに、焼結体の熱伝導率を高くすることができ、放熱性を向上できる。 （もっと読む）

【課題】 高い耐欠損性と耐摩耗性を有する切削工具を提供する。
【解決手段】 希土類金属（ＲＥ）をＲＥ_２Ｏ_３換算量で０．１〜３質量％、アルミニウム（Ａｌ）をＡｌ_２Ｏ_３換算量で０〜０．６質量％、マグネシウム（Ｍｇ）をＭｇＯ換算量で０〜１質量％、酸素を０〜２．５質量％の割合で含有する窒化珪素質焼結体からなる基体の表面に、Ｔｉ_{１−ａ−ｂ−ｃ−ｄ}Ａｌ_ａＷ_ｂＳｉ_ｃＭ_ｄ（Ｃ_ｘＮ_１−ｘ）（ただし、ＭはＮｂ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｈｆ、Ｙから選ばれる１種以上であり、０．４５≦ａ≦０．５５、０．０１≦ｂ≦０．１、０≦ｃ≦０．０５、０．０１≦ｄ≦０．１、０≦ｘ≦１である。）の被覆層が被着形成されている切削工具である。 （もっと読む）

【課題】生産安定性が高く、緻密でガスバリア性の高いガスバリア膜を成膜できるイオンプレーティング用蒸発源材料の原料粉末等を提供する。より具体的には、イオンプレーティング法に適したイオンプレーティング用蒸発源材料の原料粉末、イオンプレーティング用蒸発源材料及びその製造方法、ガスバリア性シート及びその製造方法を提供することにある。
【解決手段】平均粒径が５μｍ以下の窒化ケイ素又は酸窒化ケイ素１００重量部に対して、平均粒径が５μｍ以下の導電性材料を５重量部以上１００重量部以下含有する原料粉末により、上記課題を解決する。導電性材料が、導電性を有する、金属酸化物、金属窒化物、及び金属酸窒化物から選ばれる少なくとも１つであることが好ましい。本発明のイオンプレーティング用蒸発源材料は、上記の原料粉末を焼結又は造粒させて平均粒径が２ｍｍ以上の塊状粒子又は塊状物に加工したものである。 （もっと読む）

【課題】窒化けい素セラミックス基板を用いて各種パワーモジュールを構成した際にリーク電流の発生を効果的に抑制することができ、大電力化および大容量化したパワーモジュールにおいても絶縁性および動作の信頼性を大幅に向上させることが可能な半導体モジュールおよびそれを用いた電子機器を提供する。
【解決手段】気孔率が容量比で２．５％以下であり、粒界相中の最大気孔径が０．３μｍ以下であり、厚さが１．５ｍｍ以下である窒化けい素焼結体から成り、温度２５℃，湿度７０％の条件下で上記窒化けい素焼結体の表裏間に１．５Ｋｖ−１００Ｈｚの交流電圧を印加したときの電流リーク値が１０００ｎＡ以下であり、熱伝導率が５０Ｗ／ｍ・Ｋ以上、３点曲げ強度が５００ＭＰａ以上である窒化けい素セラミックス基板２と、この窒化けい素セラミックス基板２に接合された金属回路板３と、この金属回路板上に搭載された半導体素子と、を備えることを特徴とする半導体モジュールである。 （もっと読む）

【課題】 半導体の性能や信頼性を高く維持できる半導体製造用部品を提供する。
【解決手段】 窒化珪素結晶粒子３と粒界相とからなり、相対密度が９８％以上の窒化珪素焼結体からなる基体１に、該基体１の表層の粒界相を除去して、窒化珪素結晶粒子３が３次元的に連結した多孔質層５を設けてなるもので、多孔質層５上にシリコンウエハを載置し、搬送する場合であっても、従来の粒界相を構成する、例えば希土類元素、アルミニウム等の元素がシリコンウエハと接触することがなく、これによりシリコンウエハを汚染し、半導体の性能や信頼性を損ねたりすることがない。 （もっと読む）

本発明は、固体粒子の懸濁物を含む、耐久性のある強固に接着する剥離層を基体上に製造するための泥漿であって、この固体粒子は、６７−９５重量％の窒化ケイ素および５−３３重量％のＳｉＯ_２ベースの高温バインダーを含み、このＳｉＯ_２ベースの高温バインダーはＳｉＯ_２前駆体から誘導され、かつ３００−１３００℃の温度範囲での熱処理によって前処理されたものである、泥漿に関する。本発明はさらに、耐久性のある強固に接着する剥離層を有する基体を含む成形体、およびそれらを製造するためのプロセスを提供する。本発明の成形体は、腐食性非鉄金属融液の分野での使用に適している。 （もっと読む）

【課題】窒化シリコン−二酸化シリコン高寿命消耗プラズマ処理構成部品
【解決手段】プラズマエッチングチャンバの平均洗浄間隔時間及びチャンバパーツの寿命を延ばす方法が提供される。イオン衝撃及び／又はイオン化ハロゲンガスに曝される少なくとも１つの焼結窒化シリコン構成部品を使用しつつ、チャンバ内において一度に１枚ずつ半導体基板がプラズマエッチングされる。焼結窒化シリコン構成部品は、高純度の窒化シリコンと、二酸化シリコンからなる焼結助剤とからなる。焼結窒化シリコン構成部品を含むプラズマ処理チャンバが提供される。プラズマ処理時のシリコン基板の表面上における金属汚染を軽減する方法が、１つ又は２つ以上の焼結窒化シリコン構成部品を含むプラズマ処理装置によって提供される。プラズマエッチングチャンバ内においてイオン衝撃及び／又はプラズマ浸食に曝される構成部品を製造する方法は、高純度の窒化シリコンと二酸化シリコンとからなる粉末組成を成形することと、該成形構成部品を緻密化することとを含む。 （もっと読む）

【課題】亀裂の発生を抑制して靱性の高い表面硬化高強度セラミックスを提供する。
【解決手段】アルミナ、ムライト、TiO₂、ZrO₂、Si₃N₄、SiC及びAlNの群から選ばれる１種以上の無機材料からなるマトリクスに炭化物の微細粒子を１vol％以上分散させた複合焼結体又は前記炭化物単体の焼結体を、１０００〜１４００℃で１〜３００時間の範囲内で熱処理後、電子線を照射して表面を硬化してなる表面硬化高強度セラミックスである。 （もっと読む）

本発明は、基本的に、組成物Ｍ_１−ｙＡ_２−ｘＢ_ｘＯ_２−２ｘＮ_２＋ｘ：Ｅｕ_ｙから成り、ここで、Ｍは、Ｓｒ、Ｃａ、Ｂａ、Ｍｇ又はそれらの混合物を含むグループから選択され、Ａは、Ｓｉ、Ｇｅ又はそれらの混合物を含むグループから選択され、Ｂは、Ａｌ、Ｂ、Ｇａ又はそれらの混合物を含むグループから選択され、ｘ及びｙは、＞０から≦１までで別々に選択されるセラミック複合材料を備える発光装置、特にＬＥＤに関する。この材料は、一方の相がアンバー乃至赤色放射相であり、他方の相がシアン乃至緑色放射相である２相組成物であることが分かった。
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【課題】 釣糸の案内や時計等に用いられる装飾部品の色調の好みは十人十色であるが、銀色に赤みを帯びるという装飾的価値が高い色調を醸し出すとともに、耐磨耗性に優れた装飾部品用セラミックスは提供されていなかった。
【解決手段】 炭窒化チタン質焼結体からなり、表面にニッケル，クロムおよびこれらの珪化物と窒化珪素とを含む装飾部品用セラミックスである。本発明の装飾部品用セラミックスによれば、耐磨耗性に優れるとともに、炭窒化チタンが呈する金属光沢を有する茶褐色系の色調と、クロム、ニッケルおよびこれらの珪化物が呈する銀色系の色調と、窒化珪素が呈する黒色系の色調とのバランスが合って、ＣＩＥ1976Ｌ＊ａ＊ｂ＊表色系において、明度指数Ｌ＊が60〜71であり、クロマティクネス指数ａ＊が４〜９であり、ｂ＊が７〜10であり範囲の、銀色に赤みを帯びるという装飾的価値の極めて高い色調を醸し出すことができる。 （もっと読む）

【課題】プレス圧を下げ安価な黒鉛製鋳型を使用することにより低コストで製造できると共に、超硬工具にて容易に加工できる快削性と、穿孔などの機械加工時に割れや欠けを起こさない高強度とを併せ持ち、かつ使用温度環境が変動しても寸法の狂いが生じにくい低熱膨張性を有する快削性セラミックスの製造方法を提供すること。
【解決手段】アルミナとジルコニアと窒化硼素と焼結助剤とを含む原料粉末であって、アルミナとジルコニアとの質量比が１：０．７〜１：２．３であり、窒化硼素が比表面積１５ｍ²／ｇ以上の六方晶系窒化硼素で、その原料粉末全体に対する配合割合が２５〜６２質量％であり、焼結助剤の原料粉末全体に対する配合割合が０．５〜４．５質量％である原料粉末を不活性雰囲気中、プレス圧９〜２１ＭＰａ、焼成温度１５３０〜１７２０℃で加圧焼成する。
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【課題】 母基板の熱伝導率を向上できる回路基板およびその製法を提供する。
【解決手段】 窒化珪素質焼結体からなる母基板に導体層を形成してなる回路基板であって、基板が、Ｌｉを全量中０．００９〜０．０４６質量％含有することを特徴とする。このような回路基板の母基板は、窒化珪素粉末にＬｉ化合物をＬｉ_２Ｏ換算で全量中０．３〜１．５質量％添加した混合粉末を成形し、焼成し、Ｌｉを全量中０．００９〜０．０４６質量％含有せしめて作製される。 （もっと読む）

【課題】高周波領域における低い誘電損失とともに高い熱伝導を有する低損失誘電体材料とその製造方法及び部材を提供する。
【解決手段】窒化ケイ素を主体とし、周期律表第３ａ族化合物、及び、不純物的酸素を含有する窒化ケイ素質焼結体からなり、該焼結体の粒界が結晶化され、かつ２ＧＨｚと３ＧＨｚにおける誘電損失が２×１０^−４以下であり、熱伝導率が９０Ｗ・ｍ^−１・Ｋ^−１以上の高周波用低損失誘電体材料、その製造方法及び部材。
【効果】２ＧＨｚと３ＧＨｚにおける誘電損失が２×１０^−４以下で、かつ熱伝導率が９０Ｗ・ｍ^−１・Ｋ^−１以上である高熱伝導・低誘電損失の高周波用低損失緻密質誘電体材料及び部材等を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】排気中の粒子状物質（ＰＭ）の捕集効率が高く、初期圧力損失が小さいと共に、ＰＭの捕集に伴う圧力損失の増大が抑制されたハニカム構造体を提供する。
【解決手段】ハニカム構造体１０は、多孔質セラミックスで構成され単一の方向に延びて列設された複数の隔壁２により区画された複数のセル３、及び、複数のセルが一方向に開放したセル３ａと他方向に開放したセル３ｂとが交互となるように、それぞれのセルの一端を封止する封止部６を備え、水銀圧入法により測定された隔壁の気孔直径の平均値が１μｍ〜２０μｍであり、気孔直径を常用対数で表した場合の気孔径分布の標準偏差が０．２０以下であり、隔壁の厚さｄ、セルが延びる軸方向のセルの長さＬ、及び軸方向の封止部の長さＤは、ｄ＜ＤかつＤ＜Ｌ／１０の関係を満たしている。 （もっと読む）

【課題】排気中の粒子状物質（ＰＭ）の捕集効率が高く、初期圧力損失が小さいと共に、ＰＭの捕集に伴う圧力損失の増大が抑制されたハニカム構造体を提供する。
【解決手段】ハニカム接合体は、多孔質セラミックスで構成され単一の方向に延びて列設された複数の隔壁により区画された複数のセル、及び、複数のセルが一方向に開放したセルと他方向に開放したセルとが交互となるように、それぞれのセルの一端を封止する封止部を備えたハニカム構造体が、接合層を介して複数接合されて形成され、水銀圧入法により測定された隔壁の気孔直径の平均値が１μｍ〜２０μｍであり、気孔直径を常用対数で表した場合の気孔径分布の標準偏差が０．２０以下であり、セルが延びる軸方向に略直交する断面において、接合層の面積のハニカム接合体の全面積に対する割合は５％〜２０％とされている。 （もっと読む）

【課題】より生産性が高く、更に常温および高温環境下における機械的特性に優れたサイアロンセラミックスおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】サイアロンセラミックスであって、平均粒径Ｐ_ｓ＝５００ｎｍ以下のＳｉ_３Ｎ_４と、平均粒径Ｐ_ｓ＝３００ｎｍ以下のＡｌ_２Ｏ_３と、平均粒径Ｐ_ｓ＝１μｍ以下のＡｌＮからなる出発原料より構成され、焼結体のβ−ＳｉＡｌＯＮとしての相対密度が９５％以上であるものとする。さらに、上記組成からなる焼結体中に、サイアロンに対して内割りで３〜１５ｖｏｌ．％のカーボンナノファイバーを略均質に分散させた状態で含むことがより好ましい。上記サイアロンセラミックスは、原料となる混合粉体を、放電プラズマ焼結法を用いて合成同時焼結することにより調製されることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】機械部品としての十分な強度を具備し、摺動性にすぐれた摺接構造体を提供する。
【解決手段】一方を他方に対して摺動可能に支持する第１部材と第２部材とを含む摺接構造体であって、第１部材は、マトリックスを構成する金属基地中に、固体潤滑粒子５〜４０体積％、硬質粒子５〜４０体積％を含み、第２部材は、窒化珪素を母材とする基地中に、窒化硼素粒子を５〜５０体積％含んでいる。 （もっと読む）

【課題】窒化ケイ素焼結体の強度や摺動特性の低下を抑制しつつ、加工性を向上させて製造コストの低減を図る。
【解決手段】窒化珪素焼結体は、窒化珪素結晶粒子と、２質量％以上１５質量％以下の範囲の焼結助剤成分とを含有する、窒化珪素焼結体を構成する窒化珪素結晶粒子は、短径Ｓに対する長径Ｌの比（Ｌ／Ｓ比）が５以上の針状結晶粒子を面積比で１０％以上含む。このような針状結晶粒子はＬ／Ｓ比の平均値が６〜８の範囲で、Ｌ／Ｓ比の標準偏差が０．８以上である。窒化珪素焼結体は例えばベアリングボール２として用いられる。 （もっと読む）