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Fターム[4G001BA32]の内容

セラミック製品 (17,109) | 原料組成 (4,418) | 窒化物 (833) | Si3N4 (255)

Fターム[4G001BA32]に分類される特許

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【課題】赤みが強くかつ色空間において明るい色域を有する赤色顔料セラミックスを提供する。
【解決手段】 M2−xEuSiの化学組成(但し、MはSr、SrとBaま
たはSrとCa、Xが0.1≦X≦1.5)を有する。 (もっと読む)


【課題】機械的強度に優れた窒化珪素質焼結体を提供する。
【解決手段】窒化珪素粉末およびSi粉末原料に、焼結助剤として、イットリア、アルミナ、シリカ粉末を加え、成形、焼成することにより、窒化珪素の結晶を主相とし、粒界相にYSiAlONの結晶が存在する、強度に優れた窒化珪素質焼結体とすることができる。 (もっと読む)


【課題】耐酸化性や耐食性に優れた炭化ケイ素系耐熱性超軽量多孔質構造材を提供する。
【解決手段】有機多孔質構造体の有形骨格に樹脂類及びシリコン粉末を含んだ第一スラリーを含浸させ真空或いは不活性雰囲気下において炭素化し、真空或いは不活性雰囲気下において反応焼結させて炭化ケイ素化し、シリコンを溶融含浸してシリコン被覆層を形成し、次いで樹脂類を含む第二スラリーを含浸させ炭素化するとともにシリコン被覆層の少なくとも表面を炭化ケイ素化する。 (もっと読む)


【課題】熱サイクル時における亀裂の進展が抑制されるとともに、焼結性および接合性に優れたパワーモジュール用基板を提供する。
【解決手段】回路層となる金属板と接合されてパワーモジュール用基板を形成するセラミックス基板であって、繊維状Si粒子と、非晶質Si粒子とが焼結されており、前記繊維状Si粒子が、0.05μm以上3μm以下の短軸径と3以上20以下のアスペクト比を有し、且つ、一つの断面における前記繊維状Si粒子のセラミックス基板に占める割合が、5面積%以上95面積%以下であり、前記非晶質Si粒子の平均粒子径が1nm以上500nm以下であることにより、前記課題を解決する。 (もっと読む)


【課題】六方晶系窒化ホウ素を快削性付与剤として含み、より低温で焼成可能であって、かつ、無加圧下で製造が可能な快削性セラミックス及びその製造方法を提供する。
【解決手段】粒子の表面のみならず内部にも酸素が含まれている快削性付与剤としての六方晶系窒化ホウ素粉体と、基材としてのセラミックス粉体(ただし六方晶系窒化ホウ素は除く)とを混合して焼結用混合粉とし(混合工程)、該焼結用混合粉を圧力成形してプレ成形体とし(プレ成形工程)、プレ成形体を非酸化性ガス雰囲気下又は真空中において焼結する(焼結工程)。 (もっと読む)


【課題】耐摩耗性を向上でき、またそのばらつきを効果的に抑制することができる窒化珪素質焼結体を提供する。
【解決手段】 単結晶試料についてラマン分光分析を行ったときの1200cm−1での散乱強度を基準散乱強度レベルX0として、その基準散乱強度X0からの増分散乱強度にて表した、500〜530cm−1に出現する最強の散乱ピークの高さをYkとし、また、焼結体のラマン分光分析を行ったときのスペクトルプロファイルの、1200cm−1における基準散乱強度X0からの増分散乱強度Y1として、Y1のYkに対する比Y1/Ykを0.4以上とする。これにより、窒化珪素質焼結体の耐摩耗性を向上させることができ、また、そのばらつきも抑制することができる。 (もっと読む)


【課題】グラスライニングにも適用が可能な熱伝導性ガラスであって、熱伝導性に優れ、かつ、ガラスの発泡による膨張が少ない熱伝導性ガラス、及びそのような熱伝導性ガラスの製造方法を提供すること。
【解決手段】熱伝導性フィラーとしてSiCをガラスフリットに添加する場合に、600℃以上720℃未満の温度範囲で焼成する。SiCの表面を酸化処理し、SiO被膜を形成させてもよい。また、熱伝導性フィラーを混合したガラスフリットを、不活性ガス雰囲気下で焼成してもよく、減圧下又は加圧下で焼成してもよい。 (もっと読む)


【課題】 機械的特性および耐熱衝撃性に優れ、信頼性が高く長期間にわたって使用することのできる窒化珪素質焼結体からなる溶湯金属用部材を提供する
【解決手段】 窒化珪素を主成分とする柱状結晶1と、金属元素の酸化物を主成分とする粒界相2とを有する窒化珪素質焼結体からなり、窒化珪素質焼結体の表面に開気孔3を有し、開気孔3の内部に、窒化珪素焼結体の内部に存在する第1の柱状結晶1aよりも径の太い第2の柱状結晶1bが互いに交錯するように複数存在している溶湯金属用部材である。溶湯金属による開気孔3の内面の粒界相2の浸食が抑制されることで、窒化珪素質焼結体自体の機械的特性および耐熱衝撃性を向上することができる。また、溶湯金属が粒界相2と反応して強固に付着することも少なくなるため、長期間にわたって使用することができる。 (もっと読む)


【課題】
高温状態から温度が下がってもイオン伝導度の低下を抑制することができるリチウムケイ素窒化物焼結体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】
リチウムケイ素窒化物焼結体は、主相にLiSi1/3(X+4Y)(但し、X>0,Y>0)で表される組成を有するリチウムケイ素窒化物焼結体であって、上記リチウムケイ素窒化物焼結体はカルシウムを含むことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】焼結の際に内部に埋設された耐熱性金属材料の炭化を抑制して、耐熱性金属材料の導電性の低下を防止するセラミックス焼結体の製造方法、セラミックス焼結体およびセラミックスヒータを提供する。
【解決手段】 本発明のセラミックス焼結体は、耐熱性金属材料2と、耐熱性金属材料2の表面に形成され、金属炭化物の標準生成自由エネルギーが耐熱性金属材料2よりも小さい金属材料からなる金属皮膜と、金属皮膜が形成された耐熱性金属材料2をセラミックス基体の原材料である粉体中の所定の位置に配設し、加圧成型されたセラミックス成型体と、を備えるプレセラミックスを焼結して形成され、前記焼結時に金属皮膜が炭化されて金属炭化物皮膜4が形成されている。 (もっと読む)


【課題】 絶縁耐力が高く、優れた放熱特性および機械的特性を有する窒化珪素質焼結体およびこれを用いた回路基板ならびに電子装置を提供する。
【解決手段】 窒化珪素を主成分とし、マグネシウム,希土類金属,アルミニウムおよび硼素を酸化物換算でそれぞれ2質量%以上6質量%以下,12質量%以上16質量%以下,0.1質量%以上0.5質量%以下,0.06質量%以上0.32質量%以下含んでなり、β−Siを主結晶相と、組成式がRESi(REは希土類金属)として示される成分を含む粒界相とにより構成され、X線回折法によって求められる、回折角27°〜28°におけるβ−Siの第1のピーク強度Iに対する、回折角30°〜35°におけるRESiの第1のピーク強度Iの比率(I/I)が20%以下(但し、0%を除く)の窒化珪素質焼結体である。 (もっと読む)


【課題】硬度、ヤング率、靱性、熱伝導率、及び耐熱衝撃性を含む金属切削性能が改良された切削用インサートとしての用途を有する、改良されたSiALON材料の提供。
【解決手段】α’SiAlON相及びβ’SiAlON相から成る二相複合体を含むSiAlON材料。α’SiAlON相は、イッテルビウムを含有する。α’SiAlON相は、二相複合体の約25重量%〜約85重量%の量で含まれる。このSiAlON材料は、粒間相をさらに含む。 (もっと読む)


【課題】 部分的な強度の偏りが抑えられた炭化ケイ素質ハニカム体を得ること。
【解決手段】 本発明の炭化ケイ素質ハニカム体は、炭化ケイ素よりなり、軸方向にのびる複数のセルが区画された炭化ケイ素質ハニカム体において、炭化ケイ素質ハニカム体を形成する炭化ケイ素粒子の表面に、酸化被膜が均一に形成されていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】簡易に製造することができ、電気抵抗値を種々とすることが可能な導電性ハニカム構造体を提供する。
【解決手段】導電性ハニカム構造体1は、導電性を有するセラミックスの焼結体で形成され、単一の軸方向Zに延びて列設された複数の隔壁14により区画された複数のセル15を備える基体10と、基体の軸方向の一端に開口し、他端に至ることなく軸方向に延びるスリット部11と、スリット部の内部に充填された、電気絶縁性または前記基体より電気伝導率の小さい、非焼結の充填材12とを具備する。 (もっと読む)


【課題】簡易な工程で、電気抵抗を広い範囲内で容易に調整することが可能な導電性炭化珪素質ハニカム構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】製造方法は、窒化珪素粉末と炭素質物質とからなり珪素と炭素のモル比が0.5〜1.5である炭化珪素生成原料、及び、骨材としての炭化珪素粉末を含む混合原料で、単一の軸方向Zに延びて列設された複数の隔壁14により区画された複数のセル15を備えるハニカム構造の成形体を成形する成形工程と、成形体を非酸化雰囲気で焼成し、導電性の基体10とする焼成工程と、基体を、軸方向の一端から軸方向に沿って他端に至ることなく切断してスリット部11を形成する切断工程と、スリット部を、電気絶縁性または基体より電気伝導率の小さい充填材12で充填する充填工程とを具備する。 (もっと読む)


【課題】簡易な工程で、比抵抗値を広い範囲内で容易に調整することが可能な導電性炭化珪素質多孔体の製造方法を提供する。
【解決手段】製造方法は、導電性を有する多孔質の炭化珪素質セラミックスの焼結体を、所定の加熱温度で所定加熱時間にわたり酸化雰囲気下で加熱し、炭化珪素質粒子の表面に二酸化珪素層を形成させる酸化処理工程を具備し、該酸化処理工程における加熱温度及び/または加熱時間を変化させることにより比抵抗値の異なる導電性炭化珪素質多孔体を製造するものである。 (もっと読む)


【課題】簡易な工程で製造することができ、広い範囲内で種々の比抵抗値をとることが可能な炭化珪素質セラミックス焼結体を提供する。
【解決手段】導電性を有する多孔質の炭化珪素質セラミックス焼結体であって、粒子表面に二酸化珪素層が形成されている。また、二酸化珪素層は、酸素濃度として0.4質量%〜4.8質量%が形成されている。更に、炭化珪素質セラミックス焼結体は、単一の方向に延びて列設された隔壁により区画された複数のセルを備えるハニカム構造に形成することが可能である。 (もっと読む)


【課題】アルミニウム溶湯に対する良好な耐濡れ性及び高い強度を有する窒化珪素―窒化硼素複合セラミックスを提供する。
【解決手段】窒化珪素粉末、焼結助剤粉末、及び六方晶窒化硼素粉末からなる原料を成形、焼成して窒化珪素と窒化硼素の複合セラミックスを得る窒化珪素−窒化硼素複合セラミックスの製造方法において、前記六方晶窒化硼素として、レーザ回折・散乱法で測定した平均粒径が2〜10μm、30μm以上の粒径を有する粒子が5%以下、SEM写真から測定した1次粒子の平均粒子寸法が0.01〜0.8μm、比表面積が20〜50m/gであるものを、窒化珪素粉末と焼結助剤粉末の合計100質量部に対して3〜20質量部含有する。 (もっと読む)


【課題】 所望の導電特性に制御することができる炭化けい素質多孔体の製造方法を実現する。
【解決手段】 骨材としての炭化けい素粉末に、窒化けい素中のけい素成分とカーボンのモル比(Si/C)が0.5〜1.5である窒化けい素粉末及び炭素質固体粉末を所定量混合して成形し、得られた成形体を窒素雰囲気で焼成することにより、けい素源の窒化けい素と炭素源の炭素質固体とが反応して炭化けい素が生成して骨材をつなぐネックが形成された炭化けい素質多孔体を製造する製造方法であって、炭化けい素粉末に対する窒化けい素粉末及び炭素質固体粉末の混合比により導電特性を制御する。 (もっと読む)


【課題】低温〜高温の広い温度域ですぐれた抵抗値特性を有する炭化ケイ素焼結体を製造する炭化ケイ素焼結体の製造方法及び炭化ケイ素焼結体を提供する。
【解決手段】炭化ケイ素焼結体の製造方法は、炭化ケイ素と、ホウ素を含むホウ素原料と、が混合した原料粉末を調製する原料混合工程と、原料粉末を、窒素とアルゴンとからなる雰囲気下で焼結する焼結工程と、を有する。 (もっと読む)


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