【課題】 母基板の熱伝導率を向上できる回路基板およびその製法を提供する。
【解決手段】 窒化珪素質焼結体からなる母基板に導体層を形成してなる回路基板であって、基板が、Ｌｉを全量中０．００９〜０．０４６質量％含有することを特徴とする。このような回路基板の母基板は、窒化珪素粉末にＬｉ化合物をＬｉ_２Ｏ換算で全量中０．３〜１．５質量％添加した混合粉末を成形し、焼成し、Ｌｉを全量中０．００９〜０．０４６質量％含有せしめて作製される。 （もっと読む）

【課題】高周波領域における低い誘電損失とともに高い熱伝導を有する低損失誘電体材料とその製造方法及び部材を提供する。
【解決手段】窒化ケイ素を主体とし、周期律表第３ａ族化合物、及び、不純物的酸素を含有する窒化ケイ素質焼結体からなり、該焼結体の粒界が結晶化され、かつ２ＧＨｚと３ＧＨｚにおける誘電損失が２×１０^−４以下であり、熱伝導率が９０Ｗ・ｍ^−１・Ｋ^−１以上の高周波用低損失誘電体材料、その製造方法及び部材。
【効果】２ＧＨｚと３ＧＨｚにおける誘電損失が２×１０^−４以下で、かつ熱伝導率が９０Ｗ・ｍ^−１・Ｋ^−１以上である高熱伝導・低誘電損失の高周波用低損失緻密質誘電体材料及び部材等を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】安価でありながら、十分な耐久性を安定して確保することが可能なβサイアロン焼結体からなる自在継手用トルク伝達部材およびその製造方法、さらに当該自在継手用トルク伝達部材を備えた自在継手を提供する。
【解決手段】固定ジョイント１を構成する自在継手用トルク伝達部材であるボール１３は、βサイアロンを主成分とし、残部不純物からなる焼結体から構成されている。そして、ボール１３の接触面であるボール転走面１３Ａを含む領域には、内部１３Ｃよりも緻密性の高い層であるボール緻密層１３Ｂが形成されている。 （もっと読む）

【課題】炭化ケイ素焼結体の簡易な高純度化方法を提供する。
【解決手段】炭化ケイ素焼結体を不活性ガス雰囲気下で１７００℃〜２０００℃で加熱する炭化ケイ素焼結体の高純度化方法。 （もっと読む）

【課題】靱性を高くすることができる炭化硼素質焼結体および防護部材を提供する。
【解決手段】炭化硼素を主成分とし、炭化珪素およびグラファイトを含む炭化硼素質焼結体であって、炭化硼素からなる主結晶粒子１の粒界に針状の炭化珪素粒子５が存在するとともに、該針状の炭化珪素粒子５と主結晶粒子１との間に、炭化珪素からなる介在結晶相６が存在するので、炭化珪素からなる介在結晶相６が針状の炭化珪素粒子５と主結晶粒子１とに接触し、炭化硼素を介在結晶相６、針状の炭化珪素粒子５で連結し、アンカー効果により靱性を向上できるとともに、仮に、クラックが発生したとしても、介在結晶相６および針状の炭化珪素粒子５でクラックの進展が抑制され、炭化硼素質焼結体の靱性を大きくすることができ （もっと読む）

【課題】反応焼結窒化ケイ素基焼結体を作製する際に、低温短時間で従来製品と同等の反応焼結窒化ケイ素基焼結体を作製する方法及びその製品を提供する。
【解決手段】ケイ素原料に対して、窒化触媒の効果を有するＺｒＯ_２を添加するとともに従来法に比べて低温短時間で反応焼結を行うことで、従来製品の反応焼結窒化ケイ素と同等の機械的特性を有する反応焼結窒化ケイ素基焼結体材料を作製する。
【効果】従来法と比べて低温かつ短時間の反応焼結によって、窒化ケイ素基反応焼結体が作製可能なため、低エネルギー消費で従来品と同等の機械的特性を有する反応焼結窒化ケイ素基焼結体を作製し、提供することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】本発明は作業環境の安全性の向上を図ることができる窒化ケイ素焼結体の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】窒化ケイ素粉末及び焼結助剤を含む粒度(Ｄ_５０)０．３〜１μｍの原料粉体からスラリーを調製する工程と、スラリーからスプレードライヤー法を用いてＳＤ粉体を得る工程と、ＳＤ粉体を成形型に仕込み、成形圧力３ｔｏｎ／ｃｍ^２以上で焼成して窒化ケイ素焼結体を得る工程と、を含む窒化ケイ素焼結体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】高い硬度を有する炭化硼素質焼結体は、研削抵抗が大きいため、研削加工時のクラックの伝播の効率が悪く、加工性が低という問題があった。
【解決手段】炭化硼素を主成分とし、グラファイトおよび炭化珪素を含み、気孔を有する炭化硼素質焼結体からなり、前記グラファイトが前記気孔を規定する気孔規定面に主として存在させることで、高い硬度を維持したままで研削加工性の高い焼結体を提供する。 （もっと読む）

【課題】均熱性が良好で純度の高い炭化ケイ素焼結体ヒータ及びそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】かさ密度３．０ｇ／ｃｍ³以上、熱伝導率２００ｗ／ｍ・ｋ以上の炭化ケイ素焼結体からなる加熱体と、加熱体に通電して前記加熱体を昇温させる、かさ密度２．２ｇ／ｃｍ³以下、熱伝導率１００ｗ／ｍ・ｋ以下の炭化ケイ素焼結体からなる１対の電極と、を備え、加熱体と電極は、接合材を加熱焼結して得られる炭化ケイ素焼結体を介して一体に接合されている炭化ケイ素焼結体ヒータ。 （もっと読む）

【課題】立方晶型窒化硼素を20体積％以上含むＣＢＮ焼結体からなる基材またはダイヤモンドを40％以上含むダイヤモンド焼結体からなる基材を有する工具用の複合高硬度材料の改良。
【解決方法】Ｃ、ＮおよびＯの中から選択される少なくとも１種の元素と、Tiと、Alとを主成分とした少なくとも１層の硬質耐熱被膜を少なくとも切削に関与する箇所に有する。ＣＢＮ焼結体またはダイヤモンド焼結体の高い硬度および高い強度（超硬合金に比べ数倍）と、硬質耐熱被膜の優れた耐摩耗性とを併せ持った、焼入鋼切削や鋳鉄の粗切削、鋳鉄とアルミ合金との共削り等で用いた場合に従来工具に対して著しく長い寿命を示す理想的な工具用複合高硬度材料。 （もっと読む）

【課題】安価に製造することができ、特性のバラツキが抑制され信頼性に優れた窒化けい素焼結体からなる耐磨耗性部材を提供すること。
【解決手段】窒化けい素を主成分とするセラミックス焼結体からなる耐磨耗性部材であって、前記耐磨耗性部材はＦｅ成分の含有量が１０ｐｐｍ以上３５００ｐｐｍ以下かつＣａ成分の含有量が１０ｐｐｍ以上１０００ｐｐｍ以下であり、硬度および破壊靱性値のバラツキが±１０％以内であるもの。 （もっと読む）

【課題】板等の固体の成膜面に蒸着により薄膜を形成する場合に蒸着用材料の加熱に使用され、加熱により溶融、蒸発させる蒸着用材料の溶融物の耐濡れ性に優れた分子線源用坩堝を提供する。
【解決手段】窒化アルミニウム焼結体により構成され、且つ、少なくとも内壁面を構成する窒化アルミニウム焼結体が、アルミニウム以外の金属元素の総濃度が５００質量ｐｐｍ以下であり、且つ、酸素濃度が１．０質量％以下である、薄膜堆積用分子線源用坩堝１０。坩堝１０は、窒化アルミニウム焼結体のバルクを製造した後、この窒化アルミニウム焼結体のバルクを非酸化性雰囲気下で、冷却しながら切削加工して坩堝１０の形状とする。 （もっと読む）

【課題】相変化記録媒体の界面層膜の成膜等に用いられるスパッタリングターゲットの製造方法において、均質で歩留まりの良いターゲットを得るための製造方法を提供する。
【解決手段】 Ｔｉ，ＺｒおよびＨｆから選ばれる少なくとも１種のＭ元素の酸化物粉末とＭ元素の窒化物粉末を混合、成形した後、焼結する工程を具備することにより、スパッタリングターゲットは、Ｍ（Ｏ_1-xＮ_x）_z（ＭはＴｉ、ＺｒおよびＨｆから選ばれる少なくとも1種の元素、0＜ｘ≦0.7、0.5≦ｚ≦2.0（原子比））、または（Ｍ_1-aＣｒ_a）（Ｏ_1-xＮ_x）_z（ＭはＴｉ、ＺｒおよびＨｆから選ばれる少なくとも1種の元素、0.1≦ａ≦0.5、0＜ｘ≦0.7、0.5≦ｚ≦2.0（原子比））で表される組成を有する。 （もっと読む）

【課題】炭化ケイ素焼結体の純度の向上と、炭化ケイ素焼結体の炭素濃度の低減を図る。
【解決手段】半導体製造に用いられる炭化ケイ素焼結体治具の製造方法であって、
（ａ）炭化ケイ素粉末と非金属系焼結助剤との混合物及び上記粉体混合物から調製された成形体のいずれか一方をホットプレス法により焼結して焼結体１を得る工程と、
（ｂ）上記焼結体１を加工処理して焼結体２を得る工程と、
（ｃ）上記焼結体２をアルゴン雰囲気下２０００〜２４００℃で熱処理して、上記焼結体２中の不純物を外部拡散させて不純物を取り除き焼結体３を得る工程と、
（ｄ）上記焼結体３と、二酸化ケイ素及び炭素を含む混合物とを同一環境内に配置し、アルゴン雰囲気下１６００〜１７００℃で加熱し、上記混合物から生じたガスを上記焼結体３の表面に供給して焼結体４を得る工程と、
を含む炭化ケイ素焼結体治具の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 窒化アルミニウム焼結体の粒界強度の低下を極力防ぐことにより、パーティクルの発生の少ない、すなわち発塵性の少ないサセプタを提供する
【解決手段】 本発明の窒化アルミニウム焼結体は、含有するゲルマニウムとイオウの量を一定値以下に制御する。すなわち、窒化アルミニウムを主成分とする窒化アルミニウム焼結体において、窒化アルミニウム焼結体中のゲルマニウムの含有量が１００ｐｐｍ以下であり、かつイオウの含有量が２００ｐｐｍ以下であることを特徴とする。前記窒化アルミニウム焼結体に、抵抗発熱体が形成されていることが好ましく、半導体加熱用部品として使用されることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】セラミック分離膜の基材等として用いるのに好適な非酸化物系多孔質セラミック材を比較的低コストに製造し得る方法を提供すること。
【解決手段】本発明の製造方法は、炭化ケイ素粉末及び／又は窒化ケイ素粉末と、金属シリコン粉末と、酸化イットリウム粉末及び／又は酸化アルミニウム粉末とを含む成形用材料であって、炭化ケイ素粉末と窒化ケイ素粉末の合計１００質量部に対して１０〜１００質量部の金属シリコン粉末が添加され、且つ、該金属シリコン粉末の含有量の２〜２５０mass％に相当する量であって成形用材料全量の２０mass％を超えない量の酸化イットリウム粉末及び／又は酸化アルミニウム粉末が添加された成形用材料を用意する工程と、該成形用材料を所定の形状に成形する工程と、該成形用材料から成る成形体を窒化可能な雰囲気中で反応焼結させる工程とを包含する。 （もっと読む）

【課題】 窒化アルミニウム焼結体の粒界強度の低下を極力防ぐことにより、パーティクルの発生の少ないサセプタを提供する。
【解決手段】 本発明の窒化アルミニウム焼結体は、含有するカドミウムとリンの量を一定値以下に制御する。すなわち、窒化アルミニウムを主成分とする窒化アルミニウム焼結体において、窒化アルミニウム焼結体中のカドミウムの含有量が１５０ｐｐｍ以下であり、かつリンの含有量が１００ｐｐｍ以下であることを特徴とする。前記窒化アルミニウム焼結体に、抵抗発熱体が形成されていることが好ましく、半導体加熱用部品として使用されることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】窒化けい素焼結体本来の高強度特性に加えて熱伝導率が高く放熱性に優れ、導体層の接合強度および導電性が高い窒化けい素配線基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】窒化けい素基板の表面に窒化ジルコニウムから成る導体層が一体に形成されており、上記窒化ジルコニウム導体層の電気抵抗値が１０^２Ω・ｃｍ以下であり、上記導体層の９８質量％以上が窒化ジルコニウム（ＺｒＮ）から成ることを特徴とする窒化けい素配線基板である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、焼成後、未研磨の状態において平滑な表面を有し、光線透過特性が高い窒化アルミニウム焼結体を提供することを目的としている。
【解決手段】本発明に係る窒化アルミニウム焼結体は、酸素濃度が４５０ｐｐｍ以下、酸素、窒素、アルミニウム以外の不純物元素濃度が３５０ｐｐｍ以下であり、平均結晶粒径が２μｍ〜２０μｍであり、更に、焼成後、未研磨の状態において、表面の算術平均高さＲａが１μｍ以下であり、最大高さＲｚが１０μｍ以下であることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】
半導体製造工程あるいは液晶パネル製造工程で用いられる基板処理装置用部材等を構成する窒化珪素質焼結体を提供する。
【解決手段】
β−Ｓｉ_３Ｎ_４を主成分とし、β−ＲＥ_２Ｓｉ_２Ｏ_７（ＲＥは周期律表第３族元素）を３体積％以上、２０体積％以下の範囲で含有してなり、室温における熱膨張係数が１．４×１０^−６／Ｋ以下、室温における熱伝導率が２５Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上の窒化珪素質焼結体を提供することができ、特に半導体製造装置用部材・液晶製造装置用部材として用いた際に、温度変化が生じた際においても熱膨張の非常に小さい焼結体であるため、位置精度を高いものとすることができる。 （もっと読む）