【課題】窒化けい素セラミックス基板を用い、パワーモジュールのリーク電流の発生を抑制し、大電力化、大容量化した場合でも絶縁性、動作の信頼性を大幅に向上させることのできるパワーモジュールを提供する。
【解決手段】厚さ１．５ｍｍ以下の窒化けい素焼結体表面に幅が１μｍ以上のマイクロクラックがなく、幅が１μｍ未満のサブミクロンクラックが単位面積１００μｍ^２当たりに０〜２個である窒化けい素焼結体から成り、一定条件下での電流リーク値が４２０ｎＡ以下、熱伝導率が５０Ｗ／ｍ・Ｋ以上、３点曲げ強度が５００ＭＰａ以上、残留炭素含有量が５００ｐｐｍ以下である窒化けい素セラミックス基板２に金属回路板を設け、半導体素子を搭載してなるパワーモジュールであり、窒化けい素セラミックス基板２は、粒界相中における結晶化合物相の割合が２０％以上であり、ＭｇをＭｇＯに換算して０．５〜３．０質量％含有する。 （もっと読む）

【課題】 微細な細孔をもつＳｉＣセラミックスを提供すること。
【解決手段】 本発明のＳｉＣセラミックスは、ＪＣＰＤＳカード番号で０４９−１４２８と規定された結晶相をもつＳｉＣよりなり、異なる粒径をもつＳｉＣ粒子よりなるＳｉＣ粉末と、ＳｉＣ粉末を構成するＳｉＣ粒子同士を結合し、ＳｉＣ粒子を構成するＳｉＣとは結晶相が異なるＳｉＣよりなる結合材と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ｄ_m ｎが１４０万を超えるような高速回転で使用されても寿命が長い転がり軸受を提供する。
【解決手段】玉３を、常温における熱伝導率が４０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上の窒化珪素焼結体からなるものとする。 （もっと読む）

【課題】 半導体の性能や信頼性を高く維持できる半導体製造用部品およびその製法を提供する。
【解決手段】 窒化珪素結晶粒子３と粒界相とからなり、相対密度が９８％以上の窒化珪素焼結体からなる基体１に、該基体１の表層の粒界相を除去して、窒化珪素結晶粒子３が３次元的に連結した多孔質層５を設け、該多孔質層５の表面に、実質的に窒化珪素からなる緻密な高純度窒化珪素層６を設けてなるもので、緻密な高純度窒化珪素層６上にシリコンウエハを載置し、搬送する場合であっても、従来の粒界相を構成する、例えば希土類元素、アルミニウム等の元素がシリコンウエハと接触することがなく、これによりシリコンウエハを汚染し、半導体の性能や信頼性を損ねたりすることがない。 （もっと読む）

【課題】耐摩耗性が高く、かつ耐欠損性を改善した窒化珪素質焼結体を提供する。
【解決手段】窒化珪素を主体として、ＲＥ元素化合物（ただし、ＲＥはイットリウムまたは希土類元素の少なくとも一方の元素）とマグネシウム化合物とを含む窒化珪素質焼結体の表面に、前記ＲＥ元素の含有比率は前記窒化珪素質焼結体の内部における含有比率に対して５％の範囲内で一定であり、かつ前記マグネシウム元素の含有比率は前記窒化珪素質焼結体の内部における含有比率に対して５％よりも少ない表面領域が存在する窒化珪素質焼結体である。 （もっと読む）

【課題】高強度で反りが適正に調整された窒化珪素基板及びその製造方法並びにそれを使用した窒化珪素回路基板及び半導体モジュールを提供する。
【解決手段】窒化珪素原料粉に、酸化マグネシウムを３〜４重量％、少なくとも１種の希土類元素の酸化物を２〜５重量％を合計５〜８ｗｔ％になるように配合し、シート成形体とし、焼結した後、複数枚重ねた状態で０．５〜６．０ｋＰａの荷重を印加しながら１５５０〜１７００℃で熱処理することにより、β型窒化珪素と、イットリウム（Ｙ）と、マグネシウム（Ｍｇ）を含有し、表面におけるＭｇ量の分布を示す変動係数が０．２０以下であり、反りが２．０μｍ／ｍｍ以下の窒化珪素基板を製造する。 （もっと読む）

【課題】塗着効率を損なうことなく、火花放電や絶縁破壊を抑制することが可能な静電塗装用回転霧化頭及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】以下の構成を備えた静電塗装用回転霧化頭及びその製造方法。（イ）少なくとも放出端は、焼結温度Ｔ₁、電気比抵抗ρ₁の絶縁性セラミックスと、焼結温度Ｔ₂（Ｔ₁＜Ｔ₂）、電気比抵抗ρ₂（ρ₁＞ρ₂）の導電性セラミックスとの複合体からなる。（ロ）導電性セラミックス含有量は、９〜１１ｗｔ％である。（ハ）絶縁性セラミックスの平均粒径（Ｄ₁）は、０．５〜１０μｍである。（ニ）導電性セラミックス／絶縁性セラミックスの粒径比（Ｄ₂／Ｄ₁）は、１／８００〜１／５である。（ホ）静電塗装用回転霧化頭は、抵抗値が１０⁶〜１０¹²Ωである。（ヘ）絶縁性セラミックス粒子の周囲に、導電性セラミックス粒子が０．１〜２．０μｍの間隔で不連続に分散し、導電パスを形成している。 （もっと読む）

【課題】焼結体の粒子体積とアスペクト比を最適化することで耐摩耗性に優れた窒化けい素セラミックスを提供する。
【解決手段】窒化けい素の粒子に焼結助剤を加えて成型体とし、その成型体を焼結して得られる窒化けい素系セラミックスにおいて、焼結後の窒化けい素の粒子のアスペクト比を１．８以上、かつ粒子体積を０．１μｍ³以下としたものである。 （もっと読む）

【課題】窒化珪素セラミックスとなるグリーンシートにおける膜厚の均一性を向上させると共に、粒子の配向度の制御を適切に行い、良好な特性の窒化珪素セラミックス基板を容易に製造する。
【解決手段】マイラーシート１２が巻き取り側ロール１６で巻き取られ、生シートがマイラーシート１２から離脱した（離脱工程）後でも、生シート１４においてはそのままシート状となった形態が維持される。離脱工程後の生シート１４は、加熱装置１８を通過する（加熱工程）。この加熱装置１８中においては、生シート１４は再び加熱され、その中に含まれるバインダー成分が軟化する。生シート１４においては、乾燥工程で有機溶媒が蒸発することによって定形性が得られ、その後でバインダーの軟化温度以上での圧延工程を行うことにより、β型窒化珪素粒子の配向が進み、窒化珪素セラミックス基板における面内配向度を０．４以上の値とすることができる。 （もっと読む）

【課題】 耐熱衝撃性に優れたハニカム構造体を提供すること。
【解決手段】 本発明のハニカム構造体１は、セラミックス粒子と、セラミックス粒子同士を結合する結合材と、を有する多孔質セラミックスよりなるハニカム構造体１であって、セラミックス粉末は、１０％粒径（Ｄ１０）と９０％粒径（Ｄ９０）との間隔が１０μｍ以上であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】銃弾，砲弾等の飛翔体の貫通性能が飛躍的に高くなっているが、それらに対して、十分に防護できる防護部材を提供する。
【解決手段】受衝部２をセラミックスで構成し、受衝部２の裏面側に位置する基部３を受衝部２より熱膨張係数の低い材質で構成した防護部材１とすることにより、基部３には圧縮力がかかった状態が維持されるため、着弾した銃弾や砲弾の貫通を阻止する性能が向上する。また、受衝面２ａで発生したクラックの進行は、基部３との境界で止められるため、前記両材質の特性が十分に発揮され、相乗効果により防護性能を高くすることができる。 （もっと読む）

【課題】本来備える高強度特性に加えて、熱伝導率が高く放熱性に優れた窒化けい素焼結体の製法を提供する。
【解決手段】酸素を１．７重量％以下、不純物陽イオン元素としてのＡｌ，Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｆｅ，Ｂａ，Ｍｎ，Ｂを合計で０．３重量％以下、α相型窒化けい素を９０重量％以上含有し、平均粒径１．０μｍ以下の窒化けい素粉末に、希土類元素を酸化物に換算して２．０〜１７．５重量％，Ｍｇを酸化物に換算して０．３〜３．０重量％添加した原料混合体を成形して成形体を調製し、得られた成形体を脱脂後、温度１７００〜１９００℃で焼結し、上記焼結温度から、１５００℃までの冷却速度を毎時１００℃以下にして徐冷することにより、粒界相中における結晶化合物相の粒界相全体に対する割合を２０％以上とすることを特徴とする高熱伝導性窒化けい素焼結体の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】耐摩耗性、耐チッピング性を改善した窒化珪素質焼結体および切削工具ならびに切削加工装置、切削方法を提供する。
【解決手段】窒化珪素質焼結体は、窒化珪素結晶粒子を主体とする結晶相と、前記窒化珪素結晶の粒界にある非結晶の粒界相とを具備する。粒界相は、ランタン、アルミニウム、マグネシウム、珪素及び酸素を含む。前記焼結体は、ランタンを酸化物換算量で０．１質量％以上、アルミニウムを酸化物換算量で０．０５〜０．６質量％、マグネシウムを酸化物換算量で０．３質量％以上、酸素を酸素量が２．５質量％以下含有する。ランタンの酸化物換算量、アルミニウムの酸化物換算量およびマグネシウムの酸化物換算量の合計が３．５質量％以下である。 （もっと読む）

【課題】耐摩耗性、耐チッピング性を改善した窒化珪素質焼結体および切削工具ならびに切削加工装置、切削方法を提供する。
【解決手段】窒化珪素結晶を主とする結晶相と、ランタン、アルミニウム、マグネシウム、珪素及び酸素を含み、窒化珪素結晶の粒界にある非晶質の粒界相とを有し、焼結体の表面から深さ０．３ｍｍの面におけるマグネシウム含有量が酸化物換算で１．３質量％以下であるとともに、焼結体表面から深さ０．３ｍｍの面におけるマグネシウム含有量が、焼結体表面から深さ１ｍｍの面におけるマグネシウム含有量よりも少なく、かつ、焼結体表面から深さ０．３ｍｍの面と深さ１ｍｍの面とのマグネシウム含有量の差が、酸化物換算で０．５質量％以下である。 （もっと読む）

【課題】 高強度高靱性化を図ることができるとともに、放熱性を向上することができる窒化珪素質焼結体およびその製法ならびに回路基板を提供する。
【解決手段】 β−Ｓｉ_３Ｎ_４およびβ−サイアロンのうち少なくとも１種の結晶粒子１と粒界相３とからなる窒化珪素質焼結体であって、結晶粒子１内に、該結晶粒子１の他の部分よりもＡｌ存在量が多いＡｌ多領域５を有するとともに、Ａｌ多領域の平均径が２μｍ以上であり、かつＡｌを全量中０．０５３〜０．４２２質量％含有すること、望ましくは０．１５９〜０．２３８質量％含有することを特徴とする。これにより、焼結体の強度と靱性を向上できるとともに、焼結体の熱伝導率を高くすることができ、放熱性を向上できる。 （もっと読む）

【課題】 高い耐欠損性と耐摩耗性を有する切削工具を提供する。
【解決手段】 希土類金属（ＲＥ）をＲＥ_２Ｏ_３換算量で０．１〜３質量％、アルミニウム（Ａｌ）をＡｌ_２Ｏ_３換算量で０〜０．６質量％、マグネシウム（Ｍｇ）をＭｇＯ換算量で０〜１質量％、酸素を０〜２．５質量％の割合で含有する窒化珪素質焼結体からなる基体の表面に、Ｔｉ_{１−ａ−ｂ−ｃ−ｄ}Ａｌ_ａＷ_ｂＳｉ_ｃＭ_ｄ（Ｃ_ｘＮ_１−ｘ）（ただし、ＭはＮｂ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｈｆ、Ｙから選ばれる１種以上であり、０．４５≦ａ≦０．５５、０．０１≦ｂ≦０．１、０≦ｃ≦０．０５、０．０１≦ｄ≦０．１、０≦ｘ≦１である。）の被覆層が被着形成されている切削工具である。 （もっと読む）

【課題】生産安定性が高く、緻密でガスバリア性の高いガスバリア膜を成膜できるイオンプレーティング用蒸発源材料の原料粉末等を提供する。より具体的には、イオンプレーティング法に適したイオンプレーティング用蒸発源材料の原料粉末、イオンプレーティング用蒸発源材料及びその製造方法、ガスバリア性シート及びその製造方法を提供することにある。
【解決手段】平均粒径が５μｍ以下の窒化ケイ素又は酸窒化ケイ素１００重量部に対して、平均粒径が５μｍ以下の導電性材料を５重量部以上１００重量部以下含有する原料粉末により、上記課題を解決する。導電性材料が、導電性を有する、金属酸化物、金属窒化物、及び金属酸窒化物から選ばれる少なくとも１つであることが好ましい。本発明のイオンプレーティング用蒸発源材料は、上記の原料粉末を焼結又は造粒させて平均粒径が２ｍｍ以上の塊状粒子又は塊状物に加工したものである。 （もっと読む）

【課題】窒化けい素セラミックス基板を用いて各種パワーモジュールを構成した際にリーク電流の発生を効果的に抑制することができ、大電力化および大容量化したパワーモジュールにおいても絶縁性および動作の信頼性を大幅に向上させることが可能な半導体モジュールおよびそれを用いた電子機器を提供する。
【解決手段】気孔率が容量比で２．５％以下であり、粒界相中の最大気孔径が０．３μｍ以下であり、厚さが１．５ｍｍ以下である窒化けい素焼結体から成り、温度２５℃，湿度７０％の条件下で上記窒化けい素焼結体の表裏間に１．５Ｋｖ−１００Ｈｚの交流電圧を印加したときの電流リーク値が１０００ｎＡ以下であり、熱伝導率が５０Ｗ／ｍ・Ｋ以上、３点曲げ強度が５００ＭＰａ以上である窒化けい素セラミックス基板２と、この窒化けい素セラミックス基板２に接合された金属回路板３と、この金属回路板上に搭載された半導体素子と、を備えることを特徴とする半導体モジュールである。 （もっと読む）

【課題】 半導体の性能や信頼性を高く維持できる半導体製造用部品を提供する。
【解決手段】 窒化珪素結晶粒子３と粒界相とからなり、相対密度が９８％以上の窒化珪素焼結体からなる基体１に、該基体１の表層の粒界相を除去して、窒化珪素結晶粒子３が３次元的に連結した多孔質層５を設けてなるもので、多孔質層５上にシリコンウエハを載置し、搬送する場合であっても、従来の粒界相を構成する、例えば希土類元素、アルミニウム等の元素がシリコンウエハと接触することがなく、これによりシリコンウエハを汚染し、半導体の性能や信頼性を損ねたりすることがない。 （もっと読む）

本発明は、固体粒子の懸濁物を含む、耐久性のある強固に接着する剥離層を基体上に製造するための泥漿であって、この固体粒子は、６７−９５重量％の窒化ケイ素および５−３３重量％のＳｉＯ_２ベースの高温バインダーを含み、このＳｉＯ_２ベースの高温バインダーはＳｉＯ_２前駆体から誘導され、かつ３００−１３００℃の温度範囲での熱処理によって前処理されたものである、泥漿に関する。本発明はさらに、耐久性のある強固に接着する剥離層を有する基体を含む成形体、およびそれらを製造するためのプロセスを提供する。本発明の成形体は、腐食性非鉄金属融液の分野での使用に適している。 （もっと読む）