【課題】バーナーの小型化、少台数化、短時間の熱交換を図ることができ、しかも熱膨張、酸化、腐食等により損耗し難い蓄熱部材及び熱交換器を提供する。
【解決手段】理論密度比で９５％以上の緻密質セラミックスからなる蓄熱部材であって、緻密質セラミックスが、平均結晶粒径２〜５０μｍ、平均アスペクト比１０未満、純度８５質量％以上のアルミナ質セラミックス、平均結晶粒径２〜５０μｍ、平均アスペクト比１０未満、純度９０質量%以上のムライト質セラミックス、平均結晶粒径１〜２０μｍ、平均アスペクト比１５未満、純度８５質量%以上の窒化珪素質セラミックス、又は、平均結晶粒径０．５〜１０μｍ、平均アスペクト比１２未満、純度９０質量%以上の炭化珪素質セラミックスから選ばれる少なくとも１種であることを特徴とする蓄熱部材、及び、この蓄熱部材を少なくとも用いてなる熱交換器である。 （もっと読む）

【課題】 セラミック中空体の外表面の厚み方向に垂直な方向の圧縮応力が低いと、外表面から機械的な衝撃を受けたときに、外表面の破壊起点から亀裂が進展しやすいため、外部から機械的な衝撃を受けたときに、外表面の破壊起点から亀裂が進展しやすく破壊されやすく、耐衝撃性が低くなりやすい。
【解決手段】 本発明のセラミック中空体１は、内部に閉空間１０を有するセラミック中空体１であって、外表面１２における開気孔率が前記閉空間１０と接する内表面１１における開気孔率に比し高い。これにより、高い耐衝撃性を有する中空体およびそれを用いた浮力材を提供でき、優れた潜水装置や溶融金属用浮きを提供できる。 （もっと読む）

【課題】 アルミニウムやその合金の溶湯金属中に窒素ガス等を放出して、溶湯金属中の水素や非金属酸化物等の不純物を処理するために、シャフトとローターからなる回転体を溶湯金属中において高速で長期間回転させると、回転体が溶湯金属と擦れて減肉する結果、回転体の下端部における振れが大きくなり、シャフトやローターが破損する。
【解決手段】 窒化珪素質焼結体からなるシャフト３の下端部に、窒化珪素質焼結体または炭素から成るローター４が取り付けられ、シャフト３およびローター４の内部にガス供給路３ａ，４ａを有する溶湯金属攪拌用回転体２であって、シャフト３の上端部に回転駆動機構５の回転軸９に対してシャフト３を傾けた状態で回転駆動可能な接続部が取り付けられていることから、溶湯金属攪拌用回転体２の下端部の振れを十分吸収することができ、シャフト３やローター４が破損することが少ないので長寿命とすることができる。 （もっと読む）

【課題】高い硬度及び優れた耐摩耗性を有する窒化ケイ素焼結体を提供すること。
【解決手段】主相としてα窒化ケイ素及びβ窒化ケイ素と、１０〜４０ｍｏｌ％の割合で含有される、平均粒径が大きくとも１．０μｍであるチタン炭窒化物とを含有して成ることを特徴とする窒化ケイ素質焼結体、これから形成された切削工具、切削インサート及び工具。 （もっと読む）

【課題】摩耗や損傷が生じにくく、長寿命な窯炉用構造部材を提供する。
【解決手段】熱伝導率が３０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上、強度が５０ＭＰａ以上、ヤング率が２００ＧＰａ以上、見掛け気孔率が１０％以下のセラミックス材料からなる窯炉用構造部材であって、当該セラミック材料は、炭化珪素、窒化珪素、炭化珪素と窒化珪素との複合材料、炭化珪素と珪素との複合材料、及び炭化珪素と珪素化合物との複合材料の内の何れかである。 （もっと読む）

【課題】電気加工が良好に行える範囲の導電性を持ち、かつ主成分である非導電性セラミックスの性質を損なうことのない導電性複合セラミックスを提供する。
【解決手段】Ａｌ_２Ｏ_３やＺｒＯ_２、Ｓｉ_３Ｎ_４などの非導電性セラミックスは、電気加工が不能であるために複雑形状の金型や精密加工用部材として製造ができない。これらの放電加工が困難な主成分を持つセラミックスにＴｉＣ，ＴｉＮ，ＷＣ，ＴａＣ，ＭｏＣ，ＮｂＣ，ＶＣのいずれか一種以上からなる導電性セラミックス粒子を０．５〜１５体積％添加し、導電性を付与することにより、電気加工が可能となる。得られた導電性複合セラミックスは、電気加工が良好に行える範囲の導電性（１×１０^−３(Ω・ｃｍ)）を持ち、かつ主成分である導電性セラミックスの性質を極力損なわないように、導電性粒子の添加量を少なく押さえることが可能である。 （もっと読む）

【課題】セラミック材料を研削、研磨することなく製造可能で、かつ前記成形面に離型剤による膜あるいはクロム含有化合物の焼結体を形成することなく、良好な形成を備えた光学素子用成形型及びその製造方法を提供する。
【解決手段】光学素子を成形するための成形面を備えた光学素子用成形型において、窒化ホウ素、窒化硅素及び窒化アルミニウムより成る群から選択された１種以上およびアルミナゾル、シリカゾルより成る群から選択された１種以上の結合剤を含み、焼結温度以下の温度で焼成して構成される光学素子用成形型。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉ_３Ｎ_４やＡｌＮの放電加工が可能である窒化物系複合セラミックスを提供する。
【解決手段】金属炭化物や窒化物を副成分として加えることで導電性を持たせる技術が提案されてきたが、炭化物や窒化物（Ｓｉ_３Ｎ_４またはＡｌＮ）中に１〜３５体積％の導電性セラミックスを組織中に導電性セラミックスが凝集した５μｍ以上の粗大粒がない組織の窒化物系複合セラミックス焼結体を得ることにより、半導体用保持機器、光学位置測定用反射鏡、精密部品加工用の治具、精密なプレス、打ち抜き金型、放熱部材や熱伝導部材、ヒーターや静電チャックへなどに適した窒化物複合セラッミクスの焼結体を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】加熱冷却サイクルでクラックが発生し難く進展し難い高い耐久性をもったセラミックス基板と、これを用いたセラミックス回路基板及び半導体モジュールを提供する。
【解決手段】本発明は破壊靭性が６．０ＭＰａ・ｍ^１／２以上であり、曲げ弾性率が２３０ＧＰａ以上であるセラミックス基板である。セラミックス基板表面のビッカース硬度を１６００以上とすることにより曲げ弾性率２３０ＧＰａ以上とすることができる。又はセラミックス基板表面の残留応力を−４０ＭＰａ以下とすることにより曲げ弾性率２３０ＧＰａ以上とすることができる。 （もっと読む）

【課題】 緻密で導電性が高いカーボンナノチューブ分散窒化ケイ素焼結体を容易に安定して製造する。
【解決手段】 特定の焼結助剤を含有する窒化ケイ素組成物に配合するカーボンナノチューブとして、平均直径が７０ｎｍ以上、平均アスペクト比が２００以下であり、空気雰囲気下に６００℃で１時間放置後の減量率が１０％以下であるものを用いる。
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【課題】焼成雰囲気調整なく高い焼結性、高い緻密性及び大きな熱伝導性を有する窒化珪素焼結体、並びにそれを用いた放熱性の大きな放熱絶縁用セラミックス基板、放熱絶縁用セラミックス回路基板及び放熱絶縁用モジュールの提供。
【解決手段】Ｓi_３Ｎ_４と、軽希土類元素と、重希土類元素及び／又はＹと、Ｓrとを含有する窒化珪素焼結体であり、Ｓi_３Ｎ_４の含有割合が８５〜９０モル％、前記軽希土類元素の含有割合が酸化物換算で１〜５モル％、前記重希土類元素及び／又はＹの含有割合が酸化物換算で１〜５モル％、Ｓrの含有割合が酸化物換算で３〜１３モル％であり、ラマン分光分析における波数５２１±２ｃｍ^−１の珪素ピーク強度（Ｓ１）と２０６±２ｃｍ^−１付近の窒化珪素のピーク強度（Ｓ２）との比Ｓ１／Ｓ２が０．１未満であることを特徴とする窒化珪素焼結体、放熱絶縁用セラミックス基板、放熱絶縁用セラミックス回路基板、放熱絶縁用モジュール。 （もっと読む）

【課題】剛性が高く、軽量で、低コストで平滑な面を持つ、大型化のセラミック構造体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板等の被処理物を乗せた状態で加工処理を行うための架台として用いられるセラミック構造体であって、該架台は、剛節架構構造を有する複数のユニットが結合・一体化された構造を有している、上記架台の表面は、緻密な膜で被覆されている、上記架台を構成する固体部分は、反応焼結窒化ケイ素又は反応焼結炭化ケイ素を主成分とする材料で構成されている、上記架台の部分の応力の大きさに応じて異なる気孔率を有するユニットが配設されている、ことを特徴とするセラミック構造体。
【効果】半導体や液晶の露光装置に必要なステージやテーブル等について、剛性が高く、軽量で、平滑な面を持ち、大型化に対応できる製品を低コストで製造し、提供することができる。 （もっと読む）

【課題】窒化ケイ素と比較して安価なケイ素を主原料として用いて、ケイ素の窒化過程を利用して作製した反応焼結窒化ケイ素基複合材料を提供する。
【解決手段】ケイ素を含む原料を用い、窒素中においてケイ素を窒化せしめる反応焼結の行程を経た後、緻密化された窒化ケイ素基複合材料であって、Ｚｒの酸化物及び／又は窒化物が分散した状態で含まれている、かつ、粒界相が少なくともＡｌとＳｉを含む酸化物又は酸窒化物の非晶質相である、ことを特徴とする窒化ケイ素基複合材料、その製造方法、及び出発原料として、ケイ素を含む原料を用い、酸化ジルコニウム及び焼結助剤を所定の配合によって混合、成形し、窒素中においてケイ素を窒化せしめる反応焼結を行った後、昇温し、緻密化させることを特徴とするβサイアロン基セラミックスを含む窒化ケイ素基複合材料の製造方法。
【効果】低コストで信頼性に優れた窒化ケイ素基複合材料を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】 ハニカム成形体のサイズが大型化したり、また分割型ハニカム（セグメント）焼成においてセグメント密度が大型化した場合でも、クラックやハニカム成形体の変形が発生しない窒化ケイ素質ハニカムフィルタの製造方法の提供。
【解決手段】 金属ケイ素粒子と気孔形成材とを含むハニカム成形体を加熱炉に載置し、窒素を炉内に導入して金属ケイ素を窒化ケイ素とし、焼結して窒化ケイ素からなる窒化ケイ素質ハニカムフィルタの製造方法において、熱処理時のガス雰囲気が、（１）室温〜窒素ガス導入開始温度までは、真空又はＡｒ等を大気圧以下に含む雰囲気として昇温する第１段階と、（２）炉内圧力を２０〜９０ＫＰａの範囲の一定減圧圧力に調整し、窒素ガス導入量を特定量として加熱、窒化する第２段階と、（３）窒素ガス導入量制御終了温度からは窒素を大気圧以下に含む雰囲気として加熱、焼結する第３段階とを順次実施する。 （もっと読む）

【課題】 金属の溶湯に対する耐磨耗性が十分高い、射出ポンプ用の内筒およびホットチャンバダイカストマシンを提供する。
【解決手段】 内面が窒化珪素質焼結体からなり、窒化珪素質焼結体が、組成式Ｓｉ_６−ＺＡｌ_ＺＯ_ＺＮ_８−Ｚ（ｚ＝0.1〜１）で表されるβ−サイアロンを主相とし、Ａｌ，Ｓｉ，ＲＥ（ＲＥは周期表第３族元素）の構成比率がそれぞれＡｌ_２Ｏ_３，ＳｉＯ_２，ＲＥ_２Ｏ_３換算でＡｌ_２Ｏ_３が５〜50質量％，ＳｉＯ_２が５〜20質量％，残部がＲＥ_２Ｏ_３およびＮであるＲＥ−Ａｌ−Ｓｉ−Ｏ−Ｎからなる粒界相を、主相と粒界相とからなる焼結体に対して体積比率が４〜10体積％の範囲で含む射出ポンプ用の内筒２ｃを備えたホットチャンバダイカストマシンである。内筒２ｃの耐磨耗性が向上し、長期間使用を続けてもほとんど磨耗することがないため、内筒２ｃの交換頻度を下げることができ、高い信頼性が得られる。 （もっと読む）

本発明は、窒化物結合シリコン窒化物（ＮＢＳＮ）から作られる半導体グレードのシリコンのインゴットの製造用の再利用可能な坩堝に関する。この坩堝は、シリコン窒化物粉末をシリコン粉末と混合し、坩堝のグリーン体を形成し、次いで、窒素を含有する雰囲気において前記グリーン体を加熱し、前記シリコン粉末が窒化されてＮＢＳＮ坩堝を形成することによって形成されてもよい。前記坩堝は、正方形の断面の坩堝の下部（１）及び壁（３、５）であるＮＢＳＮ材料のプレート要素によって組み立てられてもよく、及び、シリコン粉末及び任意にシリコン窒化物粒子を含むペーストを付け、続いて窒素雰囲気で第２の熱処理を行うことによって任意に固定部を密閉することによって組み立てられてもよい。
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【課題】 高密度ＬＳＩ検査用のプローブガイドに適用可能な、薄肉で深い穴やスリットを精度よく形成できる快削性を持ち、かつ画像処理装置を使用して加工形状の検査や位置合わせが反射光で妨害されないように、均一に黒色化された、熱膨張係数の低いセラミックスを提供する。
【解決手段】 窒化珪素25〜60質量％および窒化硼素40〜75質量％を骨材とし、焼結助剤を添加した原料粉末に、ジルコニアを骨材の 0.1〜20質量％の量で添加し、還元性雰囲気で焼成する。焼成中のジルコニアの還元によりセラミックスが黒色化する。この黒色化は他のセラミックスの黒色化にも応用できる。 （もっと読む）

【課題】安価に製造することができ、特性のバラツキが抑制され信頼性に優れた窒化けい素焼結体からなる耐磨耗性部材を提供すること。
【解決手段】窒化けい素を主成分とするセラミックス焼結体からなる耐磨耗性部材であって、前記耐磨耗性部材はＦｅ成分の含有量が１０ｐｐｍ以上３５００ｐｐｍ以下かつＣａ成分の含有量が１０ｐｐｍ以上１０００ｐｐｍ以下であり、硬度および破壊靱性値のバラツキが±１０％以内であるもの。 （もっと読む）

【課題】 焼き上がり寸法精度が高く、焼き放し面での高い抗折強度を有する窒化珪素質セラミック製バルブを提供する。
【解決手段】 傘部１２と、該傘部１２の中央に一体的に形成された柱状のステム部１３とが、窒化珪素が８０〜９２．５重量％、希土類元素が酸化物換算で２〜１０重量％、アルミニウムが酸化アルミニウム換算で２〜５重量％、過剰酸素が酸化珪素換算で０．５〜５重量％の範囲で含有されており、かつ前記希土類元素の酸化物換算量に対するアルミニウムの酸化アルミニウム換算量の比及び前記希土類元素の酸化物換算量に対する過剰酸素の酸化珪素換算量の比が０．５〜０．８である窒化珪素質セラミックスからなり、前記ステム部１３の同軸度が０．１５ｍｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】加熱バーナー周囲の炉壁等の亀裂や剥落を防止でき、かつ、熱処理炉の立ち上げ、休止の時間を短縮できる鋼材の加熱式熱処理炉の提供。
【解決手段】熱処理炉は、少なくとも炉壁内側にセラミックファイバー３が配設された炉壁構造を具備し、炉壁に設けられた挿入孔にバーナー２が設置され、該バーナー２の炉内側に、Ｙ_２Ｓｉ_２Ｏ_７相とＥｒ_２Ｓｉ_２Ｏ_７相とＹｂ_２Ｓｉ_２Ｏ_７相の少なくとも１相を２．５〜４．８質量％、Ｓｉ_２Ｎ_２Ｏ相を２〜６．５質量％、平均粒径０．１μｍ以上０．７μｍ以下のＳｉＣ質粒子を２〜５質量％、及び、β-Ｓｉ_３Ｎ_４及び不可避的不純物を残部とする組成である窒化珪素質セラミックス焼結体で構成されたバーナーポート４が隣接して配置され、かつ、該バーナーポートの先端が炉内壁面より炉内側に突出して配置されている。 （もっと読む）