【課題】フィルタとして用いたときに捕集された粒子状物質（ＰＭ）を燃焼除去する際に、昇温し過ぎることを防止することができるとともに、熱サイクルによる強度低下の少ない炭化珪素質多孔体を提供する。
【解決手段】骨材としての複数の炭化珪素（ＳｉＣ）粒子と、炭化珪素粒子同士を結合させる、複数の相からなる結合相とを有し、結合相のなかで、最も大きな体積を占める相が、Ｓｉ相又は、４０〜８００℃の線熱膨張係数がＳｉより３×１０^−６（℃^−１）以上高い値のＴｉの珪化物、Ｚｒの珪化物、Ｍｏの珪化物及びＷの珪化物からなる群から選択される少なくとも一種からなる相（金属珪化物相）の、いずれか一方であり、次に大きな体積を占める相が、Ｓｉ相又は金属珪化物相の、残りの一方であり、結合相が、Ｓｉ相を、結合相全体の２０〜８０体積％含有する炭化珪素質多孔体。 （もっと読む）

【課題】フィルタとして用いたときに捕集された粒子状物質（ＰＭ）を燃焼除去する際に、昇温し過ぎることを防止することができる炭化珪素質多孔体を提供する。
【解決手段】骨材としての複数の炭化珪素（ＳｉＣ）粒子と、炭化珪素粒子同士を結合させる結合材とを有し、結合材の含有率（１００×結合材／（炭化珪素粒子＋結合材））が５〜７０体積％であり、開気孔率が３０〜７０％であり、結合材が、Ｔｉの珪化物、Ｚｒの珪化物、Ｍｏの珪化物及びＷの珪化物からなる群から選択される少なくとも一種を、結合材全体の６０体積％以上含有する炭化珪素質多孔体。 （もっと読む）

【課題】室温から高温度までの広い使用温度範囲において優れた構造強度，耐食性，耐久性等を有し、小型で複雑形状を有する構造体であっても高い寸法精度で容易かつ効率的に製造することが可能な反応焼結炭化ケイ素構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】中子７を用いて成形され、その中子７の形状に対応する細孔５を内部に有する成形体であって、炭化ケイ素粉末と炭素粉末とを含有する成形体を形成し、この得られた成形体に対して脱バインダー処理を実施した後にこの脱脂体を加熱し、溶融シリコンを含浸して反応焼結せしめて一体の焼結体とすることを特徴とする反応焼結炭化ケイ素構造体の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】パーティクル量の発生量を低減する。
【解決手段】平均粒径１μｍと平均２μｍの２種類の炭化ケイ素粉末を３：７の比率で容器内において混合した後、液状のフェノール樹脂１２ｗｔ％を加えてスラリーを得た。次に、スラリーをスプレードライヤーで造粒することによって得られた粉末を坩堝内に充填し、坩堝を加熱炉内に導入し、ホットプレス焼結することにより、炭化ケイ素焼結体を得た。 （もっと読む）

【課題】イオン損傷を受けにくく、寿命の長い電子放出源を提供する。
【解決手段】本発明は、Ｔａ、Ｈｆ、Ｎｂ、及びＺｒからなる群の１種以上から選ばれた金属元素の炭化物からなる、電子ビーム蒸着装置、電子ビーム溶接装置、又は電子ビーム加工装置用の電子銃である。他の発明は、電子ビームの加速電圧が１０ｋＶ以上であることを特徴とする請求項１記載の電子放出源である。また、他の発明は、Ｔａ、Ｈｆ、Ｎｂ、及びＺｒからなる群から選ばれた１種以上の金属元素の炭化物からなる電子放出源を装着した電子ビーム蒸着装置、電子ビーム溶接装置、又は電子ビーム加工装置である。 （もっと読む）

【課題】プラズマ耐性を高めることが可能な炭化ケイ素焼結体及び炭化ケイ素焼結体の製造方法を提供する。
【解決手段】炭化ケイ素焼結体５０の製造方法は、平均粒径が０．５μｍ以上１．５μｍ以下である炭化ケイ素粉１０及び分散剤３０をスラリー化する第１工程と、第１工程によって得られたスラリー４０を焼結し、焼結体５０を得る第２工程とからなっている。 （もっと読む）

【課題】焼結条件を変更することなく炭化ケイ素焼結体の高密度化を実現する。
【解決手段】本願発明の発明者は、鋭意研究を重ねた結果、炭化ケイ素粉末と燃結助剤を含むスラリーにフェノールを添加することにより、焼結条件を変更することなく炭化ケイ素焼結体の高密度化を実現できることを知見した。具体的には、発明者は、炭化ケイ素粉末重量の８〜１６％の範囲内のフェノールを添加することにより、炭化ケイ素焼結体の密度が上がり、プラズマ耐性が１０〜８０％の範囲内向上することを知見した。これは、スラリーにフェノールを添加することにより、焼結性が向上し、燃結助剤によってガラス相が生成されることにより、炭化ケイ素焼結体中の気孔率が減少したためであると推察される。 （もっと読む）

【課題】窒化けい素セラミックス基板を用いて各種パワーモジュールを構成した際にリーク電流の発生を効果的に抑制することができ、大電力化および大容量化したパワーモジュールにおいても絶縁性および動作の信頼性を大幅に向上させることが可能な半導体モジュールおよびそれを用いた電子機器を提供する。
【解決手段】気孔率が容量比で２．５％以下であり、粒界相中の最大気孔径が０．３μｍ以下であり、厚さが１．５ｍｍ以下である窒化けい素焼結体から成り、温度２５℃，湿度７０％の条件下で上記窒化けい素焼結体の表裏間に１．５Ｋｖ−１００Ｈｚの交流電圧を印加したときの電流リーク値が１０００ｎＡ以下であり、熱伝導率が５０Ｗ／ｍ・Ｋ以上、３点曲げ強度が５００ＭＰａ以上である窒化けい素セラミックス基板２と、この窒化けい素セラミックス基板２に接合された金属回路板３と、この金属回路板上に搭載された半導体素子と、を備えることを特徴とする半導体モジュールである。 （もっと読む）

【課題】 圧力損失が低く、高い強度を有するハニカムを製造することができるハニカム構造体の製造方法を提供すること。
【解決手段】 炭化ケイ素粉末、バインダ及び添加材を含む原料組成物を成形することにより、多数のセルがセル壁を隔てて長手方向に並設された柱状のハニカム成形体を作製した後、上記ハニカム成形体を脱脂処理することによりハニカム脱脂体を作製し、さらに、上記ハニカム脱脂体を焼成処理することによりハニカム焼成体からなるハニカム構造体を製造するハニカム構造体の製造方法であって、上記原料組成物は、上記炭化ケイ素粉末として、炭化ケイ素粗粉末と上記炭化ケイ素粗粉末より平均粒子径（Ｄ５０）の小さい炭化ケイ素微粉末とを含むとともに、上記添加材として、金属酸化物粉末を含み、上記金属酸化物粉末の上記原料組成物中の配合量は、０．８〜４．０重量％であることを特徴とする。 （もっと読む）

本発明は、固体粒子の懸濁物を含む、耐久性のある強固に接着する剥離層を基体上に製造するための泥漿であって、この固体粒子は、６７−９５重量％の窒化ケイ素および５−３３重量％のＳｉＯ_２ベースの高温バインダーを含み、このＳｉＯ_２ベースの高温バインダーはＳｉＯ_２前駆体から誘導され、かつ３００−１３００℃の温度範囲での熱処理によって前処理されたものである、泥漿に関する。本発明はさらに、耐久性のある強固に接着する剥離層を有する基体を含む成形体、およびそれらを製造するためのプロセスを提供する。本発明の成形体は、腐食性非鉄金属融液の分野での使用に適している。 （もっと読む）

（ＣＡＳシステムに従った）ＩＶＢ群、ＶＢ群、及びＶＩＢ群の金属、並びにＡｌから選択される一種類以上の金属で被覆された、耐摩耗性、及び耐腐食性のＷＣを基礎とした材料を製造するための方法を開示する。この方法は、前記被覆された構造体を、ハロゲン化された化合物を実質的に含まない電解質中で、電気化学的ホウ素化処理で処理することを含み、ここで該電解質はアルカリ炭化物及びホウ素供給源を含み、そして前記電解質は、電気分解の間、５０ｋＨｚ〜３００ｋＨｚの間の電磁周波数を有する誘導加熱措置の下で加熱される。 （もっと読む）

【課題】熱サイクル時における亀裂の進展が抑制されるとともに、耐久性が向上されるパワーモジュール用基板を提供することにある。
【解決手段】セラミックス基板２は、形状の異なる複数種類のＡｌＮ粒子からなるセラミックス焼結体２０で形成されており、前記ＡｌＮ粒子は、板状ＡｌＮ粒子２ａと、繊維状ＡｌＮ粒子２ｂと、球状ＡｌＮ粒子２ｃとを有しており、前記板状ＡｌＮ粒子２ａは、外形寸法が５μｍ以上３０μｍ以下とされており、前記繊維状ＡｌＮ粒子２ｂは、短軸径が０．０５μｍ以上３μｍ以下、且つアスペクト比が３以上２０以下とされており、前記球状ＡｌＮ粒子２ｃは、粒子径が１ｎｍ以上５００ｎｍ以下とされており、これら各ＡｌＮ粒子は夫々の前記セラミックス基板２に占める割合が、５体積％以上５０体積％以下とされていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
所要の形状および寸法を高精度で有する金属−セラミックス複合材料を比較的容易に得ることができる製造方法を提供する。
【解決手段】
金属フィラーを含有する硬化性シリコーン組成物を硬化させて得られた硬化物を、非酸化性雰囲気下、４００〜１５００℃の範囲内でかつ前記金属フィラーの融解点未満の温度において加熱することを含む、金属光沢を示す金属−セラミックス複合材料の製造方法。 （もっと読む）

【課題】亀裂の発生を抑制して靱性の高い表面硬化高強度セラミックスを提供する。
【解決手段】アルミナ、ムライト、TiO₂、ZrO₂、Si₃N₄、SiC及びAlNの群から選ばれる１種以上の無機材料からなるマトリクスに炭化物の微細粒子を１vol％以上分散させた複合焼結体又は前記炭化物単体の焼結体を、１０００〜１４００℃で１〜３００時間の範囲内で熱処理後、電子線を照射して表面を硬化してなる表面硬化高強度セラミックスである。 （もっと読む）

【課題】
ＳｉＣ焼結体の焼結手段として、Ａｌ、Ｂ、Ｃ元素やＡｌ_８Ｂ_４Ｃ_７化合物を焼結助剤にする方法はある。Ａｌ、Ｂ、Ｃ元素は懸濁液を作りにくく、混合に難点がある、また、Ａｌ_８Ｂ_４Ｃ_７化合物は合成が難しく、事実上単体合成ができない。従来方法では粉末成形と焼結に難点があった。
【解決手段】
高温で安定な化合物Ａｌ_３ＢＣ_３焼結助剤を見いだし、しかも容易にＳｉＣ粉末と懸濁液を作り、成型法と焼結法が改善できた。 （もっと読む）

【課題】ボートの製造工程で発生した加工屑を有効利用し、ボートの製造に好適なセラミックス焼結体を製造する。
【解決手段】ＴｉＢ_２（二硼化チタン）と、ＢＮ（窒化硼素）と、ＡｌＮ（窒化アルミニウム）と、Ｓｒ（ストロンチウム）化合物と、Ｆｅ（鉄）又はＦｅ化合物と、Ｏ（酸素）を含む原料粉末を成型後、非酸化性雰囲気下、ホットプレス焼結するセラミックス焼結体の製造方法において、上記原料粉末の一部としてセラミックス焼結体の粉砕物を用い、そのセラミックス焼結体の粉砕物の組成が、ＴｉＢ_２が４０〜６０質量％、ＢＮが３０〜５５質量％、ＡｌＮが０．３〜２．０質量％、Ｓｒ化合物が０．３〜３．０質量％、Ｆｅ又はＦｅ化合物が０．５〜８．０質量％及びＯが１．０〜４．０質量％を含み、しかもこれらの成分の合計が９５質量％以上（１００％を含む）であることを特徴とするセラミックス焼結体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】パーティクルの発生が少なく、半導体製造装置またはフラットパネルディスプレイ製造装置に好適な多孔体を提供する。
【解決手段】１００質量％のＳｉＣ粉末と、５質量％以下のカーボンと、２０質量％以上の金属シリコンからなることを特徴とする多孔体であって、前記金属シリコンの粒子同士がネッキングした構造を有する。１００質量％のＳｉＣ粉末と、５質量％以下のカーボン粉末または５質量％以下のカーボンを含む有機系バインダーと、２０質量％以上の金属シリコン粉末との混合粉末をプレス成形して成形体とする工程と、前記成形体を非酸化雰囲気中、１２００〜１３５０℃で熱処理することにより金属シリコンの粒子同士をネッキングさせる工程を含む製造方法。 （もっと読む）

【課題】 母基板の熱伝導率を向上できる回路基板およびその製法を提供する。
【解決手段】 窒化珪素質焼結体からなる母基板に導体層を形成してなる回路基板であって、基板が、Ｌｉを全量中０．００９〜０．０４６質量％含有することを特徴とする。このような回路基板の母基板は、窒化珪素粉末にＬｉ化合物をＬｉ_２Ｏ換算で全量中０．３〜１．５質量％添加した混合粉末を成形し、焼成し、Ｌｉを全量中０．００９〜０．０４６質量％含有せしめて作製される。 （もっと読む）

【課題】 釣糸の案内や時計等に用いられる装飾部品の色調の好みは十人十色であるが、銀色に赤みを帯びるという装飾的価値が高い色調を醸し出すとともに、耐磨耗性に優れた装飾部品用セラミックスは提供されていなかった。
【解決手段】 炭窒化チタン質焼結体からなり、表面にニッケル，クロムおよびこれらの珪化物と窒化珪素とを含む装飾部品用セラミックスである。本発明の装飾部品用セラミックスによれば、耐磨耗性に優れるとともに、炭窒化チタンが呈する金属光沢を有する茶褐色系の色調と、クロム、ニッケルおよびこれらの珪化物が呈する銀色系の色調と、窒化珪素が呈する黒色系の色調とのバランスが合って、ＣＩＥ1976Ｌ＊ａ＊ｂ＊表色系において、明度指数Ｌ＊が60〜71であり、クロマティクネス指数ａ＊が４〜９であり、ｂ＊が７〜10であり範囲の、銀色に赤みを帯びるという装飾的価値の極めて高い色調を醸し出すことができる。 （もっと読む）

【課題】高周波領域における低い誘電損失とともに高い熱伝導を有する低損失誘電体材料とその製造方法及び部材を提供する。
【解決手段】窒化ケイ素を主体とし、周期律表第３ａ族化合物、及び、不純物的酸素を含有する窒化ケイ素質焼結体からなり、該焼結体の粒界が結晶化され、かつ２ＧＨｚと３ＧＨｚにおける誘電損失が２×１０^−４以下であり、熱伝導率が９０Ｗ・ｍ^−１・Ｋ^−１以上の高周波用低損失誘電体材料、その製造方法及び部材。
【効果】２ＧＨｚと３ＧＨｚにおける誘電損失が２×１０^−４以下で、かつ熱伝導率が９０Ｗ・ｍ^−１・Ｋ^−１以上である高熱伝導・低誘電損失の高周波用低損失緻密質誘電体材料及び部材等を提供することができる。 （もっと読む）