【課題】高い硬度を有する炭化硼素質焼結体は、研削抵抗が大きいため、研削加工時のクラックの伝播の効率が悪く、加工性が低という問題があった。
【解決手段】炭化硼素を主成分とし、グラファイトおよび炭化珪素を含み、気孔を有する炭化硼素質焼結体からなり、前記グラファイトが前記気孔を規定する気孔規定面に主として存在させることで、高い硬度を維持したままで研削加工性の高い焼結体を提供する。 （もっと読む）

【課題】色むらのない窒化アルミニウム焼結体を生産性良く製造する。
【解決手段】窒化アルミニウム粉末、焼結助剤および有機バインダーを含有してなる成形体を、非酸化性雰囲気中で脱脂と焼成を連続して行う窒化アルミニウム焼結体の製造方法において、体積基準累積粒度分布の累積９０％粒子径（ｄ９０）と累積１０％粒子径（ｄ１０）の差が３．０μｍ以下である窒化アルミニウム粉末を用い、焼成工程において１６００〜１７５０℃の温度域で４〜１０時間保持した後、焼結温度まで昇温することを特徴とする、色むらのない窒化アルミニウム焼結体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】半導体発光素子からの４３０〜４８０ｎｍの範囲の光によって高効率で安定に発光する窒化物蛍光体および酸窒化物蛍光体、これらの蛍光体の製造方法、ならびに、高効率で特性の安定した発光装置を提供する。
【解決手段】一般式（Ａ）：Ｅｕ_aＳｉ_bＡｌ_cＯ_dＮ_eで実質的に表される、発光のピ−ク波長から可視光の長波長領域での反射率が９５％以上である２価のユーロピウム付活酸窒化物蛍光体、一般式（Ｂ）：ＭＩ_fＥｕ_gＳｉ_hＡｌ_kＯ_mＮ_nで実質的に表され、、発光のピ−ク波長から可視光の長波長領域での反射率が９５％以上である２価のユーロピウム付活酸窒化物蛍光体、または、一般式（Ｃ）：(ＭＩＩ_1-pＥｕ_p)ＭＩＩＩＳｉＮ₃で実質的に表され、発光のピ−ク波長から可視光の長波長領域での反射率が９５％以上である２価のユーロピウム付活窒化物蛍光体、これらの蛍光体の製造方法、ならびに、これらの蛍光体を用いた発光装置。 （もっと読む）

【課題】、１０μｍ以上の窒化ホウ素粒子ないしは窒化ホウ素粒子を含む凝集粒子の露出を軽減させた、例えばサセプタとして好適な窒化物複合焼結体の製造方法を提供する。
【解決手段】窒化物セラミックス粉末を焼成する方法において、窒化物セラミックス粉末が媒体と窒化物セラミックス粉末との湿式混合物から媒体が除去されたものであり、媒体がハイドロフルオロカーボン及びハイドロフルオロエーテルの少なくとも一方にアルコールを２〜１０質量％含有させてなるものであることを特徴とする窒化物複合焼結体の製造方法。アルコールが、エタノール、イソプロピルアルコール及びｔ−アミルアルコールから選ばれた少なくとも１種、特にｔ−アミルアルコールであることなどが好ましい。 （もっと読む）

【課題】バーナーの小型化、少台数化、短時間の熱交換を図ることができ、しかも熱膨張、酸化、腐食等により損耗し難い蓄熱部材及び熱交換器を提供する。
【解決手段】理論密度比で９５％以上の緻密質セラミックスからなる蓄熱部材であって、緻密質セラミックスが、平均結晶粒径２〜５０μｍ、平均アスペクト比１０未満、純度８５質量％以上のアルミナ質セラミックス、平均結晶粒径２〜５０μｍ、平均アスペクト比１０未満、純度９０質量%以上のムライト質セラミックス、平均結晶粒径１〜２０μｍ、平均アスペクト比１５未満、純度８５質量%以上の窒化珪素質セラミックス、又は、平均結晶粒径０．５〜１０μｍ、平均アスペクト比１２未満、純度９０質量%以上の炭化珪素質セラミックスから選ばれる少なくとも１種であることを特徴とする蓄熱部材、及び、この蓄熱部材を少なくとも用いてなる熱交換器である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、相対的に低温領域である６００℃以下の温度領域において、二珪化モリブデンの過度な酸化による低温劣化現象を改善する。
また、本発明は、フリット成分から生じる高温加工性を良好にし、複雑な形状を一層容易に製造することができ、二酸化ケイ素などのフリット成分を原料の合成段階で添加することで、成形のための二珪化モリブデン粉末の混合工程を減らすか、混合効率の向上によって工程時間を短縮する。
さらに、本発明は、電気伝導性を向上させる物質を二珪化モリブデン組成物に添加することで、電気抵抗性の過度な増加を補償する。
【解決手段】モリブデン（ＭｏＳｉ_２）とケイ素（Ｓｉ）とのモル比が１：２.０１〜１：２.５の範囲である二珪化モリブデン組成物を構成する。 （もっと読む）

【課題】イオンミリング加工法や反応性イオンエッチング法によって得られる流路面に出現する直径１００ｎｍ〜５００ｎｍの微小な気孔は相対的に大きい上、流路面の表面粗さがばらつきやすく、フェムトスライダー、アトスライダー等の小型化されたスライダーを用いた磁気ヘッドに適用することが部分的に難しい磁気ヘッド用基板であった。
【解決手段】アルミナを３５質量％以上７０質量％以下、ＴｉＣを３０質量％以上６５質量％以下の範囲である焼結体から成る磁気ヘッド用基板１であって、該磁気ヘッド用基板１の両主面部３および厚み方向の中央部２における密度の差が０．００４ｇ／ｃｍ^３以下である。 （もっと読む）

【課題】摩耗や損傷が生じにくく、長寿命な窯炉用構造部材を提供する。
【解決手段】熱伝導率が３０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上、強度が５０ＭＰａ以上、ヤング率が２００ＧＰａ以上、見掛け気孔率が１０％以下のセラミックス材料からなる窯炉用構造部材であって、当該セラミック材料は、炭化珪素、窒化珪素、炭化珪素と窒化珪素との複合材料、炭化珪素と珪素との複合材料、及び炭化珪素と珪素化合物との複合材料の内の何れかである。 （もっと読む）

多孔質の繊維強化構造を形成する工程、前記繊維構造の細孔中に、複合材料マトリックスを構成するための元素を含有する粉体を導入する工程、および前記粉体同士の間、あるいは前記粉体の少なくとも一部と加えられた補足的な少なくとも一種の元素との間で反応を起こすことにより、前記粉体から少なくとも前記マトリックスの主要部分を形成する工程を具備し、前記繊維構造内に導入された前記粉体、および前記加えられた補足的な元素は、ホウ素化合物を含む少なくとも一つの回復不連続マトリックス相、およびラメラ構造の化合物を含む少なくとも１種のクラック偏向不連続マトリックス相を形成する元素を含有する方法である。マトリックスの少なくとも主要部分は、繊維構造内に導入された粉体と少なくとも一種の加えられた補足的な元素との間の反応により、または粉体同士の焼結により形成される。 （もっと読む）

【課題】セラミックス基複合材における織物中の空隙へのマトリックスの充填の程度を改善する。
【解決手段】 炭素よりなる粉末と、シリコンよりなる粉末と、有機溶媒を含む媒質と、を含む混合物を調製し、無機物の繊維よりなる織物を前記混合物に埋没し、前記混合物を前記織物に含浸せしめるべく前記混合物を加振し、含浸した前記沈殿を含む前記織物を焼成する、ことにより、セラミックス基複合材を製造する。 （もっと読む）

【課題】 フェムトスライダー、アトスライダー等の小型化されたスライダーに好適に用いる磁気ヘッド用基板において、結晶組織の均一化が十分ではないため、イオンミリング加工法や反応性イオンエッチング法によって得られる流路面には直径１００ｎｍ〜５００ｎｍの微小な気孔が生じやすい。
【解決手段】 Ａｌ_２Ｏ_３を３５質量％以上、７０質量％以下、ＴｉＣを３０質量％以上、６５質量％以下の範囲である焼結体から成る磁気ヘッド用基板１であって、磁気ヘッド用基板１の両主面部３および厚み方向の中央部２におけるＴｉＣの格子定数の差が１×１０^−４ｎｍ以下である。これにより、磁気ヘッド用基板を短冊状に切断し、切断面を研磨して鏡面とした後に、イオンミリング加工法や反応性イオンエッチング法によって鏡面の一部を除去して得られる流路面の表面粗さのばらつきを小さくすることができる。 （もっと読む）

【課題】熱伝導率の高い窒化アルミニウム焼結体を提供できる窒化アルミニウムスラリーを提供する。
【解決手段】窒化アルミニウム粉末、有機溶剤及び酸化防止剤を含む窒化アルミニウムスラリー並びにそれから得られる窒化アルミニウム顆粒、窒化アルミニウム成形体及び窒化アルミニウム焼結体に係る。 （もっと読む）

【課題】均熱性が良好で純度の高い炭化ケイ素焼結体ヒータ及びそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】かさ密度３．０ｇ／ｃｍ³以上、熱伝導率２００ｗ／ｍ・ｋ以上の炭化ケイ素焼結体からなる加熱体と、加熱体に通電して前記加熱体を昇温させる、かさ密度２．２ｇ／ｃｍ³以下、熱伝導率１００ｗ／ｍ・ｋ以下の炭化ケイ素焼結体からなる１対の電極と、を備え、加熱体と電極は、接合材を加熱焼結して得られる炭化ケイ素焼結体を介して一体に接合されている炭化ケイ素焼結体ヒータ。 （もっと読む）

【課題】気孔径のバラツキが小さく、高い強度を有するハニカム構造体を製造することができるハニカム構造体の製造方法を提供すること。
【解決手段】少なくとも炭化ケイ素粉末とバインダと添加材とを含む原料組成物を成形することにより、多数のセルがセル壁を隔てて長手方向に並設された柱状のハニカム成形体を作製した後、上記ハニカム成形体を脱脂処理することによりハニカム脱脂体を作製し、さらに、上記ハニカム脱脂体を焼成処理することによりハニカム焼成体を作製し、ハニカム焼成体からなるハニカム構造体を製造するハニカム構造体の製造方法であって、上記添加材は、アルミナ、シリカ、チタニア、ジルコニア、マグネシア、及び、これらのいずれかを含む複合体のうちの少なくとも１種であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】焼成雰囲気調整なく高い焼結性、高い緻密性及び大きな熱伝導性を有する窒化珪素焼結体、並びにそれを用いた放熱性の大きな放熱絶縁用セラミックス基板、放熱絶縁用セラミックス回路基板及び放熱絶縁用モジュールの提供。
【解決手段】Ｓi_３Ｎ_４と、軽希土類元素と、重希土類元素及び／又はＹと、Ｓrとを含有する窒化珪素焼結体であり、Ｓi_３Ｎ_４の含有割合が８５〜９０モル％、前記軽希土類元素の含有割合が酸化物換算で１〜５モル％、前記重希土類元素及び／又はＹの含有割合が酸化物換算で１〜５モル％、Ｓrの含有割合が酸化物換算で３〜１３モル％であり、ラマン分光分析における波数５２１±２ｃｍ^−１の珪素ピーク強度（Ｓ１）と２０６±２ｃｍ^−１付近の窒化珪素のピーク強度（Ｓ２）との比Ｓ１／Ｓ２が０．１未満であることを特徴とする窒化珪素焼結体、放熱絶縁用セラミックス基板、放熱絶縁用セラミックス回路基板、放熱絶縁用モジュール。 （もっと読む）

【課題】層間剥離が発生し難く、かつ、熱伝導性に優れるとともに安価に製造することが可能な窒化アルミニウム多層基板を提供する。
【解決手段】窒化アルミニウム多層基板１は、酸化イットリウム（Ｙ_２Ｏ_３）とアルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）をモル比が略１：１の割合で含有する窒化アルミニウムのグリーンシートの焼結体からなる基体２の表面にスクリーン印刷等によってメタライズ層３が形成され、各基体２の層間に窒化アルミニウムを主成分とし、焼結助剤として酸化イットリウム及びアルミナをモル比が略１：１の割合で含有する絶縁性ペーストの焼結体からなる絶縁層４が形成されるとともに、絶縁性ペースト中の焼結助剤の割合がグリーンシート中の焼結助剤の割合よりも高いことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】立方晶型窒化硼素を20体積％以上含むＣＢＮ焼結体からなる基材またはダイヤモンドを40％以上含むダイヤモンド焼結体からなる基材を有する工具用の複合高硬度材料の改良。
【解決方法】Ｃ、ＮおよびＯの中から選択される少なくとも１種の元素と、Tiと、Alとを主成分とした少なくとも１層の硬質耐熱被膜を少なくとも切削に関与する箇所に有する。ＣＢＮ焼結体またはダイヤモンド焼結体の高い硬度および高い強度（超硬合金に比べ数倍）と、硬質耐熱被膜の優れた耐摩耗性とを併せ持った、焼入鋼切削や鋳鉄の粗切削、鋳鉄とアルミ合金との共削り等で用いた場合に従来工具に対して著しく長い寿命を示す理想的な工具用複合高硬度材料。 （もっと読む）

【課題】本発明は、微細なＢＮ粒子がＡｌＮマトリックス中に均一分散したＡｌＮ・ＢＮ複合粉末を提供することを目的としている。
【解決手段】窒化ホウ素と窒化アルミニウムとが複合化されてなるＡｌＮ・ＢＮ複合粉末であって、該複合粉末の比表面積Ｘ(m²/g)と、該複合粉末を下記条件で成形焼結したＡｌＮ・ＢＮ複合焼結体のヤング率Ｙ(GPa)とが、下記式を満足するＡｌＮ・ＢＮ複合粉末：0.8≦Ｘ×5.5/(323−Ｙ) 成形焼結条件：ＡｌＮ・ＢＮ複合粉末１００重量部に対して、焼結助剤として５．２６重量部のY₂O₃を加え、エタノールを分散媒として湿式ボールミル混合した後、乾燥させた。Ｙ₂Ｏ₃焼結助剤を混合した原料粉末を35mm×45mm×5mmの角柱状
に加重50ｋｇ/cm²で一軸加圧成形し、続いて200MPaで静水圧プレスを行い焼結用ペレットを成形した。ペレットを、多目的雰囲気炉（富士電波工業社製、ハイマルチ10K）を用い
て窒素雰囲気中、1800℃で1時間常圧焼結し、測定サンプルとした。 （もっと読む）

【課題】 高密度ＬＳＩ検査用のプローブガイドに適用可能な、薄肉で深い穴やスリットを精度よく形成できる快削性を持ち、かつ画像処理装置を使用して加工形状の検査や位置合わせが反射光で妨害されないように、均一に黒色化された、熱膨張係数の低いセラミックスを提供する。
【解決手段】 窒化珪素25〜60質量％および窒化硼素40〜75質量％を骨材とし、焼結助剤を添加した原料粉末に、ジルコニアを骨材の 0.1〜20質量％の量で添加し、還元性雰囲気で焼成する。焼成中のジルコニアの還元によりセラミックスが黒色化する。この黒色化は他のセラミックスの黒色化にも応用できる。 （もっと読む）

【課題】セラミック基板上に無電解メッキにより直接金属膜を形成することによってメタライズドセラミック基板を製造する方法において、信頼性が高く、十分な密着強度が得られるメタライズドセラミック基板を作製可能な方法を提供すること。
【解決手段】表面に導電層または導電ペースト層を有していてもよいセラミック基板からなる原料基板を準備する工程（Ａ）と、該原料基板上にセラミックペースト層を形成し、該セラミックペースト層を焼成しセラミック焼結体層を形成する工程（Ｂ）と、該セラミック焼結体層上に無電解メッキにより金属膜を形成する工程（Ｃ）と、を含むメタライズドセラミック基板の製造方法。 （もっと読む）