【課題】 高い熱伝導性を有しながら、ブレードによる切断、スクライブ処理後の折割処理等の加工において粒界破壊によるチッピングが起こり難く、加工の際に高い寸法精度が求められる用途に好適な窒化アルミニウム焼結体を提供する。
【解決手段】 イットリウム元素換算で０．１〜０．５質量％の量のイットリウム化合物を含有し、該イットリウム化合物のうち、窒化イットリウムが占める比率が、５〜３０％であり、且つ、該窒化イットリウムの少なくとも一部が窒化アルミニウム結晶粒子の二粒界に存在し、且つ、相対密度が９８％以上であることを特徴とする窒化アルミニウム焼結体である。 （もっと読む）

【課題】ヒータとしての発熱量を確保しつつ、部位毎の発熱量の差をさらに抑制させたヒータ、ヒータに用いられる発熱体、及び発熱体の製造方法を提供すること。
【解決手段】電力の供給に伴って発熱する発熱体１０と、発熱体１０の両端部に接続され、電源からの電力を供給する端子２０と、を備えたヒータ１００であって、発熱体１０は、純度が、９９．９９％以上の炭化珪素の粉末を成型するステップと、粉末を窒素雰囲気において、１７００℃以上で１時間以上焼成するステップとにより製造されること。 （もっと読む）

少なくとも１つのセラミック成形部品を作成するための方法および装置であって、少なくとも１つの雌型と少なくとも１つの雄型との間に空洞を設けることと、Ｓｉ含有粉末組成物を空洞にもたらすことと、Ｓｉ粉末組成物を反応ガス雰囲気中で反応によって境界付けられたセラミック成形部品が得られる温度へと加熱することとを含んでいる方法および装置、ならびにその使用。
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【課題】アルカリ性溶液と酸性溶液とに対する耐食性に優れ、それら溶液に頻繁に晒されるような過酷な環境下でも強度が低下しにくいセラミック多孔体を提供する。
【解決手段】１０〜２０質量％のＺｒＯ_２を含むガラス相と、ＺｒＯ_２粒子及びＳｉＣ粒子からなる群より選択される何れか一種の骨材粒子とを含むセラミック多孔体。 （もっと読む）

【課題】炭化珪素質焼結体のクラックやメタルベインを解消し、欠陥のない緻密な炭化珪素質焼結体を提供できる。
【解決手段】金属珪素を含む炭化珪素質焼結体であって、該炭化珪素焼結体は珪素スポットを有し、前記炭化珪素質焼結体の断面より求めた前記珪素スポットの平均等価円直径Ｄ１と炭化珪素粒子の平均粒子間距離Ｄ２との比Ｄ１／Ｄ２が４以上であることを特徴とする炭化珪素質焼結体。前記珪素スポットは、真円度０．６〜１．０である。 （もっと読む）

【課題】ピンの作製に微小なクラックがピンの表面に存在せず、長寿命化が可能となる摩擦攪拌用接合工具用ピンとそれを用いた摩擦撹拌接合装置を提供する。
【解決手段】支持体２の先端に被接合部材に押圧させるピン１を備えたものであり、ピン１は表面に被覆層３を有するセラミックスからなる。 （もっと読む）

【課題】低熱膨張性及び高熱伝導性に優れた光学装置の部品に好適なセラミックス部材を提供する。
【解決手段】窒化珪素焼結体からなり、室温の熱伝導率が６０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上、室温から１０００℃までの熱膨張係数が３．４×１０^−６／Ｋ以下、L＊ａ＊ｂ＊表色系における明度L＊が０〜８０の範囲であることを特徴とするセラミックス部材。Ｌ＊ａ＊ｂ＊表色系における色度ａ＊が−３〜３、色度ｂが−３〜３である。露光装置用ステージ機構において、例えば、ステージ部品１や、位置測定用のミラー部品４、５等に用いることができる。 （もっと読む）

【課題】 耐熱部材として高温での揮発分が少なく、不純物の混入が少なく、機械部品としての寸法精度を確保出来、高温での半導体製造装置に好適な部材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 １７００℃の窒素ガス中で１２時間加熱した後のＳｉ、Ｃ、Ｂ、Ｎの合計含有量が９９．９質量％以上、且つ波長１μｍにおける放射率が８０％以上のＳｉＣ−ＢＮ複合焼結体を用いる合成装置用耐熱性黒色部材。相対密度９８％以上かつＳｉＣ粒子の最大粒子径が４．０μｍ以下であることが好ましい。ＳｉＣが６０．０質量％以上８３．５質量％以下、ＢＮが１５．０質量％以上３５．０質量％以下、Ｂ_４Ｃが０．５質量％以上２．０質量％以下、カーボンが１．０質量％以上４．０質量％以下の原料組成を２０００〜２２００℃、圧力１５〜４０ＭＰａでホットプレス焼結する合成装置用耐熱性黒色部材の製造方法。 （もっと読む）

【課題】強誘電性を示し、圧電特性の良好な酸窒化物圧電材料及びその製造方法を提供する。
【解決手段】下記一般式（１）で表される正方晶ペロブスカイト型酸窒化物からなり、窒素原子がｃ軸方向に配向している酸窒化物圧電材料。
【化１】


（式中、Ａは２価の元素、ＢおよびＢ’は４価の元素を表す。ｘは０．３５以上０．６以下、ｙは０．３５以上０．６以下、ｚは０．３５以上０．６以下、δ１およびδ２は−０．２以上０．２以下の数値を表す。）前記ＡはＢａ，Ｓｒ，Ｃａから選ばれた少なくとも１種であり、ＢおよびＢ’はＴｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｓｎから選ばれた少なくとも１種である。 （もっと読む）

【課題】鉛を使用せずに、圧電定数とヤング率の積が大きい圧電性に優れた圧電体材料を提供する。
【解決手段】組成式ＡＢＯ_２Ｎ（Ａは３価の陽イオン、Ｂは４価の陽イオンを示す。但し、Ａ、Ｂは鉛を除く。）で表されるペロブスカイト型結晶または前記ペロブスカイト型結晶を含むバルク材料からなる圧電体材料であって、前記圧電体材料中に含まれる窒素Ｎの個数をＮｘｙｚとし、Ｎｘｙｚのうち結晶中の面心位置であってかつ長軸方向に配置された窒素の個数をＮｚとすると、Ｎｚ／Ｎｘｙｚ＞１／３である圧電体材料。前記ＡはＬａ、ＢはＴｉであることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】従来よりも製造が容易な炭化ケイ素多孔質体と、従来よりも炭化ケイ素多孔質体の製造が容易な炭化ケイ素多孔質体の製造方法を提供する。
【解決手段】炭化ケイ素粉末と炭素粉末とを含む水性スラリーを用いて、前記炭化ケイ素粉末と前記炭素粉末とを含む中間多孔質体を生成し、この中間多孔質体を乾燥させ、乾燥した中間多孔質体にシリコン蒸気を用いてシリコンを含浸させることにより形成する。 （もっと読む）

【課題】低圧条件でｈＢＮからｃＢＮを合成する低圧合成方法及びｃＢＮ原料粉末を用いたｃＢＮ焼結体の製造方法を提供する。
【解決手段】金属触媒として、１５ｗｔ％以上５０ｗｔ％未満のＭｏと、１．５〜８ｗｔ％のＡｌ及びＭｇのいずれか１種又は２種と、残部はＦｅ，Ｃｏ及びＮｉのうちから選ばれる１種又は２種以上からなる合金粉末あるいは混合粉末を用いて、低圧（４ＧＰａ以上）かつ１２００〜１９００℃でｈＢＮからｃＢＮを合成し、また、ｃＢＮを原料粉末とし、金属触媒として用いた上記合金粉末あるいは混合粉末を焼結助剤として原料粉末に含有させて焼結し、ｃＢＮ焼結体を得る。 （もっと読む）

【課題】潤滑性材料の包含物（インクルージョン）を有するセラミック体とその形成方法の提供。
【解決手段】セラミック要素は、第１セラミック材料を含む組成物から形成される焼結セラミック体と、該セラミック体中の複数の包含物であって、各包含物がグラファイト及び第２セラミック材料を含む包含物とを含む。特に潤滑性及び（又は）グラファイト含有のセラミック体を形成するための種々の技術、ならびにそれらによって形成されるセラミック体。 （もっと読む）

【課題】抵抗値が低く、炭化珪素発熱体の電力損出を少なくすることができて、省エネルギーを可能とし、製造コストの面でも有利な炭化珪素発熱体端部の製造方法を提供する。
【解決手段】発熱部と端部を接合してなる炭化珪素発熱体の端部を製造する方法において、炭化珪素、炭素および窒化珪素の混合粉末の成形体を、珪素の存在下で、且つ圧力が１５０〜１５００Ｐａの減圧下で、１４５０〜１７００℃の温度に加熱して反応焼結することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高気孔率でありながらも高強度であり、熱伝導率が高く耐熱衝撃性に優れ、比較的低温で焼結させることで製造可能な炭化珪素質多孔体を提供する。
【解決手段】金属珪化物を１〜３５質量％含有し、気孔率が３８〜８０％であり、気孔径が１０〜６０μｍである炭化珪素質多孔体。 （もっと読む）

【課題】ＧａＡｓ単結晶等の成長に使用されるＢＮるつぼを低コストで製造する方法の提供。
【解決手段】
高分子フィルムを硼素と窒素を含む雰囲気で熱処理することにより窒化硼素（ＢＮ）に転化させてＢＮるつぼを製造する方法であり、より具体的には、高分子フィルムを硼素及び窒素を含むガス中で１２００℃〜２０００℃の温度で処理して少なくとも表面部が硼素及び窒素からなる中間体を生成させる第一の工程と、得られた中間体を２０００℃以上３０００℃以下の温度範囲で本焼成してＢＮるつぼを得る第二の工程とを含むＢＮるつぼの製造方法。 （もっと読む）

【課題】 三族元素の有機化合物やアンモニア等の反応活性な雰囲気下、１，２００〜１，４００℃に達する高温で、Ｉｎ_ｘＧａ_ｙＮＡｌ_ｚ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）で表される３−５族化合物半導体を有機金属気相成長法により製造する装置において、安定して使用可能なサセプタやその周辺部材を提供する。
【解決手段】 Ｉｎ_ｘＧａ_ｙＮＡｌ_ｚ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）で表される３−５族化合物半導体を有機金属気相成長法により製造する装置において、ＡｌＮ６０質量％以上８５質量％以下、ＢＮ１５質量％以上４０質量％以下かつ１，４００℃のＮ_２中で６時間加熱した後の減量が０．１％以下のＡｌＮ−ＢＮ複合焼結体を用いる３−５族化合物半導体の製造装置用サセプタ部材。好ましくは、相対密度９８％以上かつＡlＮの最大粒径が４μｍ以下である３−５族化合物半導体の製造装置用サセプタ部材。 （もっと読む）

本発明は、配合物を作りそれを１６００℃〜２４００℃で焼成するのを可能にするために充分な量の溶媒、例えば水の存在下で、有機細孔形成剤及び／又は結合剤を含む有機材料と適切な割合でもって配合された細かいＳｉＣ粒子及び粗いＳｉＣ粒子の２つの粉末から出発して、特に粒子状物質含有ガスをフィルタ処理するための構造体の形をした、再結晶化ＳｉＣで作られた多孔質材料を得るための方法であって、粗い粉末粒子のパーセンタイル値ｄ₉₀と細かい粉末粒子のパーセンタイル値ｄ₁₀との差に初期配合物中の有機材料の体積を乗じ、ＳｉＣ粒子の合計体積に対する百分率として表わしたものが、２５０〜１５００であることを特徴とする方法に関する。本発明は、前記方法によって得ることのできる再結晶化ＳｉＣで作られた多孔質材料にも関する。 （もっと読む）

【課題】酸素存在下で焼結が可能であって、焼結体の相対密度が高く、機械的強度の優れた六方晶系窒化ホウ素焼結体の製造方法を提供する。
【解決手段】六方晶系窒化ホウ素とアルミノケイ酸塩とをあらかじめ混合粉砕して焼結用混合粉とし（混合粉砕工程）、該焼結用混合粉を圧力成形してプレ成形体とし（プレ成形工程）、プレ成形体を酸素が存在する雰囲気下において焼結する（焼結工程）。六方晶系窒化ホウ素からなる粉体粒子は、表面のみならず内部にも酸素が含まれている。 （もっと読む）

【課題】焼結添加剤を使用せずに、高い相対密度およびナノメートルのグレインサイズを有する炭化ケイ素部品を製造できるプロセスを提供すること。
【解決手段】本発明は、平均グレインサイズがナノメートルであり、相対密度が９７％を超える炭化ケイ素を含む部品の調製プロセスであって、このプロセスは：
−ナノメートルの炭化ケイ素粉末の冷間圧縮によるプレフォーム形成工程または粉末の造粒によるこうした粉末の粒塊形成工程；
−必要な相対密度および平均グレインサイズ、すなわち９７％を超える相対密度およびナノメートルの平均グレインサイズを得るために、少なくとも１つの所定温度および圧力における、焼結添加剤を使用しない、該プレフォームまたは該粒塊の放電プラズマ焼結工程を含むプロセスに関する。
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