説明

Fターム[4G001BC25]の内容

セラミック製品 (17,109) | 製造方法 (5,177) | 成形方法 (569) | 泥漿鋳込み成形 (43)

Fターム[4G001BC25]に分類される特許

1 - 20 / 43


【課題】1E5Ωcm以上の抵抗率を有し、200ppm以下の窒素原子を含む、再結晶炭化ケイ素体の製造方法を提供する。
【解決手段】炭化ケイ素粗粒子と、同粗粒子の平均粒径より平均粒径が小さい炭化ケイ素微粒子と混合して混合物を形成する工程、前記混合物を成形して、未焼成品を形成する工程、および、不活性ガスを含み、約25Torr以下の減圧を有する雰囲気中で前記未焼成品を昇華温度に加熱し、再結晶炭化ケイ素体を形成する工程を含む、方法により達成。 (もっと読む)


【課題】製造時に亀裂の発生が抑制された、表層と基材内部の物性が異なる複合セラミックスとその製造方法を提供する。
【解決手段】マトリックス中に強化材が含まれてなる複合セラミックスであって、前記強化材の単位体積当たりの含有率が、前記複合セラミックス表面および表面近傍で最小値をとり、続いて表面から深さ方向に対して漸増して、その後一定値に達することを特徴とし、さらに強化材の含有率が、深さ方向に対して直線状、階段状、漸近曲線状のいずれか1つの形状で漸増する、マトリックスが炭化ケイ素とシリコンと炭素からなり、強化材が炭素繊維であるとより好ましい。 (もっと読む)


【課題】耐酸化性や耐食性に優れた炭化ケイ素系耐熱性超軽量多孔質構造材を提供する。
【解決手段】有機多孔質構造体の有形骨格に樹脂類及びシリコン粉末を含んだ第一スラリーを含浸させ真空或いは不活性雰囲気下において炭素化し、真空或いは不活性雰囲気下において反応焼結させて炭化ケイ素化し、シリコンを溶融含浸してシリコン被覆層を形成し、次いで樹脂類を含む第二スラリーを含浸させ炭素化するとともにシリコン被覆層の少なくとも表面を炭化ケイ素化する。 (もっと読む)


【課題】超硬質多結晶炭化ホウ素材料を提供する。
【解決手段】本発明の多結晶BC材料は強磁界整列技術及び焼結によって作製することができる。このB4Cのc軸は印加された磁界に垂直に高度に配向されていた。c軸に垂直/平行な表面上で測定された硬度は夫々38.86±2.13GPa及び31.31±0.79GPaであった。これらの大きな値の硬度、弾性係数及び破壊靱性によりB4C材料の応用分野が拡大する。 (もっと読む)


【課題】
本発明は、伸縮性やドレープ性に優れ、高強度、高弾性率で、かつ複雑な形状を有する型に追随できる炭素繊維構造物、及び、衝撃強度、耐摩耗性、耐熱性、軽量性に優れ、厚肉成形品を得るのに適した炭素繊維強化炭化ケイ素複合材料(C/SiC複合材料)を提供することを目的とする。
【解決手段】
炭素繊維強化炭化ケイ素系複合材料において、炭化ケイ素系材料の強化用炭素繊維構造物が、丸編みされてなることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 高い硬度を有する焼結体を提供する。
【解決手段】 TiCNを主成分とする硬質相2の外周をWCを主成分とするマトリックス3にて取り囲んだスケルトン組織4を有する焼結体1であり、焼結体1のスケルトン組織4部分の断面観察において、硬質相2の平均粒径が0.3〜5μmであり、硬質相2の面積Spとマトリックス3の面積Sbとの比(Sp/Sb)が0.5〜3である。 (もっと読む)


【課題】半導体素子の放熱部材に適した複合部材、その製造方法、放熱部材、半導体装置を提供する。
【解決手段】この複合部材は、マグネシウム又はマグネシウム合金とSiCといった非金属無機材料とが複合されたものであり、上記SiCを70体積%超含有し、熱膨張係数が4ppm/K以上8ppm/K以下であり、熱伝導率が180W/m・K以上である。この複合部材は、半導体素子との熱膨張係数の整合性に優れる上に、放熱性にも優れるため、半導体素子の放熱部材に好適に利用できる。上記非金属無機材料は、上記非金属無機材料同士を結合するネットワーク部を有する焼結体などの成形体を利用することで、複合部材中の非金属無機材料の含有量を容易に高められる上に、複合部材中に上記ネットワーク部が存在することで熱特性に優れる。 (もっと読む)


【課題】製造工程が簡素でコストが安価であり、剛性が高い熱処理用ヒータを提供する。
【解決手段】本発明による熱処理用ヒータ1は、炭化ケイ素の多孔体を仮焼した仮焼体3と、仮焼体3の外表面を被覆した、絶縁材料からなる被覆材5とを備えている。従って、剛性が低い多孔体の仮焼体3を絶縁材からなる被覆材5で被覆することによって、耐久性および輻射効率が高く、製造工程がシンプルで低コストの熱処理用ヒータ1を得ることができる。 (もっと読む)


【課題】快削性と共にシリコンに近い熱膨張係数を有し、高い強度を備えたセラミックス部材、このセラミックス部材を用いて形成されるプローブホルダ、及びセラミックス部材の製造方法を提供すること。
【解決手段】少なくともフォルステライト及び窒化ホウ素を主成分として含み、窒化ホウ素が一方向に配向している焼結体であるセラミックス部材、セラミックス部材を用いて形成されるプローブホルダ、及びセラミックス部材の製造方法。セラミックス部材は、配向度が0.07以下であり、配向方向と平行な方向の20〜300℃における熱膨張係数が(3〜5)×10−6/℃であるか、又はJIS R 1601に基づく3点曲げ強度が250MPa以上である。 (もっと読む)


【課題】面積の大きいディスクを作製する際、曲げ強度と破壊エネルギーがともに増大した炭素繊維強化シリコン含浸炭化珪素セラミックスを得ることできる製造方法を提供する。
【解決手段】炭素繊維と、炭素粉と、炭化ケイ素粉と、ゲル化能を有する有機物と、揮散性液体とを含む原料を混合してスラリーを調製する工程と、前記工程により得られたスラリーを型に鋳込み、加圧または減圧下でゲル化または硬化させて成形する工程と、前記工程により得られた成形体を焼成する工程と、前記工程により得られた焼成体にシリコンを含浸させる工程とを含む。 (もっと読む)


【課題】水蒸気の電気分解で発生した水素を貯蔵した上で発電に利用する水素電力貯蔵システムにおいて、発電時に発生する熱を有効に利用して総合効率を向上させる。
【解決手段】水素電力貯蔵システム30は、水素と酸化剤ガスとを用いて発電する発電部および水蒸気を電気分解する電解部(電力/水素変換装置11)を具備する。水素電力貯蔵システム30は、電気分解により生成された水素を貯蔵し、当該水素を発電時に発電部に供給する水素貯蔵部12と、発電に伴って発生する高温の熱を貯蔵し、当該熱を電気分解時に電解部に供給する高温蓄熱部13と、高温蓄熱部13で熱交換された後の低温の熱を貯蔵し、当該熱で電解部に供給する水蒸気を発生させる低温蓄熱部31とを具備する。 (もっと読む)


【課題】本発明の態様は、かかる課題の認識に基づいてなされたものであり、炭化硼素の有する高い比剛性率を持ちながら、炭化硼素とシリコンを反応させ表層部の状態を変化させることで研削性に優れた構造部材の作製を可能とした複合材料を提供する。
【解決手段】炭化硼素、炭化珪素、シリコンを主成分とする複合材料であって、前記炭化硼素の粒子にシリコンを含んでいることを特徴とする炭化硼素・炭化珪素・シリコン複合材料が提供される。 (もっと読む)


本発明は、配合物を作りそれを1600℃〜2400℃で焼成するのを可能にするために充分な量の溶媒、例えば水の存在下で、有機細孔形成剤及び/又は結合剤を含む有機材料と適切な割合でもって配合された細かいSiC粒子及び粗いSiC粒子の2つの粉末から出発して、特に粒子状物質含有ガスをフィルタ処理するための構造体の形をした、再結晶化SiCで作られた多孔質材料を得るための方法であって、粗い粉末粒子のパーセンタイル値d90と細かい粉末粒子のパーセンタイル値d10との差に初期配合物中の有機材料の体積を乗じ、SiC粒子の合計体積に対する百分率として表わしたものが、250〜1500であることを特徴とする方法に関する。本発明は、前記方法によって得ることのできる再結晶化SiCで作られた多孔質材料にも関する。 (もっと読む)


【課題】新規のSiCセラミック材料とその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は新規のSiCセラミック材料とその製造方法に関する。本発明の炭化硅素(SiC)材料は、炭化硅素(SiC)セラミック材料であって、セラミック材料が炭化硅素粒子及び1又は複数の酸化物結合相から成り、炭化硅素がセラミック材料の全重量に基づき少なくとも70重量%、好ましくは80重量%、より好ましくは80〜95重量%の範囲で存在し、炭化硅素粒子の粒度分布が、SiC細粒の少なくとも一部と非凝集SiC大粒の少なくとも一部を含む少なくとも二峰性であることを特徴とするセラミック材料二峰性である。 (もっと読む)


【課題】 炭化硼素の持つ高い比剛性を利用した高比剛性複合材料でありながら研削性が優れた複合材料の製造方法を提供すること。
【解決手段】 炭化硼素・炭化珪素・炭素源を主成分とする原料を成形して充填率が60−80%の成形体を製造する成形工程と、該成形体に熔融シリコンを含浸させることにより炭素を炭化珪素に転換させる反応焼結工程を備えたことを特徴とする、炭化硼素・炭化珪素・シリコンを主成分とする複合材料の製造方法。 (もっと読む)


【課題】 炭化硼素の持つ高い比剛性を利用した高比剛性複合材料でありながら研削性が優れた複合材料、及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 炭化硼素X体積部、炭化珪素Y体積部、シリコンZ体積部を主成分とし、10<X<60、20<Y<70、5<Z<30であり、炭化硼素と炭化珪素の10μm以上の粒子が10〜50体積部であることを特徴とする複合材料。 (もっと読む)


【課題】 炭化硼素の持つ高い比剛性を利用した高比剛性複合材料でありながら研削性が優れた複合材料、及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 炭化硼素X体積部、炭化珪素Y体積部、シリコンZ体積部を主成分とし、10<X<60、20<Y<70、5<Z<30であり、炭化硼素と炭化珪素の10μm以上の粒子が10〜50体積部であることを特徴とする複合材料。 (もっと読む)


【課題】室温から高温度までの広い使用温度範囲において優れた構造強度,耐食性,耐久性等を有し、小型で複雑形状を有する構造体であっても高い寸法精度で容易かつ効率的に製造することが可能な反応焼結炭化ケイ素構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】中子7を用いて成形され、その中子7の形状に対応する細孔5を内部に有する成形体であって、炭化ケイ素粉末と炭素粉末とを含有する成形体を形成し、この得られた成形体に対して脱バインダー処理を実施した後にこの脱脂体を加熱し、溶融シリコンを含浸して反応焼結せしめて一体の焼結体とすることを特徴とする反応焼結炭化ケイ素構造体の製造方法である。 (もっと読む)


約1E5Ωcm以上の抵抗率を有し、再結晶炭化ケイ素体中の結合した窒素原子を含む窒素含有率が約200ppm以下である、再結晶炭化ケイ素体を提供する。
(もっと読む)


【課題】
SiC焼結体の焼結手段として、Al、B、C元素やAl化合物を焼結助剤にする方法はある。Al、B、C元素は懸濁液を作りにくく、混合に難点がある、また、Al化合物は合成が難しく、事実上単体合成ができない。従来方法では粉末成形と焼結に難点があった。
【解決手段】
高温で安定な化合物AlBC焼結助剤を見いだし、しかも容易にSiC粉末と懸濁液を作り、成型法と焼結法が改善できた。 (もっと読む)


1 - 20 / 43