高ＣＢＮ含有量の多結晶ＣＢＮ成形体を製造する方法を提供する。この方法は、ＣＢＮと粉末結合剤相との混合物の少なくとも８０体積％の量でＣＢＮが存在する混合物を摩砕することにより粉末組成物を製造することを含む。この粉末混合物を、ＣＢＮ成形体を製造するのに適した高温及び高圧条件におく。 （もっと読む）

共重合体を含むシリコン組成物を提供する。共重合体は、一般式：Ｈ−［ＳｉＨ_２ＣＨ_２］_ｘｎ［Ｓｉ（Ｒ_１）ＨＣＨ_２］_ｙｎ［ＳｉＨ（Ｒ_２）ＣＨ_２］_ｚｎ−Ｈで示され、式中、Ｒ_１は、メチル、フェニル、メトキシ、エトキシまたはブトキシ、Ｒ_２は、アリル、プロパギルまたはエチニル、そしてｘ，ｙおよびｚが０でないときｘ＋ｙ＋ｚ＝１である。前述の共重合体を使用した炭化ケイ素系材料と、それによって生成された生成物の生成方法も提供する。 （もっと読む）

【課題】窒化けい素焼結体本来の高強度特性に加えて熱伝導率が高く放熱性に優れ、導体層の接合強度および導電性が高い窒化けい素配線基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】窒化けい素基板の表面に窒化ジルコニウムから成る導体層が一体に形成されており、上記窒化ジルコニウム導体層の電気抵抗値が１０^２Ω・ｃｍ以下であり、上記導体層の９８質量％以上が窒化ジルコニウム（ＺｒＮ）から成ることを特徴とする窒化けい素配線基板である。 （もっと読む）

【課題】再結晶ＳｉＣセラミックスの抵抗率を大きくし、電気絶縁体的な性質を付与するとともに、熱伝導率を大幅に向上することができ、再結晶ＳｉＣの長所である強度、耐食性をそのまま維持することができる再結晶ＳｉＣ焼結体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】０．０１〜２ｗｔ％のＳｉＯ₂と９９．９９〜９８ｗｔ％のＳｉＣから実質的になる再結晶ＳｉＣ焼結体であって、その抵抗率が５００〜５００００Ω・ｃｍに制御されているものである。炉の有効体積（加熱域）の０．０１〜１０倍の不活性ガスを毎分流しながら、０．０１〜２ａｔｍの圧力下で、２Ｈｒ以上かけて２０００℃まで昇温し、その後０．５〜２ａｔｍの圧力下で、２０００〜２５００℃の温度に昇温する。 （もっと読む）

【課題】
焼入鋼の切削加工など切削時に刃先温度が高くなる加工において、優れた性能を発揮する立方晶窒化硼素焼結体の提供を目的とする。
【解決手段】
立方晶窒化硼素：立方晶窒化硼素焼結体全体に対して５５〜７５体積％と、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ａｌの金属、炭化物、窒化物、酸化物、硼化物およびこれらの相互固溶体の中から選ばれた少なくとも１種の結合相：残部とからなり、立方晶窒化硼素は、粒径が０．５〜２．０μｍの微粒立方晶窒化硼素：立方晶窒化硼素全体に対して３０〜７０体積％と、粒径が２．０μｍ超〜１０μｍの粗粒立方晶窒化硼素：立方晶窒化硼素全体に対して３０〜７０体積％とからなり、結合相厚みの平均値は０．５〜１．０μｍである立方晶窒化硼素焼結体。 （もっと読む）

【課題】 比較的低温での焼結により相対密度９８％以上の高密度のＳｉＣを主成分とする焼結体を提供しようとする。
【解決手段】 ＳｉＣとＡ１Ｎとの固溶体の微粒子から構成された被焼結粉末を焼結して成り、該固溶体は０．５〜１０ｍｏｌ％のＡ１Ｎを含み、該微粒子は積層無秩序構造を持ち、前記焼結体の平均粒子サイズが５〜２００ｎｍであり、微量のＡ１Ｎが固溶したβ−ＳｉＣ構造、微量のＡ１Ｎが固溶したα−ＳｉＣと微量のＡ１Ｎが固溶したβ−ＳｉＣとの混在構造から選択される構造を有することを特徴とする焼結体であり、あるいは、該固溶体が８ｍｏｌ％以上のＡ１Ｎを含み、前記焼結体の平均粒子サイズが５〜２００ｎｍであり、前記焼結体が、Ａ１Ｎが固溶した変調構造を有する、ことを特徴とする焼結体である。
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本発明は、発光素子であって、特に、550nm以上1000nm以下の波長範囲における光に関して10%以上且つ85%以下の透過性を有するSiAlON材料を含むＬＥＤである、発光素子に関する。
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【目的】耐熱性に優れた平均粒子径数μmの高純度cBN焼結体を5GPa領域で製造することが
可能な技術の開発。
【解決手段】立方晶窒化ホウ素粉末表面を流体源として、固体のポリ塩化ビニリデン、ポ
リ塩化ビニル、またはポリエチレンなど使用する超臨界流体で清浄化し、焼結助剤を添加
しないで立方晶窒化ホウ素を立方晶窒化ホウ素の熱力学安定条件下の5GPa, 1400℃以上の
高圧高温条件下で焼結することを特徴とするヴィカース硬さ40GPa以上の高純度立方晶窒
化ホウ素焼結体の製造法。 （もっと読む）

【課題】
半導体製造工程あるいは液晶パネル製造工程で用いられる基板処理装置用部材等を構成する窒化珪素質焼結体を提供する。
【解決手段】
β−Ｓｉ_３Ｎ_４を主成分とし、β−ＲＥ_２Ｓｉ_２Ｏ_７（ＲＥは周期律表第３族元素）を３体積％以上、２０体積％以下の範囲で含有してなり、室温における熱膨張係数が１．４×１０^−６／Ｋ以下、室温における熱伝導率が２５Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上の窒化珪素質焼結体を提供することができ、特に半導体製造装置用部材・液晶製造装置用部材として用いた際に、温度変化が生じた際においても熱膨張の非常に小さい焼結体であるため、位置精度を高いものとすることができる。 （もっと読む）

【課題】長期操業の可能なセラミックス焼結体の製造方法を提供する。
【解決手段】焼結原料を予熱途中からプレスを開始して焼結温度まで高め、所定時間保持した後冷却することを特徴とするセラミックス焼結体の製造方法。本発明においては、以下の実施形態等から選ばれた少なくとも一つを備えていることが好ましい。（１）プレス開始前の昇温速度が５００〜１４００℃／ｈであり、プレス開始前の昇温速度をプレス後の昇温速度よりも遅くすること。（２）冷却途中でプレスを解除すること。（３）焼結温度が１２００〜２２００℃、プレス圧力が１０ＭＰａ以上であること。（４）プレスの開始と解除を８００〜１４００℃で行うこと。（５）焼結原料を、順次連続して予熱、プレス、焼結、冷却すること。（６）複数個の焼結原料が容器に収納されてなるユニットを、順次連続して予熱、プレス、焼結、冷却すること、など。 （もっと読む）

【課題】
耐溶着性と強度・靱性に優れるために、金属加工における仕上げ面精度や寿命の向上を達成できるクロム含有焼結体の提供を目的とする。
【解決手段】
Ｚｒ，Ｈｆ，Ｚｒ−Ｈｆの酸化物の中の少なくとも１種からなる第１分散相：１〜２０体積％と、Ｚｒ，Ｈｆ，Ｚｒ−Ｈｆの炭化物，窒化物，炭窒化物の中の少なくとも１種からなる第２分散相：１〜３０体積％と、残りが組成式：（Ｃｒ_1-xＭ_x）（Ｎ_1-yＣ_y）_z（但し、ＭはＴｉ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａの中の少なくとも１種を示し、ｘはＣｒとＭとの合計に対するＭの原子比を示し、ｙはＮとＣとの合計に対するＣの原子比を示し、ｚはＣｒとＭとの合計に対するＮとＣとの合計の原子比を示す。）で表され、ｘ，ｙ，ｚは０．３≦ｘ≦０．９，０≦ｙ≦０．３，０．７≦ｚ≦１．０を満足する複合化合物とからなるクロム含有焼結体。 （もっと読む）

【課題】 高温下でハロゲン系腐食性ガスやそのプラズマに曝されても腐食や摩耗が少なく、かつパーティクルの発生が極めて少ない窒化アルミニウム焼結体を提供する。
【解決手段】 窒化アルミニウム質焼結体中にＡｌ、Ｎ、Ｏを合計で９９．５重量％以上含み、ＡｌＮを主結晶相とするとともに、他の結晶相として上記Ａｌ、Ｎ、Ｏの３成分を含む化合物を含有し、上記焼結体をＸ線回折（Ｘ線の発生源：銅）にて測定した時、上記ＡｌＮの回折ピーク強度Ｉ１（面間隔：２．６８乃至２．７１）に対する上記化合物の回折ピーク強度Ｉ２（面間隔：２．５６乃至２．６２）の強度比（Ｉ２／Ｉ１）が１〜８％で、かつ面間隔：１．５２乃至１．５３７と上記ＡｌＮの（１０１）面の面間隔乃至上記ＡｌＮの（００２）面の面間隔とに回折ピーク強度を実質的に持たないようにする。 （もっと読む）

【課題】 数μｍから十数μｍ程度の略球状の塗布性に優れたアルファサイアロン蛍光体粉末を効率よく簡便に製造することができる製造方法の提供。
【解決手段】 湿式ミルによりアルファサイアロン蛍光体を構成する各元素を含む原料粉末を溶媒とともに混練する混練工程と、スプレードライヤーにより前記混練工程で得られた混練物を噴霧乾燥することにより原料粉末の凝集体の粒径を整える造粒工程と、前記造粒工程で造粒した凝集体粉末を加圧成形せずに粉末のまま容器に収めて焼結し、アルファサイアロン蛍光体粉末を得る焼結工程とを有することを特徴とするアルファサイアロン蛍光体粉末の製造方法。 （もっと読む）

【課題】炭化ケイ素より高比剛性でありかつ緻密な材料とその製造方法を提供する。
【解決手段】炭化ケイ素５０〜９５質量部、炭化ホウ素５〜５０質量部、遊離炭素０．１〜５質量部を含むセラミックスであって、比剛性が１３０ＧＰａ・ｃｍ^３／ｇ以上であることを特徴とする高剛性セラミックス材料。混合時にさらにアルミニウムあるいはアルミニウム化合物をアルミニウム換算で０．１〜５重量部添加し、焼成を不活性ガス雰囲気中もしくは真空中で行う。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、耐用寿命の短期化が解消され、安価で使いやすく、また省資源の点からも環境に優しいダイカスト用スリーブを提供することを目的とする。
【解決手段】 軸方向に湯道となる貫通孔を有し、後方端上部に金属溶湯を注湯するための給湯口を有するとともに、前方端に金属溶湯を成形型へ送り込むための射出口を有してなる筒体からなるダイカスト用スリーブにおいて、上記給湯口に対向する下部の厚みを上部の厚みより大きく形成する。 （もっと読む）

【課題】低コストで安定した、大型、大面積で薄肉のセラミック体の製造方法を提供する。
【解決手段】耐熱性を有する型にセラミック原料粉末スラリーを注入し、乾燥、固化させる工程と、型の内部あるいは表面に形成された成形体を脱型せず型ごと焼成炉内に配し、所定温度に加熱し、前記成形体を焼結せしめ、炉冷後、型から焼結体を取り出す工程から成る大型薄肉セラミック体の製造方法。
【効果】脱型することなく、成形後、そのまま焼成することにより成形体のハンドリングが不要となり、大型薄肉セラミック体を容易に得ることができる。 （もっと読む）

【課題】 強度や破壊靭性などの機械的特性及び耐熱衝撃性を向上させた弁部材を提供すること。
【解決手段】 窒化珪素質焼結体からなり、液体の流路の少なくとも一部を構成する溝または穴部を備えた液体用の弁部材であって、該弁部材を成す窒化珪素質焼結体は、窒化珪素を主成分とする結晶相と、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｔｉ、ＺｒおよびＣｕのうち少なくとも１種の第１の金属元素の珪化物からなる第１金属珪化物および上記第１の金属元素よりも融点の高い第２の金属元素の珪化物からなる第２金属珪化物を含む粒界相とを有し、且つ上記溝または穴部の表面における上記第１の金属珪化物および第２の金属珪化物のそれぞれの濃度が上記窒化硅素質焼結体の内部より低いことで耐熱衝撃性を向上させる。 （もっと読む）

立方晶窒化ホウ素成形体は、ＡｌＭｇＢ_１４のような少なくとも１種のホウ化アルミニウムマグネシウム化合物を含有する第２の硬質相を含有する。第２の硬質相中に存在するホウ化アルミニウムマグネシウムは、ＡｌＭｇＢ_１４のみから成るか、又は、ＡｌＭｇＢ_１４と他の１種以上のホウ化アルミニウムマグネシウム化合物との混合物から成る場合がある。更に、１種以上のホウ化アルミニウムマグネシウム化合物は、ケイ素、チタン、モリブデン、タングステン、ニッケル及び鉄のような単体；又は、それらのホウ化物、炭化物並びに窒化物；でドーピングすることができる。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、耐反応性に優れたセラミックス部材および高温反応炉を提供することを目的とする。
【解決手段】 本質的に窒化珪素質相と第二相とSiC粒子相からなるセラミックス部材であって、第二相とSiC粒子相の合計が２質量％以下であり、第二相は、０．５〜１．３質量％の希土類酸化物と０．５〜１．３質量％の酸窒化アルミニウムポリタイプの固溶したものであり、その第二相の形状のアスペクト比が５以上の割合が１０％以下であり、または、その第二相の形状の短軸側の最大径が０．８μｍ以上の割合が３０％以下であり、かつ、SiC粒子相は、平均粒径０．０５μｍ以下で０．２〜０．４質量％の球状SiC微粒子からなることを特徴とする耐反応性に優れたセラミックス部材、および、この部材を用いてなる高温反応炉である。 （もっと読む）

【課題】 金属帯と接触する表面を窒化珪素セラミックスで形成して、焼き付きの発生を抑えることに優れるセラミックス製マッシャーロールを提供する。
【解決手段】 トリミングした金属帯の両端部に生じたバリ部や返り部を押し潰して平坦化するのに用いられるセラミックス製マッシャーロールであって、少なくとも金属帯を押し潰す部分が窒化ケイ素を主成分とする焼結体からなり、該焼結体の常温における熱伝導率が５０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上であることを特徴とする。
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