【課題】銃弾，砲弾等の飛翔体の貫通性能が飛躍的に高くなっているが、それらに対して、十分に防護できる防護部材を提供する。
【解決手段】受衝部２をセラミックスで構成し、受衝部２の裏面側に位置する基部３を受衝部２より熱膨張係数の低い材質で構成した防護部材１とすることにより、基部３には圧縮力がかかった状態が維持されるため、着弾した銃弾や砲弾の貫通を阻止する性能が向上する。また、受衝面２ａで発生したクラックの進行は、基部３との境界で止められるため、前記両材質の特性が十分に発揮され、相乗効果により防護性能を高くすることができる。 （もっと読む）

【課題】気孔率が高く、熱伝導率が低く、且つ、ガス透過係数の小さい、断熱材に好適な炭化珪素質多孔体を提供すること。
【解決手段】気孔率が３０％以上８０％以下であり、平均気孔径が１０μｍ以上５００μｍ以下の独立気孔を有し、気孔率に対する独立気孔の割合が３０％以上であり、且つ、ガス透過係数が１×１０^−１３ｍ^２以下であり、金属シリコンを１質量％以上２０質量％以下含有する炭化珪素質多孔体の提供による。 （もっと読む）

【課題】鏡面加工性を向上させる。
【解決手段】原料微粉として、炭化チタンの微粉、炭化バナジウムの微粉、炭化クロムの微粉、炭化ジルコニウムの微粉、炭化ニオブの微粉、炭化モリブデンの微粉、炭化ハフニウムの微粉、炭化タンタルの微粉、炭化タングステンの微粉および炭化珪素の微粉の中から１種選択し、或いは、２種以上を選択して混合し、かかる原料微粉を被成形微粉として、加圧成形した後、一次焼結させ、得られた一次焼結体を、更にホットプレスにより、加圧しつつ二次焼結させることによって、一次焼結体に残存する極微小の気孔を圧潰し、二次焼結体の緻密度を高め、鏡面加工性を向上させる。 （もっと読む）

【課題】炭化珪素焼結体本来の優れた特性を保持しながら炭化珪素単相の焼結体よりも良好な加工性を示し、優れたセラミックス構造材料となりうる炭化珪素／窒化硼素複合材料焼結体、および炭化珪素／窒化硼素複合材料焼結体の新たな製造方法を提供する。
【解決手段】上記焼結体は、炭化珪素55〜92質量%、六方晶窒化硼素5〜35質量%ならびに焼結助剤等を3〜25質量%の割合で含有し、酸素不純物含有量が0.2質量%以下であり、曲げ強度が400MPa以上である。上記製造方法は、炭化珪素粉末および六方晶窒化硼素粉末を含む混合粉末を焼成する前に真空または不活性雰囲気中1450〜1650℃の温度で熱処理する工程を備える。 （もっと読む）

【課題】耐摩耗性、耐チッピング性を改善した窒化珪素質焼結体および切削工具ならびに切削加工装置、切削方法を提供する。
【解決手段】窒化珪素質焼結体は、窒化珪素結晶粒子を主体とする結晶相と、前記窒化珪素結晶の粒界にある非結晶の粒界相とを具備する。粒界相は、ランタン、アルミニウム、マグネシウム、珪素及び酸素を含む。前記焼結体は、ランタンを酸化物換算量で０．１質量％以上、アルミニウムを酸化物換算量で０．０５〜０．６質量％、マグネシウムを酸化物換算量で０．３質量％以上、酸素を酸素量が２．５質量％以下含有する。ランタンの酸化物換算量、アルミニウムの酸化物換算量およびマグネシウムの酸化物換算量の合計が３．５質量％以下である。 （もっと読む）

【課題】窒化アルミニウムからなる物体の体積比抵抗を低減する方法及び静電チャックを提供する。
【解決手段】窒化アルミニウムからなる物体の体積比抵抗を、アルゴンからなる雰囲気のような、窒素が不足している雰囲気中で少なくとも約１０００℃の浸漬温度にその物体を曝すことにより低減される。物体は、多結晶質体のような緻密化された物である。静電チャックはチャック体内に電極１２を有する。電極１２の第１の面１４における、チャック体の第１の部分２０は約２３℃で約１×１０¹³ohm・cmより小さい体積比抵抗を有する。電極１２の第２の面１６における、物体の第２の部分２２は、第１の部分２０と１桁違う大きさの範囲内の体積比抵抗を有する。 （もっと読む）

【課題】シリコン単結晶を利用した半導体歪みセンサと比較してさらに高感度の半導体歪みセンサ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】珪素源と炭素源と触媒を含む液状混合物を容器内に供給し、容器を乾燥室内に導入し、乾燥室内で液状混合物を硬化乾燥することにより、固形物を生成し、生成された固形物を加熱炉内に導入し、加熱炉内で固形物を炭化，焼成し、炭化，焼成された固形物を粉砕することによりβ型の炭化珪素粉体を生成し、β型の炭化珪素粉体と非金属系燃結助剤を混合，造粒することにより造粒体を生成し、生成された造粒体を焼結させることにより炭化ケイ素焼結体を形成し、炭化ケイ素焼結体表面に炭化ケイ素焼結体の歪みに伴う抵抗率の変化を検出するための電極を付設する。 （もっと読む）

【課題】 高強度高靱性化を図ることができるとともに、放熱性を向上することができる窒化珪素質焼結体およびその製法ならびに回路基板を提供する。
【解決手段】 β−Ｓｉ_３Ｎ_４およびβ−サイアロンのうち少なくとも１種の結晶粒子１と粒界相３とからなる窒化珪素質焼結体であって、結晶粒子１内に、該結晶粒子１の他の部分よりもＡｌ存在量が多いＡｌ多領域５を有するとともに、Ａｌ多領域の平均径が２μｍ以上であり、かつＡｌを全量中０．０５３〜０．４２２質量％含有すること、望ましくは０．１５９〜０．２３８質量％含有することを特徴とする。これにより、焼結体の強度と靱性を向上できるとともに、焼結体の熱伝導率を高くすることができ、放熱性を向上できる。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、曲げ強さが高く、かつ放電加工が可能な炭化ホウ素−二ホウ化チタン焼結体を提供するものである。
【解決手段】 平均粒径１．０μｍ〜２．５μｍの炭化ホウ素（Ｂ_４Ｃ）粉末、平均粒径１μｍ未満の二酸化チタン（ＴｉＯ_２）粉末及び平均粒径１μｍ未満の炭素（Ｃ）粉末の混合粉末を加圧条件下で焼結して得られる炭化ホウ素９０〜７０ｍｏｌ％と二ホウ化チタン１０〜３０ｍｏｌ％とからなり、抵抗率が０．１Ω・ｃｍ以下である炭化ホウ素−二ホウ化チタン焼結体。１８５０℃〜２０５０℃の温度で焼結することを特徴とする炭化ホウ素−二ホウ化チタン焼結体。３点曲げ強さが６５０ＭＰａ以上、弾性率が４５０ＧＰａ以上である炭化ホウ素−二ホウ化チタン焼結体。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ガラス、樹脂およびセラミックスなどを成形する成形用型などを形成する耐熱性材料または炭化タンタル製膜用のターゲット材として好適に用いられる高純度かつ高密度で機械的強度が高い炭化タンタル焼結体およびその製造方法、ならびにかかる炭化タンタル焼結により形成される成形用型およびターゲット材を提供する。
【解決手段】本炭化タンタル焼結体は、純度が９８．５質量％以上で真密度に対するかさ密度の比率である相対密度が９６．５％以上である。本炭化タンタル焼結体は、純度が９９質量％以上で平均粒径が３μｍ以下の炭化タンタル粉末を不活性ガス雰囲気または３０Ｐａ以下の真空雰囲気下で、焼結圧力が２０ＭＰａ以上で焼結温度が１６００℃以上２３００℃以下で焼結時間が３０分間以上の条件で焼結することにより得られる。 （もっと読む）

本発明は、炭化ケイ素のモノリシックなインゴットの製造方法であって、ｉ）ポリシリコン金属チップおよび炭素粉末を含む混合物を、蓋を有する円筒状反応セルの中へと導入する工程と、ｉｉ）ｉ）の円筒状反応セルを密封する工程と、ｉｉｉ）ｉｉ）の円筒状反応セルを真空加熱炉の中へと導入する工程と、ｉｖ）ｉｉｉ）の加熱炉を排気する工程と、ｖ）ｉｖ）の加熱炉に、大気圧近くまで実質的に不活性ガスであるガス混合物を充填する工程と、ｖｉ）ｖ）の加熱炉の中の円筒状反応セルを１６００〜２５００℃の温度に加熱する工程と、ｖｉｉ）ｖｉ）の円筒状反応セルの中の圧力を０．０５ｔｏｒｒ（約６．７Ｐａ）以上５０ｔｏｒｒ（約６．７ｋＰａ）未満まで低下させる工程と、ｖｉｉｉ）ｖｉｉ）の円筒状反応セルの蓋の内側でのこの蒸気の実質的な昇華および凝縮を許容する工程と、を含む方法に関する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ耐性を高めることが可能な炭化ケイ素焼結体及び炭化ケイ素焼結体の製造方法を提供する。
【解決手段】炭化ケイ素焼結体５０の製造方法は、平均粒径が０．５μｍ以上１．５μｍ以下である炭化ケイ素粉１０及び分散剤３０をスラリー化する第１工程と、第１工程によって得られたスラリー４０を焼結し、焼結体５０を得る第２工程とからなっている。 （もっと読む）

【課題】摺動特性、強度や破壊靭性などの機械的特性に優れるとともに、脆化を抑制してＳｉＣ粒子の脱落などを防止してなる、ポンプなど液体を用いる回転機器での液体軸封装置として用いられるメカニカルシール装置、並びにこのメカニカルシール装置に用いるＳｉＣ系焼結体回転リング及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ系焼結体回転リング及びカーボン系シールリングを含むメカニカルシール装置において、前記ＳｉＣ系焼結体回転リングは、平均結晶粒径が５μｍ以下、気孔率が１．０％以下であるＳｉＣ系焼結体回転リングとする。この回転リングは、酸化物還元法で作製したＳｉＣ系原料粉末中に、気相合成法（ＣＶＤ法）により作製した純度が９９．９％以上のＳｉＣ粉末を０〜１００％の割合で混合し、造粒・成形した後で、雰囲気制御加圧焼結法によって製造する。 （もっと読む）

【課題】従来の結晶粒径が大きくて、粒径分布も広い、多結晶チタンシリコンカーバイドセラミックスが示す低い切削加工精度と大きなチッピングの発生の改善を期待できる、結晶粒径が小さくて、粒径分布も狭い、多結晶チタンシリコンカーバイドセラミックスの効率的な製造方法、及びその用途を提供する。
【解決手段】粒子径の平均値が３μｍ以下で、粒子径の標準偏差３μｍ以下の水素化チタン粉末に、ケイ素粉末、炭化チタン粉末を混合し、混合粉末を加圧焼結して、結晶粒径の平均値が６μｍ以下、標準偏差が３μｍ以下、平均値＋３×標準偏差で定義した最大結晶粒径が１５μｍ以下の組織を有することで特徴付けられる多結晶チタンシリコンカーバイドセラミックスの効率的な製造方法、及びその製品。 （もっと読む）

【課題】窒化シリコン−二酸化シリコン高寿命消耗プラズマ処理構成部品
【解決手段】プラズマエッチングチャンバの平均洗浄間隔時間及びチャンバパーツの寿命を延ばす方法が提供される。イオン衝撃及び／又はイオン化ハロゲンガスに曝される少なくとも１つの焼結窒化シリコン構成部品を使用しつつ、チャンバ内において一度に１枚ずつ半導体基板がプラズマエッチングされる。焼結窒化シリコン構成部品は、高純度の窒化シリコンと、二酸化シリコンからなる焼結助剤とからなる。焼結窒化シリコン構成部品を含むプラズマ処理チャンバが提供される。プラズマ処理時のシリコン基板の表面上における金属汚染を軽減する方法が、１つ又は２つ以上の焼結窒化シリコン構成部品を含むプラズマ処理装置によって提供される。プラズマエッチングチャンバ内においてイオン衝撃及び／又はプラズマ浸食に曝される構成部品を製造する方法は、高純度の窒化シリコンと二酸化シリコンとからなる粉末組成を成形することと、該成形構成部品を緻密化することとを含む。 （もっと読む）

約１Ｅ５Ωｃｍ以上の抵抗率を有し、再結晶炭化ケイ素体中の結合した窒素原子を含む窒素含有率が約２００ｐｐｍ以下である、再結晶炭化ケイ素体を提供する。
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【課題】熱サイクル時における亀裂の進展が抑制されるとともに、耐久性が向上されるパワーモジュール用基板を提供することにある。
【解決手段】セラミックス基板２は、形状の異なる複数種類のＡｌＮ粒子からなるセラミックス焼結体２０で形成されており、前記ＡｌＮ粒子は、板状ＡｌＮ粒子２ａと、繊維状ＡｌＮ粒子２ｂと、球状ＡｌＮ粒子２ｃとを有しており、前記板状ＡｌＮ粒子２ａは、外形寸法が５μｍ以上３０μｍ以下とされており、前記繊維状ＡｌＮ粒子２ｂは、短軸径が０．０５μｍ以上３μｍ以下、且つアスペクト比が３以上２０以下とされており、前記球状ＡｌＮ粒子２ｃは、粒子径が１ｎｍ以上５００ｎｍ以下とされており、これら各ＡｌＮ粒子は夫々の前記セラミックス基板２に占める割合が、５体積％以上５０体積％以下とされていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】より生産性が高く、かつ、機械的特性に優れた炭化ホウ素セラミックスおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】炭化ホウ素セラミックスであって、非晶質Bと、非晶質Cと、焼結助剤であるAl₂O₃粉体からなる出発原料より構成され、さらに、前記出発原料に対してカーボンナノファイバーを略均質に分散させた状態で含み、焼結体の炭化ホウ素セラミックスとしての略相対密度が９９％以上であるものとする。カーボンナノファイバーは、３〜１５ｖｏｌ．％、炭化ホウ素に対して内割りで含むことがより好ましい。上記炭化ホウ素セラミックスは、上記出発原料とカーボンナノファイバーとの混合粉体を、放電プラズマ焼結法を用いて合成同時焼結することにより調製されることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】ボートの製造工程で発生した加工屑を有効利用し、ボートの製造に好適なセラミックス焼結体を製造する。
【解決手段】ＴｉＢ_２（二硼化チタン）と、ＢＮ（窒化硼素）と、ＡｌＮ（窒化アルミニウム）と、Ｓｒ（ストロンチウム）化合物と、Ｆｅ（鉄）又はＦｅ化合物と、Ｏ（酸素）を含む原料粉末を成型後、非酸化性雰囲気下、ホットプレス焼結するセラミックス焼結体の製造方法において、上記原料粉末の一部としてセラミックス焼結体の粉砕物を用い、そのセラミックス焼結体の粉砕物の組成が、ＴｉＢ_２が４０〜６０質量％、ＢＮが３０〜５５質量％、ＡｌＮが０．３〜２．０質量％、Ｓｒ化合物が０．３〜３．０質量％、Ｆｅ又はＦｅ化合物が０．５〜８．０質量％及びＯが１．０〜４．０質量％を含み、しかもこれらの成分の合計が９５質量％以上（１００％を含む）であることを特徴とするセラミックス焼結体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】プレス圧を下げ安価な黒鉛製鋳型を使用することにより低コストで製造できると共に、超硬工具にて容易に加工できる快削性と、穿孔などの機械加工時に割れや欠けを起こさない高強度とを併せ持ち、かつ使用温度環境が変動しても寸法の狂いが生じにくい低熱膨張性を有する快削性セラミックスの製造方法を提供すること。
【解決手段】アルミナとジルコニアと窒化硼素と焼結助剤とを含む原料粉末であって、アルミナとジルコニアとの質量比が１：０．７〜１：２．３であり、窒化硼素が比表面積１５ｍ²／ｇ以上の六方晶系窒化硼素で、その原料粉末全体に対する配合割合が２５〜６２質量％であり、焼結助剤の原料粉末全体に対する配合割合が０．５〜４．５質量％である原料粉末を不活性雰囲気中、プレス圧９〜２１ＭＰａ、焼成温度１５３０〜１７２０℃で加圧焼成する。
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