炭化ホウ素焼結体の形成方法には、本質的に純粋な水を用いて高温で炭化ホウ素粉末を洗浄して低酸素炭化ホウ素粉末を生成するステップと；低酸素炭化ホウ素粉末と焼結助剤および加圧助剤とを混合してグリーン混合物を形成するステップと；グリーン混合物をグリーン体に整形するステップとが含まれる。この方法には、約５ｎｍ〜約１００ｎｍの範囲内の平均粒径を有する炭化チタン粉末と、低酸素炭化ホウ素粉末とを混合するステップを含むことができる。この方法はさらに、炭化ホウ素グリーン体を焼結させるステップと；炭化ホウ素の理論密度（ＴＤ）の約９８．５％超の密度まで焼結体を熱間等方圧加圧成形するステップとを含むことができる。あるいは、この方法は、整形された炭化ホウ素グリーン体を約２２００℃超の温度で焼結させてＢ４Ｃ／ＳｉＣの共晶液体固溶体を形成し、約９８％ＴＤ超の密度を有する炭化ホウ素焼結体を形成するステップを含むことができる。
（もっと読む）

【課題】
ＨｆＣ（炭化ハフニウム）からなる陰極チップの寿命の向上を図ることができるプラズマ電極の製造方法及びプラズマ電極を提供する。
【解決手段】
銅又は銅合金からなる電極ブランク材１０の先端面に設けられた嵌合凹部２０（被挿入部）内に炭化ハフニウム焼結体からなる陰極チップ３０を挿入して銀ろう付けする。この結果、低熱伝導率の陰極チップは、銀ろうを介して熱伝導率の高い銅又は銅合金からなる電極ブランク材１０に密接するため、寿命を向上することができる。 （もっと読む）

【課題】水等の酸化源を含有する炭化水素系燃料中における摩擦により、被摩擦面に、耐摩耗性に優れており且つ摩擦時における相手材の摩耗を抑制することができる酸化物被膜が形成可能なセラミックス等を提供する。
【解決手段】本セラミックスは、組成式［Ｍ_αＳｉ_６−βＡｌ_βＯ_δＮ_８−β］〔Ｍ；任意の１種又は２種以上の金属元素、０≦α≦１．２、０．６≦β≦３、０．６≦δ≦４、０．０８５≦β／（α＋６）≦０．５〕で表されるものであり、水等の酸化源を含有する炭化水素系燃料中における摩擦により、被摩擦面に、組成式［Ｍ_αＳｉ_６−βＡｌ_βＯ_γ］〔Ｍ；任意の１種又は２種以上の金属元素、０≦α≦１．２、０．６≦β≦３、１０．５≦γ≦１２．２、０．０８５≦β／（α＋６）≦０．５〕で表される酸化物被膜を形成可能である。 （もっと読む）

【課題】快削性と共にシリコンに近い熱膨張係数を有し、高い強度を備えたセラミックス部材、このセラミックス部材を用いて形成されるプローブホルダ、及びセラミックス部材の製造方法を提供すること。
【解決手段】少なくともフォルステライト及び窒化ホウ素を主成分として含み、窒化ホウ素が一方向に配向している焼結体であるセラミックス部材、セラミックス部材を用いて形成されるプローブホルダ、及びセラミックス部材の製造方法。セラミックス部材は、配向度が０．０７以下であり、配向方向と平行な方向の２０〜３００℃における熱膨張係数が（３〜５）×１０^−６／℃であるか、又はＪＩＳ Ｒ １６０１に基づく３点曲げ強度が２５０ＭＰａ以上である。 （もっと読む）

【課題】加工性の優れた窒化珪素複合焼結体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】Ｓｉ₃Ｎ₄粉末と、Ｔｉ粉末とを遊星ボールミルを用いて混合する。そして、十分に乾燥させた後に、パルス通電焼結法（Spark Plasma Sintering、以下、ＳＰＳ）により放電プラズマ焼結を行う。１５２３Ｋ以上の焼結温度で作製した焼結体では、電気抵抗率が１Ω・ｃｍよりも小さいため、ワイヤー放電加工によって切断することができ、さらに、１５７３Ｋ以上の焼結温度では、空隙率が０．３％以下となるので、十分な硬さを備え、機械的特性の優れた焼結体を作製することができる。 （もっと読む）

【課題】
Ａｌ_８Ｂ_４Ｃ_７焼結助剤は低温焼結の点から優れた焼結助剤であるが、炭化ケイ素焼結体の塑性加工を考慮した場合、１７５０℃よりも低温で高密度焼結体を得られる焼結技術の開発が必要であった。
【解決手段】
Ａｌ_４ＳｉＣ_４化合物を焼結助剤とすることにより、１４．５×１０^２℃以上の温度で焼結することにより、高密度の焼結体を作製することができた。また、この焼結体を高温で圧縮変形したところ、初期ひずみ速度１×１０^−４毎秒、１５．０×１０^２℃で良好な塑性変形することを確認した。 （もっと読む）

【課題】面積の大きいディスクを作製する際、曲げ強度と破壊エネルギーがともに増大した炭素繊維強化シリコン含浸炭化珪素セラミックスを得ることできる製造方法を提供する。
【解決手段】炭素繊維と、炭素粉と、炭化ケイ素粉と、ゲル化能を有する有機物と、揮散性液体とを含む原料を混合してスラリーを調製する工程と、前記工程により得られたスラリーを型に鋳込み、加圧または減圧下でゲル化または硬化させて成形する工程と、前記工程により得られた成形体を焼成する工程と、前記工程により得られた焼成体にシリコンを含浸させる工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】アルミナと同等以上の耐食性や体積抵抗率を有しながらアルミナより高い熱伝導率を有する新規な材料を提供する。
【解決手段】本発明の窒化アルミニウム基複合材料は、遷移金属、アルカリ金属、ホウ素の各元素がそれぞれ１０００ｐｐｍ以下であり、熱伝導率が４０〜１５０Ｗ／ｍＫ、熱膨張係数が７．３〜８．４ｐｐｍ／℃、体積抵抗率が１×１０¹⁴Ωｃｍ以上であり、構成相として、ＡｌＮとＭｇＯとを含み、更に、希土類金属酸化物、希土類金属−アルミニウム複合酸化物、アルカリ土類金属−アルミニウム複合酸化物、希土類金属酸フッ化物、酸化カルシウム及びフッ化カルシウムからなる群より選ばれる少なくとも１種を含むものである。 （もっと読む）

【課題】
ｃＢＮ焼結体と被膜との密着性が高く、切削工具として用いた場合に工具寿命を延長できる被覆ｃＢＮ焼結体を提供する。
【解決手段】
ｃＢＮ焼結体基材と、その表面に被覆された被膜とからなり、被膜は、ｃＢＮ焼結体基材の表面に被覆された最内層と、最内層の表面に被覆された外層とからなり、最内層は、Ｔｉ，Ａｌ，Ｃｒ，Ｚｒの硼化物、窒硼化物およびこれらの相互固溶体素の中の少なくとも１種からなり、外層は、周期表４ａ、５ａ、６ａ族元素、Ａｌ、Ｓｉの炭化物、窒化物、酸化物、硼化物、硫化物およびこれらの相互固溶体の中の少なくとも１種からなる被覆ｃＢＮ焼結体。 （もっと読む）

【課題】低圧条件でｈＢＮからｃＢＮを合成する低圧合成方法及びｃＢＮ原料粉末を用いたｃＢＮ焼結体の製造方法を提供する。
【解決手段】金属触媒として、１５ｗｔ％以上５５ｗｔ％以下のＣｒまたは１５ｗｔ％以上５５ｗｔ％以下の（Ｃｒ＋Ｍｏ）と、１．５〜８ｗｔ％のＡｌ，Ｍｇと、残部はＦｅ，Ｃｏ（及び少量のＮｉ）からなる合金粉末あるいは混合粉末を用いて、低圧（４ＧＰａ以上）かつ１２００〜１９００℃でｈＢＮからｃＢＮを合成し、また、ｃＢＮを原料粉末とし、金属触媒として用いた上記合金粉末あるいは混合粉末を焼結助剤として原料粉末に含有させて焼結し、ｃＢＮ焼結体を得る。 （もっと読む）

【課題】低熱膨張性及び高熱伝導性に優れた光学装置の部品に好適なセラミックス部材を提供する。
【解決手段】窒化珪素焼結体からなり、室温の熱伝導率が６０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上、室温から１０００℃までの熱膨張係数が３．４×１０^−６／Ｋ以下、L＊ａ＊ｂ＊表色系における明度L＊が０〜８０の範囲であることを特徴とするセラミックス部材。Ｌ＊ａ＊ｂ＊表色系における色度ａ＊が−３〜３、色度ｂが−３〜３である。露光装置用ステージ機構において、例えば、ステージ部品１や、位置測定用のミラー部品４、５等に用いることができる。 （もっと読む）

【課題】 高熱伝導でシリコンに近い熱膨張係数、かつ精密加工性が良好で、工具摩耗の少ない半導体素子の検査に用いるプローブ案内部材を提供する。
【解決手段】 窒化ホウ素３７〜４９質量％、窒化アルミニウム４９〜６０質量％、イットリア１〜４質量％を含有し、相対密度９２％以上かつ窒化アルミニウム結晶粒子の長径の平均が２．０〜３．２μｍであるＢＮ−ＡｌＮ複合焼結体を用いるプローブ案内部材。平均粒径１．２μｍ以下、比表面積２．０ｍ^２／ｇ以上の窒化アルミニウム４９〜６０質量％、比表面積２０ｍ^２／ｇ以上の窒化ホウ素３７〜４９質量％、イットリア１〜４質量％及びアルミナ３質量％以下（０質量％を含む）の原料を用いて、圧力１０〜５０ＭＰａ、温度１，６４０〜１，７８０℃、保持時間１〜４時間のホットプレス焼結を用いるプローブ案内部材の製造方法。 （もっと読む）

【課題】特に金属溶湯に接触する溶湯部材に好適な耐熱衝撃性に優れた窒化珪素焼結体を提供する。
【解決手段】窒化珪素を主成分とし、マグネシウム及びイットリウムを酸化物換算で合計０．１〜１０質量％、鉄を酸化第二鉄換算で０．１〜０．５質量％含み、Ｙ_２Ｏ_３／ＭｇＯで表されるモル比が０．０１〜０．１０であって、室温の熱伝導率が７０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上、３点曲げ強度が７００ＭＰａ以上であることを特徴とする窒化珪素焼結体。室温から１０００℃までの熱膨張係数が３．４×１０^−６／Ｋ以下である。 （もっと読む）

【課題】摺動特性、強度や破壊靭性などの機械的特性に優れるとともに、脆化を抑制してＳｉＣ粒子の脱落などを防止してなる、ポンプなど液体を用いる回転機器での液体軸封装置として用いられるメカニカルシール装置、並びにこのメカニカルシール装置に用いるＳｉＣ系焼結体リング及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ系焼結体回転リング及びカーボン系シートリングを含むメカニカルシール装置において、前記ＳｉＣ系焼結体リングは、平均結晶粒径が５μｍ以下、気孔率が５．０％以下、平均気孔径が２．０μｍ以下であって、比抵抗が室温で１Ω・ｃｍ以下であるＳｉＣ系焼結体リングとする。このリングはＳｉＣ純度が９７％以上であるとともに３Ｃ結晶を９２％以上含有するＳｉＣ原料粉末を造粒・成形した後で、加圧焼結法による圧力環境下で焼結することによって製造する。 （もっと読む）

【課題】 従来の硬質皮膜であるＴｉＮ皮膜やＴｉＡｌＮ皮膜よりも耐摩耗性に優れた硬質皮膜およびその形成用スパッタリングターゲット材を提供する。
【解決手段】［１］（Ｚｒ_1-a-b ，Ｈｆ_a ，Ｍ_b ）（Ｃ_1-x Ｎ_x ）からなる硬質皮膜（但し、ＭはＷ，Ｍｏの１種以上）であって、０≦１−ａ−ｂ、０≦ａ、０．０３≦ｂ≦０．３５、０≦ｘ≦１を満たすことを特徴とする硬質皮膜、［２］（Ｚｒ_1-a-b-c ，Ｈｆ_a ，Ｍ_b ，Ｄ_c ）（Ｃ_1-x Ｎ_x ）からなる硬質皮膜（但し、ＤはＳｉ，Ｂの１種以上）であって、０≦１−ａ−ｂ、０≦ａ、０．０３≦ｂ≦０．３５、０．０３≦ｃ≦０．３、０≦ｘ≦１を満たすことを特徴とする硬質皮膜等。なお、上記式において、ａはＨｆの原子比、ｂはＭの原子比、ｃはＤの原子比、ｘはＮの原子比を示すものである。 （もっと読む）

【課題】反りの少ない窒化アルミニウム焼結体の製造方法を提供する。
【解決手段】脱脂及び焼成過程が下記の（１）及び（２）を特徴とする製造方法により窒化アルミニウム焼結体を製造する。
（１）成形体の表面同士又は裏面同士が向かい合わせになる様に交互に積層した積層体に、重しを載せて脱脂及び焼成する。
（２）積層体にかかる重しの質量が、１ｃｍ^２あたり次式で示されるＡである。
１０≦Ａ≦１００−（ｎ−１）×ａ （質量の単位はｇである。）
但し、ｎは積層した成形体の枚数、ａは乾燥後の成形体の表面１ｃｍ^２あたりの質量。
（もっと読む）

【課題】超硬合金組成物、その製造方法を提供する。
【解決手段】各々が、第一材料を含有する硬質粒子とレニウムもしくはＮｉベース超合金を含む第二の異なる材料を含有する結合剤マトリックスとを含有する超硬金属組成物。２ステップ焼結法を利用して、比較的低い焼結温度にして固体相で上記超硬合金を製造し、実質的に完全に緻密化した超硬合金を生産することができる。 （もっと読む）

【課題】 三族元素の有機化合物やアンモニア等の反応活性な雰囲気下、１３００〜１４００℃に達する高温で、Ｉｎ_ｘＧａ_ｙＮＡｌ_ｚ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）で表される３−５族化合物半導体を有機金属気相成長法により製造する装置において、安定して使用可能な耐熱耐摩耗部材を提供する。
【解決手段】 Ｉｎ_ｘＧａ_ｙＮＡｌ_ｚ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）で表される３−５族化合物半導体を有機金属気相成長法により製造する装置において、相対密度９７％以上かつＳｉＣの最大粒子径が４．０μｍ以下のＳｉＣ−ＢＮ複合焼結体を用いる３−５族化合物半導体の製造装置用耐熱耐摩耗部材。１４００℃の窒素ガス中で６時間加熱した後の減量が０．１質量％以下、かつ耐ブラスト性試験が０．０５質量％/回以下のＳｉＣ−ＢＮ複合焼結体を用いることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】強誘電性を示し、圧電特性の良好な酸窒化物圧電材料及びその製造方法を提供する。
【解決手段】下記一般式（１）で表される正方晶ペロブスカイト型酸窒化物からなり、窒素原子がｃ軸方向に配向している酸窒化物圧電材料。
【化１】


（式中、Ａは２価の元素、ＢおよびＢ’は４価の元素を表す。ｘは０．３５以上０．６以下、ｙは０．３５以上０．６以下、ｚは０．３５以上０．６以下、δ１およびδ２は−０．２以上０．２以下の数値を表す。）前記ＡはＢａ，Ｓｒ，Ｃａから選ばれた少なくとも１種であり、ＢおよびＢ’はＴｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｓｎから選ばれた少なくとも１種である。 （もっと読む）

【課題】低圧条件でｈＢＮからｃＢＮを合成する低圧合成方法及びｃＢＮ原料粉末を用いたｃＢＮ焼結体の製造方法を提供する。
【解決手段】金属触媒として、１５ｗｔ％以上５０ｗｔ％未満のＭｏと、１．５〜８ｗｔ％のＡｌ及びＭｇのいずれか１種又は２種と、残部はＦｅ，Ｃｏ及びＮｉのうちから選ばれる１種又は２種以上からなる合金粉末あるいは混合粉末を用いて、低圧（４ＧＰａ以上）かつ１２００〜１９００℃でｈＢＮからｃＢＮを合成し、また、ｃＢＮを原料粉末とし、金属触媒として用いた上記合金粉末あるいは混合粉末を焼結助剤として原料粉末に含有させて焼結し、ｃＢＮ焼結体を得る。 （もっと読む）