【課題】接合強度が高く、放熱特性および耐熱性にも優れる接合体を提供する。
【解決手段】本発明は、半導体素子３０と、半導体素子３０を実装する回路層２０が形成された絶縁性を有するセラミックス基板１０と、を備え、半導体素子３０と回路層２０は、アルミニウムを主成分とし、ゲルマニウム、マグネシウム、珪素、銅からなる群より選択される少なくも１種類を含有するアルミニウム系ろう材６０により、真空中または不活性雰囲気中でろう付けすることにより接合されている。 （もっと読む）

【課題】接合部同士の短絡が生じにくく、めっきやスパッタよりも接合強度が高い、金属焼結膜により金属部品同士を銅微粒子の焼結により接合する方法を提供する。
【解決手段】セラミック板表面に、銅微粒子（Ｐ）と分散媒（Ａ）を含む加熱接合材料からなるパターン化物を配置し、更に該パターン化物上に導電性金属板を配置後、該加熱接合材料を加熱、焼結して銅微粒子（Ｐ）焼結体からなる接合層（Ｌ）を形成することにより、
セラミック板と導電性金属板とが接合層（Ｌ）を介して接合されたセラミック接合体であって、前記銅微粒子（Ｐ）が平均一次粒子径２〜５００ｎｍの銅微粒子（Ｐ１）を含み、接合層（Ｌ）の空孔率が３〜３０体積％で平均空孔径が５〜５００ｎｍであり、厚みが０．００５〜０．５００ｍｍであることを特徴とする、セラミック接合体。 （もっと読む）

【課題】高い熱伝導特性と高い強度特性を有する、半導体装置用アルミナジルコニア焼結基板と、それを有利に製造し得る方法を提供する。
【解決手段】焼結助剤が添加されていない原料組成物を焼成して得られた、ＺｒＯ₂ ：２〜１５重量％、Ｙ₂ Ｏ₃ ：０．０１〜１重量％及びＡｌ₂ Ｏ₃ ：残部からなる焼結基板であって、Ａｌ₂ Ｏ₃ の平均結晶粒子径が２μｍよりも大きく、７μｍ以下であると共に、Ａｌ₂ Ｏ₃ 粒界長さが粒界総長さの６０％以上となるように構成して、熱伝導率が３０Ｗ／ｍ・Ｋ以上であり且つ曲げ強度が５００ＭＰａ以上である特性を付与した。 （もっと読む）

【課題】窒化アルミニウム焼結体基板と金属基板との接合強度の向上効果を発揮するのみでなく、更に、高強度で熱サイクル特性に優れた窒化アルミニウム−金属接合基板を安定にかつ再現性よく得ることのできる窒化アルミニウム−金属接合基板の製造方法を提供する。
【解決手段】窒化アルミニウム焼結体基板の被処理面に砥粒を衝突せしめて改質した後、上記窒化アルミニウム焼結体の被処理面に金属基板を接合するに際し、前記砥粒として窒化アルミニウム焼結体より高い硬度を有する砥粒を使用し、該砥粒を１０〜３０体積％の濃度で含有する液体を、圧縮空気と共に、前記窒化アルミニウム焼結体基板の被処理面に対して作用する圧力が０．１０〜０．２５ＭＰａとなるように噴射して、Ｘ線回折を用いたｓｉｎ^２ψ法により求めた該被処理面の窒化アルミニウムの（１１２）面の残留応力値が−５０ＭＰａ以下、かつ、表面粗さが０．２μｍ以下とする。 （もっと読む）

【課題】 窒化アルミニウム焼結体基板の表面に付着する離型材などを確実に除去しつつ、金属基板接合後の窒化アルミニウム−金属接合板の抗折強度と熱サイクル特性に優れる窒化アルミニウム−金属接合基板を安定してかつ再現性よく得ることを可能にした製造方法を提供する。
【解決手段】窒化アルミニウム焼結体基板の被処理面に砥粒を衝突せしめて改質した後、上記被処理面に金属基板を接合する方法であって、前記砥粒として、窒化アルミニウム焼結体より高い硬度を有する砥粒を使用し、該砥粒を１０〜３０体積％の濃度で含有する液体を、前記窒化アルミニウム焼結体基板の被処理面に対して、該被処理面にかかる圧力が０．０７〜０．１２ＭＰａとなるように噴射する。 （もっと読む）

【課題】高温において使用可能な金属材とセラミックス−炭素複合材との接合体及びその製造方法を提供する
【解決手段】金属材４とセラミックス−炭素複合材１との接合体６は、金属からなる金属材４と、セラミックス−炭素複合材１との接合体である。セラミックス−炭素複合材１は、複数の炭素粒子２と、セラミックスからなるセラミック部３とを有する。セラミック部３は、複数の炭素粒子２間に形成されている。金属材４と、セラミックス−炭素複合材１とは、接合層５を介して接合されている。接合層５は、金属の炭化物とセラミックスとを含む。 （もっと読む）

【課題】接合時の残留応力を下げ、セラミックス基体にクラックが発生せず、使用温度が２００℃であっても十分な接合強度が得られる。
【解決手段】静電チャックは、電極１４が埋設されたセラミックス基体１２と、セラミックス基体１２の裏面に設けた凹部１６の底面に露出する電極端子１４ａと、電極１４に給電するための給電部材２０と、この給電部材２０とセラミックス基体１２とを接続する接合層２２とを備えている。接合層２２は、ＡｕＧｅ系合金、ＡｕＳｎ系合金、又はＡｕＳｉ系合金を用いて形成されている。セラミックス基体１２と給電部材２０とは、給電部材２０の熱膨張係数からセラミックス基体１２の熱膨張係数を引いた熱膨張係数差Ｄが−２．２≦Ｄ≦６（単位：ｐｐｍ／Ｋ）となるように選択されたものである。 （もっと読む）

【課題】金属セラミックス接合基板を製造するコストを低減する要請があり、例えばろう材を形成する工程のコスト低減が考えられる。
【解決手段】金属板上にコールドスプレー法によりろう材を形成する工程と、セラミックス基板上に金属板上の前記ろう材が接触するように金属板を配置する工程と、配置された前記ろう材が形成された前記金属板と前記セラミックス基板を加熱することにより、前記セラミックス基板に前記金属板を接合することにより金属セラミックス接合基板を製造する。 （もっと読む）

【課題】筒状セラミックス体にひびや割れが生じにくい熱伝導部材を提供する。
【解決手段】一方の端面から他方の端面まで貫通し、加熱体である第一の流体が流通する流路を有する筒状セラミックス体１１と、筒状セラミックス体１１の外周面に嵌合するとともに筒状セラミックス体１１の外周を囲む環状のひだ部１５を有する金属管１２と、筒状セラミックス体１１と金属管１２と挟まれつつ筒状セラミックス体１１および金属管１２に接合する中間材１３と、を備え、筒状セラミックス体１１の内部に第一の流体を、金属管１２の外周面１２ｈ側に第一の流体よりも低温の第二の流体を流通させ、第一の流体と第二の流体との熱交換を行う熱伝導部材１０。 （もっと読む）

【課題】筒状セラミックス体にひびや割れが生じにくい熱伝導部材を提供する。
【解決手段】一方の端面から他方の端面まで貫通し、加熱体である第一の流体が流通する流路を有する筒状セラミックス体１１と、筒状セラミックス体１１の外周面に嵌合する金属管１２と、筒状セラミックス体１１と金属管１２との間に挟み込まれて軟質粒子を分散した金属から形成される中間材１３と、を備え、筒状セラミックス体１１の内部に第一の流体を、金属管１２の外周面１２ｈ側に第一の流体よりも低温の第二の流体を流通させ、第一の流体と第二の流体との熱交換を行う熱伝導部材１０。 （もっと読む）

【課題】セラミックス基板の両面に異なる厚さの金属層を積層する場合に、両金属層に同じ材質のものを使用しても、接合時に発生する反りを低減することができ、接合の信頼性を高めることができるパワーモジュール用基板の製造方法を提供する。
【解決手段】セラミックス基板２の両面に異なる厚さの金属層６，７が積層されたパワーモジュール用基板３の製造方法であって、両金属層６，７をセラミックス基板２の両面に配置し、これらを加熱して接合した後に冷却して、金属層６，７に塑性変形を生じさせる。 （もっと読む）

【課題】放熱特性が良好であるとともに、セラミックスからなる支持基板に大きな反りが発生することの少ない、信頼性の高い回路基板およびこれを用いた電子装置の提供。
【解決手段】窒化珪素を主成分とする支持基板１の第１主面に、チタン，ジルコニウム，ハフニウムおよびニオブから選択される少なくとも１種の活性金属を含むろう材からなる第１の接合層３ａ，３ｂを介して、銅を主成分とする回路部材２ａ，２ｂが設けられた回路基板10であって、支持基板１の第１主面の表面に、窒化珪素の結晶粒子が活性金属を含む珪化物の結晶粒子によって連結されている回路基板10である。 （もっと読む）

【課題】第一の金属板の上に搭載された電子部品等の発熱体からの熱の放散を促進することができ、かつ、熱サイクル負荷時におけるセラミックス基板の割れの発生を抑制し、信頼性の高いパワーモジュール用基板を提供する。
【解決手段】セラミックス基板２１と、第一の金属板２２と、第二の金属板２３と、を備えたパワーモジュール用基板２０であって、第一の金属板２２は、銅又は銅合金で構成されており、第二の金属板２３は、耐力が３０Ｎ／ｍｍ^２以下のアルミニウムで構成されており、第二の金属板２３とセラミックス基板２１との接合界面には、Ｓｉ，Ｃｕ，Ａｇ，Ｚｎ，Ｍｇ，Ｇｅ，Ｃａ，Ｇａ，Ｌｉのうちのいずれか１種又は２種以上の添加元素が固溶しており、第二の金属板２３のうち接合界面近傍における前記添加元素の濃度の合計が０．０１質量％以上５質量％以下の範囲内に設定されている。 （もっと読む）

【課題】直接ボンディングプロセスにより、単純で経済的に実施可能な方法で、両面が金属とされた金属−セラミックの基板を製造する。
【解決手段】第１及び第２の金属板１，３と、第１の金属板と第２の金属板との間に配置されたセラミック基板２と、からなる構成体を保持体４の上に置き、構成体を加熱によって接合し、両面が金属とされたセラミック基板を得る。保持体４は、構成体に面する上面に、構成体が保持体上に置かれる接触点４Ｂが複数個形成されるように構成され、保持体４は、構成体に面する上面に、構成体に向けて先細りする形状の、複数の突状集合体４Ａを有している。 （もっと読む）

【課題】セラミックス基板上に複数の金属板回路板をした場合でも、セラミックス基板を分割することなくその反りを矯正する手段を提供する。
【解決手段】セラミックス基板の少なくとも一方の面に、金属溶湯Ｍを接触させた後に冷却して固化させることによりセラミックス基板に複数の凸部が形成された金属板を接合した金属セラミックス接合体１を所定の曲率Ｒを有するポンチ２１とダイス２０で挟み込んで押圧し、その後、金属セラミックス接合体をエッチング処理して当該金属セラミックス接合体の各凸部に所定の回路パターンを形成すると共に凸部以外の箇所を除去する。 （もっと読む）

【課題】金属−セラミックス接合回路基板の断面形状を少ない工数または低コストで容易に制御することができ、且つ耐熱衝撃性または絶縁性に対してより高信頼性を有する金属−セラミックス接合回路基板を製造することができる、金属−セラミックス接合回路基板の製造方法を提供する。
【解決手段】セラミックス基板１０の両面にろう材１２を介してＣｕ板１４を接合した後、 Ｃｕ板１４の表面の所定の部分にＵＶ硬化アルカリ剥離型レジスト１６を塗布してＣｕ板１４の不要部分をエッチングすることにより金属回路部を形成し、レジスト１６を維持したまま、不要なろう材１２およびろう材１２とセラミックス基板１０との反応生成物を除去し（あるいは、不要なろう材１２およびろう材１２とセラミックス基板１０との反応生成物を除去し、金属回路部の側面部をエッチングし）、その後、レジスト１６を剥離し、 Ｎｉ−Ｐ無電解メッキ１８を施す。 （もっと読む）

【課題】金属−セラミックス接合基板に放熱板を固定する場合にＰｂフリー半田を使用しても、半田やセラミックス基板にクラックが発生するのを効果的に防止することができる、金属−セラミックス接合基板を提供する。
【解決手段】セラミックス基板１０の一方の面にろう材１６を介して放熱板固定用金属板１８の一方の面が接合した金属−セラミックス接合基板において、放熱板固定用金属板１８としてビッカース硬さ４０〜６０の銅または銅合金からなる金属板を使用し、この放熱板固定用金属板１８の他方の面にＰｂフリー半田２０によって放熱板２２が固定される。 （もっと読む）

【課題】金属板とセラミック板との間の界面剥離を防止することができるし、製造コストの低減を図ることができ、更に、放熱特性を向上させることができる積層材を提供する。
【解決手段】積層材１は、セラミック板4の一方の片面4aにＣｕまたはＣｕ合金からなるＣｕ板2が、セラミック板4の他方の片面4aにＡｌまたはＡｌ合金からなるＡｌ板3が、放電プラズマ焼結法によりそれぞれ接合されている。 （もっと読む）

【課題】金属板とセラミック板との間の界面剥離を防止することができ、更に、製造コストの低減を図ることができる積層材を提供する。
【解決手段】積層材１は、複数枚の金属板2,3と１枚のセラミック板４とが、金属板２とセラミック板４とが隣接するように積層されるとともに、隣り合う金属板2とセラミック板４とが放電プラズマ焼結法により接合されたものである。セラミック板４と隣接する全ての金属板2,3の融点の差が１４０℃以内である。セラミック板４における金属板２と接合された側の面4aの外周縁4zよりも内側に、金属板２のセラミック板４との接合面2aが位置している。 （もっと読む）

【課題】互いに積層状に配置された金属板とセラミック板とを備えた積層材であって、最外側にＮｉを主成分とする金属板がＮｉ層として配置された積層材を安価に製造することができる積層材を提供する。
【解決手段】積層材1は、複数枚の金属板2,3,31と少なくとも１枚のセラミック板4とが、金属板2,3,31とセラミック板4とが隣接するように、且つ、少なくとも２枚の金属板3,31が互いに隣接するように積層されるとともに、隣り合う金属板3,31どうし、および、隣り合う金属板2,3とセラミック板4とが放電プラズマ焼結法により接合されている。前記少なくとも２枚の金属板のうち最外側に配置された金属板31が、Ｎｉを主成分とするＮｉ板である。 （もっと読む）