【課題】ＨＩＰなどの大掛かりな設備を利用することなく、簡易な工程で実現可能なセラミック基板への白金箔の直接接合方法を提供する。
【解決手段】２枚のセラミック基板１０１，１０２間に白金箔１１１を挟み、２枚のセラミック基板１０１，１０２及び白金箔１１１の厚さ方向に押圧力を加えると共に、真空雰囲気中で９００℃〜１２００℃にて加熱することにより、セラミック基板１０１，１０２と白金箔１１１を接合するようになったセラミック基板への白金箔の直接接合方法である。 （もっと読む）

【課題】金属板とセラミックス基板とを確実に接合でき、ろうこぶの除去作業を削減して精密な加工を可能にするパワーモジュール用基板の製造方法を提供する。
【解決手段】ろう材３０を介在させてセラミックス基板２０と金属板４０，７０とを積層した積層体５０を、セラミックス基板２０および金属板４０，７０全面を覆う２枚の加圧板６０間で加熱しながら厚さ方向に加圧する接合工程を行い、この接合工程において、加圧板６０、セラミックス基板２０および金属板４０，７０の位置決めを、加圧板２０の角部２１、金属板４０，７０の角部４１，７１およびセラミックス基板２０の角部２１を一致させることにより行い、セラミックス基板２０の角部２１を構成する辺縁部２０ａ近傍に、金属板４０，７０との間にろう溜まり空間Ａを形成するろう溜まり形成部２２が設けられている。 （もっと読む）

【課題】接合部分の欠陥が有意に抑制されるとともに、比較的均質な接合体を得ることが可能な窒化珪素系セラミックス部材の接合方法。
【解決手段】本発明による方法は、（ａ）シリコン粒子を含む第１の原料を調製するステップと、（ｂ）第１の原料から成形体を形成するステップと、（ｃ）窒素雰囲気下、１１００℃〜１４５０℃の範囲のいずれかの温度に前記成形体を保持し、該成形体中のシリコン粒子を反応焼結処理するステップと、（ｄ）第１の原料と同様の第２の原料を調製するステップと、（ｅ）第２の原料からスラリーを調製するステップと、（ｆ）後に接合材が形成される前記被接合部材同士の隙間に、前記スラリーを注入して、接合材を形成させるステップと、（ｇ）ステップ（ｃ）と同様の反応焼結処理により、前記接合材中のシリコン粒子を反応焼結処理するステップと、を有する。 （もっと読む）

【課題】焼結体単体と同程度の曲げ強度及び剛性を有し、経時的な寸法変化が小さい低熱膨張セラミックス接合体を提供する。
【解決手段】低熱膨張セラミックスからなる焼結体同士を、介在物を配せずに接合してなる低熱膨張セラミックス接合体であって、前記焼結体を構成する材料が、リチウムアルミノシリケートと、炭化珪素および／または窒化珪素とからなり、２０〜３０℃における平均の熱膨張係数が−１×１０^−６〜１×１０^−６／℃であることを特徴とする低熱膨張セラミックス接合体。 （もっと読む）

本発明は複合材料に関し、その複合材料は少なくとも１つのセラミック層又は少なくとも１つのセラミック基板、及び少なくとも１つのセラミック基板の所定の表面の上に金属層で形成された金属皮膜から構成される。 （もっと読む）

【課題】圧電セラミック素子の製造方法における改良された製造方法の提供。
【解決手段】改良された製造方法は、モールド・キャビティ体１０内に金属板２０を固定し、金属板２０の上面に円筒型中空ブッシング１１を配置する工程、ブッシング１１内の金属板２０上に結合部分となる金属ペースト２１を塗布する工程、圧電セラミック粉末２２を前記金属ペースト２１の上に置く工程、圧縮ピラー１３を圧電セラミック粉末２２に押し付ける工程、圧電セラミック粉末２２が所定の厚さになるように圧縮ピラー１３の位置を調整する工程、前記圧縮ピラー１３を適切な位置に固定１２する工程、および圧電セラミック粉末２２を焼結体として焼結するようにモールド・キャビティ体１０を加熱する工程からなる。まだ二極化していない焼結体を処理して圧電セラミックシート２２になるように、モールド・キャビティ体１０を加熱する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】接合後の位置ズレが小さく、また、接合強度及び気密性が高く、中空部を有する場合でも中空部の寸法精度に優れた接合体が得られる炭化珪素焼結体の接合方法を提供する。
【解決手段】第一の炭化珪素焼結体１１と第二の炭化珪素焼結体１２とが金属珪素からなる接合層１４を介して接合された炭化珪素接合体であって、
前記第一の炭化珪素焼結体１１は、金属珪素層１３が形成される接合面１１ａを有し、前記第二の炭化珪素焼結体は、前記金属珪素層と当接する接合面１１ｂを有し、前記第一及び第二の炭化珪素焼結体の各接合面は、いずれも表面粗さＲａ０．６μｍ以下であって、前記金属珪素層が熱処理されてなる接合層１４を介して接合されたことを特徴とする炭化珪素接合体。 （もっと読む）

【課題】窒化珪素を母材としたセラミックス基板へのアルミニウム板の接合性を向上させたパワーモジュール用基板を提供する。
【解決手段】窒化珪素を母材とするセラミックス基板２の上に回路層用アルミニウム板７をろう付け接合してなるパワーモジュール用基板の製造方法であって、窒化アルミニウム又はアルミナのうちのいずれか又はこれらの混合物からなるセラミックス粉末をガス中に分散してエアロゾル化し、そのエアロゾルをセラミックス基板２に噴射することにより、該セラミックス基板２の表面にセラミックス被膜６を形成し、その後、該セラミックス被膜６の上に回路層用アルミニウム板７をろう付け接合する。 （もっと読む）

【課題】ひび割れの進展、および接着剤層の水分移動を極力抑制して、以て接着剤層の接着強度の向上を図る。
【解決手段】隔壁により仕切られ軸方向に貫通する多数の流通孔を有する多孔質ハニカムセグメント２が、接着剤層３を介して複数個結束されて構成されるセラミックハニカム構造体１であって、接着剤層３には、該接着剤層３を挟んで対向する２個のハニカムセグメント２、２の各被接着面２ａ、２ｂのいずれかに固設された突起部４が複数個埋設されている。接着剤層３に生じたひび割れは、突起部４に突き当たることによってその進展が阻まれるので、大きな割れ目に成長するのを未然に防ぐ。 （もっと読む）

【課題】結晶体と光学ガラスを加熱・加圧して接合する際、結晶体と光学ガラスの界面に空気層が生じないようにする。
【解決手段】光学素子の製造装置１０は、結晶体４０と光学ガラス４２を加熱・加圧して接合する装置であり、結晶体４０と光学ガラス４２を載置可能に対向配置された上型２６及び下型２８と、結晶体４０と光学ガラス４２との接合面の気体を除去する吸引装置２０と、結晶体４０と光学ガラス４２を加熱するヒータ１８と、結晶体４０と光学ガラス４２を加圧する加圧装置２２とを備えている。 （もっと読む）

【課題】気体のリークを防止できるほど良好な気密性を有し、かつ、接合部の強度が高いＡｌ合金-セラミックス複合材料接合体を提供する。
【解決手段】Ｍｇの含有量が０．５質量％よりも少ないＡｌ合金をマトリックスとしたＡｌ合金-セラミックス複合材料同士が、その組成がＡｌ、Ｚｎ、Ｍｇおよび、その他不純物成分からなり、ＡｌとＺｎの質量比Ａｌ／Ｚｎが０．８５〜２．３３、Ｍｇ含有量が０．５〜５．０質量％である接合材を用いてなる接合層を介して接合された接合体であって、前記接合層に接したＡｌ合金−セラミックス複合材料のマトリックスのＡｌ合金中に前記接合材のＺｎが拡散した拡散層を有する。 （もっと読む）

【課題】折損強度の高い工具素材を提供することを目的とする。
【解決手段】円柱形状の工具素材の一方の端部がｃＢＮ焼結体、他の端部がＷＣ基超硬合金で形成され、該ＷＣ基超硬合金は長手方向に超硬合金Ａと超硬合金Ｂとからなり、該超硬合金Ａの一方の端部は、該ｃＢＮ焼結体との接合面Ｃを有し、該超硬合金Ａの他の端部は、該超硬合金Ｂとの接合面Ｄを有し、該超硬合金Ａは、ＷＣ平均粒径をｄ１（μｍ）としたとき、２≦ｄ１≦４、Ｃｏ含有量は質量％で、６％以上、１２％以下であり、該超硬合金Ｂは、ＷＣ平均粒径をｄ２（μｍ）としたとき、０．３≦ｄ２≦１、Ｃｏ含有量は５％以上、１１％以下であり、工具素材（１）の長さ（ｍｍ）をＬ、直径（ｍｍ）をＤとしたとき３≦Ｌ≦６０、Ｄ≦６、であることを特徴とする工具素材である。 （もっと読む）

【課題】接合時にＳｉＣ多孔体の内部に接合材が侵入し難く、適切な接合を行なう。
【解決手段】ＳｉＣで構成される多孔体と、接合材とを接合させる接合方法であって、アルミニウムまたはホウ素の窒化物を前記多孔体内に浸透させる工程と、前記多孔体の接合面にカーボンを塗布する工程と、前記接合面において、前記多孔体と前記接合材とを接合させる工程と、を少なくとも含む。これにより、接合材がＳｉＣ多孔体内部へ過剰に侵入することを防ぎ、ＳｉＣ多孔体と接合材との反応を阻害することが可能となる。その結果、ＳｉＣ多孔体と接合材とを適切に接合させることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】 溶湯に浸漬していない保護管の上部では、保護管表面から空気中への放熱や、炉に設けられた保護管を固定するための被固定部材への放熱を抑えることができる。また、溶湯に浸漬される保護管の下部では、加熱エネルギーを高出力できる加熱体の熱効率に優れる加熱体保護管を提供する。
【解決手段】 炉内の溶湯に浸漬させて溶湯を加熱する加熱体の保護管が、溶湯に浸漬され閉塞した底部を有する下部管体と、下部管体の上部に配置され中空管状の上部管体とを焼結により接合してなり、下部管体および上部管体はセラミックスから形成され、下部管体の熱伝導率が上部管体の熱伝導率より大きいことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】接着層および／またはコート層内でのマクロポアの形成を回避し得るハニカム構造体の製造方法。
【解決手段】セル壁で区画されたセルを有する複数のハニカムユニットを接着層で接合してセラミックブロックを形成する工程、またはセル壁で区画されたセルを有する一つのハニカムユニットでセラミックブロックを形成する工程と、前記セラミックブロックの外周部にコート層を設置する工程と、を有し、さらに、前記ハニカムユニットの接合面に、直径が１〜５０μｍの範囲の発泡材料の粒子を含む接着層用のペーストを設置する工程、および／または前記セラミックブロックの外周部に、直径が１〜５０μｍの範囲の発泡材料の粒子を含むコート層用のペーストを設置する工程と、前記発泡材料を発泡させる工程と、前記発泡材料を消失させ、直径１００〜３００μｍの範囲の気泡痕を形成する工程と、を有するハニカム構造体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】高純度な接合部によりセラミックス焼結体が接合されてなる、接合強度が高く耐食性に優れたセラミックス接合体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】セラミックス接合体１０は、同じ材料からなる２個のセラミックス焼結体１２ａ，１２ｂと、これらを接合する接合部１４とを有する。セラミックス焼結体１２ａ，１２ｂと同じ材料の、不純物含有量が合計で１００ｐｐｍ以下であり粒径が３０ｎｍ以上３００ｎｍ以下であるセラミックス粒子のみを固形分として含むスラリーを、セラミックス焼結体１２ａ，１２ｂの接合面に塗布してこれらの接合面を接着し、その後、所定温度に加熱し、セラミックス焼結体１２ａ，１２ｂの接合面に挟まれたセラミックス粒子を焼結させることで、接合部１４を形成するとともにセラミックス焼結体１２ａ，１２ｂを接合する。 （もっと読む）

【課題】応力の発生ないし部分的集中が抑制された、各部材の接合強度が高い接合構造体の提供する。
【解決手段】第１部材と、第２部材と、この第１部材と第２部材との間に介在した中間部材とからなり、これらの各部材が接合材によって接合された接合構造体であって、前記中間部材が空間を形成する複数の孔もしくは溝を有することを特徴とする、接合構造体。 （もっと読む）

【課題】セラミックス材料などの基材と炭素材料との接合体とその接合方法を提供することを目的とする。
【解決手段】炭素材料１と炭素材料１との接合面に炭素を構成元素の一つとする炭化物系セラミックス材料２とを、炭化物系セラミックス材料２と同じ化合物を生成する化学反応を誘起させることにより接合した構造である。その工程は、炭素材料１と炭化物系セラミックス材料２の接合面１ａ，２ａの少なくとも一方に、中間材となる前記炭化物系セラミックス材料の炭素以外の構成元素３を成膜してから積層し、これを接合装置５のチャンバー６にセットして内部を真空引きし、積層した炭素材料１と炭化物系セラミックス材料２の接合面に圧力を付与し、チャンバー６を昇温して接合する。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスの製造装置の処理室内を高真空に保つことができる基板載置台を提供する。
【解決手段】基板載置台１は、一つの面が基板載置面１１ａである板状のセラミックス基体１１と、基板載置面１１ａとは反対の面で接合材２２を介してセラミックス基体１１と接合され、多孔質セラミックスの気孔内に金属が充填された気孔率が０％を超え５％未満の板状の複合材料基体２１と、複合材料基体２１の、セラミックス基体１１と接合される面とは反対の面で接合材３２を介して複合材料基体２１と接合される金属板３１とを備えている。 （もっと読む）

【課題】ろう材箔をその全域にわたって均等な温度に加熱することが可能になるとともに、加熱開始後ろう付けが完了するまでの時間を短縮することができ、しかも装置の小型化および低コスト化を図ることができる。
【解決手段】パワーモジュール用基板１１の製造方法であって、接合工程は、積層体１５における回路層１３の表面に黒体板２６ａ、２６ｂを圧接させつつ積層体１５を積層方向に加圧した状態で、黒体板２６ａ、２６ｂをその側方から第１ハロゲンヒータ２７で加熱し、この熱を、黒体板２６ａ、２６ｂおよび回路層１３の各内部を伝導させることによりろう材箔を溶融し、セラミックス板１２の表面に回路層１３をろう付けしてパワーモジュール用基板１１を形成する。 （もっと読む）