【課題】スパッタリング法を用いた酸化物半導体膜の成膜時の異常放電の発生が抑制され、連続して安定な成膜が可能なスパッタリングターゲットを提供すること。希土類酸化物Ｃ型の結晶構造を持つ、表面にホワイトスポット(スパッタリングターゲット表面上に生じる凹凸などの外観不良)がないスパッタリングターゲット用の酸化物を提供すること。
【解決手段】ビックスバイト構造を有し、酸化インジウム、酸化ガリウム、酸化亜鉛を含有する酸化物焼結体であって、インジウム(In) 、ガリウム(Ga)および亜鉛(Zn)の組成量が原子比で以下の式を満たす組成範囲にある焼結体を提供する。
In/(In+Ga+Zn)<0.75 （もっと読む）

【課題】 高い導電性を有し、ＷＯ_ｘ膜をＤＣスパッタにより成膜可能なスパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】 スパッタリングターゲットが、ＷＯ_２相とＷ_１８Ｏ_４９相との２相以上からなる組織を有した酸化タングステンの焼結体であり、ＷＯ_２相の組織中の割合が、５％以上である。このスパッタリングターゲットの製造方法は、ＷＯ_２と、Ｗ_１８Ｏ_４９及びＷＯ_３の少なくとも一方とを含有した酸化タングステン粉を作製する工程と、該酸化タングステン粉を真空中でホットプレスにて焼結し、酸化タングステンの焼結体とする工程とを有し、前記酸化タングステン粉中の前記ＷＯ_２の含有量を、５〜９５ｍｏｌ％とする。 （もっと読む）

【課題】ＭｏＳ_２を主成分とするスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】本発明の一態様は、Ｈｆ，Ｒｅ，Ｔａ，Ｗ，Ｎｂ，Ｚｒ，Ｖ，Ａｌ，Ｉｎ，Ｓｎ，Ｇａ，Ｚｎ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｍｎ，Ｎｉ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｃｕ，Ａｇ，Ｙ，Ｓｃ，Ｍｇ，Ｃａからなる群から選ばれた少なくとも一種類以上の元素を合計で０．１〜１０．０ｗｔ％含有し、残部がＭｏＳ_２および不可避的不純物からなることを特徴とするスパッタリングターゲットである。 （もっと読む）

【課題】比較的に高い比誘電率を有し、しかも高温領域を含む広い温度範囲（−５５〜４００℃）において容量温度特性が良好である誘電体磁器組成物を提供する。
【解決手段】一般式Ｋ_ｍＮｂ_ｎＯ_３で表される第一の相と、一般式Ｂａ_αＴｉ_βＯ_３で表される第二の相との混晶体から成る主成分を有し、前記ｍ、ｎ、α、βが０．９９０≦ｍ／ｎ≦１．００５、０．９９５≦α／β≦１．０１０、且つ、ｍ／ｎとα／βとが同時に1を取らないことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】比較的に高い比誘電率を有し、しかも高温領域を含む広い温度範囲（−５５〜４００℃）において容量温度特性が良好である誘電体磁器組成物を提供する。
【解決手段】一般式ＫＮｂＯ_３で表される第一の相と、一般式（Ｂａ_１−ｘＭ_ｘ）（Ｔｉ_１−ｙＬ_ｙ）Ｏ_３（ただし、ＭはＣａ、ＳｒおよびＭｇから選択される少なくとも１種類）、（ただし、ＬはＺｒ、Ｈｆ、Ｃｏ、Ｖ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｇの中から選択される少なくとも１種類）で表される第二の相との混合相から成る。 （もっと読む）

【課題】スパッタリングターゲットや蒸着用タブレットとして利用され、成膜中にクラック等が発生し難いＺｎ−Ｓｎ−Ｏ系酸化物焼結体とその製法を提供する。
【解決手段】上記酸化物焼結体は、錫がＳｎ／（Ｚｎ＋Ｓｎ）の原子数比として０．０１〜０．６含有され、焼結体中における平均結晶粒径が４．５μｍ以下で、ＣｕＫα線を使用したＸ線回折によるＺｎ_２ＳｎＯ_４相における（２２２）面、（４００）面の積分強度をそれぞれＩ_{（２２２）}、Ｉ_{（４００）}としたとき、Ｉ_{（２２２）}／［Ｉ_{（２２２）}＋Ｉ_{（４００）}］で表される配向度が０．５２以上であることを特徴とする。この酸化物焼結体は機械的強度が改善されているため、焼結体を加工する際に破損が起こり難く、スパッタリングターゲット若しくは蒸着用タブレットとして使用された際においても透明導電膜の成膜中に焼結体の破損やクラック発生が起こり難い。 （もっと読む）

【課題】耐熱性無機基板上に塗布法で形成された高い仕事関数を有する有機ＥＬ用透明導電性基材とその製造方法、有機ＥＬ素子を提供する。
【解決手段】基板１上に、主成分として有機インジウム化合物、または有機インジウム化合物とドーパント用有機金属化合物を含有する透明導電膜形成用塗布液、あるいは、主成分として有機錫化合物、または有機錫化合物とドーパント用有機金属化合物を含有する透明導電膜形成用塗布液を塗布して塗布膜を形成する塗布工程、前記塗布膜を乾燥して乾燥塗布膜を形成する乾燥工程、前記乾燥塗布膜を無機化して、酸化インジウム、またはドーパント金属酸化物を含む酸化インジウムである導電性酸化物を主成分とする無機膜、あるいは酸化錫、またはドーパント金属酸化物を含む酸化錫を主成分とする無機膜を形成する無機化工程の各工程からなる塗布法により透明導電膜３を形成する有機ＥＬ用透明導電性基材の製造方法。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング用ターゲットとして好ましく使用され得る導電性酸化物およびその製造方法を提供する。
【解決手段】結晶質Ｉｎ₂Ｏ₃と、結晶質Ｇａ₂ＺｎＯ₄とを含む導電性酸化物であって、導電性酸化物において、Ｚｎの原子濃度比を１とした場合に、Ｉｎの原子濃度比が０．４以上１．８以下であり、かつ、Ｇａの原子濃度比が０．４以上１．８以下の導電性酸化物とし、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ酸化物のスパッタリング用のターゲットとして用いること。 （もっと読む）

【課題】７００℃以下の中低温域においても発電効率４０％以上を実現する電気化学セル及びその発電方法を提供する。
【解決手段】上記電気化学セルが燃料ガスと界面を有する燃料極、緻密なイオン伝導体（電解質）、空気（酸素）と界面を有する空気極がその順番に積層されている構造を有し、燃料極と空気極は接触することなく電解質によって分離され、燃料ガスとの界面である燃料極表面全面あるいは一部に電気化学反応を促進する多孔質構造の機能層が積層されている構造を有する電気化学セル。
【効果】気体水素燃料を利用する電気化学発電システムにおいて、気体水素燃料ガスの燃料極内部拡散による抵抗を大幅に低減し、７００℃以下の中低温域においても発電効率４０％以上を単セルレベルで実現することを可能とする、環境・エネルギー問題の解決に資する高効率な電気化学反応システムを提供できる。 （もっと読む）

【課題】ガラスを原料として、可視光応答性と優れた光触媒活性を有し、使用性や耐久性にも優れた光触媒機能性素材を提供する。
【解決手段】 酸化物換算組成の全物質量に対して、モル％で、Ｂｉ_２Ｏ_３成分を５〜９５％の範囲内で含有するガラスセラミックスが提供される。このガラスセラミックスは、Ｂｉ_２Ｏ_３結晶、Ｂｉ_２ＷＯ_６結晶、Ｂｉ_２Ｗ_２Ｏ_９結晶、Ｂｉ_２Ｗ_３Ｏ_１２結晶、Ｂｉ_２ＭｏＯ_６結晶、Ｂｉ_２Ｍｏ_２Ｏ_９結晶、Ｂｉ_２Ｍｏ_３Ｏ_１２結晶、Ｂｉ_２Ｔｉ_２Ｏ_７結晶、Ｂｉ_２Ｔｉ_４Ｏ_１１結晶、Ｂｉ_４Ｔｉ_３Ｏ_１２結晶、Ｂｉ_１２ＴｉＯ_２０結晶、ＢｉＮｂＯ_４結晶、Ｂｉ_２Ｆｅ_４Ｏ_９結晶、ＢｉＶＯ_４結晶、ＬｉＢｉＯ_３結晶、及びこれらの固溶体からなる群より選択される１種以上を含有していてもよい。 （もっと読む）

【課題】イオン伝導度を有する、新規な結晶構造を有する物質を開発する。
【解決手段】（ａ）ないし（ｃ）の条件を満足する新規な結晶構造を有する金属複合酸化物であって、（ａ）空間群がＦｄ−３ｍに属し、（ｂ）格子定数が１７．０±１．０Åの範囲にあり、（ｃ）単位格子内の結晶学的配置が、陽イオンにより下記表のサイト占有率で占有されている金属複合酸化物。好ましくは、バリウム−タングステン複合酸化物および／またはその誘導体。
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【課題】 配向度の高いニオブ酸バリウムビスマスカルシウム系のタングステンブロンズ構造金属酸化物の圧電材料、それを用いた圧電素子、液体吐出ヘッド、超音波モータおよび塵埃除去装置を提供する。
【解決手段】 そのための本発明は少なくともＢａ、Ｂｉ、Ｃａ、Ｎｂの金属元素を含み、前記金属元素がモル換算で以下の条件を満たすタングステンブロンズ構造金属酸化物を含有する圧電材料であって、前記圧電材料にＷが含有されており、前記Ｗの含有量が前記タングステンブロンズ構造金属酸化物１００重量部に対して金属換算で０．４重量部以上２．０重量部以下であり、前記タングステンブロンズ構造金属酸化物がｃ軸配向を有することを特徴とする圧電材料。Ｂａ／Ｎｂ＝ａとしたときのａが：０．３７≦ａ≦０．４０、Ｂｉ／Ｎｂ＝ｂとしたときのｂが：０．０２＜ｂ≦０．０６５０、Ｃａ／Ｎｂ＝ｃとしたときのｃが：０．００７＜ｃ≦０．１０である。 （もっと読む）

【課題】 配向度の高く圧電特性が良好なニオブ酸ストロンチウムカルシウムナトリウム系のタングステンブロンズ構造金属酸化物の圧電材料及び圧電素子を提供する。
【解決手段】 そのための本発明は、少なくともＳｒ、Ｃａ、Ｎａ、Ｎｂの金属元素を含み、前記金属元素がモル換算で以下の条件を満たすタングステンブロンズ構造金属酸化物を含有する圧電材料であって、前記圧電材料にＷが含有されており、前記Ｗの含有量が前記タングステンブロンズ構造金属酸化物１００重量部に対して金属換算で０．４０重量部以上３．２０重量部以下であり、前記タングステンブロンズ構造金属酸化物がｃ軸配向を有することを特徴とする圧電材料である。Ｓｒ／Ｎｂ＝ａとしたときのａが：０．３２０≦ａ≦０．４３０、Ｃａ／Ｎｂ＝ｂとしたときのｂが：０．００８≦ｂ≦０．０８６、Ｎａ／Ｎｂ＝ｃとしたときのｃが：０．１８０≦ｃ≦０．２００である。 （もっと読む）

【課題】 配向度の高いニオブ酸バリウムビスマス系のタングステンブロンズ構造金属酸化物の圧電材料を提供する。また、それを用いた圧電素子、液体吐出ヘッド、超音波モータおよび塵埃除去装置を提供する。
【解決手段】 そのための本発明は少なくともＢａ、Ｂｉ、Ｎｂの金属元素を含み、前記金属元素がモル換算で以下の条件を満たすタングステンブロンズ構造金属酸化物を含有する圧電材料であって、前記圧電材料にＷが含有されており、前記Ｗの含有量が前記タングステンブロンズ構造金属酸化物１００重量部に対して金属換算で０．４０重量部以上３．００重量部以下であり、前記タングステンブロンズ構造金属酸化物がｃ軸配向を有することを特徴とする圧電材料である。Ｂａ／Ｎｂ＝ａとしたときのａが：０．３０≦ａ≦０．４００、Ｂｉ／Ｎｂ＝ｂとしたときのｂが：０．０１２≦ｂ≦０．０８４ （もっと読む）

【課題】低熱膨張性に優れ、高い機械的強度を有し、且つ、耐熱性及び耐熱衝撃性に優れた低熱膨張性リン酸ジルコニウム焼結体を提供する。
【解決手段】直接結晶析出法より調製されたＮＨ_４Ｚｒ_２（ＰＯ_４）_３を出発原料として合成されたＲＺｒ_４（ＰＯ_４）_６（Ｒ＝Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ）を主成分とし、焼結助剤的目的としてＴｉＯ_２、ＺｒＯ_２、ＨｆＯ_２、Ｎｂ_２Ｏ_５、Ｔａ_２Ｏ_５、ＷＯ_３及びＭｏＯ_３よりなる群から選ばれる１種又は２種以上の金属酸化物を含むことを特徴とする低熱膨張性リン酸ジルコニウム焼結体及びその製造方法に係わる。 （もっと読む）

【課題】ターゲットの導電性酸化物の熱伝導率を向上させることによって、そのターゲットの厚さの増大を可能にして寿命を増大させ、またそのターゲットを用いることによって、スパッタリング堆積された酸化物半導体膜のエッチング速度の向上を可能にする。
【解決手段】導電性酸化物は、結晶質Ｉｎ_２Ｇａ_{２（１−ｍ）}Ｚｎ_１−ｑＯ_７−ｐ（０≦ｍ＜１、０≦ｑ＜１、０≦ｐ≦３ｍ＋ｑ）と結晶質Ｇａ_２ＺｎＯ_４とを含み、粉末Ｘ線回折法を適用したときに、最大の回折強度を有するａピークの回折角２θが２９．００°以上３０．７５°以下の範囲内にあり、かつ第２位の回折強度を有するｂピークの回折角２θが３３．００°以上３６．００°以下の範囲内にあり、そしてａピークに対するｂピークの回折強度比Ｉｂ／Ｉａが０．１以上１．０以下であることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】可視光透過率及び導電性に優れ、安価な透明導電膜を提供する。
【解決手段】一般式Ｍ_ＥＡ_ＧＷ_{（１−Ｇ）}Ｏ_Ｊ（但し、Ｍ元素は、Ｈ、Ｈｅ、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類元素、Ｆｅ、Ｉｎ、Ｔｌ、Ｓｎ、のうちから選択される１種類以上の元素、Ａ元素は、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｔａ、のうちから選択される１種類以上の元素、Ｗはタングステン、Ｏは酸素、０＜Ｅ≦１.２、０＜Ｇ≦１、２≦Ｊ≦３）で表記される複合酸化物を含み、波長４００ｎｍ以上７８０ｎｍ以下の領域で透過率の最大値が１０％以上９２％未満であり、膜の表面抵抗が１．０×１０^１０Ω／□以下である透明導電膜を提供する。 （もっと読む）

【課題】配向性の良好な配向性酸化物セラミックスの製造方法を提供する。
【解決手段】酸化物結晶Ｂを含むスラリーを得る工程と、前記酸化物結晶Ｂに磁場を印加するとともに前記酸化物結晶Ｂの成形体を得る工程と、前記成形体を酸化処理して、前記酸化物結晶Ｂの一部もしくは全体とは異なる結晶系を有する酸化物結晶Ｃからなる配向性酸化物セラミックスを得る工程を有する配向性酸化物セラミックスの製造方法。（１）原料を反応、（２）酸化物結晶Ａを還元、または（３）酸化物結晶Ａを高温に保持、急冷することで得られた酸化物結晶Ｂを含むスラリーを用いることができる。 （もっと読む）

【課題】透明で多結晶のセラミックを提供する。
【解決手段】本セラミックは、式A_xC_uB_yD_vE_zF_w、A、Cは、Li⁺Na⁺Be²⁺Mg²⁺Ca²⁺Sr²⁺Ba²⁺Al³⁺Ga³⁺In³⁺C⁴⁺Si⁴⁺Ge⁴⁺Sn^2+/4+Sc³⁺Ti⁴⁺Zn²⁺Zr⁴⁺Mo⁶⁺Ru⁴⁺Pd²⁺Ag²⁺Cd²⁺Hf⁴⁺W^4+/6+Re⁴⁺Os⁴⁺Ir⁴⁺Pt^2+/4+Hg²⁺とその混合物から選択され、B、Dは、Li⁺Na⁺K⁺Mg²⁺Al³⁺Ga³⁺In³⁺Si⁴⁺Ge⁴⁺Sn⁴⁺Sc³⁺Ti⁴⁺Zn²⁺Y³⁺Zr⁴⁺Nb³⁺Ru³⁺Rh³⁺、La³⁺、Lu³⁺、Gd³⁺とその混合物から選択され、E、Fは、S、Se、Ｏの二価アニオンとその混合物から選択され、x、u、y、v、z、wは、0.125＜（x+u）/（y+v）≦0.55、z+w＝4を満たし、A＝C＝Mg²⁺、B＝D＝Al³⁺の時、E、Fが共に0でない （もっと読む）

本発明は、負の熱膨張率および酸化物セラミック粒子を有することを特徴とする、セラミック成分を含む複合材料、およびその獲得プロセス、およびマイクロエレクトロニクス、精密光学部品、航空学、航空宇宙産業におけるその使用に関する。 （もっと読む）