【課題】 本発明の課題は、プラズマにさらされた後も平滑な面が維持できその結果、シリコンウェハ等の被吸着物に対するパーティクル汚染を抑制でき、かつ被吸着体の吸着、離脱特性の優れた静電チャックを提供することである。
【解決手段】 本発明では、アルミナが９９．４ｗｔ％以上、酸化チタンが０．２wt%より大きく０．６wｔ％以下、焼成体平均粒子径が２μｍ以下かつ体積抵抗率が室温において１０^８〜１０^1１Ωｃｍであることを特徴とする静電チャック用誘電体を備え、１００℃以下の低温で使用されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】マグネシア透明焼結体の製造方法の提供。
【構成】純度が99重量%以上の薄片状の粒子が3次元的に凝集した嵩高い塩基性炭酸マグネ
シウムを溶媒に分散し、該溶媒を0.1〜15モル%の塩化物イオンに相当する塩化物を溶解し
た溶媒と混合し、この混合液を乾燥し、600℃〜1200℃で仮焼し、得られたマグネシア粉
末を成型して圧粉体を形成し、その圧粉体を1200℃〜1900℃で焼成する。純度が99重量%
以上の薄片状の粒子が3次元的に凝集した嵩高い塩基性炭酸マグネシウムを熱分解温度以
上1100℃以下で仮焼して得られたマグネシア粉末粒子を溶媒に分散し、該溶媒を0.1〜15
モル%の塩化物イオンに相当する塩化物を溶解した溶媒と混合し、乾燥し、600℃〜1200℃
で仮焼した後、得られたマグネシア粒子を成型して圧粉体を形成し、その圧粉体を1200℃
〜1900℃で焼成する。これらの方法によって透明マグネシア焼結体を製造する。 （もっと読む）

【課題】固体酸化物燃料電池に適した酸化ニッケル（ＮｉＯ）−セラミック複合粉体、それからなるニッケル（Ｎｉ）−セラミック燃料極、さらにこれらの製造方法を提供する。
【解決手段】塩基性塩水溶液中にセラミック粉体を分散させたセラミック分散液に、ニッケル塩水溶液を加えてセラミック表面に不溶性ニッケル塩を析出させ、分別した後にか焼させてＮｉＯ−セラミック複合粉体が製造される。ＮｉＯ−セラミック複合粉体を成形体とし、大気中１１５０〜１３５０℃で焼結し、還元雰囲気下５００〜７００℃で還元してＮｉ−セラミックでなる固体酸化物燃料電池の燃料極が製造される。ここで、セラミックは、イットリア安定化ジルコニア、ガドリニウムがドープされたセリア、サマリウムがドープされたセリア、スカンジウムがドープされたジルコニウム、ランタン−ストロンチウム−ガリウム−マグネシウム酸化物などである。 （もっと読む）

【課題】比誘電率及び耐電圧特性に優れた誘電体層形成用組成物、ＭＩＭキャパシタ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ペロブスカイト型誘電体結晶の微粒子と、ガラスフリットと、加水分解性ケイ素化合物又はそのオリゴマーとを含むことを特徴とする誘電体層形成用組成物。及び、下部電極層と、ペロブスカイト型誘電体結晶の微粒子がガラス形成イオンを含む酸化ケイ素マトリックス中に分散している構造の誘電体層と、上部電極層とが基体上にこの順で設けられていることを特徴とするＭＩＭキャパシタ。 （もっと読む）

【課題】金属溶融容器に使用されるれんがは、耐熱スポール性を向上させるための組成については研究されているが、研究されたいずれの組成のれんがは、れんがの低強度を招くために、実際に使用することができない。
【解決手段】本発明の炭素含有耐火れんがの組成は、粘結性を有する石炭粉末を０．２〜１０重量％含有する炭素質原料１〜９７重量％と、耐火性原料３〜９９重量％である。粘結性を有する石炭粉末は、４００℃程度で軟化するので、昇温度時にれんが内、又は炉の構造体に発生する応力を吸収することができるので、本発明の炭素含有耐火れんがの耐熱スポール性は著しく高い。また、石炭粉末の含有量が１０重量％以下であるので、れんがの組織が微細であるために耐スラグ侵食性がよく、また、炭素質原料が９７重量％以下であるので、激しい酸化損耗が発生しないので、れんがの強度も高い。 （もっと読む）

【課題】 耐スポーリング性および耐食性に優れたマグネシア−カーボンれんがを提供する。
【解決手段】 本発明のマグネシア−カーボンれんがは、ニッケル成分を３０重量％以上含有する物質を０．０５〜３重量％含有し、炭素質材料を０．５〜７０重量％含有する。耐スポーリング性および耐食性に優れたこのマグネシア−カーボンれんがを転炉、電気炉、ＲＨ脱ガス、取鍋等の製鋼炉で使用すれば、これまでより炉寿命を延ばすことができる。 （もっと読む）

【課題】 酸化ルテニウムより安価なルテニウム原料を用い、酸素加圧炉を用いることなく、スパッタリングターゲットとして所定の組成を有するストロンチウム・ルテニウム酸化物焼結体を、簡単且つ低コストで製造する方法を提供する。
【解決手段】 ストロンチウム源とルテニウム源からなる原料粉を仮焼成し、仮焼粉を粉砕成形し、１５５０〜１７５０℃で焼結する方法において、上記ルテニウム源として、最大粒子径が１０５μｍ以下、Ｄ５０が５〜２５μｍの金属ルテニウム粉末を用いる。仮焼粉を粉砕する際の媒体は脱水アルコールが好ましい。 （もっと読む）

【課題】摺動装置における動圧部を構成する一対の部材間で火花放電の発生しやすく、長期の使用にともなって表面に脱粒が生じやすい。
【解決手段】動圧発生部を生成する一対の部材の双方が、酸化アルミニウムを主成分とし、５〜２０質量％の炭化チタンが含有されるとともに、酸化アルミニウムの結晶粒に炭化チタンの結晶粒が包含され、一部の炭化チタンの結晶粒が独立して形成されているＡｌ_２Ｏ_３−ＴｉＣ系セラミックスからなり、上記部材の体積固有抵抗値が１０^６Ω・ｃｍを越え、１０^１２Ω・ｃｍ以下であり、かつ、前記一対の部材の体積固有抵抗値の差が１０^５Ω・ｃｍ以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 高い靱性を備え、特に耐摩耗性に優れたセラミック焼結体、セラミック工具、切削インサート、及び切削工具を提供すること。
【解決手段】 切削インサート１は、アルミナを主成分とするセラミック焼結体により構成されており、板厚方向（すくい面側）からみて正方形の板状のチップ（例えばＩＳＯ ＳＮＧＮ１２０４０８）である。この切削インサート１を構成するセラミック焼結体は、アルミナを主成分とするマトリックス中に、１５〜４０体積％の炭化珪素粒子及び炭化珪素ウィスカーを均一に分散させたアルミナ質焼結体であり、しかも、このアルミナ質焼結体中の炭化珪素に占める炭化珪素ウィスカーの割合が１５〜５０体積％で、且つ、炭化珪素粒子の平均粒子径が３〜５μｍである。 （もっと読む）

【課題】 半導体製造装置用部材の面に付着・堆積した成膜成分の一部が、剥離ないし離脱して生じるパーティクルの発生を抑制すること。
【解決手段】 半導体ウエハを処理する半導体製造装置に配置される半導体製造装置用部材において、表面粗さＲａが４μｍ〜１０μｍのアルミナ基材である半導体製造装置用部材。 （もっと読む）

【課題】
機械的強度、誘電特性に優れる高強度低温焼成セラミック組成物を得る。
【解決手段】
少なくとも主成分としてＡｌ、Ｓｉ、Ｓｒ、Ｂａを含み、組織中に六方晶ＳｒＡｌ_２Ｓｉ_２Ｏ_８、（Ｓｒ、Ｂａ）Ａｌ_２Ｓｉ_２Ｏ_８ 、ＢａＡｌ_２Ｓｉ_２Ｏ_８の少なくとも一種及びＡｌ_２Ｏ_３結晶を有する高強度低温焼成セラミック組成物である。 （もっと読む）

【課題】 電子ビーム蒸着法を使用して基板上にＭｇＯ膜を成膜するためにターゲット材として使用する単結晶ＭｇＯ焼結体であって、得られたＭｇＯ膜の密度及び耐スパッタ性を低下させることなく、優れた膜特性例えばＰＤＰ保護膜として使用した場合の放電特性などを向上させること。また、その単結晶ＭｇＯ焼結体の製造方法、ならびに、その単結晶ＭｇＯ焼結体をターゲット材として得られたＰＤＰ保護膜を提供することである。
【解決手段】 焼結体の相対密度が５０％以上９０％未満であり、酸化マグネシウム純度が９７質量％以上であり、かつ、粒径２００μｍ以上の粗大粒子を含むことを特徴とする単結晶酸化マグネシウム焼結体、及び、この単結晶酸化マグネシウム焼結体をターゲット材として使用し、電子ビーム蒸着法、イオン照射蒸着法、又はスパッタリング法により製造したプラズマディスプレイパネル用保護膜である。 （もっと読む）

次の工程：ａ）最初に金属酸化物分散液を容器中に導入し、この場合この分散液中の金属酸化物粉末は、２００ｎｍ未満の数に関連した凝集体の平均直径を有する工程、ｂ１）金属アルコラートＭ（ＯＲ）_xおよび場合によっては加水分解触媒を添加する工程、またはｂ２）金属アルコラートＭ（ＯＲ）_xを加水分解触媒を用いて加水分解することによって得られる出発ゾルを添加する工程を有し、この場合加水分解による金属酸化物と分散液中の金属酸化物との質量比は、０．０１〜１であることを特徴とする、結合剤を含まない金属酸化物ゾルの製造法。この方法によって得ることができる金属酸化物ゾル。金属酸化物ゾルにより製造することができるコーテッドウェブ、および造形品。 （もっと読む）

【課題】熱的に安定で直接焼結に好適な多重元素ナノ粉末とその製造方法を提供する。
【解決手段】Ｓｉ／Ｃ／Ｎ／Ｅ_a／Ｆ_b／Ｇ_c／Ｏ多元素ナノ粉末（Ｅ、Ｆ、およびＧはＳｉ以外の互いに異なった金属原子を示し、ａ、ｂ、およびｃの少なくとも一つは非ゼロである）の製造方法を提供する。この粉末は、少なくとも一つの金属前駆体、該少なくとも一つの金属前駆体の唯一の溶媒として用いられるヘキサメチルジシラザンＳｉ₂Ｃ₆ＮＨ₁₉、およびシランＳｉＨ₄を有してなるエアロゾルのレーザー熱分解により得る。該粉末中の各粒子は、Ｓｉ、Ｃ、Ｎ、Ｅ_a、Ｆ_b、Ｇ_c、およびＯの全ての元素を含有し、その等量化学量論的化合物で表した化学組成において遊離炭素の含有量が２％未満、ＳｉＯ₂の含有量が１０％未満である。該ナノ粉末の、Ｓｉ₃Ｎ₄／ＳｉＣ複合セラミックを製造するための使用。 （もっと読む）

SnO₂を主成分とするIn₂O₃-ZnO-SnO₂系複合酸化物に、Ta、Yの何れか１種又は２種の元素の酸化物を添加した材料から成ることを特徴とするスパッタリングターゲット。膜の非晶質性が安定であり、成膜速度が速く、記録層との密着性、機械特性に優れ、且つ透過率が高く、非硫化物系で構成することにより、隣接する反射層、記録層の劣化が生じ難い光情報記録媒体用薄膜（特に保護膜としての使用）及びその製造方法並びにこれらに適用できるパッタリングターゲットに関するものであり、これによって、光情報記録媒体の特性の向上及び生産性を大幅に改善することを目的とする。 （もっと読む）

気孔径の場所によるばらつきを低減することができ、かつ全体の平均気孔径を大きくすることができるハニカム構造体及びその製造方法を提供する。ハニカム状の成形体を焼成する工程を含む、コージェライト製のハニカム構造体１の製造方法を提供する。焼成工程において、雰囲気温度を昇温する際に、１２００℃から１２５０℃までの昇温速度を４０℃／ｈｒ以上とし、１２５０℃から１３００℃までの昇温速度を２℃〜４０℃／ｈｒとし、１３００℃から１４００℃までの昇温速度を４０℃／ｈｒ以上とする昇温工程を含むハニカム構造体１の製造方法を提供する。更に、気孔率が５０〜７０％、平均気孔径が１５〜３０μｍ、中心部と外周部の平均気孔径の差が５μｍ以下、中心部と外周部の熱膨張係数が１．０×１０^-6／℃以下、中心部と外周部のＡ軸圧縮強度が１．５ＭＰａ以上であるハニカム構造体を提供する。 （もっと読む）

使用温度において酸化物イオン空孔を有する結晶格子の形態、より具体的には、立方相、ホタル石相、オーリビリウスタイプのペロブスカイト相、褐色針ニッケル鉱相またはパイロクロア相の形態にある、ドープされたセラミック酸化物から選ばれる複合電子／酸素Ｏ^２−アニオン伝導性化合物（Ｃ_１）少なくとも７５ｖｏｌ％、および
酸化物タイプのセラミック、非酸化物タイプのセラミック、金属、金属合金またはこれらタイプの物質の混合物から選ばれる、化合物（Ｃ_１）とは異なる化合物（Ｃ_２）０．０１〜２５ｖｏｌ％、および式：ｘＦ_ｃ１＋ｙＦ_ｃ２→ｚＦ_ｃ３（式中、Ｆ_ｃ１、Ｆ_ｃ２およびＦ_ｃ３は、化合物Ｃ_１、Ｃ_２およびＣ_３それぞれの実験式を表し、ｘ、ｙおよびｚは、０以上の比の数値を表す）により表される少なくとも１の化学反応から生成する化合物（Ｃ_３）０ｖｏｌ％〜２．５ｖｏｌ％を含む複合物（Ｍ）。本発明は、複合物の製造方法、並びにメタンまたは天然ガスの接触酸化により合成ガスの合成のために使用することが意図された触媒膜反応器用の複合伝導性複合物としての、および／または空気から酸素を分離するために使用することが意図されたセラミック膜のための複合伝導性複合物としてのその使用にも関する。 （もっと読む）

アルファアルミナと、Ｇｄ_２Ｏ_３と、ＺｎＯとを含む焼結されたアルファアルミナベース研磨粒子、およびその製造方法。研磨粒子は、たとえば、結合研磨材、被覆研磨材、不織研磨材、および研磨ブラシを含むさまざまな研磨物品に組入れることができる。 （もっと読む）

アルミナ（いくつかの実施形態ではαアルミナ）を含んでなるセラミック研磨粒子をはじめとするセラミックを製造する方法。セラミック研磨粒子は、結合研磨剤、被覆研磨剤、不織研磨剤、および研磨ブラシをはじめとする多様な研磨物品中に組み込むことができる。

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