本発明は、以下の材料：Ｚｎを主成分として、Ｐｒを０．１〜３原子％の割合で、Ｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｙｂ，Ｌｕから選択される金属Ｍを０．１〜５原子％の割合で含む、バリスタセラミックに関する。
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【課題】ターゲット材、特に無機ＥＬ素子形成用ターゲット材としての硫化亜鉛成型体およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】硫化亜鉛または硫化亜鉛と銀、銅、マンガンおよび希土類元素の少なくとも１種の元素を含む硫化物とを含む複合硫化物からなり、一方の面と他方の面の硫黄／亜鉛の比が０．９以上であって、これら硫黄／亜鉛の比の差が±０．０５以下であるターゲット材。 （もっと読む）

本発明は、Ｚｎを主成分として、Ｐｒを０．１〜３原子％の割合で含む、バリスタセラミックに関する。
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【課題】より劣化しにくい固体酸化物セルを提供する。
【解決手段】燃料電極層を燃料電極支持層の上に堆積させ、安定化ジルコニアを含む電解質層を燃料電極層の上に堆積させて、燃料電極支持体、燃料電極及び電解質のアセンブリを提供し、任意に、燃料電極支持体、燃料電極及び電解質のアセンブリを一緒に焼結して、予備焼結されたハーフセルを提供し、そのハーフセルの電解質層の上に一つ以上の酸素電極層を堆積させて、完全な固体酸化物セルを提供する。一つ以上の酸素電極層の少なくとも一つがランタン−ストロンチウム−マンガナイト、及び安定化ジルコニアの複合体を含み、一つ以上の酸素電極層を予備焼結されたハーフセルと一緒に焼結して、焼結された完全な固体酸化物セルを提供し、焼結された完全な固体酸化物セルの一つ以上の酸素電極層をマンガンで含浸して、マンガン含浸固体酸化物セルを提供する方法によって得ることができる固体酸化物セル。 （もっと読む）

【課題】配向度の高い結晶配向セラミックスの製造方法を提供すること。
【解決手段】結晶粒の特定の結晶面Ａが配向する結晶配向セラミックスの製造方法である。製造にあたっては、まず結晶面Ａと格子整合性を有する結晶面が配向して配向面を形成している異方形状の配向粒子からなる異方形状粉末と成形助剤と溶媒とを混合して異方形状粉末スラリーを作製する。また、異方形状粉末と共に焼結させることにより目的組成を生成する微細粉末と成形助剤と溶媒とを混合して微細粉末スラリーを作製する。次いで、異方形状粉末２１の配向面２２が略同一の方向に配向するように異方形状粉末スラリーを所定の厚みで成形し乾燥させることにより、異方形状粉末成形体２を形成する。異方形状粉末成形体２上に、微細粉末スラリーを乾燥させてなる微細粉末成形体３を所定の厚み比で積層形成し、積層成形体４を作製する。積層成形体４を加熱し、結晶配向セラミックスを得る。 （もっと読む）

【課題】アーキング発生頻度を低減するスパッタリングターゲット及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明では、インジウム、スズ及び酸素を含んでなり、少なくともＩｎ_２Ｏ_３相と中間化合物相を有する焼結体であって、スズの含有量がＳｎＯ_２換算で、ＳｎＯ_２／（Ｉｎ_２Ｏ_３＋ＳｎＯ_２）で１０重量％以上１５重量％以下の場合、Ｘ線回折スペクトルにおける中間化合物相の（０１２）面又は（０２１）面とＩｎ_２Ｏ_３相の（２１１）面との回折ピーク強度の比をそれぞれ３．０％以下とし、スズの含有量がＳｎＯ_２換算で、ＳｎＯ_２／（Ｉｎ_２Ｏ_３＋ＳｎＯ_２）で１５重量％より大きく２０重量％以下の場合、Ｘ線回折スペクトルにおける中間化合物相の（０１２）面又は（０２１）面とＩｎ_２Ｏ_３相の（２１１）面との回折ピーク強度の比がそれぞれ９．０％以下とすることで、放電中のアーキングの発生率が低減する。 （もっと読む）

【課題】 ８００℃から８５０℃程度の低温で焼結が行え、１ＧＨｚ程度にて高周波数帯域においてもでの使用が可能緻密な薄膜を形成でき、配合する各組成の微粉化は比較的に低いレベルでよい低温焼結用電極材料を提供すること
【解決手段】 ４０〜５０ｍｏｌ％のＦｅ_２Ｏ_３，１５〜２５ｍｏｌ％のＮｉＯ，５〜２０ｍｏｌ％のＣｕＯ，１５〜２５ｍｏｌ％のＺｎＯからなるフェライト材料に、下記組成のガラスを４０〜７９ｖｏｌ％と、石英を２０〜５０ｖｏｌ％を混合して形成される組成とし、ガラス成分は、ＳｉＯ_２を７０ｗｔ％〜８５ｗｔ％，Ｂ_２Ｏ_３を１２ｗｔ％〜２５ｗｔ％，Ｋ_２Ｏを１ｗｔ％〜５ｗｔ％，Ａｌ_２Ｏ_３を０〜８ｗｔ％という関係を満たす組成配分とした。ガラスの存在比率が多くなることもあり、低温で焼結が行えるようになり、誘電率も１ＧＨｚ以上の高周波数帯域まで安定した値を保持できる。 （もっと読む）

【課題】焼結体の表面を除いた内部の色むらを抑制した複合酸化物焼結体を提供することである。
【解決手段】酸化亜鉛と、Ａｌ、Ｇａ、Ｂ、Ｎｂ、Ｉｎ、Ｙ、Ｓｃから選ばれる元素の酸化物を少なくとも１種以上含む複合酸化物焼結体において、当該焼結体の焼き上がり面を除去した焼結体表面部と焼結体中心部とのＣＩＥ１９７６空間で測定されるＬ^＊ａ^＊ｂ^＊色差：ΔＥ^＊が３．０以下である、色むらの少ない、放電特性等の安定性に優れた複合酸化物焼結体。 （もっと読む）

【課題】 ８００℃から８５０℃程度の低温で焼結が行え、１ＧＨｚ程度にて高周波数帯域においてもでの使用が可能緻密な薄膜を形成でき、配合する各組成の微粉化は比較的に低いレベルでよい低温焼結用電極材料を提供すること
【解決手段】 ４０〜５０ｍｏｌ％のＦｅ_２Ｏ_３，１５〜２５ｍｏｌ％のＮｉＯ，５〜２０ｍｏｌ％のＣｕＯ，１５〜２５ｍｏｌ％のＺｎＯからなるフェライト材料に、下記組成のガラスを５０〜８０ｖｏｌ％を混合して形成される組成とした。そして、ガラス成分は、ＳｉＯ_２を７０ｗｔ％〜８５ｗｔ％，Ｂ_２Ｏ_３を１２ｗｔ％〜２５ｗｔ％，Ｋ_２Ｏを１ｗｔ％〜５ｗｔ％，Ａｌ_２Ｏ_３を０〜８ｗｔ％という関係を満たす組成配分とした。ガラスの存在比率が多くなることもあり、低温で焼結が行えるようになり、誘電率も１ＧＨｚ以上の高周波数帯域まで安定した値を保持できる。 （もっと読む）

【課題】作製時のエネルギ消費量をより低減させると共に、密度を高め、シートに含まれる結晶の配向度をより高める。
【解決手段】セラミックスシート２０は、一般式ＡＢＯ₃で表され揮発成分を含む酸化物を主成分とする無機粒子をＡ／Ｂ値が１．０５以上となるように配合し、シート厚さが１０μｍ以下の自立した平板状の成形体に成形し、この成形体を該成形体と実質的に反応しない不活性層に隣接させ又は、この成形体のまま揮発成分が揮発する温度以上において３０℃／分以上の昇温速度で焼成して作製されている。このセラミックスシート２０は、シート厚さが１０μｍ以下に形成され、シート面に特定の結晶面を含んだ結晶粒子をシート厚さ方向に実質的に１個有し、全体の面積に占める結晶粒子の面積の割合を密度（％）としたときに、この密度が８５％以上であり、シートのロットゲーリング法の配向度が４０％以上である。 （もっと読む）

【課題】無鉛ガラス粉末を用いて、グリーンシートを作製する際に、外観不良が発生し難く、且つ増粘率が上昇し難いバインダーを創案し、焼成後の基板強度を高め、信頼性が高い多層配線基板を作製すること。
【解決手段】本発明のグリーンシートは、ガラス粉末と、セラミック粉末と、バインダーとを含むグリーンシートにおいて、ガラス粉末が実質的にＰｂＯを含有せず、且つバインダーの酸価が０．１〜４．５であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】安価に安定した品質で製造でき、アノーサイト結晶を析出するガラスセラミックス誘電体材料を提供する。
【解決手段】ＳｉＯ_２−Ａｌ_２Ｏ_３−ＣａＯ−Ｂ_２Ｏ_３系ガラス粉末とＡｌ_２Ｏ_３粉末からなるガラスセラミックス誘電体材料を焼成してなり、１〜２０ＧＨｚ以上の領域において比誘電率が６〜８であるガラスセラミックス焼結体において、ガラス粉末が、Ｂ_２Ｏ_３を５〜９質量％含有し、かつＢ_２Ｏ_３の全量をＳｉＯ_２に置換したときのＳｉＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３及びＣａＯの組成比が、ＳｉＯ_２−Ａｌ_２Ｏ_３−ＣａＯ三成分系組成図におけるＡ点（ＳｉＯ_２ ６４．４質量部、Ａｌ_２Ｏ_３ １６．９質量部、ＣａＯ １８．７質量部）、Ｂ点（ＳｉＯ_２ ６２．１質量部、Ａｌ_２Ｏ_３ ９．９質量部、ＣａＯ ２８．０質量部）、及びＣ点（ＳｉＯ_２ ４７．３質量部、Ａｌ_２Ｏ_３ １９．０質量部、ＣａＯ ３３．７質量部）を頂点とする三角形の領域内にあることを特徴とすることを特徴とするガラスセラミックス焼結体。 （もっと読む）

【課題】 平坦で焼成班のないセラミック基板を簡便に効率よく製造する方法を提供すること。
【解決手段】 少なくとも複数のグリーンシートが積層された焼成前のグリーンセラミック基板１１の両主面１１ａ、１１ｂが、多孔質セラミック焼成体５ａ、５ｂに直接挟持されたユニット８を形成する工程と、前記ユニット８を焼成する焼成工程と、を有し、前記多孔質セラミック焼成体５ａ、５ｂには、表裏面を貫通する貫通孔が多数形成されているセラミック基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】スラリーを塗布したときの塗膜内の上部及び下部の均質性が高い固体電解質用グリーンシートを製造し、イオン伝導性固体電解質を製造する方法を提供する。
【解決手段】使用時に固体電解質に成り得る無機材料を含むスラリーから固体電解質用グリーンシートの上部及び下部の均質性が、上面及び下面にそれぞれ計測可能な特徴として現れることを見出した。この特徴の１つとして、光沢度を採用した。光沢度は、一般に、表面粗さ等の形状ファクタに依存すると考えられるので、簡単な計測ではあっても、上面及び下面の特性を十分把握可能である。 （もっと読む）

薄い自立セラミックシートの製造方法は、キャリアフィルムを、約２ｃｍ／分〜約５００ｃｍ／分の速度で、キャスティングヘッドに近接して、かつテープキャスターのキャスティングベッドを通過するように引張る工程を含んでもよい。キャスティングヘッドを使用して、約１５０μｍ未満のセラミックスリップの薄膜をキャリアフィルム上に堆積する。セラミックスリップは、セラミックスリップが約２０体積％を超えるセラミック固形分分率を有するように流体媒体中に分散した約１０μｍ未満の最終微結晶サイズを有するセラミック粉末を含んでもよい。堆積されたセラミックスリップを、キャリアフィルム上で乾燥させて、それによって未焼結セラミックシートをキャリアフィルム上に形成してもよい。未焼結セラミックシートを乾燥させた後、未焼結セラミックシートを焼結させてもよい。
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【課題】本発明は、セラミック積層体及びセラミック焼結体の製造方法に関する。
【解決手段】本発明の一側面は、第１セラミック粒子とガラス粒子を具備する一つ以上のセラミックシート及び前記セラミックシートと接触した状態で交互に積層され、前記セラミックシートの焼結温度より高い温度で焼結される特性を有する第２セラミック粒子を具備する一つ以上の拘束用シートを含み、前記ガラス粒子の粒径及び前記第１セラミック粒子の粒径は前記第２セラミック粒子の粒径より大きいことを特徴とするセラミック積層体を提供する。本発明によると、焼成時セラミック積層体に拘束力を均一に与えることができる拘束用シートを具備するセラミック積層体を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】特性をより向上することができる結晶配向セラミックスの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の結晶配向セラミックスを含む圧電／電歪体３０の製造方法は、略立方体形状の粒子である擬立方体形状粒子３１を作製する粒子作製工程と、作製した擬立方体形状粒子３１を溶媒中に分散させる分散工程と、分散した擬立方体形状粒子３１を所定の面方向に整列させたシード部３２と、所望の組成となるよう調整したマトリックス粒子３３により形成されるマトリックス部３４と、を基体１２上へ直接又は間接的に形成させる粒子部形成工程と、基体１２上へ形成したシード部３２及びマトリックス部３４とを焼成する焼成工程とを含み、シード部３２に含まれる所定の面方向に整列した擬立方体形状粒子３１の結晶方位へマトリックス部３４に含まれるマトリックス粒子３３による結晶方位を倣わせることができる。 （もっと読む）

【課題】 スラリー硬化成形体にクラックが生じることを防止できるとともに、導体成形体がスラリー硬化成形体から剥離されることを防止できるセラミック成形体の製造方法を提供すること。
【解決手段】 フィルム１８ａ，１７ｂのうちのフィルム１８ａの表面に剥離剤を塗布して、剥離剤を介してフィルム１８ａの表面に導体成形体１３ｂを形成した。つぎに、フィルム１８ａの表面にプラズマを暴露して露出した剥離剤を除去し、フィルム１８ａ，１７ｂを、表面どうしを対向させて鋳込み型１５内に設置した。ついで、鋳込み型１５内に、スラリーＳを流し込んで硬化させたのちに、成形されたスラリー硬化成形体Ｓ３を、フィルム１８ａ，１７ｂとともに、鋳込み型１５から取り出した。そして、スラリー硬化成形体Ｓ３からフィルム１７ｂを剥離してスラリー硬化成形体Ｓ３を乾燥させたのちに乾燥されたスラリー硬化成形体１３ａからフィルム１８ａを剥離した。 （もっと読む）

【課題】ＤＰＦ等の多孔質セラミックスからなる支持体の表面にセラミックスの多孔質膜を形成することが可能な多孔質膜形成用塗料及び多孔質膜、この多孔質膜を多孔質セラミックスの支持体の表面に形成したセラミックフィルタ及びその製造方法、さらには排ガス浄化フィルタを提供する。
【解決手段】本発明の多孔質膜形成用塗料は、酸化物微粒子と分散媒とを含有してなる塗料であり、酸化物微粒子は、平均一次粒子径が１０ｎｍ以上かつ１０００ｎｍ以下、タップかさ密度が０．１ｇ／ｃｍ^３以上かつ１．５ｇ／ｃｍ^３以下、塗料中の平均二次粒子径が０．１μｍ以上かつ１０μｍ以下であり、この塗料の粘度は、２ｍＰａ・ｓ以上かつ１０００ｍＰａ・ｓ以下である。 （もっと読む）

【課題】ウェハー上のパッドとの接続に関して十分な寸法精度を有し、なおかつ、焼成時に焼成セッターとの融着を防止できる多層セラミック基板及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】ムライトを主結晶とするセラミックを有する多層セラミック基板１であって、ムライトの含有量が、前記セラミック成分の９３〜９９質量％であり、且つ、ムライト以外の成分として、Ｍｇ及びＹの少なくとも１種を含むとともに、多層セラミック基板の内部に、導電層の成分として、Ｗ及びＭｏの少なくとも１種を含む。更に、−５０〜１５０℃の平均熱膨張係数が３．０〜４．０ｐｐｍ／℃で、且つ、−５０〜１５０℃における各温度の熱膨張係数α１と、同じ温度でのＳｉの熱膨張係数α２とが、０ｐｐｍ＜α１−α２≦２．５ｐｐｍの関係を有する。 （もっと読む）