【課題】スパッタリングターゲットの強度が高く、スパッタ膜の非晶質性が安定であり、青色波長領域で透過率が高く、また屈折率も高い膜を形成できるスパッタリングターゲット及び光情報記録媒体用薄膜を得る。これによって、光情報記録媒体の特性の向上及び薄膜の品質を大幅に改善しかつ安定化する。
【解決手段】ZnSを主成分とし、ZrO₂とY₂O₃を含み、ZnS：50〜95mol%、ZrO₂：4〜49mol%、Y₂O₃：0.1〜10mol%であることを特徴とするZnSを主成分とするスパッタリングターゲット及びZnSを主成分とし、ZrO₂とMgO及び又はCaOを含み、ZnS：50〜95mol%、ZrO₂：4〜49mol%、MgO及び又はCaO：0.1〜10mol%であることを特徴とするZnSを主成分とするスパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】鉛を含むものにおいて、多面体形状の結晶粒子をより容易に作製する。
【解決手段】本発明の結晶粒子の製造方法は、リチウムとホウ素とを含む添加材料と鉛を含む材料とを混合した混合材料を作製する混合工程と、混合材料を所定の焼成温度で焼成することにより多面体形状の結晶粒子を生成させる第１焼成工程と、を含むものである。また、混合工程のあと、混合材料によって構成される成形体を作製する成形工程を含むものとしてもよく、焼成工程のあと、焼成後の仮焼体を解砕して結晶粒子を得るものとしてもよい。この結晶粒子を基体上に固着させることにより、結晶方位を所定方向に揃えたテンプレート層を準備し、リチウムとホウ素とを含む添加材料と鉛を含む材料とを混合した混合材料によって構成されるマトリックス層をテンプレート層上に形成し、これを焼成して結晶配向セラミックスを製造することができる。 （もっと読む）

【課題】酸化亜鉛バリスタを製造するためのプロセスを提供すること。
【解決手段】ドープした酸化亜鉛と高インピーダンス焼結材料を所定の比率でよく混合し、次いでこれを使用して低温の焼結（９００℃未満）によって従来技術により酸化亜鉛バリスタを作製することができるように、酸化亜鉛へのドーピングおよび酸化亜鉛粒子の高インピーダンス焼結材料との焼結を２つの独立した処理手順によって実施する。得られた酸化亜鉛バリスタは、内部電極として純銀を使用することができ、バリスタ特性、サーミスタ特性、キャパシタ特性、インダクタ特性、圧電性および磁性のうちの１つまたは複数を特に有する。 （もっと読む）

【課題】高電界印加時の電界誘起歪が良好なニオブ酸アルカリ系の圧電／電歪磁器組成物を提供する。
【解決手段】圧電／電歪体膜１２２は、圧電／電歪磁器組成物の焼結体である。当該圧電／電歪磁器組成物は、Ａサイト元素としてＬｉ，Ｎａ及びＫを含み、Ｂサイト元素としてＮｂ及びＳｂを含み、Ｂサイト元素の総原子数に対するＡサイト元素の総原子数の比が１より大きく、Ｂサイト元素の総原子数に占めるＳｂの原子数が１ｍｏｌ％以上１０ｍｏｌ％以下であるペロブスカイト型酸化物に、Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｄｙ，Ｈｏ及びＹｂからなる群より選択される一種類以上の元素の化合物と、Ｍｎの化合物と、を含有させた圧電／電歪磁器組成物である。 （もっと読む）

【課題】アスベスト含有物の低温無害化処理物を原料にした耐火煉瓦の製造法およびそれにより製造された耐火煉瓦を提供する。
【解決手段】アスベスト含有物および焼却灰または焼却灰から製造された触媒を低酸素雰囲気または還元雰囲気中で加熱処理すること特徴とするアスベスト含有物の無害化処理工程および得られた無害化アスベスト含有物を原料にして耐火煉瓦を製造する工程を含む耐火煉瓦の製造法およびそれにより製造された耐熱煉瓦。 （もっと読む）

【課題】真空蒸着法に用いられる酸化物焼結体タブレットを歩留まりよく安定して量産できる製造方法を提供すること。
【解決手段】原料粉を湿式混合しかつ噴霧乾燥して造粒粉を製造する第一工程と、造粒粉を加圧して圧粉体を製造する第二工程と、圧粉体を破砕して成形体用粉末を製造する第三工程と、成形体用粉末を金型中で加圧成形して成形体を製造する第四工程と、成形体を焼成して酸化物焼結体タブレットを製造する方法であって、第二工程の造粒粉に対する加圧条件を５０ＭＰａ以上２００ＭＰａ以下に設定して第三工程で得られる成形体用粉末のタップ密度が理論密度の２５％以上４５％以下となるように調整し、かつ第四工程において上記タップ密度に調整された金型中の成形体用粉末に対する加圧条件を５０ＭＰａ以上２００ＭＰａ以下に設定して所定形状の成形体を製造することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】成膜時にスプラッシュ現象などが発生せず、放電を安定させることができ、しかも機械的強度が高く、自動搬送時などに破損しにくい酸化亜鉛系焼結体タブレットを提供する。
【解決手段】常圧焼結体タブレットを、圧力１×１０^-3Ｐａ以下の真空中にて、９００℃〜１３００℃の温度で還元処理することにより、その相対密度が５０〜７０％でありながら、圧縮強さが１５０ＭＰａ以上であり、かつ、表面と内部における比抵抗がそれぞれ１×１０²Ω・ｃｍ以下、特にガリウムを含む酸化亜鉛系焼結体タブレットにおいては１×１０^-2Ω・ｃｍ以下であって、表面と内部の酸化亜鉛濃度差が０．５質量％以下である構造を実現する。 （もっと読む）

【課題】優れた酸素分離性能を備えた酸素分離膜材を容易に且つ安定的に製造する方法を提供すること。
【解決手段】本発明により所定の元素組成のペロブスカイト型酸化物相と金属酸化物相とが共存した混合相を含む酸素分離膜材の製造方法が提供される。かかる方法では、上記ペロブスカイト型酸化物を生成するための複数の金属化合物からなる出発原料粉末を用いる。出発原料粉末を構成する少なくとも一つの金属化合物は、上記ペロブスカイト型酸化物を構成する金属元素のうちの少なくとも１種を構成元素として有する金属酸化物相形成用金属化合物であり、出発原料粉末は、金属酸化物相形成用金属化合物の構成元素である金属元素の含有比率が上記ペロブスカイト型酸化物における上記金属元素の組成比よりも過剰となるような配合比で金属酸化物相形成用金属化合物をその他の金属化合物に配合することにより調製される。 （もっと読む）

【課題】特性向上の要因となりうる熱膨張係数、キュリー点等、新たな指標ないし項目を見出し、それらに基づいて、電気的特性を向上させた圧電／電歪セラミックス焼結体を提供する。
【解決手段】マトリックスとフィラーが、それぞれ、Ｌｉ、Ｎａ及びＫからなる群より選択される少なくとも一種の元素をＡサイト構成元素として含むとともに、ＮｂをＢサイト構成元素として含むペロブスカイト型酸化物を主結晶相とする、多数の粒子が相互に結合した第一のニオブ酸アルカリ系圧電／電歪材料及び第二のニオブ酸アルカリ系圧電／電歪材料で構成されており、第二のニオブ酸アルカリ系圧電／電歪材料の熱膨張係数が、第一のニオブ酸アルカリ系圧電／電歪材料に比して低く、マトリックスとフィラーの合計に対する、フィラーの体積分率が、０．５体積％以上、４５体積％以下である圧電／電歪セラミックス焼結体である。 （もっと読む）

【課題】誘電率が高く、誘電率の温度安定性が高いセラミックス材料、及びそれを用いたキャパシタを提供すること。
【解決手段】式（１）で表され、ペロブスカイト構造を有するセラミックス材料。
式（１）（１−ｘ）Ａ₁Ｂ₁Ｏ₃−ｘＡ₂Ｂ₂Ｏ₃
前記式（１）において、ｘは０を超え、１未満の実数であり、Ａ₁、Ｂ₁、Ａ₂、及びＢ₂は、それぞれ、Ｐｂ及びアルカリ金属以外の金属Ｍ、又は２種以上の前記金属Ｍの組み合わせであり、Ａ₁、Ｂ₁、Ａ₂、及びＢ₂の価数は、それぞれ、２価、４価、３価、及び３価である。 （もっと読む）

【課題】シリコン半導体および化合物半導体などを製造する装置内で高い耐プラズマ性を要求される部品に好適なフッ化物焼結体の製造方法を提供する。
【解決手段】高純度CaF₂粉末に高純度MgF₂粉末を１〜５wt.％混合し、さらに焼結助剤を０．１〜１wt.％添加して混合する工程、金型及びプレス成形機を用いてプレス圧０．２MPa/cm²以上で成形する工程、その成形品を大気雰囲気中で６００〜７００℃に加熱して仮焼結を行う工程、大気雰囲気中で１２５０〜１３７０℃の温度範囲で６〜１２時間加熱して緻密な構造のCaF₂−MgF₂二元系焼結体を形成する工程、を含むフッ化物焼結体の製造方法とする。 （もっと読む）

【課題】高い屈折率とともに高い発光効率を有する透光性セラミックを提供する。
【解決手段】透光性セラミックは、組成式Ｂａ｛Ｚｒ_ｘ，Ｍｇ_ｙ，Ｔａ_ｚ｝_ｖＯ_３で表される化合物を主成分とし、この主成分に対して、副成分としてＮｄＯ_１．５がαモル部（ただし、αは０．００２≦α≦０．０２を満たす）添加されている（ただし、ｘ、ｙ、ｚ、ｖは、すべてモル比を示し、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１、３．９８０−α≦４ｘ＋２ｙ＋５ｚ≦４．０００、１．０００（１＋α）≦ｖ≦１．０５０（１＋α）、０．１２５≦ｘ≦０．４００をそれぞれ満たす）。 （もっと読む）

所定のアルカリ金属イオンおよび一価の金属イオンに対する低温での高いイオン伝導度、金属イオンの高い選択性、良好な電流効率、並びに静的及び電気機械的条件下における水及び腐食性媒体中での安定性の特徴を有する金属イオン伝導性セラミック材料が開示される。金属イオン伝導性セラミック材料は、金属イオンが欠損するように製造される。金属イオン伝導性セラミック材料の１つの一般式は、Ｍｅ_{１＋ｘ＋ｙ−ｚ}Ｍ^ＩＩＩ_ｙＭ^ＩＶ_２−ｙＳｉ_ｘＰ_３−ｘＯ_{１２−ｚ／２}であり、ここで、ＭｅはＮａ^＋、Ｌｉ^＋、Ｋ^＋、Ｒｂ^＋、Ｃｓ^＋、Ａｇ^＋、あるいはそれらの混合物であり、２．０≦ｘ≦２．４、０．０≦ｙ≦１．０および０．０５≦ｚ≦０．９であって、ここで、Ｍ^ＩＩＩはＡｌ^３＋、Ｇａ^３＋、Ｃｒ^３＋、Ｓｃ^３＋、Ｆｅ^３＋、Ｉｎ^３＋、Ｙｂ^３＋、Ｙ^３＋またはそれらの混合物であり、Ｍ^ＩＶはＴｉ^４＋、Ｚｒ^４＋、Ｈｆ^４＋、あるいはそれらの混合物である。
（もっと読む）

【課題】 温度によって共振周波数が変化しにくい誘電体セラミックスおよびこれを用いた誘電体共振器が望まれている。
【解決手段】 組成式をαＬａ₂ Ｏ_x ・βＡｌ₂ Ｏ₃ ・γＣａＯ・δＴｉＯ₂（ただし、３≦ｘ≦４）と表した場合に、モル比α，β，γ，δが下記式を満足する成分１００モル部に対して、バリウムの含有量が酸化物換算で０．００１モル部以上０．００９モル部以下であり、かつＣａＴｉＯ_３結晶を含むことを特徴とする誘電体セラミックスとする。
０．１６≦α≦０．２１
０．１６≦β≦０．２２
０．２９≦γ≦０．３６
０．２９≦δ≦０．３７
（ただし、α＋β＋γ＋δ＝１） （もっと読む）

【課題】 キュリー温度が高く、絶縁抵抗性・機械品質係数に優れ、圧電特性に優れたタングステンブロンズ構造の化合物を提供する。
【解決手段】 そのために、下記一般式（１）で表されるタングステンブロンズ構造酸化物を含む化合物。
ｘ（ＢａＢ_２Ｏ_６）−ｙ（ＣａＢ_２Ｏ_６）−ｚ｛（Ｂｉ_１／２Ｃ_１／２）Ｂ_２Ｏ_６｝（式中、ＢはＮｂとＴａのうちの少なくとも１種の元素である。ＣはＮａ、Ｋのうちの少なくとも１種の元素である。ｘ＋ｙ＋ｚ＝１であり、ｘは０．２≦ｘ≦０．８５、ｙは０≦ｙ≦０．５、ｚは０＜ｚ≦０．８の数値を表す。）を提供する。 （もっと読む）

【課題】、有害物であるＰｂを含まず、水溶性のアルカリイオンを含まず、配向した焼結性の良好な圧電材料を提供する。
【解決手段】少なくともＢａ，Ｂｉ，Ｃａ，Ｎｂの金属元素を含み、前記金属元素がモル換算で以下の条件を満たすタングステンブロンズ構造金属酸化物からなり、前記タングステンブロンズ構造金属酸化物がｃ軸配向を有する圧電材料。Ｂａ／Ｎｂ＝ａ：０．３６３＜ａ＜０．３９９、Ｂｉ／Ｎｂ＝ｂ：０．０１１０＜ｂ＜０．０６５０、Ｃａ／Ｎｂ＝ｃ：０．００５＜ｃ＜０．１０５。前記タングステンブロンズ構造金属酸化物が、（１−Ｘ）・Ｃａ_１．４Ｂａ_３．６Ｎｂ_１０Ｏ_３０−Ｘ・Ｂａ_４Ｂｉ_０．６７Ｎｂ_１０Ｏ_３０（０．３０≦ｘ≦０．９５）からなることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】目標とする組成が精度良く得られるホウ素を含有するＺｎＯ系焼結体の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明では、ホウ素を含有するＺｎＯ系焼結体の製造方法において、ホウ素源としてＢ_２Ｏ_３に換えてＨ_３ＢＯ_３を用いる。特にＺｎＯ粉末とＨ_３ＢＯ_３粉末を混合し、仮焼きして得た仮焼き粉末を焼結原料として用いることが好ましい。また、仮焼き粉末の組成は、Ｂ_２Ｏ_３／（ＺｎＯ＋Ｂ_２Ｏ_３）×１００として、０．８〜４５ｍａｓｓ％が好ましく、仮焼き温度は、１００℃以上、５００℃以下とすることが好ましい。また、焼結温度は、９００℃以上、１１５０℃以下とすることが好ましく、焼結雰囲気は、酸素濃度２１ｖｏｌ％以下とすることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】鋳物工場から廃出される鋳物廃砂を利用した蓄熱燃焼装置用ハニカム蓄熱体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】鋳物工場で収集した鋳物廃砂を５００℃〜９００℃の温度で仮焼成する。仮焼成した前記鋳物廃砂に有機バインダー及び分散媒を加えて原料組成物を調製する。押出成形により前記原料組成物からハニカム形状の成形体を成形する。押出成形した前記成形体を乾燥し、この成形体を１０００℃〜１３００℃の温度で本焼成する。こうして、蓄熱燃焼装置用ハニカム蓄熱体を得る。このハニカム蓄熱体は、主たる結晶相として、石英、クリストバライト及びコージェライトの三相を有する。 （もっと読む）

【課題】温度変動による圧電特性の低下を十分に抑制し、優れた圧電特性を維持することが可能な圧電磁器組成物を提供すること。
【解決手段】ペロブスカイト型酸化物を含有する圧電磁器組成物であって、ペロブスカイト型酸化物は、ＡサイトにＮａ、Ｋ、Ｌｉ、Ｂａ及びＳｒ、並びにＢサイトにＮｂ、Ｔａ及びＺｒを有し、−５０〜１５０℃の温度範囲内において結晶相転移をするものであり、結晶相転移に伴う吸熱量が４Ｊ／ｇ以下である圧電磁器組成物。 （もっと読む）

【課題】ドメインエンジニアリングに好適な擬立方晶の表示で｛１１０｝面に配向したＢｉＦｅＯ_３を含有する圧電セラミクスを提供する。
【解決手段】下記一般式（１）で表されるペロブスカイト型の酸化物からなるセラミクスであって、擬立方晶の表示で｛１１０｝面に配向しているセラミクス。


（式中、Ａ及びＢは一種または複数の金属イオンで、Ａは１価、２価または３価の金属イオン、Ｂは３価、４価または５価の金属イオンを表す。ただし、ｘは０．３≦ｘ≦１である。） （もっと読む）