【課題】鉛とアルカリ金属を含まない化合物からなる、圧電性の良い圧電材料を提供する。
【解決手段】鉛とアルカリ金属を含まないＡ_ｘＢ_１０Ｏ_３０とＡ’_ｘ’Ｂ’_１０Ｏ_３０で表されるタングステンブロンズ構造酸化物を組み合わせて、組成相境界を形成した、圧電性の良い圧電材料。前記Ａ_ｘＢ_１０Ｏ_３０はＢａ_４Ｂｉ_２／３Ｎｂ_１０Ｏ_３０で、前記Ａ’_ｘ’Ｂ’_１０Ｏ_３０はＳｒ_３Ｂａ_２Ｎｂ_１０Ｏ_３０であるタングステンブロンズ構造酸化物からなる圧電材料。 （もっと読む）

【課題】高電界印加時の電界誘起歪が大きいニオブ酸アルカリ系の圧電／電歪セラミックス焼結体を提供する。
【解決手段】圧電／電歪セラミックス焼結体は、Ｌｉ，Ｎａ及びＫからなる群より選択される少なくとも１種類の元素をＡサイト構成元素として含み、Ｎｂ及びＴａからなる群より選択される少なくとも１種類の元素をＢサイト構成元素として含むペロブスカイト型酸化物を主結晶相とする。圧電／電歪セラミックス焼結体においては、格子歪層１１２が少ないことが望ましく、第１の格子面のＸ線回折の強度と結晶学的な対称性の低下により第１の格子面とは面間隔が異なる第２の格子面のＸ線回折の強度との合計に対するドメイン壁の近傍に存在する格子歪層による散漫散乱の強度の比である散漫散乱強度比が０．５以下であることが望ましい。 （もっと読む）

【課題】
Ｚｎ_ｘＧａ_ｙＩｎ_ｚＯ_{（ｘ＋３ｙ／２＋３ｚ／２）}薄膜をＤＣスパッタリングで作製可能なようにＩｎとＧａとＺｎと酸素とからなるスパッタリングターゲットの比抵抗を２．０×１０^−２Ω・ｃｍ以下にすること。
【解決手段】スパッタリングターゲットの結晶組織をＩｎ_ｘＯ_３とＺｎ_ｚＧａ_ｙＯ_４との２相にすることにより低抵抗が得られる。該２相組織は１１００℃以上、１２５０℃未満の温度で、還元性雰囲気あるいは実質的に酸素が流入しない閉空間で焼成することにより達成できる。相対密度が９０％を超えるような高密度範囲でも、密度の値に関わりなく安定して２．０×１０^−２Ω・ｃｍ以下の比抵抗が得られる。 （もっと読む）

【課題】低温焼結が可能で、強度が高く、高周波領域における誘電損失が低く、高精度な温度特性の制御が可能なセラミック組成物及びセラミック焼結体を提供する。
【解決手段】（ａ）固相反応法により合成されたディオプサイド結晶粉末と、（ｂ）チタン酸ストロンチウム粉末及び／又はチタン酸カルシウム粉末と、（ｃ）アルカリ化合物、アルカリ土類化合物、ホウ素化合物、遷移金属化合物、リン化合物、亜鉛化合物から選ばれた、リチウム化合物及びホウ素化合物を含む２種以上の化合物の粉末を含有するセラミック組成物を成形し、焼結してセラミック焼結体を得る。 （もっと読む）

【課題】 ガラスセラミック原料の結晶化温度を適正温度に安定して調整できるようにして、ガラスセラミック基板の品質を向上させる。
【解決手段】 ベース原料となるセラミック原料Ａは、ＣａＯ−Ａｌ₂ Ｏ₃−ＳｉＯ₂−Ｂ₂Ｏ₃ 系ガラス粉末とアルミナ粉末との混合物を用いる。このセラミック原料Ａを８００〜１０００℃、好ましくは８７５〜９２５℃で仮焼成し、これを粉砕して仮焼成原料を作製する。このようにして得られた仮焼成原料には、アノーサイトの結晶が多量に析出している。この仮焼成原料を、仮焼成しない元のセラミック原料Ａに添加して混合することで、混合原料の結晶化温度を調整する。この混合原料を用いてガラスセラミック基板を焼成する。 （もっと読む）

【課題】 比誘電率ε_ｒが８〜２０で調整可能であり、Q×ｆｏ値も大きく、さらに共振周波数ｆｏの温度係数τ_ｆの絶対値が３０ｐｐｍ/℃以下で調整が容易な高周波用誘電体磁器組成物を提供する。
【解決手段】 酸化スズ（ＳｎＯ₂）、フォルステライト（Ｍｇ₂ＳｉＯ₄）、ステアタイト（ＭｇＳｉＯ₃）、マグネシウムチタネート（ＭｇＴｉ₂Ｏ₅）からなる誘電体磁器組成物であって、組成式 aＳｎＯ₂−bＭｇ₂ＳｉＯ₄−cＭｇＴｉ₂Ｏ₅−dＭｇＳｉＯ₃で表したときに、前記組成式におけるａ，ｂ，ｃ，ｄ(ただし、ａ、ｂ、ｃ、ｄはモル％である)が、４≦ａ≦３７、２５≦ｂ≦９２、２≦ｃ≦１９、２≦ｄ≦１９、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００の範囲にある高周波用誘電体磁器組成物である。 （もっと読む）

【課題】高温域の検出を可能にする複合温度センサ素子、及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体酸化物ＡＯxと絶縁体酸化物ＢＯxとにより構成される複合焼結体ＡＯx・ＢＯxからなる複合温度センサ素子１である。絶縁体酸化物ＢＯxの焼結体の結晶粒内及び／又は結晶粒界中には焼結助材が分散している。焼結助材は、平均結晶粒径が１．０μｍ以下であることが好ましい。焼結助材は、ＣａＣＯ₃、ＣａＺｒＯ₃、及びＣａＳｉＯ₃のうち少なくとも１種以上であることが好ましい。焼結助材の添加量は、半導体酸化物ＡＯxとマトリックス酸化物ＢＯxとの合計に対して、０．２モル％〜５モル％であることが好ましい。半導体酸化物ＡＯxは、Ａが元素周期律表第２Ａ族及びＬａを除く第３Ａ族、第２Ｂ族、第３Ｂ族、第４Ａ族、第５Ａ族、第６Ａ族、第７Ａ族、及び第８Ａ族の元素から選択される少なくとも１種以上の元素であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】環境に優しく、諸特性に優れた新規な圧電材料を提供する。
【解決手段】圧電材料として、一般式ＡＢＯ₃で示されるペロブスカイト型酸化物を含み、Ａは、ナトリウム（Ｎａ）、カリウム（Ｋ）、およびリチウム（Ｌｉ）を含み、Ｂは、ニオブ（Ｎｂ）、タンタル（Ｔａ），およびアンチモン（Ｓｂ）を含む。また、酸化クロムおよび酸化鉄カルシウムのうちの少なくとも１つを含むことができる。上記組成の仮焼成物を得る仮焼成工程と、少なくとも前記仮焼成物を粉砕し、該仮焼成物および酸化銀又は銀からなる第２原料が混合された混合物を得る工程と、前記混合物をドクターブレード法またはエアゾール法により成形して成形物を得る工程と、前記成形物を本焼成する工程と、を含み、前記第２原料を構成する粒子の平均粒径は、前記混合物の平均粒径よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】 比誘電率が低く作製が容易かつ低コストの低温焼成セラミック組成物を製造することを課題とする。
【解決手段】 目標組成となるように原料粉末を秤量、混合して得られる混合粉末を、前記混合粉末の溶融温度以下の温度で仮焼し、微粉砕して得られた低温焼結化材と、比誘電率が６以下の無機フィラーとの混合比率が、低温焼結化材と無機フィラーの合計に対して１５体積％より大きく４０体積％より小さくなるように混合して作製した粉末を用いることを特徴とするガラスセラミック基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】ヘテロ接合を形成する積層構造を有するダイオード型の紫外線センサにおいて、より高い感度を得る。
【解決手段】ＺｎＯがＮｉＯに固溶してなる酸化物半導体からなる、（Ｎｉ，Ｚｎ）Ｏ層２と、その一方主面の一部を覆うように形成されるものであって、ＺｎＯを含む酸化物半導体からなる、ＺｎＯ層４とを含む積層体５を備え、さらに、（Ｎｉ，Ｚｎ）Ｏ層２に電気的に接続される、第１の端子電極７と、（Ｎｉ，Ｚｎ）Ｏ層２およびＺｎＯ層４の双方に電気的に接続される、第２の端子電極８と、第１の端子電極７に電気的に接続されながら、（Ｎｉ，Ｚｎ）Ｏ層２内に形成される、内部電極９とを備える。積層体５には段差１１が形成され、上記接合部６は、段差１１を生じさせる立ち上がり面１２上に露出している。立ち上がり面１２は傾斜していることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】吸着特性と均熱性と耐絶縁破壊特性に優れるヒータ付き静電チャックの提供。
【解決手段】アルミナを含む焼結体からなる基体２と、基体２中の上部側に設けられたESC電極３と、基体中の下部側に埋設された抵抗発熱体４とを備えているヒータ付き静電チャック１の基体２は、ESC電極３から基体２の上面２ａまでの誘電体層２１と、ESC電極３から基体２の下面２ｂまでの支持部材２２とから構成されている。支持部材２２は、誘電体層２１と接するESC電極近傍領域２２ａと、このESC電極近傍領域２２ａよりも下方の下方領域２２ｂとで炭素含有量が相違し、誘電体層２１中の炭素含有量が１００ｗｔｐｐｍ以下、ESC電極近傍領域２２ａの炭素含有量が、０．１３ｗｔ％以下、下方領域２２ｂの炭素含有量が０．０３ｗｔ％以上であり、このESC電極近傍領域の炭素含有量が下方領域の炭素含有量よりも小さい。抵抗発熱体４はニオブ又は白金を含む。 （もっと読む）

【課題】ガラス成分の含有量を比較的に減らしつつ、低温（たとえば９５０℃以下）での焼結を可能とし、しかも良好な特性（比誘電率、ｆ・Ｑ値、絶縁抵抗）を示し、異材質同時焼成をも可能とする誘電体磁器組成物を提供すること。
【解決手段】主成分として、Ｚｎの酸化物単独ならびにＭｇの酸化物およびＺｎの酸化物から選ばれる１つと、Ｃｕの酸化物と、Ｓｉの酸化物と、副成分として、Ｓｉの酸化物、Ｚｎの酸化物、Ｂａの酸化物、Ｃａの酸化物、Ｓｒの酸化物およびＬｉの酸化物から選ばれる少なくとも１つと、Ｂの酸化物と、を含み、ガラス軟化点が７５０℃以下であるガラス成分と、を含有し、前記ガラス成分の含有量が、前記主成分１００重量％に対して、１．５〜１５重量％である誘電体磁器組成物。 （もっと読む）

【課題】圧電セラミック層における結晶配向セラミクスの配向度が高く、優れた変位性能を示すことができ、内部電極の形成率の低下を抑制できる積層型圧電素子及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】等方性ペロブスカイト型化合物を主相とする多結晶体からなり、これを構成する結晶粒の結晶面｛１００｝面が配向する結晶配向セラミックスよりなる圧電セラミック層と、内部電極を構成する電極部を含む電極配設層とを複数交互に積層してなる積層型圧電素子及びその製造方法である。圧電セラミック層は、一般式（１）[Ａｇ_h{Ｌｉ_x(Ｋ_1-yＮａ_y)_1-x}_1-h]_j(Ｎｂ_1-z-wＴａ_zＳｂ_w)Ｏ_3-k（但し、０≦ｘ≦０．２、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦０．４、０≦ｗ≦０．２、ｘ＋ｚ＋ｗ＞０、０＜ｈ≦０．０５、０．９４≦ｊ≦１、０≦ｋ≦０．５）で表される上記等方性ペロブスカイト型化合物を主相とする上記結晶配向セラミックスからなる。 （もっと読む）

【課題】緻密性に優れ、配向度が高く、位相及びボイドの発生を抑制することができる結晶配向セラミックスの製造方法を提供すること。
【解決手段】混合工程と成形工程と焼成工程とを行うことにより、結晶配向セラミックスの製造方法である。混合工程においては、異方形状粉末と反応原料粉末とを混合することにより原料混合物を作製する。成形工程においては、原料混合物を成形して成形体を作製する。焼成工程においては、成形体を加熱することにより、結晶配向セラミックスを得る。異方形状粉末としては、特定組成のビスマス層状ペロブスカイト型化合物粉末の酸処理体を採用する。反応原料粉末は、一般式（３）{Ｌｉ_s(Ｋ_1-tＮａ_t)_1-s}_b(Ｎｂ_1-u-vＴａ_uＳｂ_v)Ｏ₃（但し、０≦ｓ≦１、０≦ｔ≦１、０≦ｕ≦１、０≦ｖ≦１、ｕ＋ｖ＜１、１．００７≦ｂ≦１．１）で表される等方性ペロブスカイト型化合物からなる。 （もっと読む）

【課題】金属酸化物に比べて安価な金属水酸化物を原料に用いて緻密な酸化物セラミックスの製造方法を提供する。
【解決手段】本酸化物セラミックスの製造方法は、金属水酸化物を主成分として含む原料粉末を仮成形して仮成形体を得る第１工程Ｓ１と、仮成形体を加熱して、仮成形体中の金属水酸化物を金属酸化物に転化させて酸化物転化体を得る第２工程Ｓ２と、第１工程における仮成形圧力よりも高い圧力で、酸化物転化体を熱間鍛造して成形体を得る第３工程Ｓ３と、成形体を焼結して焼結体を得る第４工程Ｓ４と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）スパッタリングターゲットの製造方法を提供する。
【解決手段】 インジウムとスズの水酸化物を共沈殿させ、塩化物イオンの存在下でか焼し、得られた酸化物粉末を、分散剤、バインダー、特別の密度増加剤とともに水性の泥漿を調製し、その泥漿を特別に表面コートされた多孔質鋳型に鋳込み成形により注入し、その後得られたターゲット体をか焼して高密度ＩＴＯターゲットとする。 （もっと読む）

【課題】 直径１０ｍｍ、厚み５ｍｍのサイズの成形体を焼成して得られた焼結体からなる試料において、誘電体磁器のサイズが大きい場合でも、優れた誘電特性を有する誘電体磁器が要求されており、この要求を満たすことができるか不明であった。
【解決手段】 誘電体磁器４内部のＡｌをＡｌ_２Ｏ_３換算で０．００７質量％以下（ゼロを含まず。）含有し、内部におけるＡｌの濃度を１としたとき、誘電体磁器４の表面近傍におけるＡｌの濃度の比が０．５〜２であり、かつ平均気孔径が８μｍ以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 太陽電池の発電効率を高めるために光吸収膜の上にスパッタリング法で製膜される透明導電膜の近赤外波長域に至るまでの光透過率を高めることが可能なスパッタリングターゲットを提供すること。
【解決手段】 亜鉛に対して０．１ａｔ％から２０ａｔ％の正三価以上の元素の一種または二種以上を加えて第一の焼結をした酸化物１００重量部に対して５〜２０重量部の金属亜鉛を加えて、７００〜１１００℃の温度範囲で第二の焼結を行い、所定の加工を施してスパッタリングターゲットを得る。該スパッタリングターゲットは金属亜鉛が酸化物相に固溶していない混晶組織からなり、該スパッタリングターゲットを用いてスパッタリングすることにより単一酸化物相の透明導電膜が得られ、６００ｎｍ以上の波長域で光透過率を高めることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】高電界印加時の電界誘起歪が大きい（Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ）（Ｎｂ，Ｔａ）Ｏ₃系の圧電／電歪磁器組成物を提供する。
【解決手段】Ａサイト元素としてＬｉ（リチウム），Ｎａ（ナトリウム）及びＫ（カリウム）を含み、Ｂサイト元素としてＮｂ（ニオブ）及びＴａ（タンタル）のうちの少なくともＮｂを含み、Ｂサイト元素の総原子数に対するＡサイト元素の総原子数の比が１より大きいペロブスカイト型酸化物を合成した後にＢｉ（ビスマス）化合物を添加して反応させる。ペロブスカイト型酸化物１００モル部に対するＢｉ化合物の添加量は、Ｂｉ原子換算で０．０１モル部以上０．１モル部以下であることが望ましい。 （もっと読む）

【課題】この酸化亜鉛焼結体をスパッタリングターゲットに用いて抵抗率が低く、かつ耐候性の高い電極を得る。
【解決手段】この電極の耐候性として、６０℃で９０％ＲＨの湿度下に晒した場合の、抵抗率の変化を測定した。前記と同様のスパッタリングターゲットを用いた場合の（ａ）膜厚が２００ｎｍの場合、（ｂ）膜厚が１００ｎｍの場合と、（ｃ）ＣｅＯ_２添加が無い場合で膜厚が１００ｎｍの場合、の３種類についての測定結果を図６に示す。初期値は６〜７×１０^−４Ω・ｃｍ程度であり、充分に小さいが、ＣｅＯ_２が無添加の場合（ｃ）には、徐々に抵抗率が上昇し、２００時間経過後には２０Ω・ｃｍ以上にまで上昇する。これに対して、ＣｅＯ_２が添加された（ａ）（ｂ）の場合にはその上昇は大きく抑制され、特に膜厚が２００ｎｍの場合には１０００時間経過後にも１０^−３Ω・ｃｍ以下の小さな抵抗率が維持されている。 （もっと読む）