【目的】ＰＺＴ関連系の複合圧電体のペロブスカイト単相であり、焼結助剤を使用することなく、十分低温で焼結できる仮焼粉末を１回の仮焼で得る。
【構成】ＰＺＴ系の複合圧電体の原料粉末をあらかじめ十分に微粉砕することによって、ペロブスカイト単相であり、焼結助剤を使用することなく、十分低温で焼結できる仮焼粉末を１回の仮焼で得られる。その結果、高密度で高い圧電特性を有する圧電体が低温での焼結で得られる。 （もっと読む）

【課題】高電界印加時の電界誘起歪を増加させたニオブ酸アルカリ系の圧電／電歪セラミックス焼結体を提供する。
【解決手段】圧電／電歪セラミックス焼結体は、組成が異なる母相と添加材相とが共存し母相の中に添加材相が分散した微構造を有する。母相単体の残留歪率よりも添加材相単体の残留歪率が大きい。母相及び添加材相は、一般式｛Ｌｉ_y（Ｎａ_1-xＫ_x）_1-y｝_a（Ｎｂ_1-z-wＴａ_zＳｂ_w）Ｏ₃であらわされ、０．９≦ａ≦１．２，０．２≦ｘ≦０．８，０．０≦ｙ≦０．２，０≦ｚ≦０．５及び０≦ｗ≦０．１を満たす１００モル部の組成物に、０モル部以上３モル部以下のＭｎ原子を含有するＭｎ化合物と、０モル部以上１モル部以下のＣａ原子を含有するＣａ化合物と、を含有させた組成を有する。母相の構成元素と添加材相の構成元素とを比較した場合に共通しない元素が０種類又は１種類である。 （もっと読む）

【課題】高い雷サージ耐量性能を有する酸化亜鉛バリスタおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】酸化亜鉛（ＺｎＯ）１００ｍｏｌ％に対して、酸化アンチモン（Ｓｂ₂Ｏ₃）２．５〜５．０ｍｏｌ％と、アルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）０．０５〜０．１５ｍｏｌ％とを添加し、さらに酸化コバルト（ＣｏＯ）と二酸化マンガン（ＭｎＯ₂）をそれぞれ２．０〜６．０ｍｏｌ％添加してなるバリスタ組成物により酸化亜鉛バリスタを作製する。 （もっと読む）

【課題】高電界印加時の電界誘起歪を増加させたニオブ酸アルカリ系の圧電／電歪セラミックス焼結体を提供する。
【解決手段】圧電／電歪セラミックス焼結体は、組成が異なる母相と添加材相とが共存し母相の中に添加材相が分散した微構造を有する。母相単体の残留歪率よりも添加材相単体の残留歪率が大きい。母相及び添加材相は、一般式｛Ｌｉ_y（Ｎａ_1-xＫ_x）_1-y｝_a（Ｎｂ_1-z-wＴａ_zＳｂ_w）Ｏ₃であらわされ、０．９≦ａ≦１．２，０．２≦ｘ≦０．８，０．０≦ｙ≦０．２，０≦ｚ≦０．５及び０≦ｗ≦０．１を満たす１００モル部の組成物に、０モル部以上３モル部以下のＭｎ原子を含有するＭｎ化合物と、０モル部以上１モル部以下のＢａ原子を含有するＢａ化合物と、を含有させた組成を有する。母相の構成元素と添加材相の構成元素とを比較した場合に共通しない元素が０種類又は１種類である。 （もっと読む）

【課題】粒径が小さく、かつ、粒径のバラツキが少ない誘電体層の薄層化に適した誘電体セラミックス材料の製造方法を提供する。
【解決手段】炭酸バリウムと二酸化チタンとを固相反応により反応させて誘電体セラミックス材料を製造する方法であって、炭酸バリウム粉末及び二酸化チタン粉末を含有する混合粉末を有機溶媒中で粉砕混合する粉砕混合工程と、粉砕混合した前記混合粉末を焼成してチタン酸バリウム系化合物の粉末を得る仮焼工程とを備えているようにした。 （もっと読む）

【課題】緻密化焼成温度範囲を広げるとともに、本来のコ一ジライト質セラミックスよりも低熱膨張、高強度および低吸水率な耐熱衝撃性セラミックスを得るものである。
【解決手段】主たる結晶相がコージェライト相であるコージライト質セラミックスに、さらに酸化物換算で酸化チタンおよび酸化イットリウムの少なくとも一方を０．５質量％以上１０質量％以下、ならびに酸化リチウムを０．５質量％以上７質量％以下の範囲で添加したものである。 （もっと読む）

本発明は、銅内電極積層セラミックコンデンサの作製に用いられることができる銅内電極と整合する１種の耐還元性高周波低温焼結セラミック媒体材料を開示する。主結晶相と、改質添加剤と、焼結フラックスとから組成され、主結晶相の構造式がＭｇ_ｘＢａ_{（１−ｘ）}Ｚｒ_ｙＳｉ_{（１−ｙ）}Ｏ_３で、そのうち、０．８≦ｘ≦０．９５、０．０５≦ｙ≦０．２で、前記改質添加剤がＭｎＯ_２、ＣａＯ、Ｌｉ_２Ｏ、Ｂｉ_２Ｏ_３、ＴｉＯ_２のうちの１種または複数種で、前記焼結フラックスがＢ_２Ｏ_３、ＳｉＯ_２、ＺｎＯ、ＣｕＯ、Ｋ_２Ｏ、ＢａＯのうちの１種または複数種である。前記セラミック媒体材料はＥＩＡ標準のＣＯＧ特性を満足し、且つ材料は均一で、粒度分布が均一で、分散性が高く、成型プロセスが良い特徴を備え、環境保全の要求を満足し、誘電特性が優良である。 （もっと読む）

【課題】長期に渡る成膜を行った際に、得られる薄膜の特性の安定性に優れたスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】Ｉｎ、Ｚｎ、及びＧａを含み、表面と内部の化合物の結晶型が実質的に同一である酸化物焼結体からなり、下記（ａ）〜（ｅ）の工程で製作されたスパッタリングターゲット。（ａ）原料化合物粉末を混合し、調製（ｂ）混合物６．０ｍｍ以上に成形（ｃ）３℃／分以下で昇温（ｄ）１２８０〜１５２０℃で２〜９６時間（ｅ）表面を０．２５ｍｍ以上研削 （もっと読む）

【課題】還元処理を行わなくても比抵抗が低い、酸化物半導体膜形成用のターゲットを提供する。
【解決手段】Ｉｎ，Ｇａ及びＺｎを含み、周囲よりもＩｎの含有量が多い組織と、周囲よりもＧａ及びＺｎの含有量が多い組織を備えている酸化物焼結体からなるスパッタリングターゲット。さらにＩｎ、Ｇａ及びＺｎの原子比が下記の式を満たす、酸化物焼結体からなるスパッタリングターゲット。０．２０≦Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ）≦０．７００．０１≦Ｇａ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ）≦０．５００．０５≦Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ）≦０．６０ （もっと読む）

【課題】高さ寸法が比較的高くかつ相対密度が抑制された酸化亜鉛系酸化物ペレットを歩留まりよく量産可能な製造方法を提供する。
【解決手段】原料粉を湿式混合かつ噴霧乾燥して第一造粒粉を製造する第一工程、第一造粒粉を仮焼して仮焼粉を製造する第二工程、仮焼粉と未仮焼原料粉を湿式混合かつ噴霧乾燥して第二造粒粉を製造する第三工程、第二造粒粉を加圧して圧粉体を製造する第四工程、圧粉体を破砕して成形体用粉末を製造する第五工程、成形体用粉末を加圧成形して成形体を製造する第六工程、成形体を焼成して酸化亜鉛系酸化物ペレットを製造する方法であって、第四工程の第二造粒粉に対する加圧条件を50MPa以上150MPa以下に設定して第五工程で製造される成形体用粉末の嵩密度が1.4g/cm³以上2.0g/cm³以下となるようにし、第六工程の成形体用粉末に対する加圧条件が100MPa以上200MPa以下とすることを特徴とする。 （もっと読む）

本発明は、酸化スズを主要構成要素として有し、１種類が酸化アンチモンである少なくとも２種類の別の酸化物０．５から１５ｗｔ％を有するセラミック体を含むスパッタリングターゲットを記述する。ターゲットは、理論密度（ＴＤ）の少なくとも９０％、好ましくは少なくとも９５％の密度を有し、５０Ω・ｃｍ未満の電気抵抗率を有する。ターゲットは、平面または回転構造を有し、スパッタリング面積が少なくとも１０ｃｍ^２、好ましくは少なくとも２０ｃｍ^２である。このスパッタリングターゲットを製造するプロセスであって、酸化スズと少なくとも２種類の別の酸化物とを含むスラリーを用意するステップ、スラリーから未焼成体を成形し、未焼成体を乾燥させるステップ、未焼成体を１０５０から１２５０℃の温度で焼成し、それによって予備成形ターゲットを得るステップ、および予備成形ターゲットを粉砕してその最終寸法にするステップを含むプロセスも記述する。 （もっと読む）

【解決手段】走査型電子顕微鏡を用いて倍率１０００倍で観察して得られた組織画像の中から任意に２０μｍ×２０μｍの領域を３０個選択し、波長分散型電子線マイクロアナライザーにて各領域におけるＩｎおよびＳｎの質量組成（質量％）を分析し、Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ）比を求め、この比から換算して得られた３０個のＳｎＯ₂組成の平均である平均
組成ｘと、前記３０個のＳｎＯ₂組成の標準偏差σとが、２≦ｘ／σ≦６の関係を満足す
ることを特徴とするＩＴＯスパッタリングターゲット。
【効果】本発明のＩＴＯスパッタリングターゲットは、圧縮強さが大きく、高パワーを負荷してスパッタリングを行っても割れが発生することが少なく、アーキングおよびノジュールの発生も抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】比抵抗が非常に低く、耐湿熱性試験後の比抵抗の変化率が極めて小さくて耐湿熱性に優れた酸化亜鉛系薄膜製造用のイオンプレーティング用ターゲット及びこれを用いて製造した透明導電性酸化亜鉛系薄膜を提供する。
【解決手段】酸化亜鉛にガリウムおよびインジウムを含有させた焼結体からなる透明導電性酸化亜鉛系薄膜製造用のイオンプレーティング用ターゲット及びこれを用いて製造した透明導電性酸化亜鉛系薄膜であって、ガリウム元素とインジウム元素の質量比率（Ｉｎ／Ｇａ）は０．０１以上０．６以下、且つ、ウルツ鉱型単一相の結晶構造を有するものであり、透明導電性薄膜は、耐湿熱性を損なう原因となる格子間亜鉛及び亜鉛欠損を減少させ、可視光に対する吸収係数αを小さくし、吸収係数が極小となる波長領域を視感度に有効な５００〜６００ｎｍにシフトさせたものである。 （もっと読む）

【課題】リチウム二次電池の固体電解質材料等として使用可能な程度の緻密度やＬｉイオン伝導度を示すことのできるセラミックス材料を提供する。
【解決手段】Ｌｉ、Ｌａ、Ｚｒ、Ｎｂ及び／又はＴａ、並びにＯを含有し、ガーネット型又はガーネット型類似の結晶構造を有する、セラミックス材料を用いる。 （もっと読む）

【課題】短時間で、セラミック焼結体の焼結密度を求めることが可能であるとともに、セラミック焼結体のサイズが非常に小さい場合や、セラミック焼結体が、セラミック以外の材料からなる部材、例えば内部導体などを備えている場合にも焼結密度を効率よく測定することが可能なセラミック焼結体の焼結密度の測定方法を提供する。
【解決手段】(ａ)開気孔を有し、焼結密度を測定する対象である被検試料と組成が同じで、焼結密度が判明しているセラミック焼結体を用意し、その比表面積をＢＥＴ法により測定して、焼結密度と比表面積との関係を表す検量線を作成するとともに、(ｂ)被検試料である、開気孔を含むセラミック焼結体の比表面積をＢＥＴ法により測定し、(ｃ)前記検量線を用いて、前記被検試料の焼結密度を求める。
上記方法により、セラミック以外の材料からなる部材、例えば、内部導体を備えたセラミック焼結体の焼結密度を測定する。 （もっと読む）

【課題】ノジュールの発生を抑制できる導電性酸化物を提供する。
【解決手段】導電性酸化物は、結晶質の導電性酸化物であって、インジウム、ガリウム、亜鉛、酸素および窒素を含み、窒素の濃度が７×１０¹⁹（ａｔｏｍ／ｃｃ）以上であることを特徴とする。インジウムの濃度とガリウムの濃度と亜鉛の濃度との合計の濃度に対するインジウムの濃度の比が０．３以上０．６以下であることが好ましい。導電性酸化物は、スパッタリング法のターゲットに用いることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】アルミニウム（ＩＩＩ）含有の熱蛍光板状体、及びこの熱蛍光板状体を利用することによって、放射線の３次元線量分布を取得することが可能である熱蛍光積層体を簡易に製造する。
【解決手段】まず、四ホウ酸リチウム、酸化マンガン（ＩＶ）、及び酸化アルミニウムの各成分を混合して第１混合体を形成する。次に、この第１混合体を熱処理することによって第１焼結体を形成し、この第１焼結体を粉砕して粉砕体にする。次に、第１混合体の各成分と同一の成分を粉砕体に最混入させずに、この粉砕体を平板状に圧迫成型することによって板状体を形成する。次に、この板状体を熱処理することによって、第２焼結体としての熱蛍光板状体を形成する。 （もっと読む）

【課題】高い屈折率とともに高い発光効率を有する透光性セラミックを提供する。
【解決手段】 ペロブスカイト型化合物ＡＢＯ₃（ただし、ＡはＢａを含む）を主成分とし、希土類元素Ｒ（ＲはＣｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂから選ばれる少なくとも一種）を含む組成を有する透光性セラミックであり、希土類元素ＲがＡサイトに含まれる。 （もっと読む）

【課題】鉛を含むものにおいて、多面体形状の結晶粒子をより容易に作製する。
【解決手段】本発明の結晶粒子の製造方法は、リチウムとホウ素とを含む添加材料と鉛を含む材料とを混合した混合材料を作製する混合工程と、混合材料を所定の焼成温度で焼成することにより多面体形状の結晶粒子を生成させる第１焼成工程と、を含むものである。また、混合工程のあと、混合材料によって構成される成形体を作製する成形工程を含むものとしてもよく、焼成工程のあと、焼成後の仮焼体を解砕して結晶粒子を得るものとしてもよい。この結晶粒子を基体上に固着させることにより、結晶方位を所定方向に揃えたテンプレート層を準備し、リチウムとホウ素とを含む添加材料と鉛を含む材料とを混合した混合材料によって構成されるマトリックス層をテンプレート層上に形成し、これを焼成して結晶配向セラミックスを製造することができる。 （もっと読む）

【課題】酸化亜鉛バリスタを製造するためのプロセスを提供すること。
【解決手段】ドープした酸化亜鉛と高インピーダンス焼結材料を所定の比率でよく混合し、次いでこれを使用して低温の焼結（９００℃未満）によって従来技術により酸化亜鉛バリスタを作製することができるように、酸化亜鉛へのドーピングおよび酸化亜鉛粒子の高インピーダンス焼結材料との焼結を２つの独立した処理手順によって実施する。得られた酸化亜鉛バリスタは、内部電極として純銀を使用することができ、バリスタ特性、サーミスタ特性、キャパシタ特性、インダクタ特性、圧電性および磁性のうちの１つまたは複数を特に有する。 （もっと読む）