【課題】光情報記録媒体の特性の向上及び生産性を大幅に改善するスパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】酸化錫相（１１０）のピーク強度Ｉ１と酸化錫以外の酸化物あるいは複合酸化物相のＸ線回折図における２θ＝１５〜４０°の範囲に存在する最大ピーク強度Ｉ２がＩ２／Ｉ１＝０.１〜１であることを特徴とする酸化錫と酸化亜鉛と３価以上の元素の酸化物を主成分としたスパッタリングターゲット。硫化物を含まない酸化錫粉、酸化亜鉛粉、及び３価以上の元素の酸化物粉を混合して８００〜１３００℃で仮焼し、粉砕、造粒処理を経て加圧成形を行った後、焼結して製造することを特徴とするスパッタリングターゲットの製造方法。 （もっと読む）

【課題】スパッタリングよる酸化物半導体膜の堆積速度の向上と堆積された酸化物半導体膜のエッチング速度の向上を可能にするターゲットとしての導電性酸化物を提供する。
【解決手段】導電性酸化物は、結晶質Ｉｎ_２Ｇａ_{２（１−ｍ）}Ｚｎ_１−ｑＯ_７−ｐ（０≦ｍ＜１、０≦ｑ＜１、０≦ｐ≦３ｍ＋ｑ）と結晶質Ｇａ_２ＺｎＯ_４とを含む。 （もっと読む）

【課題】比抵抗が低く、かつ、光の透過率が高い薄膜を形成することができるＩＧＺＯ焼結体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ系複合酸化物焼結体は、ＺｎＧａＯ_2.5結晶で形成される第１相と、ＩｎＧａＯ₃結晶で形成される第２相と、Ｉｎ₂Ｏ₃結晶で形成される第３相とを含み、焼結体の任意の断面における全ての相に対する第１相、第２相および第３相の合計の相面積比率が７０％以上１００％以下である。本Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ系複合酸化物焼結体の製造方法は、ＺｎＯ粉末とＧａ₂Ｏ₃粉末とを混合して第１混合物を調製し、第１混合物を１１５０℃以上１３００℃以下で仮焼してＺｎＧａＯ_2.5を含む粉末を形成し、ＺｎＧａＯ_2.5を含む粉末とＧａ₂Ｏ₃粉末とＩｎ₂Ｏ₃粉末とを混合して第２混合物を調製し、第２混合物を焼結する方法である。 （もっと読む）

【課題】ターゲットの導電性酸化物の熱伝導率を向上させることによって、そのターゲットの厚さの増大を可能にして寿命を増大させ、またそのターゲットを用いることによって、スパッタリング堆積された酸化物半導体膜のエッチング速度の向上を可能にする。
【解決手段】導電性酸化物は、結晶質Ｉｎ_２Ｇａ_{２（１−ｍ）}Ｚｎ_１−ｑＯ_７−ｐ（０≦ｍ＜１、０≦ｑ＜１、０≦ｐ≦３ｍ＋ｑ）と結晶質Ｇａ_２ＺｎＯ_４とを含み、粉末Ｘ線回折法を適用したときに、最大の回折強度を有するａピークの回折角２θが２９．００°以上３０．７５°以下の範囲内にあり、かつ第２位の回折強度を有するｂピークの回折角２θが３３．００°以上３６．００°以下の範囲内にあり、そしてａピークに対するｂピークの回折強度比Ｉｂ／Ｉａが０．１以上１．０以下であることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】圧電定数の大きな圧電磁器およびそれを用いた圧電素子の提供。
【解決手段】組成式を（１−α−β）｛（Ｋ_１−ｘＮａ_ｘ）_１−ｙＬｉ_ｙ｝ＮｂＯ_３＋αＢｉ（Ｍｇ_２／３Ｎｂ_１／３）Ｏ_３＋βＢａ（Ｍｇ_１／３Ｎｂ_２／３）Ｏ_３と表したとき、０．４６≦ｘ≦０．５６、０．０４５≦ｙ≦０．０６０であるとともに、αおよびβを（α、β）と表したとき、αおよびβが、点Ａ（０．０００５、０）、点Ｂ（０．００５、０）、点Ｃ（０．００５、０．００５）、点Ｄ（０、０．０１２５）および点Ｅ（０、０．００１）を結ぶ範囲内である成分１００質量部に対して、ＭｎをＭｎＯ_２換算で０．０１〜０．５質量部含有する圧電磁器を用いる。 （もっと読む）

【課題】比抵抗が低く、かつ、光の透過率が高い薄膜を形成することができるＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ系複合酸化物焼結体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ系複合酸化物焼結体は、ＺｎＧａ₂Ｏ₄結晶で形成される第１相と、Ｉｎ₂Ｏ₃結晶で形成される第２相とを含み、焼結体の任意の断面における全ての相に対する第１相および第２相の合計の相面積比率が７０％以上１００％以下である。また、本Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ系複合酸化物焼結体の製造方法は、ＺｎＯ粉末とＧａ₂Ｏ₃粉末とを混合して第１混合物を調製する第１混合工程と、第１混合物を８００℃以上１３００℃以下で仮焼してＺｎＧａ₂Ｏ₄を含む粉末を形成する仮焼工程と、ＺｎＧａ₂Ｏ₄を含む粉末とＩｎ₂Ｏ₃粉末とを混合して第２混合物を調製する第２混合工程と、第２混合物を焼結する焼結工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】ゼロ膨張係数で、高強度、低誘電率の、低温で焼結したβ−ユ−クリプタイトセラミックスを提供する。
【解決手段】β−ユ−クリプタイトセラミックスの組成の原料粉末を十分混合し、低温で仮焼して、焼結助剤を加えると共に、微粉砕することによって、ゼロ膨張係数で、高強度、低誘電率のβ−ユ−クリプタイトセラミックス焼結体。 （もっと読む）

【課題】導電性酸化物焼結体に含まれる結晶相の種類や量の制御を容易化し得る導電性酸化物焼結体の製造方法を提供する。
【解決手段】Ｉｎ、ＧａおよびＺｎを含む導電性酸化物焼結体を製造する方法は、酸化亜鉛と酸化ガリウムの混合物を調製した後に仮焼することによってＧａ_２ＺｎＯ_４粉体を形成する工程を含む。この仮焼の後には、Ｇａ_２ＺｎＯ_４粉体とＩｎおよびＯを含む粉体とを混合または粉砕混合して第２の混合物を調製し、この第２の混合物の成形体を作製し、そしてこの成形体を焼結する工程をさらに含むことが好ましい。 （もっと読む）

【課題】比較的低い温度での焼成でも安定して焼成可能な大きな結晶粒子を含む圧電磁器およびそれを用いた圧電素子を提供する。
【解決手段】組成式を（１−α）｛（Ｋ_１−ｘＮａ_ｘ）_１−ｙＬｉ_ｙ｝ＮｂＯ_３＋αＢｉ（Ｍｇ_２／３Ｎｂ_１／３）Ｏ_３と表したとき、０．４６≦ｘ≦０．５６、０．０３≦ｙ≦０．０６、０．００４５≦α≦０．００５５である成分１００質量部に対して、ＭｎをＭｎＯ_２換算で０．０〜０．５質量部含有することを特徴とする圧電磁器１を用いる。 （もっと読む）

【課題】良好な圧電特性を得ることができる非鉛系の圧電磁器組成物、及びこれを使用した圧電部品を実現する。
【解決手段】本発明の圧電磁器組成物は、主成分が、一般式｛（Ｍ１_1/2Ｂｉ_x/2）（Ｃｕ_1/3Ｎｂ_2/3）Ｏ_３｝で表される。ただし、Ｍ１元素は、Ｋ及びＮａのうちの少なくともいずれか１種を示し、ｘ／２はＭ１元素及びＢｉの総計に対するＢｉの配合モル比を示している。ｘは、０．８≦ｘ≦１．０を満足するのが好ましく、０．８≦ｘ＜１．０がより好ましい。そして、圧電セラミック素体１が上記圧電磁器組成物で形成されている。 （もっと読む）

【課題】 高温負荷寿命の向上を実現し、信頼性の高いセラミック電子部品を製造する方法を提供すること。
【解決手段】セラミック層と電極とを有するセラミック電子部品の製造方法であって、セラミック層がＡＢＯ_３（ＡはＢａ、ＣａおよびＳｒから選ばれる１つ以上、ＢはＴｉ、ＺｒおよびＨｆから選ばれる１つ以上）で表される主成分および添加成分を含む誘電体磁器組成物から構成され、主成分の原料粉体と、添加成分に含まれる金属元素のうち、少なくとも一部の金属元素のゲル状化合物スラリーまたは少なくとも一部の金属元素の溶液とを準備する工程と、主成分の原料とゲル状化合物スラリーまたは溶液とを分散して原料混合物を得る工程と、原料混合物を乾燥する工程と、乾燥後の原料混合物を熱処理する工程とを有する。ゲル状化合物スラリーまたは溶液としては、ゲル状水酸化物スラリーまたは水溶液が好ましい。 （もっと読む）

【課題】配向性の良好な配向性酸化物セラミックスの製造方法を提供する。
【解決手段】酸化物結晶Ｂを含むスラリーを得る工程と、前記酸化物結晶Ｂに磁場を印加するとともに前記酸化物結晶Ｂの成形体を得る工程と、前記成形体を酸化処理して、前記酸化物結晶Ｂの一部もしくは全体とは異なる結晶系を有する酸化物結晶Ｃからなる配向性酸化物セラミックスを得る工程を有する配向性酸化物セラミックスの製造方法。（１）原料を反応、（２）酸化物結晶Ａを還元、または（３）酸化物結晶Ａを高温に保持、急冷することで得られた酸化物結晶Ｂを含むスラリーを用いることができる。 （もっと読む）

【課題】配向性の良好な配向性酸化物セラミックスの製造方法を提供する。
【解決手段】酸化物結晶Ａを還元処理して、前記酸化物結晶Ａと同じ結晶系を有する酸化物結晶Ｂを得る工程と、前記酸化物結晶Ｂを含むスラリーを得る工程と、前記酸化物結晶Ｂに磁場を印加するとともに前記酸化物結晶Ｂの成形体を得る工程と、前記成形体を酸化処理して酸化物結晶Ｃからなる配向性酸化物セラミックスを得る工程を有する配向性酸化物セラミックスの製造方法。 （もっと読む）

【課題】微量添加物をセラミック粒子の表面に均一に付着させる。
【解決手段】セラミック粒子と、これに添加しようとする金属酸化物の構成金属の水溶性塩と、金属元素の陽イオンに対する錯化剤と、カチオン性機能性モノマーを含む水溶液を生成するステップと、前記水溶液において重合反応を生じさせて重合反応物とセラミック粒子の混合物を得るステップと、前記混合物を乾燥・仮焼して金属イオンを金属酸化物に変換しかつ重合体を除去するステップとを含んでなる表面改質セラミック粉末の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】工業的規模の量産においても、リチウム二次電池用正極活物質として用いたとき、十分な充放電特性が得られるリチウムニッケル複合酸化物を安定して提供する。
【解決手段】炭酸ガス分圧が１０Ｐａ以下の雰囲気中で水酸化リチウムとニッケル複合酸化物との混合物を乾燥させて、真空中２００℃で８時間保持した場合に、該混合物の質量減少率が５質量％以下となるようにする乾燥工程と、４５０〜６５０℃の酸素濃度８０容量％以上の雰囲気中で乾燥後の前記混合物を拡散反応させる反応工程と、反応工程を経た前記混合物を焼結させる焼結工程を具備する製造方法によって得られる。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＯ_２系酸化物を含む材料を採用するとともに、隣接する反射層、記録層の劣化が生じ難く、密着性が良好で、尚且つ高速成膜可能であるスパッタリングターゲット及びその製造方法並びに光情報記録媒体用薄膜（特に保護膜としての使用）及びその製造方法を提供する。
【解決手段】酸化錫相（１１０）のピーク強度Ｉ１と酸化錫以外の酸化物あるいは複合酸化物相のＸ線回折図における２θ＝１５〜４０°の範囲に存在する最大ピーク強度Ｉ２がＩ２／Ｉ１＝０.１〜１であることを特徴とする酸化錫と酸化亜鉛と３価以上の元素の酸化物を主成分としたスパッタリングターゲット及びその製造方法並びに前記スパッタリングターゲットを用いた光情報記録媒体用薄膜（特に保護膜としての使用）及びその製造方法。 （もっと読む）

【課題】匣鉢の内部に収納した微細な粉体を、匣鉢内部における温度分布の不均一を抑制し、しかも発生ガスの排気を良好に維持しつつ、均一に加熱することができる匣鉢を用いた加熱方法を提供すること。
【解決手段】匣鉢内に収容された被加熱物を、加熱炉内を移動させつつ加熱処理する加熱方法において、匣鉢内に収容された被加熱物の表層に凹部を設けて加熱処理する。匣鉢１の中央部や底部に位置する粉体２から、最近接の表層面までの距離が短縮されるため、表層部からの熱の吸収や、表層部への熱の排出を効率よく行うことができ、匣鉢内の粉体の位置による温度差が抑制され、発生ガスの排出効率が改善される。 （もっと読む）

【課題】 高周波領域での電気特性に優れ製造が容易な高周波用誘電体磁器およびその製造方法を提供する。また、そのような高周波用誘電体磁器を構成部材として用いた電気特性に優れた高周波回路素子を提供する
【解決手段】 組成式
ａ（Ｓｎ，Ｔｉ）Ｏ_２−ｂＭｇ_２ＳｉＯ_４−ｃＭｇＴｉ_２Ｏ_５−ｄＭｇＳｉＯ_３
で表され、前記組成式におけるａ、ｂ、ｃ、及びｄ（ただし、ａ、ｂ、ｃ、及びｄはモル％である）がそれぞれ４≦ａ≦３７、３４≦ｂ≦９２、２≦ｃ≦１５、及び２≦ｄ≦１５の範囲内にあり、ここでａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００である主成分と、ＺｒＯ_２からなる添加成分とを含んでなり、該添加成分は前記主成分１００重量部に対して３．０〜１２．０重量部添加されていることを特徴とする高周波用誘電体磁器ならびに、それを構成部材とする高周波回路素子 （もっと読む）

【課題】 低融点金属との同時焼成が可能であり、クラックや破損が生じにくい回路基板を形成し得る高強度の低温焼成セラミックと、低温焼成セラミックからなる回路基板の製造方法を提供する。
【解決手段】 少なくとも主成分としてＡｌ、Ｓｉ、Ｓｒ、Ｂａを含み、組織中に六方晶ＳｒＡｌ_２Ｓｉ_２Ｏ_８、（Ｓｒ、Ｂａ）Ａｌ_２Ｓｉ_２Ｏ_８、ＢａＡｌ_２Ｓｉ_２Ｏ_８の少なくとも一種及びＡｌ_２Ｏ_３結晶を有する高強度低温焼成セラミックとする。 （もっと読む）

【課題】 高周波領域での電気特性に優れ製造が容易な高周波用誘電体磁器およびその製造方法を提供する。また、そのような高周波用誘電体磁器を構成部材として用いた電気特性に優れた高周波回路素子を提供する
【解決手段】 組成式
ａ（Ｓｎ，Ｔｉ）Ｏ_２−ｂＭｇ_２ＳｉＯ_４−ｃＭｇＴｉ_２Ｏ_５−ｄＭｇＳｉＯ_３
で表され、前記組成式におけるａ、ｂ、ｃ、及びｄ（ただし、ａ、ｂ、ｃ、及びｄはモル％である）がそれぞれ１０≦ａ≦３７、３４≦ｂ≦８２、４≦ｃ≦１５、及び４≦ｄ≦１５の範囲内にあり、ここでａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００である主成分と、ＭｇＯからなる添加成分からなる添加成分とを含んでなり、該添加成分は前記主成分１００重量部に対して０．５〜２．０重量部添加されていることを特徴とする高周波用誘電体磁器ならびに、それを構成部材とする高周波回路素子 （もっと読む）