【課題】 広い温度範囲において、適切に温度検知ができ、高温に曝されても安定した抵抗値を示す導電性酸化物焼結体、これを用いたサーミスタ素子、このサーミスタ素子を用いた温度センサを提供する。
【解決手段】 サーミスタ素子２をなす導電性酸化物焼結体１は、Ｙｂ，Ｌｕの少なくともいずれか、及び、Ｙｂ，Ｌｕ，Ｌａを除く３Ａ族元素のうち少なくとも１種からなる元素群を元素群ＲＥとし、４Ａ，５Ａ，６Ａ，７Ａ及び８族元素のうち少なくとも１種及びＡｌからなる元素群を元素群Ｍとしたとき、（ＲＥ_1-cＳｒ_c）Ｍ_dＯ₃と表記される導電性結晶相と、ＲＥ₂Ｏ₃と表記される第１絶縁性結晶相と、ＳｒＡｌ₂Ｏ₄と表記される第２絶縁性結晶相とを含む。係数ｃは、０．１８＜ｃ＜０．５０であり、係数ｄは、０．６７≦ｄ≦０．９３であり、ＲＥ₄Ａｌ₂Ｏ₉と表記される第３絶縁性結晶相の存在量（０を含む）が、第１及び第２絶縁性結晶相の存在量よりも少ない。 （もっと読む）

【課題】 組成物の組成均一性、及び微細組織の均一性を向上して、クラックの発生を抑制し、圧電特性の向上を可能とする、Ｓｒ_２−ｘＣａ_ｘＮａＮｂ_５Ｏ_１５系の圧電磁器組成物を提供する。
【解決手段】 Ｓｒ_２−ｘＣａ_ｘＮａＮｂ_５Ｏ_１５の基本組成に対して、（Ｓｒ、Ｃａ）とＮａの比率を変更することにより、タングステンブロンズ型構造のＳｒ、Ｃａ、Ｎａの入り得る格子における、それらの占有率を下げて、よりＳｒをその格子に入り易くし、２次相の生成を抑制する。また、Ａｌ及び／又はＳｉを所定量添加することで、焼結温度が下がるとともに、微細組織を均一化する。さらに、Ｍｎを所定量添加することで、分極を容易にする。 （もっと読む）

【課題】気密性の高い酸素分離膜を備える酸素分離膜エレメント及びその製造方法を提供する。
【解決手段】
本発明によって提供される酸素分離膜エレメントの製造方法は、一般式：Ｌｎ_１−ｘＡｅ_ｘＣｏ_１−ｙＭ_ｙＯ_３で示されるペロブスカイト型酸化物を含む多孔質支持体用原料粉末であって、平均粒径１０μｍ以上の原料粉末を所定形状の成形体に成形する工程と、該成形体の表面部の少なくとも一部に、一般式：Ｌｎ_１−ｘＡｅ_ｘＣｏ_１−ｙＭ_ｙＯ_３で示されるペロブスカイト型酸化物から実質的に構成される酸素分離膜を形成するための前駆体を付与する工程と、成形体及び前駆体を１１５０℃〜１２５０℃の温度域にて２４時間以上同時焼成することにより、多孔質支持体と該多孔質支持体の表面部に設けられた酸素分離膜とを同時に形成する工程と、を包含する。 （もっと読む）

【課題】 高い熱電特性を発揮する熱電変換材料を提供すること。
【解決手段】 本発明の一つの態様によれば複合材料が提供され、その複合材料は、Ｚｎ
Ｏ結晶を主成分とし、ＺｎＯ結晶中にＡｌが固溶されてなる複合材料であって、前記複合
材料は下記式（Ｉ）の組成式で表されるものであり、
Ｚｎ（１−ｘ−ｙ）ＡｌｘＯ （Ｉ）
（式中、Ｚｎは亜鉛であり、Ａｌはアルミニウムである）
複合材料の相対密度が９０％以上であり、ＺｎＡｌ２Ｏ４で表される亜鉛とアルミニウム
との酸化物のＸ線回折測定による相対強度が、ＺｎＯのＸ線回折測定による相対強度を１
としたときに、０．１未満であることを特徴とするものである。 （もっと読む）

【課題】イオン伝導度を有する、新規な結晶構造を有する物質を開発する。
【解決手段】（ａ）ないし（ｃ）の条件を満足する新規な結晶構造を有する金属複合酸化物であって、（ａ）空間群がＦｄ−３ｍに属し、（ｂ）格子定数が１７．０±１．０Åの範囲にあり、（ｃ）単位格子内の結晶学的配置が、陽イオンにより下記表のサイト占有率で占有されている金属複合酸化物。好ましくは、バリウム−タングステン複合酸化物および／またはその誘導体。
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【課題】相対密度が高く、抵抗が低く、均一で、良好な酸化物半導体や透明導電膜等の酸化物薄膜を作製しうるスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】下記に示す酸化物Ａと、ビックスバイト型の結晶構造を有する酸化インジウム（Ｉｎ_２Ｏ_３）と、を含有するスパッタリングターゲット。
酸化物Ａ：インジウム元素（Ｉｎ）、ガリウム元素（Ｇａ）、及び亜鉛元素（Ｚｎ）を含み、Ｘ線回折測定（Ｃｕｋα線）により、入射角（２θ）が、７．０°〜８．４°、３０．６°〜３２．０°、３３．８°〜３５．８°、５３．５°〜５６．５°及び５６．５°〜５９．５°の各位置に回折ピークが観測される酸化物。 （もっと読む）

【課題】 配向度の高いニオブ酸バリウムビスマス系のタングステンブロンズ構造金属酸化物の圧電材料を提供する。また、それを用いた圧電素子、液体吐出ヘッド、超音波モータおよび塵埃除去装置を提供する。
【解決手段】 そのための本発明は少なくともＢａ、Ｂｉ、Ｎｂの金属元素を含み、前記金属元素がモル換算で以下の条件を満たすタングステンブロンズ構造金属酸化物を含有する圧電材料であって、前記圧電材料にＷが含有されており、前記Ｗの含有量が前記タングステンブロンズ構造金属酸化物１００重量部に対して金属換算で０．４０重量部以上３．００重量部以下であり、前記タングステンブロンズ構造金属酸化物がｃ軸配向を有することを特徴とする圧電材料である。Ｂａ／Ｎｂ＝ａとしたときのａが：０．３０≦ａ≦０．４００、Ｂｉ／Ｎｂ＝ｂとしたときのｂが：０．０１２≦ｂ≦０．０８４ （もっと読む）

【課題】低温で焼成して得ることを可能としつつ、焼結性を確保し、抗折強度を維持すると共に、優れた誘電特性を有する誘電体磁器、誘電体磁器の製造方法及び電子部品を提供する。
【解決手段】誘電体磁器は、Ｍｇ₂ＳｉＯ₄を含む主成分と、亜鉛酸化物及びガラス成分を含む副成分とを含み、Ｘ線回折において、主相であるＭｇ₂ＳｉＯ₄の２θが３６．０°から３７．０°の間におけるＸ線回折ピーク強度Ｉ_Aに対する、未反応なまま存在する亜鉛酸化物の２θが３１．０°から３２．０°及び３３．０°から３４．０°におけるＸ線回折ピーク強度Ｉ_Bのピーク強度比Ｉ_B／Ｉ_Aが１０％以下であると共に、相対密度が９６％以上である。 （もっと読む）

【課題】高電界印加時における歪特性に優れた圧電／電歪セラミックス焼結体を提供する。
【解決手段】圧電／電歪セラミックス焼結体は、非鉛圧電／電歪材料から構成されてなり、前記非鉛圧電／電歪材料を構成する金属成分のうちの少なくとも一種の金属成分の比率が化学量論組成からモル換算で１％以上ずれた欠陥を生じたものであるとともに、ロットゲーリング法により測定されるＣ軸の配向度が３０％以上である。また、鉛を含まない非鉛圧電／電歪材料から構成されたものであるため、焼結体からの鉛の溶出がなく、環境汚染の問題を生じることもない。 （もっと読む）

【課題】結晶配向度が大きく、かつ熱伝導率及び比抵抗を小さくすることが可能な、優れた熱電特性を有する配向熱電材料の製造方法及びその製造方法により形成された配向熱電材料を提供する。
【解決手段】熱電材料を磁場中で成形して配向熱電材料を製造する配向熱電材料の製造方法において、前記熱電材料中に、炭素成分を含有する磁性成分を添加する工程（ステップＳ１２）を具備する。 （もっと読む）

【課題】常圧焼結法により安定して一定の圧電特性を持ち緻密化した焼結体となる、アルカリ金属含有ニオブ酸化物からなる圧電セラミックスおよび製造方法を提供すること。
【解決手段】アルカリ金属含有ニオブ酸化物を含む主成分に酸化ビスマスおよび酸化亜鉛からなる焼結助剤を添加した圧電セラミックスであって、仮焼工程、主成分の仮焼粉と焼結助剤とを混合する混合工程、混合工程で得られた混合紛を焼成して焼結体とする焼成工程を経ることで常圧焼結法により緻密化したアルカリ金属含有ニオブ酸化物からなる圧電セラミックスが得られる。 （もっと読む）

【課題】焼成時や使用時の熱による収縮および変形を抑制することができるセラミックス構造体の製造方法およびセラミックス構造体を提供する。
【解決手段】セラミックス構造体１０の製造方法は、粒子径がメジアン直径の９０〜１１０％になるまで分球したセラミックス粒子１０１を焼成（第１焼成工程）し、焼成したセラミックス粒子１０１を結合剤１０２と混練した後に所望する構造体の形状に成形し、得られたセラミックス成形体１０３を第１焼成工程よりも低い温度で焼成（第２焼成工程）する。この製造方法によれば、焼成時や使用時の熱によるセラミックス構造体の熱収縮および変形をより小さく抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】常圧大気中での焼結によっても、高密度の焼結体を実現できるアルカリニオブ酸系圧電セラミックスの製造方法を提供する。
【解決手段】一般式ＡＭＯ_３（Ａはアルカリ金属、ＭはＮｂを必須とする遷移金属、Ｏは酸素）で表わされるニオブ系圧電セラミックスの製造方法において、目的組成に対してアルカリ金属成分を１０重量％未満（但し０重量％を除く）減じた組成の粉末を合成し、当該減じた分量のアルカリ金属を含有する粉末を前記合成粉末に混合し、成形した後、９００℃以上１２８０℃以下の温度で焼成する。このような工程を経ることにより、高密度のアルカリニオブ酸系圧電セラミックスを常圧大気中での焼結によっても提供できる。 （もっと読む）

【課題】 β−ユークリプタイトと酸化物とに基づくセラミックス複合材および該複合材の製造方法を提供する。
【解決手段】 ５５重量％（６９体積％）未満のβ−ユークリプタイト含有率を有する、酸化物とβ−ユークリプタイト結晶とに基づく焼結セラミックスであることを特徴とする、１．３×１０^−６Ｋ^−１未満の熱膨張係数を有する複合材。 （もっと読む）

【課題】圧電特性や誘電性の向上を図り、これらの基板面内での均一性に優れた圧電体素子、その製造方法、及び圧電体デバイスを提供する。
【解決手段】圧電体素子は、表面に酸化膜が形成された基板１と、密着層２と、下部電極層３と、（Ｎａ_ｘＫ_ｙＬｉ_ｚ）ＮｂＯ_３で表される圧電薄膜４を有し、圧電薄膜４が、擬立方晶、立方晶、正方晶、斜方晶、六方晶、単斜晶、三斜晶、もしくは斜方面体の結晶構造、または少なくとも一つの結晶構造が共存した状態を有しており、ある特定の軸に優先的に配向しており、圧電薄膜４の基板面内の格子面間隔ａと基板面外の基板法線方向の格子面間隔ｃとの結晶格子歪量ｃ／ａ、及び圧電定数、比誘電率、誘電損失のうち少なくとも一つの物理量の相対標準偏差が、ｃ／ａでは０．２％未満、圧電定数では４．３％以下、比誘電率では３．２％以下、あるいは誘電損失では１０．１％以下である。 （もっと読む）

【課題】高い配向性を維持しながら、クラックの無い焼結性の良好な機能性セラミックス材料の製造方法を提供する。
【解決手段】金属酸化物粉体を分散させた第一のスラリーを基材上に設置する工程と、前記第一のスラリーに対して磁場を印加し凝固させて第一の成形体からなる下引き層を形成する工程と、前記下引き層の上に、前記セラミックスを構成する金属酸化物粉体を含む第二のスラリーを設置する工程と、前記第二のスラリーに対して磁場を印加し凝固させて第二の成形体を形成して前記第二の成形体と前記下引き層の積層体を得る工程と、前記第二の成形体と前記下引き層の積層体から前記下引き層を除去した後に焼成するか、又は前記第二の成形体と前記下引き層の積層体を焼成した後に前記下引き層を除去して、前記第二の成形体からなるセラミックスを得る工程を有するセラミックスの製造方法。 （もっと読む）

【課題】Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ等の低抵抗金属と同時焼成が可能であり、低熱膨張性を実現する、陽極接合可能な高強度低熱膨張性磁器及びその製造方法の提供。
【解決手段】（Ａ）Ｌｉ₂ＯとＭｇＯとＡｌ₂Ｏ₃とＳｉＯ₂とを７．０〜１４．０：４．０〜１５．０：１２．０〜２４．０：５９．０〜７３．０（質量％比）の割合で含む原料粉混合物を７５０〜１０００℃で焼成して平均粒径０．３〜０．８μｍに微粉砕した仮焼物９９．０〜１００質量％に、（Ｂ）１．０質量％までのＢｉ₂Ｏ₃粉を添加混合し、所定形状に成形後、９００〜１０００℃で焼成して、式（１）


（式中、ａは質量比で０〜０．０１であり、α、β、γおよびδは、前記（Ａ）における質量％比を満足するモル比である）で示される組成を有する複合酸化物を形成する高強度低熱膨張性磁器の製造方法、及びその方法により得られる高強度低熱膨張性磁器。 （もっと読む）

【課題】低電界のみならず高電界印加時にも高い歪率を呈する非鉛系の圧電／電歪焼結体を提供する。
【解決手段】一般式(1){Li_y(Na_1-xK_x)_1-y}_a(Nb_1-z-wTa_zSb_w)O₃で表される第１ペロブスカイト型酸化物、Ba、Sr、Ca、La、Ce、Nd、Sm、Dy、Ho及びYbからなる群より選択される一種以上の選択元素の化合物、並びにMnの化合物を含む第１成分、一般式(2){Ba_t(K_pNa_1-p)_1-t}(Zr_tNb_1-t)O₃で表される第２ペロブスカイト型酸化物である第２成分、並びにZnを主成分として含む第３成分、を含む組成物を焼成して得られる圧電／電歪焼結体であって、前記焼結体における前記第３成分の含有量がZn由来の異相を生じない範囲にあり、かつ前記焼結体において前記a、x、y、z、w、p、及びtが所定の条件を満たす、圧電／電歪焼結体１。 （もっと読む）

【課題】異なる材料の誘電体層を積層して形成しても積層された誘電体層同士の間で剥離が生じるのを抑制することができるセラミック電子部品及びセラミック電子部品の製造方法を提供する。
【解決手段】本実施形態のセラミック電子部品１０は、第１の誘電体層１１と、第２の誘電体層１２と、中間層１３とを含むものである。第１の誘電体層１１は、ＢａＯとＮｄ₂Ｏ₃とＴｉＯ₂とを含む層であり、第２の誘電体層１２は第１の誘電体層１１とは異なる材料を含む層であり、中間層１３は第１の誘電体層１１と第２の誘電体層１２との間に形成され、主成分として第１の誘電体層１１および第２の誘電体層１２の双方に共通に含まない主成分を含む層である。 （もっと読む）

【課題】 目封止材を乾燥、焼成する際に生じる収縮で目封止材の体積が減少することで、目封止部と隔壁との間に隙間が生じ難く、ＰＭの捕集率が良好となり、隔壁と目封止部との結合強度が良好で、安定した長さの目封止部を有するコーディエライト基材からなるハニカムフィルタおよびその製造方法を得る。
【解決手段】 コーディエライト基材からなるセラミックハニカム構造体の所定の流路が目封止材で目封止されたコーディエライト質セラミックハニカムフィルタであって、前記目封止材のうちのセラミックス原料は、焼成後にコーディエライトとなるよう配合されたコーディエライト配合原料と、予め焼成されたコーディエライト焼成粉末とから構成され、前記コーディエライト焼成粉末は、真球度が0.5以上であり、かつ、前記セラミックス原料に対して質量比で30〜70％である。 （もっと読む）