【課題】配向度の高い結晶配向セラミックスを安定的に製造できる結晶配向セラミックスの製造方法を提供すること。
【解決手段】多結晶体の結晶粒の特定の結晶面Ａが配向する結晶配向セラミックスの製造方法であり、準備工程と混合工程と成形工程と評価工程と焼成工程とを行う。準備工程においては、異方形状の配向粒子からなる異方形状粉末と、その１／３以下の平均粒径を有する微細粉末とを準備する。混合工程においてはこれらを混合する。成形工程においては、異方形状粉末の配向面が略同一の方向に配向するように原料混合物を成形する。評価工程においては、成形体内における配向粒子の配向面について、ロットゲーリング法による配向度及びロッキングカーブ法による半値幅（ＦＷＨＭ）を測定し、配向度８０％以上かつ半値幅１５°以下である成形体を選択する。焼成工程においては、成形体を焼成して結晶配向セラミックスを得る。 （もっと読む）

【課題】液晶表示装置、エレクトロルミネッセンス表示装置、帯電防止導電膜コーティング、ガスセンサー、太陽電池などに用いられる透明導電膜およびこの透明導電膜を形成するためのスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】Ｃｅ：０．２〜５原子％をドープし、さらに必要に応じてＡｌをＡｌ：０．００５〜０．５原子％でかつＡｌドープ量＜Ｃｅドープ量となるようにドープした酸化亜鉛からなる透明導電膜であって、この透明導電膜に不可避不純物として含まれる炭素が４０ｐｐｍ以下に限定されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】アルミナ基焼結体であって、優れた化学的安定性、機械的性質などを有し、耐摩耗性や耐食性と破壊靱性を単一の焼結体で高度に両立することを可能とする複層アルミナ焼結体、その製造方法及び該アルミナ部材を提供する。
【解決手段】焼結体の表面層にシリコンを含有し、内部層と構成する結晶相が同一で、平均結晶粒径が３０％以上異なる表面層と内部層の層を有することからなる複層アルミナ焼結体、アルミナ粉末成形体、あるいはその仮焼結体表面に、シリコン元素を含む溶液、あるいはスラリーを塗布、あるいは含浸させた後に、本焼結を行うことを特徴とする複層アルミナ焼結体の製造方法及びアルミナ部材。
【効果】本発明により、材料の表面と内部に対する異なる要求特性を高度に満足するアルミナ焼結体、その製造方法及び該アルミナ部材を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】液晶表示装置、エレクトロルミネッセンス表示装置、帯電防止導電膜コーティング、ガスセンサー、太陽電池などに用いられる透明導電膜を形成するためのスパッタリングターゲットを提供する。

【解決手段】Ａｌ：０．５〜８原子％、Ｃｅ：０．００３〜０．５原子％をドープした酸化亜鉛からなり、不可避不純物として含まれる炭素が４０ｐｐｍ以下に限定されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】Ｌａ及びＣｕを含有するオキシカルコゲナイドを主成分とするＰ型透明導電材料用ターゲットの密度を向上させ、ターゲットを大型化しかつ低コストで製造できるようにするとともに、該ターゲット中の未反応物の存在を無くし、ターゲットの割れの発生を抑制することにより製品歩留りを上げ、さらに成膜の品質を向上させる。
【解決手段】構成元素の単体、酸化物又はカルコゲン化物から選択した１種以上の粉末を原料とし、ガス成分を除き、焼結用原料粉末の平均粒径が５０μｍ以下、比表面積が０．２ｍ^２／ｇ以上であり、焼結工程中に８５０°Ｃ以下の温度で１時間以上保持する反応工程を含み、この反応工程後に反応工程温度以上の温度である５００〜１０００°Ｃの温度で焼結することにより、相対密度９０％以上であるＬａ及びＣｕを含有するオキシカルコゲナイドを主成分とするスパッタリングターゲットの製造方法。 （もっと読む）

【課題】非常に高い緻密化度と１００％またはそれに近い反応収率とを有するヨードアパタイトを得ることができる技術を提供すること。
【解決手段】本発明は、ヨードアパタイトを合成および緻密化するための、フラッシュ焼結として知られる技術の使用に関する。好ましくは、本発明は、ａ）ヨード化合物と下記式（Ｉ）の化合物とを混合すること、次いで、ｂ）得られた混合物をフラッシュ焼結技術により反応性焼結することを含む：
Ｍ_３（ＸＯ_４）_２−２ｘ（ＰＯ_４）_２ｘ （Ｉ）
ここで、Ｍは、鉛またはカドミウムから選択され；Ｘは、バナジウムまたはヒ素から選択され；ｘは、０に等しいか、０より大きくて１より小さく；ヨード化合物および式（Ｉ）の化合物は粉末形態である。 （もっと読む）

【課題】マクロサイズの内部欠陥がなく、高密度なバルク体を得ることができるリン酸リチウム焼結体の製造方法およびスパッタリングカソードを提供する。
【解決手段】本発明は、Ｌｉ₃ＰＯ₄の原材料粉を仮焼する工程と、仮焼した原材料粉を分級する工程と、分級した原材料粉を所定形状に焼結する工程とを有するリン酸リチウム焼結体の製造方法であって、原材料粉の仮焼温度を６５０℃以上８５０℃未満とすることによって、原材料粉に吸着している水分を効果的に除去し、焼結工程で得られるバルク体（焼結体）へのマクロサイズの内部欠陥の発生を抑制する。仮焼温度が６５０℃未満の場合、原材料粉の仮焼処理が不十分なため、マクロな内部欠陥の発生を効果的に抑制できない。特に、４００μｍ以下の粉砕、篩い分けを容易に行える仮焼温度として、６５０℃以上７５０℃以下が好ましい。 （もっと読む）

【課題】ドメインの分極方向が電場下において可逆的変換を示し、歪率が増大した圧電／電歪体、その製造方法、及び圧電／電歪素子を提供する。
【解決手段】組成式ＡＢＯ_３で表される母相と、その母相に少なくとも正方晶の結晶構造を有する組成式ＡＢＯ_３で表される母相とは異なる添加材相を含んだ圧電／電歪体である。例えば、ニオブ酸アルカリ系の母相を形成する母材に、添加材相を形成する添加材として正方晶のニオブ酸アルカリ系のものやＢａＴｉＯ_３、ＰＺＴ、ＰｂＴｉＯ_３、（Ｂｉ_０．５，Ｎａ_０．５）ＴｉＯ_３を添加して形成する。添加材の添加量は、母材に対する体積比で５Ｖｏｌ％以上３０Ｖｏｌ％以下（Ｍｎが添加された組成を有する添加材を用いる場合、５Ｖｏｌ％以上４５Ｖｏｌ％以下）である。 （もっと読む）

【課題】低温焼結が可能で、強度が高く、デラミネーションが発生しにくい、高周波領域において低誘電損失となるセラミック配線基板を得ることができるセラミック組成物及びセラミック配線基板を提供する。
【解決手段】ＳｉＯ_２ ５３．５〜６２質量％、ＭｇＯ １２〜２２質量％、ＣａＯ ２１〜３２質量％からなる主成分１００質量部に対し、ビスマス成分を酸化物換算で０．０１〜２０質量％含有し、かつ、ホウ素成分を含有しないセラミック組成物を焼結して形成されたセラミックス層と、前記セラミックス層に積層された、導電性部材で形成された配線層を備えているセラミック配線基板。 （もっと読む）

【課題】低温焼結が可能で、強度が高く、デラミネーションが発生しにくい、高周波領域において低誘電損失となるセラミック配線基板を得ることができるセラミック組成物及びセラミック配線基板を提供する。
【解決手段】ＳｉＯ_２ ５３．５〜６２質量％、ＭｇＯ １２〜２２質量％、ＣａＯ ２１〜３２質量％からなる主成分１００質量部に対し、リチウム成分、ナトリウム成分、カリウム成分から選ばれる１種以上を０．１〜２０質量部含有し、かつ、ホウ素成分を含有しないセラミック組成物を焼結して形成されたセラミックス層と、前記セラミックス層に積層された、導電性部材で形成された配線層を備えているセラミック配線基板。 （もっと読む）

【課題】簡易な工程で信頼性の高い熱電素子を得る。
【解決手段】この熱電素子１においては、Ｎ型半導体１１、Ｐ型半導体１２とこれらの間の絶縁層１３が一体化されている。更に、Ｎ型半導体１１とＰ型半導体１２とは電極１４により一端が接続されている。特に、Ｎ型半導体１１とＰ型半導体１２、及び絶縁層１３とが一体化されて形成されている点に特徴を有する。Ｎ型半導体１１におけるＭｎ組成をＰ型半導体１２におけるＭｎ組成よりも小さくすることにより、本焼成工程において高抵抗層が形成され、この高抵抗層が絶縁層１３となる。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング法による透明導電膜の製膜時のノジュールの発生を抑止して安定性よく製膜することのできるスパッタリングターゲットおよびその製造法を提供する。
【解決手段】〔Ａ１〕（ａ１）酸化インジウム８５〜９９質量％と、〔Ｂ〕酸化ガリウムと〔Ｃ〕酸化ゲルマニウムとの合計１〜１５質量％からなる金属酸化物の焼結体からなるスパッタリングターゲットであって、該焼結体中の酸化インジウム成分に、ガリウム原子が置換固溶した酸化インジウムおよびゲルマニウム原子が置換固溶した酸化インジウムを含むスパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】１０００℃以下の低温で焼成することができ、ＡｇやＣｕとの共焼結が可能であり、誘電率が低く、Ｑ値が高く、高周波用途に適した焼結体を得ることを可能とする絶縁体セラミック組成物の提供。
【解決手段】スピネル（ＭｇＡｌ₂Ｏ₄）を含むセラミック粉末と、酸化ケイ素をＳｉＯ₂換算で３０〜６０モル％および酸化マグネシウムをＭｇＯ換算で２０〜５５モル％含むガラス粉末と、を含有する絶縁体セラミック組成物であって、絶縁体セラミック組成物はさらにセラミック粉末中に、酸化チタン、酸化銅を含有し、ガラス粉末には、酸化ホウ素、ＣａＯ，ＳｒＯ，ＢａＯおよびＺｎＯからなる群から選択された少なくとも１種の酸化物、酸化アルミニウム、Ｌｉ₂Ｏ，Ｋ₂ＯおよびＮａ₂Ｏからなる群から選択された少なくとも１種のアルカリ金属酸化物が、添加物として添加される場合には一定量以下添加されていることを特徴とする絶縁体セラミック組成物。 （もっと読む）

【課題】酸化スズ濃度が高いにも関わらず、焼結密度が６．４０ｇ／ｃｍ³ 以上であり、かつ、残留応力が残らず、焼結後において割れの生ずることのない高濃度酸化スズＩＴＯ焼結体を提供する。
【解決手段】酸化インジウム粉末と酸化スズ粉末を混合し、仮焼することにより、Ｉｎ₄Ｓｎ₃Ｏ₁₂相が形成された仮焼粉末を得て、該仮焼粉末に、酸化スズの含有量が４０〜６０質量％となるように、酸化インジウム粉末を混合して原料粉末とし、該原料粉末を加圧成形し、焼成することにより、ＩＴＯ焼結体を得る。 （もっと読む）

【課題】高電界印加時の電界誘起歪が大きい(Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ）（Ｎｂ，Ｔａ）Ｏ₃系の圧電／電歪磁器組成物を実現する。
【解決手段】混合した素原料の粉末を大気雰囲気中において最高温度が６００℃以上８００℃以下の仮焼プロファイルを用いて仮焼する第１の工程と、第１の工程により得られ粉末をＢＥＴ比表面積が５ｍ²／ｇ以上１５ｍ²／ｇ以下となるように粉砕する第２の工程と、第２の工程により得られた粉末を最高温度が６５０℃以上９００℃以下の仮焼プロファイルを用いて仮焼する第３の工程と、第３の工程により得られた粉末をＢＥＴ比表面積が１０ｍ²／ｇ以下となるように粉砕する第４の工程とを経て、(Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ）（Ｎｂ，Ｔａ）Ｏ₃系の圧電／電歪磁器組成物の原料粉末を製造する。 （もっと読む）

【課題】低誘電率、高品質係数、絶対値の小さい温度係数を有する誘電体磁器組成物の提供。
【解決手段】一般式、α（４３ＺｎＮｂ_２Ｏ_６・３５ＣａＴｉＯ_３・２２ＣａＯ）・β（ａＳｉＯ_２・ｂＡｌ_２Ｏ_３・ｃＢ_２Ｏ_３・ｄＺｎＯ）・γＭｇ_２ＳｉＯ_４
（式中、３０≦α≦４０、３５≦β≦４５、２０≦γ≦３０、且つα＋β＋γ＝１００であり、また５０≦ａ≦７０、１０≦ｂ≦２０、１０≦ｃ≦２０、５≦ｄ≦１５、且つａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００である）で表される誘電体磁器組成物。 （もっと読む）

【課題】 Ｍｇ_２ＳｉＯ_４（フォルステライト）を主成分とする誘電体磁器組成物の抗折強度を向上する。
【解決手段】 Ｍｇ_２ＳｉＯ_４を主成分とするとともに、ＺｎＯ、Ｂ_２Ｏ_３、ＣｕＯ及びＲＯ（ただし、Ｒはアルカリ土類金属を表す。）を副成分として含む。Ｍｇ_２ＳｉＯ_４の質量をａ、ＺｎＯの質量をｂ、Ｂ_２Ｏ_３の質量をｃ、ＣｕＯの質量をｄ、ＲＯの質量をｅとしたときに、全体の質量（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ）に対するＺｎＯの質量ｂの比率ｂ／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ）が８％〜２０％、Ｂ_２Ｏ_３の質量ｃの比率ｃ／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ）が３％〜１０％、ＣｕＯの質量ｄの比率ｄ／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ）が２％〜８％、ＲＯの質量ｅの比率ｅ／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ）が１％〜４％である。 （もっと読む）

【課題】 バルク状においてゼロ磁場状態で、５０Ｋ〜２５０Ｋの間で１０^８Ωｃｍ桁以上の抵抗変化をする材料と、これを用いた抵抗変化素子とを提供することである
【解決手段】Ｔｂ_１−ｘＡ_ｘＭｎＯ_３系ペロブスカイト型マンガン酸化物（ＡはＣａ，Ｂａ，Ｓｒから選択される１種または２種以上の元素：０．１≦ｘ≦０．５を示す）から構成されてなることを特徴とする抵抗変化材料 （もっと読む）

【課題】生体吸収性を示すリン酸三カルシウムに骨形成を促進するケイ素を含有させることで、吸収されながら骨再生を促す人工骨を提供するために、その人工骨の材料としてのケイ素含有リン酸三カルシウムの製造方法およびケイ素含有リン酸三カルシウムを提供することにある。
【解決手段】カルシウム化合物、リン酸およびケイ素化合物を水溶液中で反応させ、その後加熱することにより、ケイ素含有リン酸三カルシウムを合成することに特徴がある。得られたケイ素含有リン酸三カルシウムは、焼結性に優れ、その焼結体は、生体内での溶解速度が小さいことに特徴がある。ケイ素含有リン酸三カルシウムからなる人工骨は、吸収されながら骨再生を促すと期待される。 （もっと読む）

【課題】高いパワーの電子ビームを照射しても、破損の起こらない真空蒸着用ＩＴｉＯ焼結体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】酸化Ｉｎ粉末と酸化Ｔｉ粉末とを混合し、１３００℃以上１５００℃以下の温度で熱処理し、仮焼粉末を得て、該仮焼粉末に、酸化Ｉｎ粉末、酸化Ｔｉ粉末、または、酸化Ｉｎと酸化Ｔｉとの混合粉末の未仮焼粉末を、前記仮焼粉末の割合が、６５質量％以上９５質量％以下となるように添加し、混合し、粉砕し、造粒粉末を得て、該造粒粉末を成形し、１３００℃以上１５００℃以下の温度で焼結させることにより、焼結密度が４．２ｇ／ｃｍ³以上５．６ｇ／ｃｍ³以下である真空蒸着用ＩＴｉＯ焼結体を得る。 （もっと読む）