【課題】酸化錫の含有量が３．５質量％以下と低濃度であるにも拘わらず割れによる収率の低下が起こり難いＩＴＯスパッタリングターゲットとその製造方法を提供すること。
【解決手段】このＩＴＯスパッタリングターゲット（焼結体）は、酸化インジウムに対する酸化錫の含有量が質量比で０％以上１％以下である第一造粒粉と、酸化錫の含有量が質量比で３％以上６％以下である第二造粒粉を用いて製造され、酸化インジウムに対する酸化錫の含有量が質量比で１．５％以上３．５％以下、焼結体の相対密度が９８％以上、焼結体の結晶相が単相で、平均結晶粒径が１０μｍ以下であり、焼結体の表面部における最大結晶粒径に対する焼結体の厚み方向における中心部の最大結晶粒径の比が０．５〜１かつ焼結体の曲げ強度が７０ＭＰａ以上であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ジルコニア焼結体表面に高硬度で導電性を有するＺｒＣに酸素が固溶した膜を形成することによって、優れた耐熱性と耐摩耗性を有し、静電気除去並びに帯電防止可能な導電性ジルコニア焼結体の提供。
【解決手段】（ａ）ジルコニアの結晶相が主として正方晶からなり、（ｂ）Ｙ_２Ｏ_３／ＺｒＯ_２モル比が２／９８〜５／９５の範囲にあり、（ｃ）焼結体の表面に厚みが０．０５〜１０μｍの「ＺｒＣに酸素が固溶した膜」を有し、（ｄ）室温における焼結体の表面抵抗が、１０^１〜１０^１０Ω・ｃｍであり、（ｅ）焼結体の平均結晶粒径が２μｍ以下、（ｆ）焼結体中の気孔率が２％以下、（ｇ）Ａｌ_２Ｏ_３を２０〜７５体積％含有することを特徴とする導電性ジルコニア焼結体。 （もっと読む）

【課題】ドメインエンジニアリングに好適な擬立方晶の表示で｛１１０｝面に配向したＢｉＦｅＯ_３を含有する圧電セラミクスを提供する。
【解決手段】下記一般式（１）で表されるペロブスカイト型の酸化物からなるセラミクスであって、擬立方晶の表示で｛１１０｝面に配向しているセラミクス。


（式中、Ａ及びＢは一種または複数の金属イオンで、Ａは１価、２価または３価の金属イオン、Ｂは３価、４価または５価の金属イオンを表す。ただし、ｘは０．３≦ｘ≦１である。） （もっと読む）

【課題】高強度かつ高い破壊靱性を示すと共に、結晶相の安定化を同時に満足でき、例えば人工関節の生体部材として用いた場合に、長期間にわたり安定性を発揮するアルミナ−ジルコニア複合焼結体を提供する。
【解決手段】α−アルミナ、Ｓｉ含有α−アルミナ、ストロンチウムアルミネート、正方晶ジルコニア、および単斜晶ジルコニアを含むことを特徴とするアルミナ−ジルコニア複合焼結体。 （もっと読む）

【課題】圧電体としての性能を損なわずに絶縁性を向上させたビスマス系圧電薄膜及びそれを用いた圧電素子を提供する。
【解決手段】下記一般式（１）で表されるペロブスカイト型金属酸化物からなる圧電薄膜であって、前記圧電薄膜の表面の二乗平均平方根粗さＲｑ（ｎｍ）が、０＜Ｒｑ≦２５ｙ＋２（０≦ｙ≦０．３０）の関係を満たす圧電薄膜。圧電薄膜と、該圧電薄膜に接して設けられた一対の電極とを基板上に有する圧電素子。


（式中、０．９５≦ｘ≦１．２５、０≦ｙ≦０．３０を表す。） （もっと読む）

【課題】触媒担持体として用いられるセラミックハニカム構造体の暖機性と保温性を向上させ、排気ガス浄化性能に優れたセラミックハニカム構造体を提供すること。
【解決手段】隔壁の内部及び表面の何れか又は両方に、隔壁を形成する材料より、熱容量が大きく、且つ、熱伝導率が大きい、物質が含有されているセラミックハニカム構造体の提供による。 （もっと読む）

下記式（Ｉ）：Ｄ_αＮｂ_βＥ_γＯ_−３−δ（式中、Ｄは、アルカリ金属（例えば、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓおよび／またはＦｒ）、アルカリ土類金属（Ｂａ、Ｃａ、Ｍｇおよび／またはＳｒなど）、Ｌａおよび／またはＢｉであり、２種以上の金属の混合物として存在していてもよい；ＥはＴａ、Ｓｂおよび／またはＦｅであり、αは正数であり、２種以上の金属の混合物として存在していてもよい；βは正数であり、γは０または正数であり、δは０≦δ≦０．５の数である；式（Ｉ）は、ペロブスカイト構造またはタングステンブロンズ構造を有する）のニオブ化合物を製造するための方法であり、金属（Ｄ）イオン、Ｎｂイオンおよび存在する場合は金属（Ｅ）イオンを含む溶液、例えば水溶液を噴霧熱分解することを含む方法。 （もっと読む）

【課題】高配向度及び高密度を兼ね備え、優れた圧電特性を発揮することができる結晶配向セラミックスの製造方法、及び該結晶配向セラミックスを製造するための異方形状粉末を提供すること。
【解決手段】前駆体１を酸処理し加熱して得られ、結晶面｛１００｝面が配向する配向粒子からなる異方形状粉末、及びこの異方形状粉末を用いて得られる結晶配向セラミックスである。異方形状粉末は、次のようにして得られる。まず、所定の組成のビスマス層状ペロブスカイト型化合物を前駆体１の目的組成とし、この目的組成とは異なる配合割合で原料を混合して原料混合物を作製する。次いで、原料混合物を加熱することにより、前駆体１を合成する。前駆体１を３時間以上酸処理して酸処理体を得る酸処理体に、Ｋ源及び／又はＮａ源を添加し、フラックス中で加熱することにより、異方形状粉末を得る。 （もっと読む）

【課題】優れた配向度を示すことができる結晶配向セラミックスの製造方法及び積層型圧電素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】異方形状粉末１１と反応原料粉末１２とを焼結させて、多結晶体を構成する結晶粒１６の結晶面｛１００｝面が配向する結晶配向セラミックス１の製造方法及び該結晶配向セラミックスを圧電セラミック層として有する積層型圧電素子である。反応原料粉末１２のＸ線回折パターンにおいて、反応原料粉末１２の主相の｛１１０｝面に由来するピーク強度をＡ₀とし、タングステンブロンズ構造を有する異相の｛１１０｝面に由来するピーク強度をＡ₁とすると、反応原料粉末１２としては、ピーク強度比Ａ（Ａ＝Ａ₁／Ａ₀）が０．０２５以下であるものを採用する。 （もっと読む）

【課題】ゼーベック係数が大きく、抵抗率が低く、出力因子の大きなｎ型の熱電変換材料、およびそれを用いた熱電変換効率の高い熱電変換モジュールを提供する。
【解決手段】酸化物熱電変換材料（ｎ型熱電変換材料）の組成を、組成式：Ｃｕ_xＷＯ₄、（ただし、０．１≦ｘ≦０．８）で表わされる組成とする。
また、酸化物熱電変換材料の組成を、組成式：Ｃｕ_xＷＯ_4-δ、（ただし、０．１≦ｘ≦０．８、δは酸素欠陥を表す）で表される組成とする。
上記の熱電変換材料を、ｎ型熱電変換材料２として用い、このｎ型熱電変換材料２をｐ型熱電変換材料１と組み合わせて熱電変換モジュール１０を構成する。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、セラミックスの結晶化温度を低減させることができ、セラミックスの表面モフォロジを改善することができる、セラミックスの製造方法を提供することにある。
【解決手段】セラミックスの製造方法は、酸素八面体構造を有する複合酸化物材料と、該複合酸化物材料に対して触媒作用を有する常誘電体材料とが混在した膜を形成し、その後該膜を熱処理することを含み、前記常誘電体材料は、構成元素中にSiを含む層状触媒物質、または構成元素中にSi及びGeを含む層状触媒物質からなる。前記熱処理は焼成及びポストアニールを含み、少なくとも該ポストアニールは、加圧された、酸素及びオゾンの少なくとも一方を含む雰囲気中で行われることが望ましい。セラミックスは、酸素八面体構造を有する複合酸化物であって、該酸素八面体構造中にSi及びGeを含む。 （もっと読む）

【課題】室温付近での圧電特性の変動の少ない非鉛の圧電磁器および圧電素子を提供する。
【解決手段】圧電磁器として、組成式で（１−ｘ）（Ｎａ_ａＫ_１−ａ）_１−ｂＬｉ_ｂＮｂＯ_３＋ｘＢａ（Ｃａ_０．５Ｔｅ_０．５）Ｏ_３と表したとき、０．４２≦ａ≦０．５８、０．０３≦ｂ≦０．１５、０．０００５≦ｘ≦０．０１００であるものを用いる。組成が（ＮａａＫ１−ａ）１−ｂＬｉｂＮｂＯ３である圧電磁器では室温付近にある相転移点により−４０〜＋１００℃の範囲内で急激な圧電特性の変化を生じるが、該発明の圧電磁器は−４０〜＋１００℃での圧電特性の変化が緩やかになる。 （もっと読む）

【課題】蒸着材に用いられるＺｎＯ焼結体において、希土類元素群から選ばれた２種以上１７種以下の元素を含む希土類元素酸化物の偏析を抑制し、組成均一性に優れたＺｎＯ蒸着材を製造するとともに、蒸着膜の組成が均一なＺｎＯ膜が得られるＺｎＯ蒸着材を製造する。
【解決手段】バレルスパッタリング法により、ＺｎＯ粉末１１の表面を、希土類元素群から選ばれた２種以上１７種以下の元素を含む希土類元素酸化物１３で被覆して粒状体１４とする。粒状体１４又はこれを仮焼後に解砕して得る仮焼粉末１９を用いて、第１造粒粉末１５又は第２造粒粉末２１を作製し、成形、焼結を経て、ＺｎＯ焼結体からなるＺｎＯ蒸着材１７又は２３を作製する。 （もっと読む）

【課題】ＺｎＯ原料粉末に添加される、希土類元素を２種以上１７種以下含む希土類元素酸化物粉末の偏析を抑制し、組成均一性に優れたＺｎＯ蒸着材を製造するとともに、膜組成が均一なＺｎＯ膜が得られるＺｎＯ蒸着材を製造する。
【解決手段】平均粒径が０．１〜１０μｍのＺｎＯ原料粉末１５を移動状態にし、このＺｎＯ粉末に平均粒径が０．０５〜５μｍで希土類元素を２種以上１７種以下含む希土類元素酸化物粉末１１を含むコーティング液１４を噴霧又は噴射し、その表面に厚さが０．０５〜５μｍの被覆層を形成して粒状体１９とする。粒状体１９又はこの粒状体を仮焼後に解砕して得られた仮焼粉末２４を用いて、第１造粒粉末２０又は第２造粒粉末２９を作製し、成形、焼結を経て、ＺｎＯ焼結体２２又は３２からなるＺｎＯ蒸着材を作製する。 （もっと読む）

【課題】多孔性に優れるとともに、焼成時の収縮率（焼成収縮率）を低く抑えることが可能なチタン酸アルミニウム系セラミックスからなる焼成体を製造し得る方法、チタン酸アルミニウム系セラミックスからなる多孔質セラミックス成形体であって、ＤＰＦなどのフィルターとして好適に適用できる、優れた細孔特性を有する多孔質セラミックス成形体を提供する。
【解決手段】アルミニウム源粉末およびチタニウム源粉末を含む原料混合物の成形体を焼成する工程を備え、該アルミニウム源粉末は、レーザ回折法により測定される粒径分布において、下記式（１）を満たすチタン酸アルミニウム系焼成体の製造方法および特定の細孔特性を有する多孔質セラミックス成形体が提供される。式中、Ｄ９０は体積基準の累積百分率９０％相当粒子径であり、Ｄ１０は体積基準の累積百分率１０％相当粒子径である。
（Ｄ９０／Ｄ１０）^1/2＜２ （１） （もっと読む）

【課題】電気絶縁抵抗に優れた結晶配向セラミックス、その製造方法、積層型圧電素子及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】等方性ペロブスカイト型化合物を主相とする多結晶体からなる圧電セラミックス２及びこれを圧電セラミック層とする積層型圧電素子である。圧電セラミックス２を構成する結晶粒２０は、コア相２１とシェル相２２とを有する。コア相２１及びシェル相２２の結晶格子欠陥量をそれぞれｄｃ、ｄｓとするとｄｓ／ｄｃ＜１．２の関係式を満たす。結晶配向セラミックス及び積層型圧電素子の製造にあたっては、原料混合時に、等方性ペロブスカイト型化合物１ｍｏｌに対する添加量が０．０５ｍｏｌ以下となるようにさらにＫ原料粉末及び／又はＬｉ原料粉末を混合する。また、焼成時に、雰囲気酸素分圧Ｐ_O2が５０％以上かつ温度９００℃以上の加熱を２時間以上行う。 （もっと読む）

【課題】 高比剛性を有するコージェライト質焼結体を提供する。
【解決手段】 コージェライトを主結晶とし、アルミナを副結晶として含有するコージェライト質焼結体であって、ＣａをＣａＯ換算で全量中０．２〜０．８質量％含み、ＣｕのＫα線を用いたＸ線回折装置により測定されるアルミナの主ピーク（２θ＝３５．０〜３５．５°）のピーク強度Ｉ_Ａｌとコージェライトの主ピーク（２θ＝２８．０〜２９．０°）のピーク強度Ｉ_ｍａｓとの比（Ｉ_Ａｌ／Ｉ_ｍａｓ）が０．０２〜０．１５を満足するとともに、実質的にガラス相が存在しない。 （もっと読む）

【課題】 半導体ウエハなどの被保持体の絶縁破壊を抑制し、かつパーティクルの付着を特に抑制できる保持用治具および吸着装置を提供すること。
【解決手段】 半導電性を有するセラミックスからなる支持体１６に吸気路２を形成した保持用治具２０であって、吸気路２の表面４は支持体１６における他の表面６より表面抵抗値が小さい領域を有している保持用治具２０とする。また、この保持用治具２０を備え、この保持用治具２０の吸気路２の吸気により、支持体１６の外表面６に対して表面抵抗値が小さい被保持体を吸着可能とした吸着装置とする。 （もっと読む）

【課題】比誘電率の高い誘電体ナノポア材料を提供する。
【解決手段】シュウ酸バリウムチタニルを焼成し、チタン酸バリウムの仮焼粉を得た。このチタン酸バリウム仮焼粉に平均粒径１５０ｎｍのポリメタクリル酸メチル微粒子を１０ｗｔ％添加して、湿式混合した。乾燥後、一軸プレス成形によりペレット化してから、１３００℃にて窒素雰囲気下で焼成し、ナノ閉気孔を有するチタン酸バリウムの焼結体を得た。この焼結体の気孔率は１０％であった。また、焼結体の断面の微構造観察を行ったところ、気孔径１００〜２００ｎｍの閉気孔が観察された。この焼結体の比誘電率は、緻密なチタン酸バリウム焼結体の誘電率の約２倍であった。 （もっと読む）

【課題】アーキング発生頻度を低減するスパッタリングターゲット及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明では、インジウム、スズ及び酸素を含んでなり、少なくともＩｎ_２Ｏ_３相と中間化合物相を有する焼結体であって、スズの含有量がＳｎＯ_２換算で、ＳｎＯ_２／（Ｉｎ_２Ｏ_３＋ＳｎＯ_２）で１０重量％以上１５重量％以下の場合、Ｘ線回折スペクトルにおける中間化合物相の（０１２）面又は（０２１）面とＩｎ_２Ｏ_３相の（２１１）面との回折ピーク強度の比をそれぞれ３．０％以下とし、スズの含有量がＳｎＯ_２換算で、ＳｎＯ_２／（Ｉｎ_２Ｏ_３＋ＳｎＯ_２）で１５重量％より大きく２０重量％以下の場合、Ｘ線回折スペクトルにおける中間化合物相の（０１２）面又は（０２１）面とＩｎ_２Ｏ_３相の（２１１）面との回折ピーク強度の比がそれぞれ９．０％以下とすることで、放電中のアーキングの発生率が低減する。 （もっと読む）