【課題】還元処理を行わなくても比抵抗が低い、酸化物半導体膜形成用のターゲットを提供する。
【解決手段】Ｉｎ，Ｇａ及びＺｎを含み、周囲よりもＩｎの含有量が多い組織と、周囲よりもＧａ及びＺｎの含有量が多い組織を備えている酸化物焼結体からなるスパッタリングターゲット。さらにＩｎ、Ｇａ及びＺｎの原子比が下記の式を満たす、酸化物焼結体からなるスパッタリングターゲット。０．２０≦Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ）≦０．７００．０１≦Ｇａ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ）≦０．５００．０５≦Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ）≦０．６０ （もっと読む）

【課題】強度の高い酸化インジウム−酸化亜鉛系スパッタリングターゲット及びその製造方法を提供する。
【解決手段】インジウム（Ｉｎ）と亜鉛（Ｚｎ）の酸化物を含有する焼結体の製造において、製造に用いるＺｎＯ粉末の出発原料又は解砕後の最大粒径を３μｍ以下に抑えることにより、焼結体中の結晶のグレインサイズを均一化とし、結晶のグレインサイズの短径を３μｍ〜５μｍ、長径を５μｍ〜１０μｍである焼結体。 （もっと読む）

【課題】酸化インジウムを成分とする高密度酸化物焼結体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】酸化インジウムを成分とする酸化物焼結体にスズを適切濃度添加することで、酸化粒焼結体の密度を高くすることができることを見出し、添加元素としてスズを含有するＩｎ_２Ｏ_３焼結体であって、スズの原子数が、焼結体中の全金属元素の原子数の総和に対する比率として０．０１〜０．２％添加することにより、相対密度が９８％以上となることを特徴とするスズ含有Ｉｎ_２Ｏ_３焼結体。 （もっと読む）

【課題】キュリー温度が高く、圧電性に優れたニオブ酸バリウムビスマス系のタングステンブロンズ構造金属酸化物を含有する圧電材料の提供。
【解決手段】下記一般式（１）で表されるタングステンブロンズ構造金属酸化物を含有する圧電材料であって、前記タングステンブロンズ構造金属酸化物にＬｉが含有されており、前記Ｌｉの含有量が金属換算で前記タングステンブロンズ構造金属酸化物１００重量部に対して０．０１５重量部以上０．６００重量部以下である圧電材料。Ａ_ｘＢ_１０Ｏ_３０（式中、ＡはＢａおよびＢｉであるか、またはＮａ、Ｓｒ、Ｃａから選ばれる少なくとも１種以上の元素、ＢａおよびＢｉである。ＢはＮｂ、またはＮｂおよびＴａである。ｘは４．５＜ｘ＜５．５の数値を表す。） （もっと読む）

【課題】量産時の連続スパッタリング工程においても、非エロージョン部に堆積した付着膜がターゲット表面から剥がれにくく、ノジュールやアーキングの生じにくい焼結体ターゲットの提供。
【解決手段】酸化亜鉛を主成分とした薄膜製造用焼結体ターゲットにおいて、ベースとなる焼結体ターゲットのスパッタ面に、ｃ軸配向した酸化亜鉛を主成分とした薄膜が膜厚２０ｎｍ以上のシード膜として形成されていることを特徴とする薄膜製造用焼結体ターゲット；酸化亜鉛を主成分とした薄膜製造用焼結体ターゲットの製造方法において、ベースとなる焼結体ターゲットのスパッタ面に、組成が、該焼結体ターゲットの組成と実質的に同じであるシード膜形成用ターゲットを用いて、スパッタリング法で、ｃ軸配向した酸化亜鉛を主成分としたシード膜を２０ｎｍ以上の厚さに成膜することを特徴とする薄膜製造用焼結体ターゲットの製造方法などによって提供。 （もっと読む）

【課題】高い耐久力を有し、湿分、酸およびアルカリに対して不感性であり、放射能が低く、広スペクトル範囲において透明かつ非吸収性であり、溶融および蒸発中に最初の組成を変化させず、低い焼結温度しか必要とせず、それを利用して１．７〜１．８の範囲にその屈折率を特定して設定することができる前記特性を有する中程度屈折率の層を得ることができる、中程度屈折率の光学層の製造のための蒸着材料を提供する。
【解決手段】酸化アルミニウム、ならびに、酸化ガドリニウム、酸化ジスプロシウムおよび酸化イッテルビウムからなる群より選択される少なくとも一つの化合物を含む、中程度の屈折率の光学層を製造するための蒸着材料。 （もっと読む）

本発明は、酸化スズを主要構成要素として有し、１種類が酸化アンチモンである少なくとも２種類の別の酸化物０．５から１５ｗｔ％を有するセラミック体を含むスパッタリングターゲットを記述する。ターゲットは、理論密度（ＴＤ）の少なくとも９０％、好ましくは少なくとも９５％の密度を有し、５０Ω・ｃｍ未満の電気抵抗率を有する。ターゲットは、平面または回転構造を有し、スパッタリング面積が少なくとも１０ｃｍ^２、好ましくは少なくとも２０ｃｍ^２である。このスパッタリングターゲットを製造するプロセスであって、酸化スズと少なくとも２種類の別の酸化物とを含むスラリーを用意するステップ、スラリーから未焼成体を成形し、未焼成体を乾燥させるステップ、未焼成体を１０５０から１２５０℃の温度で焼成し、それによって予備成形ターゲットを得るステップ、および予備成形ターゲットを粉砕してその最終寸法にするステップを含むプロセスも記述する。 （もっと読む）

【解決手段】走査型電子顕微鏡を用いて倍率１０００倍で観察して得られた組織画像の中から任意に２０μｍ×２０μｍの領域を３０個選択し、波長分散型電子線マイクロアナライザーにて各領域におけるＩｎおよびＳｎの質量組成（質量％）を分析し、Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ）比を求め、この比から換算して得られた３０個のＳｎＯ₂組成の平均である平均
組成ｘと、前記３０個のＳｎＯ₂組成の標準偏差σとが、２≦ｘ／σ≦６の関係を満足す
ることを特徴とするＩＴＯスパッタリングターゲット。
【効果】本発明のＩＴＯスパッタリングターゲットは、圧縮強さが大きく、高パワーを負荷してスパッタリングを行っても割れが発生することが少なく、アーキングおよびノジュールの発生も抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】加工性に優れた快削性セラミックスを提供する。
【解決手段】酸化アルミニウムからなり、ＸＲＤのピーク強度により算出される結晶配向度Ｉ_３００／（Ｉ_３００＋Ｉ_１０４）が０．１〜０．２であることを特徴とする快削性セラミックス。純度９９質量％以上、粒子径０．０３μｍ以下、のＴｉＯ_２粉末を０．１〜０．４質量％添加してなり、酸化アルミニウム焼結体の平均結晶粒径が１０μｍ以上、焼結体密度が３．９０ｇ／ｃｍ^３以上である。 （もっと読む）

【課題】耐酸性及び高温耐電圧特性に優れたスパークプラグを提供すること。
【解決手段】略筒状に形成され、軸線方向に貫通する貫通孔６を有する絶縁体２と、貫通孔６に挿設された中心電極３とを備えたスパークプラグ１００であって、前記絶縁体２は、Ｓｉ成分とＢａ成分とＣａ成分とＭｇ成分とを下記条件（１）及び（２）を満足するように含有し、Ｂ成分を実質的に無含有であるアルミナ基焼結体で形成されてなることを特徴とするスパークプラグ１００。
条件（１）：Ｓｉ成分の酸化物換算質量に対するＣａ成分の酸化物換算質量の割合Ｒ_Ｃａが０．０５〜０．４０、条件（２）：Ｓｉ成分の酸化物換算質量、Ｃａ成分の酸化物換算質量及びＭｇ成分の酸化物換算質量の合計質量に対するＭｇ成分の酸化物換算質量の割合Ｒ_Ｍｇが０．０１〜０．０８ （もっと読む）

【課題】十分な硬性、剛性、耐摩耗性及び耐磨耗性更には適した熱伝導性及び熱膨張性を備えたＥＳＤ保護用セラミック部材を提供する。
【解決手段】基材と抵抗率調節剤から形成される焼結組成物を含むＥＳＤ保護用セラミック部材であり、該基材は一次成分と二次成分を含み、一次成分はＡｌ₂Ｏ₃を含み、二次成分は正方晶ＺｒＯ₂を含む。 （もっと読む）

【課題】耐汚損性と長期にわたる耐電圧特性とを兼ね備える小型のスパークプラグ、及び、このスパークプラグの製造方法を提供すること。
【解決手段】先端側に脚長部３０を有する絶縁体２と中心電極３と係合凸部５６で絶縁体２を保持する主体金具１とを備え、係合凸部５６の内径Ｄ_ＩＮ、係合凸部５６の内周面５９に対面する脚長部３０の最大外径ｄ_ＯＵＴ、その内径ｄ_ＩＮ及び絶縁体２の誘電率εが下記条件を満足するスパークプラグ１００、並びにＡｌ化合物粉末とＳｉ化合物粉末とＭｇ化合物粉末及びＢａ化合物粉末を含む２種類以上の第２族元素化合物粉末と０．５〜４．０質量％の希土類化合物粉末とを含有する原料粉末を加圧成形後に焼結して絶縁体２を製造する工程を含むスパークプラグ１００の製造方法。条件：（Ｄ_ＩＮ−ｄ_ＯＵＴ）／２≦０．４０(mm)、（ｄ_ＯＵＴ−ｄ_ＩＮ）／２≦１．６５(mm)及びε≧９．４（F/m）） （もっと読む）

【課題】昇華性ではない、すなわち溶融した後に蒸発する金属ケイ素と二酸化ケイ素と一酸化ケイ素とを添加した蒸着材料であって、蒸発速度が上昇し、スプラッシュが抑制され、バリア性の良好なバリアフィルムを製造できる蒸着材料を提供する。
【解決手段】金属ケイ素と一酸化ケイ素と二酸化ケイ素とを含有し、ケイ素と酸素との原子比（O/Si）が1.05〜1.6であり、かさ密度が1.2〜1.5 ｇ／ｃｍ^３であり、好ましくは蒸着材料をフィルム上に蒸着した膜の成分のケイ素と酸素との原子比（O/Si）が1.9以下であるEB加熱方式用の蒸着材料。 （もっと読む）

【課題】アルミニウム（ＩＩＩ）含有の熱蛍光板状体、及びこの熱蛍光板状体を利用することによって、放射線の３次元線量分布を取得することが可能である熱蛍光積層体を簡易に製造する。
【解決手段】まず、四ホウ酸リチウム、酸化マンガン（ＩＶ）、及び酸化アルミニウムの各成分を混合して第１混合体を形成する。次に、この第１混合体を熱処理することによって第１焼結体を形成し、この第１焼結体を粉砕して粉砕体にする。次に、第１混合体の各成分と同一の成分を粉砕体に最混入させずに、この粉砕体を平板状に圧迫成型することによって板状体を形成する。次に、この板状体を熱処理することによって、第２焼結体としての熱蛍光板状体を形成する。 （もっと読む）

【課題】熱容量が低減され、ガス抜けを良好にし、耐クリープ性に優れたセラミック焼成用窯道具板を提供する。
【解決手段】一方の面Ａ側に互いに離間して平行に配置された複数の第１凸条部５ａと、他方の面Ｂ側に互いに離間して平行に配置された複数の第２凸条部５ｂと、第１凸条５ａ部及び第２凸条部５ｂの長手方向における端部に連結するとともに外周を取り囲むように配設された枠部１１とを備え、第１凸条部５ａ間に形成された第１凹部４ａと、第２凸条部５ｂ間に形成された第２凹部とが重なる部分に開口部７が形成され、一方の面Ａ側から見たときの枠部１１の外周１１ａの形状が多角形であり、枠部１１の対向する二辺（辺２ａ及び辺２ｂ）間を結ぶように配設された、棒状の補強部６を更に備えるセラミック焼成用窯道具板１００。 （もっと読む）

【課題】高い屈折率とともに高い発光効率を有する透光性セラミックを提供する。
【解決手段】 ペロブスカイト型化合物ＡＢＯ₃（ただし、ＡはＢａを含む）を主成分とし、希土類元素Ｒ（ＲはＣｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂから選ばれる少なくとも一種）を含む組成を有する透光性セラミックであり、希土類元素ＲがＡサイトに含まれる。 （もっと読む）

グリーン膜及びその後の焼結に供して作成される多孔被覆高密度焼結セラミック膜であって、前記膜は、塗布とそれに続く熱処理によって作成される特定の濃度の貴金属を含むセラミック材料で被覆されており、被覆中０．２乃至５質量％の貴金属が含まれている。 （もっと読む）

【課題】比表面積が大きく、かつ、かかる気孔が連通気孔で構成される多孔体を容易に製造することができる多孔体の製造方法、かかる多孔体の製造方法により製造された多孔体を提供すること。
【解決手段】本発明の多孔体の製造方法は、セラミックス材料の一次粒子が分散したスラリーを得るとともに、前記一次粒子が造粒したセラミックス材料の二次粒子を得る工程と、前記スラリーに前記二次粒子を添加した後、当該スラリーを加熱することにより、前記二次粒子同士を、前記一次粒子を介して固着させることにより多孔体を得る工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】インジウムの含有量を低減させているにも拘らず、十分に高い光透過性及び十分に低い抵抗率を有する導電性酸化物を提供すること。
【解決手段】酸化インジウム及び酸化スズからなるインジウムスズ複合酸化物と、前記インジウムスズ複合酸化物にドープされたアンチモンとを含有する導電性酸化物であって、前記インジウムスズ複合酸化物中のインジウム及びスズの合計量に対するスズの含有量の原子比率が２．６〜４７．２ａｔ％であり、且つ、前記導電性酸化物中のインジウム、スズ及びアンチモンの合計量に対するアンチモンの含有量の原子比率が２．７〜１４．５ａｔ％であることを特徴とする導電性酸化物。 （もっと読む）

【課題】抵抗率が低く、光透過性に優れる複合酸化物結晶質膜を提供すること。
【解決手段】主として、インジウム、ストロンチウム及び酸素から構成される複合酸化物焼結体であって、上記複合酸化物焼結体中のインジウム、ストロンチウム及び錫の総原子数に対する、錫及びストロンチウムの原子数の比が、それぞれ０〜０．３及び０．０００１〜０．０５であり、相対密度が９７％以上であり、平均粒径が７μｍ以下である、複合酸化物焼結体。 （もっと読む）