【課題】 優れた光の反射特性を有すると共に、内部にボイドが生じにくいアルミナセラミックの製造方法を提供する。
【解決手段】 Ｂａ_{０．８０８}Ａｌ_１．７１Ｓｉ_２．２９Ｏ_８相を含有するフリットを焼成する第１焼成工程Ｐ２と、フリットを粉砕して、Ｂａ_{０．８０８}Ａｌ_１．７１Ｓｉ_２．２９Ｏ_８相を含有するアルミナセラミック粒子を含むフリット粉末とする粉砕工程Ｐ３と、少なくとも、フリット粉末と、アルミナを含有するアルミナ粉末と、シリカを含有するシリカ粉末とを混合し、混合材料とする混合工程Ｐ４と、混合材料を成形する成形工程Ｐ５と、成形された混合材料を焼結する第２焼成工程Ｐ６とを備える。 （もっと読む）

【課題】ターゲットに用いられる焼結体の板厚が従来より厚くなった場合においても、ノジュールの発生量が少なく、ライフエンドまで安定して成膜することが可能なＩＴＯスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】直径１０μｍ以上の酸化スズの凝集粒子数が０．２７ｍｍ^２あたり１個以下であり、かつ厚さが１０ｍｍ以上である、実質的にインジウム、スズおよび酸素からなる焼結体を有するスパッタリングターゲットを用いる。 （もっと読む）

【課題】イオン伝導度を有する、新規な結晶構造を有する物質を開発する。
【解決手段】（ａ）ないし（ｃ）の条件を満足する新規な結晶構造を有する金属複合酸化物であって、（ａ）空間群がＦｄ−３ｍに属し、（ｂ）格子定数が１７．０±１．０Åの範囲にあり、（ｃ）単位格子内の結晶学的配置が、陽イオンにより下記表のサイト占有率で占有されている金属複合酸化物。好ましくは、バリウム−タングステン複合酸化物および／またはその誘導体。
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【課題】アルカリ成分との反応が抑制され、かつ一層の軽量化が図られた断熱耐火物を提供すること。
【解決手段】本発明の断熱耐火物は、アルミナ又はジルコニアセラミックスからなり、シリカを含まないか、又は含んだとしても１重量％以下であり、気孔率が６５〜８５％であり、かつ圧縮強さが２ＭＰａであることを特徴とする。この断熱耐火物は、アルミナ粒子又はジルコニア粒子、水溶性高分子材料、多糖類、焼成によって消失可能な造孔粒子、及び液媒体を混練して得られた混練物を、該造孔粒子が破壊されない圧力でプレス成形して成形体を得；次いで該造孔粒子が消失する条件下に該成形体を焼成することで好適に製造される。 （もっと読む）

【課題】Ｌｉ_ｘＫ_ｙＮａ_{（１−ｘ−ｙ）}Ｎｂ_ａＴａ_ｂＳｂ_{（１−ａ−ｂ）}Ｏ_３を母材として、環境に優しく、圧電特性に優れるとともに、緻密性と耐湿性を向上させて、高い信頼性を有する圧電材料を提供する。
【解決手段】焼結体からなる圧電材料１ｂであって、一般式Ｌｉ_ｘＫ_ｙＮａ_{（１−ｘ−ｙ）}Ｎｂ_ａＴａ_ｂＳｂ_{（１−ａ−ｂ）}Ｏ_３で表される母材と、ガラスとを基本成分として含み、前記一般式において、０≦ｘ≦０．３、０．１≦ｙ≦０．７、０．３≦ａ≦０．９、０≦ｂ≦０．２であり、前記母材の成分におけるＫ、Ｎａ、Ｎｂを含んで一般式Ｋ_ｙＮａ_{（１−ｘ−ｙ）}Ｎｂ_ａＯ_３で表される化合物を核体１０ｂとして、当該核体が、前記基本成分のうち、前記ＫＮＮ化合物を構成する成分以外の成分からなる被膜体１２ｂによって覆われている構造を有している。 （もっと読む）

【課題】相対密度が高く、抵抗が低く、均一で、良好な酸化物半導体や透明導電膜等の酸化物薄膜を作製しうるスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】下記に示す酸化物Ａと、ビックスバイト型の結晶構造を有する酸化インジウム（Ｉｎ_２Ｏ_３）と、を含有するスパッタリングターゲット。
酸化物Ａ：インジウム元素（Ｉｎ）、ガリウム元素（Ｇａ）、及び亜鉛元素（Ｚｎ）を含み、Ｘ線回折測定（Ｃｕｋα線）により、入射角（２θ）が、７．０°〜８．４°、３０．６°〜３２．０°、３３．８°〜３５．８°、５３．５°〜５６．５°及び５６．５°〜５９．５°の各位置に回折ピークが観測される酸化物。 （もっと読む）

【課題】 配向度の高いニオブ酸バリウムビスマス系のタングステンブロンズ構造金属酸化物の圧電材料を提供する。また、それを用いた圧電素子、液体吐出ヘッド、超音波モータおよび塵埃除去装置を提供する。
【解決手段】 そのための本発明は少なくともＢａ、Ｂｉ、Ｎｂの金属元素を含み、前記金属元素がモル換算で以下の条件を満たすタングステンブロンズ構造金属酸化物を含有する圧電材料であって、前記圧電材料にＷが含有されており、前記Ｗの含有量が前記タングステンブロンズ構造金属酸化物１００重量部に対して金属換算で０．４０重量部以上３．００重量部以下であり、前記タングステンブロンズ構造金属酸化物がｃ軸配向を有することを特徴とする圧電材料である。Ｂａ／Ｎｂ＝ａとしたときのａが：０．３０≦ａ≦０．４００、Ｂｉ／Ｎｂ＝ｂとしたときのｂが：０．０１２≦ｂ≦０．０８４ （もっと読む）

【課題】スパッタ成膜時に発生するノジュールを抑制し、酸化物半導体膜を安定かつ再現性よく得ることができるスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】Ｉｎ元素、Ｃｕ元素及びＧａ元素をＣｕ／（Ｃｕ＋Ｉｎ＋Ｇａ）＝０．００１〜０．０９及びＧａ／（Ｃｕ＋Ｉｎ＋Ｇａ）＝０．００１〜０．９０の原子比で含む金属酸化物焼結体からなるスパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】低温で焼成して得ることを可能としつつ、焼結性を確保し、優れた誘電特性を有する誘電体磁器、誘電体磁器の製造方法及び電子部品を提供する。
【解決手段】本発明に係る誘電体磁器組成物は、Ｍｇ₂ＳｉＯ₄を含む主成分と、亜鉛酸化物及びガラス成分を含み、かつアルミニウム酸化物とチタン酸化物との何れか一方又は両方を含む副成分とを含む。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング法による透明導電膜の製膜時のノジュールの発生を抑止して安定性よく製膜することのできるスパッタリングターゲットおよびその製造法を提供する。
【解決手段】酸化インジウムと酸化ガリウムおよび酸化亜鉛からなる金属酸化物の焼結体であって、該金属酸化物がＩｎ_２Ｏ_３（ＺｎＯ）_ｍ〔ただし、ｍは２〜１０の整数である。〕、Ｉｎ_２Ｇａ_２ＺｎＯ_７、ＩｎＧａＺｎＯ_４、ＩｎＧａＺｎ_２Ｏ_５、ＩｎＧａＺｎ_３Ｏ_６、ＩｎＧａＺｎ_４Ｏ_７、ＩｎＧａＺｎ_５Ｏ_８、ＩｎＧａＺｎ_６Ｏ_９およびＩｎＧａＺｎ_７Ｏ_１０の群から選択される１種または２種以上の六方晶層状化合物を含有し、かつ、酸化インジウム９０〜９９質量％、酸化ガリウムと酸化亜鉛の合計１〜１０質量％の組成を有する焼結体からなるスパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】電界強度に比して大きな変形量を示す結晶配向セラミックスを提供する。
【解決手段】結晶配向セラミックス複合体は、第１面及び第２面を有する基板と、第１面に対向するように配置された｛１００｝配向セラミックス膜と、を有する。｛１００｝配向セラミックス膜は、第１断面を備える。第１断面とは、第１面に対して垂直であって、第１面の法線に対して±２０度の範囲内であるドメイン壁を備える９０度ドメインが、第１断面の１／３以上の面積を占める断面である。 （もっと読む）

【解決手段】ＳｎをＳｎＯ₂換算で５質量％以下含有し、残留応力が−６５０〜−２００ＭＰａであることを特徴とするＩＴＯスパッタリングターゲットである。前記残留応力は、ＩＴＯスパッタリングターゲットがボンディングされるバッキングプレートの熱膨張係数が２．３８６×１０^-5／℃以下である場合には−６００〜−２００ＭＰａ、熱膨張係数が２．３８６×１０^-5／℃より大きい場合には−６５０〜−２５０ＭＰａであることが好ましい。
【効果】本発明のＩＴＯスパッタリングターゲットは、ＳｎＯ₂の含有量が５質量％以下であっても割れにくく、銅製のバッキングプレート等にボンディングするときであっても割れを生じにくい。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング法を用いて酸化物半導体薄膜を成膜する際に発生する異常放電を抑制し、酸化物半導体薄膜を安定且つ再現性よく得ることができる酸化物焼結体を提供する。
【解決手段】インジウム及びアルミニウムの酸化物を含有し、原子比Ａｌ／（Ａｌ＋Ｉｎ）が０．０１〜０．０８である酸化物焼結体。 （もっと読む）

【課題】成膜時にスプラッシュ発生の抑制が可能であり、成膜装置の供給口での詰まりが発生しにくい酸化マグネシウム焼結体、及び、これを用いたＰＤＰの保護膜用蒸着材、並びに、前記焼結体の製造方法を提供する。
【解決手段】酸化マグネシウムと、マグネシウム以外の周期表第２Ａ族元素の酸化物３〜５０質量％と、必要によりアルミニウム、イットリウム、セリウム、ジルコニウム、スカンジウム、及びクロムからなる群より選ばれる一種類又は二種類以上の元素を１０００ｐｐｍ以下を含む酸化マグネシウム焼結体であって、その形状が、円板状、楕円板状、多角形板状若しくは半月板状であるか、又は、立方体若しくは直方体の頂点に丸みを持たせた形状である酸化マグネシウム焼結体。 （もっと読む）

【課題】常圧焼結法により安定して一定の圧電特性を持ち緻密化した焼結体となる、アルカリ金属含有ニオブ酸化物からなる圧電セラミックスおよび製造方法を提供すること。
【解決手段】アルカリ金属含有ニオブ酸化物を含む主成分に酸化ビスマスおよび酸化亜鉛からなる焼結助剤を添加した圧電セラミックスであって、仮焼工程、主成分の仮焼粉と焼結助剤とを混合する混合工程、混合工程で得られた混合紛を焼成して焼結体とする焼成工程を経ることで常圧焼結法により緻密化したアルカリ金属含有ニオブ酸化物からなる圧電セラミックスが得られる。 （もっと読む）

【課題】機械的強度が高く、放熱性に優れ、かつ、高反射性を有し劣化などによる反射性の低下が生じないセラミック焼結体を提供する。
【解決手段】粉体材料を混合したものを成形した後焼成して成るセラミック焼結体であって、セラミック焼結体を製造する際に用いる粉体材料は、主成分のアルミナと、ジルコニアと、マグネシア粉末とを含有し、ジルコニアの含有量の上限は、粉体材料の全重量に対して３０ｗｔ％であり、マグネシアの含有量は、粉体材料の全重量に対して０.０５〜１.００ｗｔ％の範囲内であり、ジルコニア中の不純物であるＦｅおよびＴｉの含有量を、ＦｅをＦｅ_２Ｏ_３に，ＴｉをＴｉＯ_２にそれぞれ換算して示した場合、Ｆｅ_２Ｏ_３，ＴｉＯ_２のそれぞれの含有量は、ジルコニアの全重量に対して０.０５ｗｔ％以下であり、ジルコニアの粒度分布から求めた９７％粒径は、１.５μｍ以下であることを特徴とするセラミック焼結体による。 （もっと読む）

【課題】アルミナ水和物微粒子をセラミックス成型体の結合剤として用いると、得られたセラミックス成型体の強度が充分でないという問題があり、また、この強度を上げるために結合剤の量を増やそうとすると、触媒活性成分の含有量が減少するため成型体の触媒活性が低下しないものを提供する。
【解決手段】保水性が高く、溶媒中での分散性と安定性に優れたアルミナ水和物微粒子であって、該アルミナ水和物微粒子の結晶子径が１〜１０ｎｍの範囲にあり、動的光散乱法による平均二次粒子径が２０〜３００ｎｍの範囲にあり、かつ平均細孔径が１〜１０ｎｍの範囲にあって、さらに、該アルミナ水和物微粒子を水に分散させてＡｌ₂Ｏ₃換算基準で固形分濃度７重量％の水分散体としたときの該分散体の粘度が２０００〜１２０００ｍＰａ・ｓの範囲にあるアルミナ水和物微粒子を用いる。 （もっと読む）

【課題】常圧大気中での焼結によっても、高密度の焼結体を実現できるアルカリニオブ酸系圧電セラミックスの製造方法を提供する。
【解決手段】一般式ＡＭＯ_３（Ａはアルカリ金属、ＭはＮｂを必須とする遷移金属、Ｏは酸素）で表わされるニオブ系圧電セラミックスの製造方法において、目的組成に対してアルカリ金属成分を１０重量％未満（但し０重量％を除く）減じた組成の粉末を合成し、当該減じた分量のアルカリ金属を含有する粉末を前記合成粉末に混合し、成形した後、９００℃以上１２８０℃以下の温度で焼成する。このような工程を経ることにより、高密度のアルカリニオブ酸系圧電セラミックスを常圧大気中での焼結によっても提供できる。 （もっと読む）

【課題】高い配向性を維持しながら、クラックの無い焼結性の良好な機能性セラミックス材料の製造方法を提供する。
【解決手段】金属酸化物粉体を分散させた第一のスラリーを基材上に設置する工程と、前記第一のスラリーに対して磁場を印加し凝固させて第一の成形体からなる下引き層を形成する工程と、前記下引き層の上に、前記セラミックスを構成する金属酸化物粉体を含む第二のスラリーを設置する工程と、前記第二のスラリーに対して磁場を印加し凝固させて第二の成形体を形成して前記第二の成形体と前記下引き層の積層体を得る工程と、前記第二の成形体と前記下引き層の積層体から前記下引き層を除去した後に焼成するか、又は前記第二の成形体と前記下引き層の積層体を焼成した後に前記下引き層を除去して、前記第二の成形体からなるセラミックスを得る工程を有するセラミックスの製造方法。 （もっと読む）

【課題】ＣＶ積が低く、種々の特性のバラツキを小さくすることができ、しかも結晶粒子の粒成長が抑制された電圧非直線性抵抗体磁器組成物を提供すること。
【解決手段】主成分として酸化亜鉛を含有し、酸化亜鉛１００モルに対して、副成分として、Ｃｏの酸化物をＣｏ換算で０．０５原子％超３０原子％未満、Ｓｒの酸化物をＳｒ換算で０．０５原子％超２０原子％未満、Ｒの酸化物（Ｒは、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、ＹｂおよびＬｕからなる群から選ばれる少なくとも１つ）を、Ｒ換算で０．０１原子％超２０原子％未満、Ｓｉの酸化物をＳｉ換算で０．０１原子％超１０原子％未満、含有し、Ａｌ、ＧａおよびＩｎを含有しないことを特徴とする電圧非直線性抵抗体磁器組成物。 （もっと読む）