【課題】微粒であり、均一な粒度を有し、誘電体層の薄層化に寄与しうる六方晶系チタン酸バリウム粉末を提供すること。
【解決手段】本発明に係る六方晶系チタン酸バリウム粉末は、最大粒径が１．０μｍ以下であり、９０％累積粒子径（Ｄ９０）と５０％累積粒子径（Ｄ５０）との比（Ｄ９０／Ｄ５０）が３．０以下であり、六方晶化率が５０％以上であることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、消石灰の高強度ブリケットとそれを原料として用いたカルシウムカーバイドを提供することである。
【解決手段】 粒子サイズが３０〜１５０ｍｍ、含水率が３〜１５％、炭酸カルシウム化率が１０ｍｏｌ％以上である消石灰ブリケット。消石灰ブリケットを焼成してなる生石灰ブリケット。
生石灰ブリケットをカルシウム原料として用いたカルシウムカーバイドの製造方法。粒子サイズ３０〜１５０ｍｍ、含水率３〜１５％の消石灰ブリケットを炭酸化する消石灰ブリケットの製造方法。 （もっと読む）

【課題】直流バイアス電界に対する比誘電率変化が大きく、比誘電率の温度依存性が小さく、幅広い周波数域における誘電損失が小さく、しかも、低温焼結が可能なチューナブルデバイス用誘電体セラミックスを提供すること。
【解決手段】一般式：（１−ｘ−ｙ）ＮａＮｂＯ₃−ｘＳｒＴｉＯ₃−ｙＣａＴｉＯ₃（但し、０≦ｘ＜１、０≦ｙ＜１、０＜ｘ＋ｙ＜１）で表される組成を有するチューナルブルデバイス用誘電体セラミックス。ｘ及びｙは、０≦ｘ≦０．２、０≦ｙ≦０．２、０＜ｘ＋ｙ≦０．２が好ましく、（ｘ、ｙ）＝（０、０．１５）、（０．０９、０．０６）、（０．０４、０．０６）、（０、０．１０）の４点で囲まれる領域内（境界線上を含む）がさらに好ましい。 （もっと読む）

【課題】表示装置用酸化物半導体膜の成膜に好適に用いられる酸化物焼結体およびスパッタリングターゲットであって、高い導電性と相対密度を兼ね備えた酸化物焼結体およびスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】本発明の酸化物焼結体は、酸化亜鉛と；酸化スズと；Ａｌ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｍｇ、Ｇａおよび希土類元素よりなる群から選択される少なくとも一種の金属（Ｍ金属）の酸化物の各粉末と、を混合および焼結して得られる酸化物焼結体であって、酸化物焼結体をＸ線回折したとき、Ｚｎ₂ＳｎＯ₄化合物は検出されるが、スピネル型化合物であるＺｎＭ_XＯ_y相およびＭ_XＯ_y相（ｘ、ｙは任意の整数である）は検出されないものである。 （もっと読む）

【課題】酸化チタンの添加や石膏型の使用に起因する色むらのない快削性セラミックスを提供する。
【解決手段】酸化アルミニウム焼結体で構成される快削性セラミックスにおいて、酸化チタンを０．１〜０．４質量％含み、酸化カルシウムを０．０５〜２．０質量％含むようにする。酸化アルミニウム焼結体は、酸化アルミニウム、酸化チタン、及び酸化カルシウムの粉末を混合した混合物のスラリーを用い、所定の吸水性材料で構成された底部１１と、非吸水性材料で構成された側壁部１２とを備える成形型１０を用いた鋳込み成形により該粉末の混合物を成形し、そして、成形された該混合物を焼成することにより形成される。 （もっと読む）

【課題】Ｃｏを含み、高導電率を示すペロブスカイト型導電性酸化物材料及びそれを用いた電極を提供する。
【解決手段】(RE_1-xAE_x)CoO₃（RE：希土類元素、AE：アルカリ土類元素、0<x<1）で表されるペロブスカイト型導電性酸化物材料であって、結晶構造解析により得られたCoO₆八面体が1.0025以上の歪みを有する。 （もっと読む）

【課題】高価なガリウム（Ｇａ）、及び、膜の安定性に問題がある亜鉛（Ｚｎ）を含有しない酸化物半導体膜製造用の酸化物焼結体を提供することを課題とする。また、当該酸化物焼結体と同一組成をもつ酸化物半導体薄膜を提供することを別の課題とする。
【解決手段】３価のインジウムイオン（Ｉｎ³⁺）と、２価の金属イオン（Ｘ²⁺）（但し、ＸはＭｇ、Ｃａ、Ｃｏ及びＭｎから選択される１種以上の元素を表す。）と、３価の金属イオン（Ｙ³⁺）（但し、ＹはＢ、Ｙ、Ｃｒから選択される１種以上の元素を表す。）又は４価の金属イオン（Ｚ⁴⁺）（但し、ＺはＳｉ、Ｇｅ、Ｔｉ、Ｚｒから選択される１種以上の元素を表す。）と、酸素イオン（Ｏ^2-）とからなり、３価のインジウムイオン（Ｉｎ³⁺）、２価の金属イオン（Ｘ²⁺）、３価の金属イオン（Ｙ³⁺）、及び、４価の金属イオン（Ｚ⁴⁺）の原子数比がそれぞれ、０．２≦［Ｉｎ³⁺］／｛［Ｉｎ³⁺］＋［Ｘ²⁺］＋［Ｙ³⁺］＋［Ｚ⁴⁺］｝≦０．８、０．１≦［Ｘ²⁺］／｛［Ｉｎ³⁺］＋［Ｘ²⁺］＋［Ｙ³⁺］＋［Ｚ⁴⁺］｝≦０．５、及び、０．１≦｛［Ｙ³⁺］＋［Ｚ⁴⁺］｝／｛［Ｉｎ³⁺］＋［Ｘ²⁺］＋［Ｙ³⁺］＋［Ｚ⁴⁺］｝≦０．５を満たす酸化物焼結体。 （もっと読む）

【課題】高価なガリウム（Ｇａ）を含有しない酸化物半導体膜製造用の酸化物焼結体を提供することを課題とする。また、当該酸化物焼結体と同一組成をもつ酸化物半導体薄膜を提供することを別の課題とする。
【解決手段】３価のインジウムイオン（Ｉｎ³⁺）と、３価の鉄イオン（Ｆｅ³⁺）と、２価のＸイオン（Ｘ²⁺）（但し、ＸはＣｕ、Ｚｎ、及びＦｅから選択される１種以上の元素を表す。）と、酸素イオン（Ｏ^2-）とからなる酸化物焼結体であって、３価のインジウムイオン（Ｉｎ³⁺）、３価の鉄イオン（Ｆｅ³⁺）、及び２価のＸイオン（Ｘ²⁺）の原子数比がそれぞれ、０．２≦（Ｉｎ³⁺）／｛（Ｉｎ³⁺）＋（Ｆｅ³⁺）＋（Ｘ²⁺）｝≦０．８、０．１≦（Ｆｅ³⁺）／｛（Ｉｎ³⁺）＋（Ｆｅ³⁺）＋（Ｘ²⁺）｝≦０．５、及び０．１≦（Ｘ²⁺）／｛（Ｉｎ³⁺）＋（Ｆｅ³⁺）＋（Ｘ²⁺）｝≦０．５を満たす酸化物焼結体及びこれと同一組成をもつ酸化物半導体薄膜。 （もっと読む）

【課題】高価なガリウム（Ｇａ）、及び、膜の安定性に問題がある亜鉛（Ｚｎ）を含有しない酸化物半導体膜製造用の酸化物焼結体を提供することを課題とする。また、当該酸化物焼結体と同一組成をもつ酸化物半導体薄膜を提供することを別の課題とする。
【解決手段】インジウム（Ｉｎ）と、マグネシウム（Ｍｇ）と、金属元素Ｘ（但し、ＸはＡｌ、Ｆｅ、Ｓｎ、Ｔｉから選択される１種以上の元素を表す）と、酸素（Ｏ）とからなり、インジウム（Ｉｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、及び、金属元素Ｘの原子数比がそれぞれ、０．２≦［Ｉｎ］／［Ｉｎ＋Ｍｇ＋Ｘ］≦０．８、０．１≦［Ｍｇ］／［Ｉｎ＋Ｍｇ＋Ｘ］≦０．５、及び、０．１≦［Ｘ］／［Ｉｎ＋Ｍｇ＋Ｘ］≦０．５を満たす酸化物焼結体。 （もっと読む）

【課題】マイクロ波誘電共振器（ＤＲ）に使用する従来技術に係る高Ｑ誘電体は高価な材料、すなわちＴａを使用すること、１５５０〜１６２０℃もの高い焼結温度、その他によって、非常に高価なものになっていた。
【課題を解決する手段】本発明のＴａを使用しない新規なセラミックはＢａ、Ｍｇ及びＮｂを含む。このセラミックは組成式Ｂａ_４−５ｘＭｇ_５ｘＮｂ_２＋ｙＯ_９で表される。ここで、０．３５＜ｘ≦０．４７及び−０．０５≦ｙ≦０．０１であり、また共振周波数の温度係数は−５〜＋６ｐｐｍ／℃の範囲である。このセラミックの焼結温度は従来技術の当該温度よりも大幅に低く、１３６０℃未満である。 （もっと読む）

【課題】透明電極膜を形成するスパッタリングプロセスにおいて、高密度でノジュール発生が少ない焼結体ターゲットを効率的に製造し、これによってノジュールの発生に伴う生産性の低下や品質の低下を抑制し、さらに粉砕メディアからの汚染（コンタミ）を無視できるターゲットを提供する。
【解決手段】酸化インジウム中に酸化ジルコニウム０．１〜５重量％含有し、該酸化インジウム中に酸化ジルコニウムが固溶していることを特徴とするスパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】 非酸化性雰囲気下において高い機械的強度を維持できる耐熱性セラミックスおよび断熱材を提供する。
【解決手段】 ＦｅＡｌＴｉＯ_５結晶粒子とＡｌ、ＴｉおよびＭｇを含有する結晶粒子およびＳｉ酸化物を主成分とする粒界物質を含むことにより、還元雰囲気下でも結晶粒子中の３価のＦｅが還元されて２価のＦｅに変化することなく、結晶格子の歪みによる応力発生を抑制し、非酸化性雰囲気下、特に還元雰囲気下で高い機械的強度を維持することができる。 （もっと読む）

【課題】低コストかつ純度の高い低誘電損失のアルミナセラミックスを得る。
【解決手段】化学成分において、ＳｉＯ_２をモル比でＮａ_２Ｏの２倍以上でかつ０．０５質量％以上０．５質量％以下含有し、さらに、Ｙ_２Ｏ_３を０．０５質量％以上０．５質量％以下含有し、残部がＡｌ_２Ｏ_３と不可避的不純物からなり、１ＭＨｚ〜１ＧＨｚにおける誘電損失がｔａｎδ＝１０×１０^−４以下であり、体積固有抵抗率が１×１０^１４Ωｃｍ以上、密度が３．８ｇ／ｃｍ^３以上であるアルミナセラミックス。 （もっと読む）

【課題】 比誘電率εｒが40〜48の範囲内において、Ｑ値が高く、共振周波数の温度係数τｆの絶対値が小さく、低温域から高温域にわたる広範囲な温度域における共振周波数の変化の少ない誘電体セラミックスを提供する。
【解決手段】 組成式をαＬａ_２Ｏ_ｘ・βＡｌ_２Ｏ_３・γＣａＯ・δＴｉＯ_２（ただし、３≦ｘ≦４）と表したとき、モル比α，β，γ，δが0.155≦α≦0.210，0.155≦β≦0.220，0.284≦γ≦0.360，0.284≦δ≦0.365、かつα＋β＋γ＋δ＝１を満足するとともに、前記組成式の成分100質量％に対してストロンチウムを酸化物換算で0.001モル部以上0.01モル部以下含んでなり、ＬａＡｌＯ_３−ＣａＴｉＯ_３のペロブスカイト相中に、ＣａＴｉＯ_３結晶が存在してなる誘電体セラミックスである。 （もっと読む）

【課題】耐熱性、耐光性、および光反射性能に優れた複合焼結体を提供する。
【解決手段】複合焼結体は、Ｂａ_{０．８０８}Ａｌ_１．７１Ｓｉ_２．２９Ｏ_８相を含有するセラミック焼結体の粉末とガラス（石英ガラス、ホウケイ酸ガラス等、又は結晶化ガラス等）とを配合、成形し、焼成することにより得られる。 （もっと読む）

【課題】 広い温度範囲において、適切に温度検知ができ、高温に曝されても安定した抵抗値を示す導電性酸化物焼結体、これを用いたサーミスタ素子、このサーミスタ素子を用いた温度センサを提供する。
【解決手段】 サーミスタ素子２をなす導電性酸化物焼結体１は、Ｙｂ，Ｌｕの少なくともいずれか、及び、Ｙｂ，Ｌｕ，Ｌａを除く３Ａ族元素のうち少なくとも１種からなる元素群を元素群ＲＥとし、４Ａ，５Ａ，６Ａ，７Ａ及び８族元素のうち少なくとも１種及びＡｌからなる元素群を元素群Ｍとしたとき、（ＲＥ_1-cＳｒ_c）Ｍ_dＯ₃と表記される導電性結晶相と、ＲＥ₂Ｏ₃と表記される第１絶縁性結晶相と、ＳｒＡｌ₂Ｏ₄と表記される第２絶縁性結晶相とを含む。係数ｃは、０．１８＜ｃ＜０．５０であり、係数ｄは、０．６７≦ｄ≦０．９３であり、ＲＥ₄Ａｌ₂Ｏ₉と表記される第３絶縁性結晶相の存在量（０を含む）が、第１及び第２絶縁性結晶相の存在量よりも少ない。 （もっと読む）

【課題】広い温度範囲において、適切に温度検知ができる導電性酸化物焼結体、これを用いたサーミスタ素子、このサーミスタ素子を用いた温度センサを提供する。
【解決手段】サーミスタ素子２をなす導電性酸化物焼結体１は、Ｙｂ，Ｌｕの少なくともいずれか、及び、Ｙｂ，Ｌｕ，Ｌａを除く３Ａ族元素のうち少なくとも１種からなる元素群を第１元素群ＲＥ１とし、Ｌａを除く３Ａ族元素のうち少なくとも１種からなり、第１元素群ＲＥ１をなす元素群のうち少なくとも１種を含む元素群を第２元素群ＲＥ２とし、Ｓｒ，Ｃａ，Ｍｇのうち、少なくともＳｒをモル比で主として含む元素群をＳＬとし、Ｃｒを除く４Ａ〜７Ａ及び８族元素のうち少なくとも１種からなる元素群をＭ１としたとき、ＲＥ１₄Ａｌ₂Ｏ₉と表記される組成を有する第１結晶相と、(ＲＥ２_1-cＳＬ_c)(Ａｌ_xＭ１_y)Ｏ₃と表記される第２結晶相とを含み、係数ｃが、０．１８＜ｃ＜０．５０である。 （もっと読む）

【課題】透明性及びガスバリア性に優れた薄膜の形成に好適な蒸着材及び該薄膜を備える薄膜シート並びに積層シートを提供する。
【解決手段】第１酸化物粉末と第２酸化物粉末とを混合して作られた蒸着材において、
第１酸化物粉末がＭｇＯ粉末であって、第１酸化物粉末の第１酸化物純度が９８％以上であり、第２酸化物粉末がＺｎＯ粉末であって、第２酸化物粉末の第２酸化物純度が９８％以上であり、蒸着材が第１酸化物粒子と第２酸化物粒子を含有するペレットからなり、蒸着材中の第１酸化物と第２酸化物との比率が５〜８５：９５〜１５であり、かつ、ペレットの塩基度が０．１以上であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 高い熱電特性を発揮する熱電変換材料を提供すること。
【解決手段】 本発明の一つの態様によれば複合材料が提供され、その複合材料は、Ｚｎ
Ｏ結晶を主成分とし、ＺｎＯ結晶中にＡｌが固溶されてなる複合材料であって、前記複合
材料は下記式（Ｉ）の組成式で表されるものであり、
Ｚｎ（１−ｘ−ｙ）ＡｌｘＯ （Ｉ）
（式中、Ｚｎは亜鉛であり、Ａｌはアルミニウムである）
複合材料の相対密度が９０％以上であり、ＺｎＡｌ２Ｏ４で表される亜鉛とアルミニウム
との酸化物のＸ線回折測定による相対強度が、ＺｎＯのＸ線回折測定による相対強度を１
としたときに、０．１未満であることを特徴とするものである。 （もっと読む）

【課題】異常放電を抑制し安定にスパッタリングを行うことのできるターゲット、金属又は合金用のエッチング液であるリン酸系エッチング液でもエッチング可能な透明導電膜が得られるターゲットを提供する。
【解決手段】インジウム、錫、亜鉛、酸素を含有し、六方晶層状化合物、スピネル構造化合物及びビックスバイト構造化合物を含むことを特徴とするスパッタリングターゲット。 （もっと読む）