【課題】アーキングの発生を回避しながら成膜速度のさらなる向上を図ることができるターゲット及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のターゲットは、ＺｎＯ及びＺｎ₂ＳｎＯ₄からなる。錫（Ｓｎ）及び亜鉛（Ｚｎ）の原子数比Ｚｎ／（Ｚｎ＋Ｓｎ）が０．８１〜０．９４の範囲にある。ＺｎＯの平均粒径が２［μｍ］以上の範囲にある一方、Ｚｎ₂ＳｎＯ₄の平均粒径が１４［μｍ］以下の範囲にある。ターゲットの体積抵抗率は１Ｅ−０１［Ωｃｍ］以下であり、気孔率は１．７％以下である。 （もっと読む）

【課題】透明性及びガスバリア性に優れた薄膜の形成に好適なスパッタリングターゲット及びその製造方法、並びに該ターゲットを用いた薄膜、該薄膜を備える薄膜シート、積層シートを提供する。
【解決手段】本発明のスパッタリングターゲットは、酸化亜鉛（ＺｎＯ）と二酸化ケイ素（ＳｉＯ₂）とを主成分とする焼結体からなり、焼結体の相対密度が９５％以上であり、酸化亜鉛（ＺｎＯ）と二酸化ケイ素（ＳｉＯ₂）のモル比が４０：６０〜９５：５であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】透明性及びガスバリア性に優れた薄膜の形成に好適なスパッタリングターゲット及びその製造方法、並びに該ターゲットを用いた薄膜、該薄膜を備える薄膜シート、積層シートを提供する。
【解決手段】本発明のスパッタリングターゲットは、酸化亜鉛（ＺｎＯ）と酸化アルミニウム（Ａｌ₂Ｏ₃）とを主成分とする焼結体からなり、焼結体の相対密度が９５％以上であり、酸化亜鉛（ＺｎＯ）と酸化アルミニウム（Ａｌ₂Ｏ₃）のモル比が５０：５０〜９５：５であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】実用に耐える強度を有し、焼成によって割れ等が生ずることがない成形体、該成形体を焼成した焼成体、さらには成形体及び焼成体の製造方法を得る。
【解決手段】本発明に係る成形体４７は、非可塑材料としての微粒状無機材料の黒鉛微粒体４９を熱硬化性樹脂からなる凝結体５１によって結合してなるものであって、凝結体５１は、熱硬化性樹脂の組成成分である単量体及びオリゴマーを黒鉛微粒体４９の表面に浸透及び付着させた状態でゲル化させたものであることを特徴とするものである。 （もっと読む）

【課題】スパッタリングターゲットや蒸着用タブレットとして利用され、成膜中にクラック等が発生し難いＺｎ−Ｓｎ−Ｏ系酸化物焼結体とその製法を提供する。
【解決手段】上記酸化物焼結体は、錫がＳｎ／（Ｚｎ＋Ｓｎ）の原子数比として０．０１〜０．６含有され、焼結体中における平均結晶粒径が４．５μｍ以下で、ＣｕＫα線を使用したＸ線回折によるＺｎ_２ＳｎＯ_４相における（２２２）面、（４００）面の積分強度をそれぞれＩ_{（２２２）}、Ｉ_{（４００）}としたとき、Ｉ_{（２２２）}／［Ｉ_{（２２２）}＋Ｉ_{（４００）}］で表される配向度が０．５２以上であることを特徴とする。この酸化物焼結体は機械的強度が改善されているため、焼結体を加工する際に破損が起こり難く、スパッタリングターゲット若しくは蒸着用タブレットとして使用された際においても透明導電膜の成膜中に焼結体の破損やクラック発生が起こり難い。 （もっと読む）

【課題】 比誘電率ε_ｒが２０〜２８であり、かつ共振周波数ｆ。（ＧＨｚ）とＱ値の積であるＱ×ｆ。値が十分に大きく、さらに共振周波数ｆ。の温度係数τ_ｆの絶対値が３０ｐｐｍ／℃以下まで調整が可能な条件を満たし得る事ができる高周波用誘電体磁器組成物を提供する。
【解決手段】 本発明の高周波用誘電体磁器組成物は、一般式 ａＮｉＯ−ｂＺｎＯ−ｃＮｂ_２Ｏ_５（式中、２７≦ａ≦３３、１８≦ｂ≦２２、４５≦ｃ≦５５、ａ＋ｂ＋ｃ＝１００（モル％）である。）で表される主成分１００質量部に対して、ＣａＴｉＯ_３を０．１２〜０．１８質量部含有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】加工性と耐薬品性に優れ、原料コストや脱脂、焼成等の製造コストを低減できるアルミナ質焼結体を提供する。
【解決手段】アルミナ結晶１およびマンガンスピネル結晶２からなり、該マンガンスピネル結晶２の含有量が０．２〜５．０体積％であることにより、構造部材として必要な強度を有し、耐薬品性に優れるとともに、粒径の大きい安価なアルミナ原料を用いても低温における焼成が可能で加工性にも優れた、低コストで製造可能なアルミナ質焼結体。 （もっと読む）

【課題】広範囲な温度領域（例えば、−５５〜３５０℃）において比誘電率の変化率（例えば、ΔＣ／Ｃ＝±２２％以内）が小さく、３５０℃付近の高温領域に至るまでの諸特性に優れ、比誘電率が大きく、鉛を含有しないニオブ酸系の誘電体磁器組成物と、その誘電体磁器組成物を用いた電子部品を提供する。
【解決手段】一般式（Ｋ_１−ｘＮａ_ｘ）ＮｂＯ_３で表されるニオブ酸化合物と、ＢａＴｉＯ３表されるチタン酸バリウムとを含有する誘電体磁器組成物中に、ニオブ酸化合物領域とチタン酸バリウム領域とがそれぞれコンポジット構造を形成し、 [（Ｋ_１−ｘＮａ_ｘ）_αＢａ_β]（Ｎｂ_αＴｉ_β）Ｏ_１２で表される固溶体の固溶体領域面積をＡ１、全体の領域面積をＡ２としたときに、Ａ１／Ａ２≦０．３５とする。 （もっと読む）

【課題】高温域での安定性に優れ、優れた誘電体特性有する誘電体磁器組成物および、この誘電体磁器組成物を用いたコンデンサ及び、その誘電体磁器組成物を製造するのに好適な製造方法を提供すること
【解決手段】組成式（Ｋ_ａＮａ_ｂＬｉ_ｃＣ_ｄ）_ｅＤＯ_ｆ （元素Ｃはアルカリ土類金属であるＣａ，Ｓｒ，Ｂａのうちの少なくとも１種、元素ＤはＮｂとＴａのうちの少なくとも１種、ａ，ｂ，ｃ，ｄはａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１を満たし、０．９７≦ｅ≦１．１０，ｆは任意）で表されるニオブ／タンタル酸アルカリ系ペロブスカイト酸化物からなる第１結晶相と、 Ａ−Ｔｉ−Ｂ−Ｏ系複合酸化物（元素Ａはアルカリ金属、元素ＢはＮｂとＴａのうちの少なくとも１種、元素Ａと元素ＢとＴｉの含有量はいずれもゼロで無い）で構成される第２結晶相と、を含むコンデンサ用の誘電体磁器組成物 （もっと読む）

【課題】高誘電強度で、高濃度で、光の通過を可能にする光学的性質を有する点火プラグ絶縁体を提供する。
【解決手段】点火プラグは、密度が約３．９５ｇ／ｃｍ³以上の絶縁体を備え、絶縁体は、少なくとも９９．５％のＡｌ₂Ｏ₃および、各々が約１０〜１０００ｐｐｍである、Ｙ₂Ｏ₃、ＭｇＯ、Ｌａ₂Ｏ₃遷移金属酸化物およびランタン系列の酸化物からなるグループから選択される少なくとも２つの材料を含み、前記絶縁体の多孔度は０．３％以下である。 （もっと読む）

【課題】高純度にもかかわらず、加工効率が高く、加工中のカケやチッピングが少ないアルミナ質セラミックスおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】アルミナ純度が９９．５重量％以上のアルミナ質セラミックスであって、長軸長さが１０μｍ以上で、アスペクト比が２以上のアルミナの異方性結晶粒子１０を６０％以上含む。アルミナ粒子の粒径は、大きくなるほど粒界の抵抗が少なくなるため、アルミナ粒子の長軸の長さが１０μｍ以上であることにより、加工効率が高くなる。また、アルミナ粒子のアスペクト比が２以上であるため、ある一定の向きＧに砥石が当たった際に破壊しやすい傾向が顕著に現れる。その結果、高純度にもかかわらず、加工効率が高く、加工中のカケやチッピングが少ないアルミナ質セラミックスが得られる。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング用ターゲットとして好ましく使用され得る導電性酸化物およびその製造方法を提供する。
【解決手段】結晶質Ｉｎ₂Ｏ₃と、結晶質Ｇａ₂ＺｎＯ₄とを含む導電性酸化物であって、導電性酸化物において、Ｚｎの原子濃度比を１とした場合に、Ｉｎの原子濃度比が０．４以上１．８以下であり、かつ、Ｇａの原子濃度比が０．４以上１．８以下の導電性酸化物とし、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ酸化物のスパッタリング用のターゲットとして用いること。 （もっと読む）

【課題】新規な非シリコン系半導体薄膜を用いた薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】ガリウムが酸化インジウムに固溶していて、原子比Ｇａ／（Ｇａ＋Ｉｎ）が０．００１〜０．１２であり、全金属原子に対するインジウムとガリウムの含有率が８０原子％以上であり、Ｉｎ_２Ｏ_３のビックスバイト構造を有する酸化物薄膜を用いることを特徴とする薄膜トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】圧電性能が良好な（１−ｘ）ＮａＮｂＯ_３−ｘＢａＴｉＯ_３の配向性圧電セラミックスを提供する。また本発明は、前記（１−ｘ）ＮａＮｂＯ_３−ｘＢａＴｉＯ_３の配向性圧電セラミックスを用いた圧電素子、ならびに前記圧電素子を用いた液体吐出ヘッド、超音波モータおよび塵埃除去装置を提供する。
【解決手段】下記一般式（１）で表わされる金属酸化物を主成分として含み、鉛とカリウムの含有量は各々１０００ｐｐｍ以下であることを特徴とする配向性圧電セラミックス一般式（１） （１−ｘ）ＮａＮｂＯ_３−ｘＢａＴｉＯ_３（式中、 ０ ＜ ｘ ＜ ０．３）。 （もっと読む）

【課題】バーナーの小型化、少台数化、短時間の熱交換を図ることができ、しかも熱膨張、酸化、腐食等により損耗し難い蓄熱部材及び熱交換器を提供する。
【解決手段】理論密度比で９５％以上の緻密質セラミックスからなる蓄熱部材であって、
前記緻密質セラミックスが、平均結晶粒径２〜５０μｍ、平均アスペクト比４以上１０未満、純度８５質量％以上のアルミナ質セラミックスを含み、該アルミナ質セラミックスが、アルミナ以外の成分系として、それぞれ０．１〜６質量％の、マグネシア（ＭｇＯ）、シリカ（ＳｉＯ_２）、希土類酸化物（ＲＥ_２Ｏ_３及び／又はＲＥＯ_２、ＲＥ：希土類元素）、酸化鉄(Ｆｅ_３Ｏ_４及び/又はＦｅ_２Ｏ_３）、カルシア（ＣａＯ）、クロミア（Ｃｒ_２Ｏ_３）、前記以外の遷移金属酸化物、又は、これらの複合酸化物の少なくとも１種以上を含有することを特徴とする蓄熱部材。 （もっと読む）

【課題】コージェライト焼結体の耐熱衝撃性を向上させること。
【解決手段】焼結体板１は、コージェライトを主成分として含み、１．０ｗｔ％以上５．０ｗｔ％以下のＴｉＯ₂をさらに含む。このような焼結体板１は、コージェライト粉末とＴｉＯ₂粉末との混合粉を１３００℃以上１４００℃以下で焼結して得られたものであることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】焼成によって正極活物質を製造する間に原料から拡散するリチウム成分に対する耐食性が高い窯道具を提供すること。
【解決手段】本発明のリチウム二次電池の正極活物質製造用の窯道具は、βスポジュメンを含むセラミック素材からなる。窯道具におけるＬｉ₂Ｏの含有割合は１〜１２質量％であり、Ａｌ₂Ｏ₃の含有割合は１５〜４０質量％であり、ＳｉＯ₂の含有割合は５５〜７５質量％であることが好適である。窯道具におけるＮａ₂Ｏの含有割合が１質量％以下であり、Ｋ₂Ｏの含有割合が２質量％以下であり、かつ両者の総和が３質量％以下であることも好適である。 （もっと読む）

【課題】 熱処理される原料粉末を汚染することが抑えられ、かつ耐熱衝撃性に優れたリチウムイオン電池用正極活物質用熱処理容器を提供すること。
【解決手段】 本発明のリチウムイオン電池用正極活物質用熱処理容器は、リチウムイオン電池用正極活物質の原料粉末を熱処理するときに原料粉末が配されるリチウムイオン電池用正極活物質用熱処理容器において、全体を１００ｍａｓｓ％としたときに、６０〜９５ｍａｓｓ％でアルミナと、１０〜２０ｍａｓｓ％でシリカと、を含有するとともに、ＭｇＯ，ＺｒＯ_２，Ｌｉ化合物を含まず、かつ熱膨張率が０．５８４〜０．６５９％であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング法を用いて酸化物半導体膜を成膜する際に発生する異常放電を抑制し、酸化物半導体膜を安定かつ再現性よく得ることができるスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】Ｉｎ、Ｇａ、及びＡｌの割合が下記式（１）及び（２）の原子比となるように原料化合物を混合後、成形体とする工程、及び、前記成形体を、８００℃から焼結温度までの温度範囲を０．１℃／分〜２℃／分の昇温速度で昇温した後、１４５０℃〜１６５０℃に１０〜５０時間保持することにより焼結する工程を含むことを特徴とする焼結体の製造方法。
Ｇａ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ａｌ）＝０．０１〜０．０８ （１）
Ａｌ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ａｌ）＝０．０００１〜０．０３ （２） （もっと読む）

【課題】 リチウム含有化合物用熱処理容器及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 本発明のリチウム含有化合物用熱処理容器は、リチウム含有化合物を熱処理するときにリチウム含有化合物が配されるリチウム含有化合物用熱処理容器において、６０〜９５ｍａｓｓ％でアルミナを含有する基部と、２０〜８０ｍａｓｓ％でスピネルを含有してなり、基部と一体に形成された表面部と、を有することを特徴とする。また、本発明の製造方法は、アルミナ系粉末を配置する工程と、スピネル系粉末をアルミナ系粉末の上方に配置する工程と、圧縮して成形する工程と、焼成する工程と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）