【課題】 極力少ない半導体化元素を添加し、経時変化が小さく、上記ＰＴＣ特性が実用レベルで満足するＰＴＣサーミスタ用磁器組成物、及びＰＴＣサーミスタを提供する。
【解決手段】 組成式が、(Ba_1-x-yA1 _x A2_y)Ti_z O₃ (但し、A1はLa、Dy、Eu、Gdの一種又は二種以上の元素、A2はY、Ho、Er、Ybの一種又は二種以上の元素)で表され、
前記x、y、ｚが、0.0005≦x≦0.0045、0.0005≦y≦0.0045、1.00<z≦1.05であり、かつｘ＋ｙ≦0.005の範囲に有るＰＴＣサーミスタ用磁器組成物。 （もっと読む）

【課題】Pbを使用することなく、キュリー温度を正の方向へシフトすることができ、室温における抵抗率を大幅に低下させた半導体磁器組成物を得る製造方法、及び複雑な熱処理を行うことなく、比較的大きな厚みのある形状の材料においても、材料内部にまで均一な特性を付与することができる半導体磁器組成物の製造方法の提供。
【解決手段】組成式を[(Bi_0.5Na_0.5)_x(Ba_1-yR_y)_1-x]TiO₃(但し、RはLa、Dy、Eu、Gd、Yの少なくとも一種)と表し、前記x、yが、0<x≦0.14、0.002<y≦0.02を満足する半導体磁器組成物の製造方法において、焼結を酸素濃度1%以下の不活性ガス雰囲気で行うことにより、室温における抵抗率を大幅に低下させかつ材料内部にまで均一な特性を付与する。 （もっと読む）

【課題】 Ｚｎを含むＢａＴｉＯ_３系のＰＴＣ素子用焼結体においてジャンプ特性に優れたＰＴＣ素子用焼結体、その製造方法、及びこのＰＴＣ素子用焼結体を用いたＰＴＣ素子、発熱モジュールを提供する。
【解決手段】 Ｂａ、Ｔｉを必須とするペロブスカイト系のＰＴＣ素子用焼結体であって、Ｚｎを焼結体全体に対して酸化物換算でＺｎＯ：０．０００１−０．００３０ｍｏｌ％含み、平均結晶粒径が１０μｍ以上１００μｍ以下であり、室温抵抗率Ｒｒが１×１０^５Ω・ｃｍ以下、抵抗温度係数αが０．５％／℃以上であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 Ｐｂを使用することなく室温抵抗率を低減しながらも優れたジャンプ特性を示し、且つ経時変化を低減したＰＴＣ素子と発熱モジュールを提供する。
【解決手段】 少なくとも２つのオーミック電極と、前記電極の間に配置されたＢａＴｉＯ_３のＢａの一部がＢｉ−Ｎａで置換された半導体磁器組成物とを有するＰＴＣ素子であって、前記半導体磁器組成物が、組成式を［（Ｂｉ-Ｎａ）_ｘ（Ｂａ_{１−ｙ−θ}Ｒ_ｙＡ_θ）_１−ｘ］Ｔｉ_１−ｚＭ_ｚＯ_３（但し、Ｒは希土類元素のうち少なくとも一種、ＡはＣａ、Ｓｒのうち少なくとも一種、ＭはＮｂ、Ｔａ、Ｓｂのうち少なくとも一種）と表し、前記ｘ、ｙ、ｚ、θが、０＜ｘ≦０．３０、０≦ｙ≦０．０２０、０≦ｚ≦０．０１０、０≦θ≦０．２０を満足し、前記電極と半導体磁器組成物の界面において電極のオーミック成分と半導体磁器組成物が接触していない面積の割合が２５％以下としたＰＴＣ素子である。 （もっと読む）

【課題】 ＢａＴｉＯ_３のＢａの一部がＢｉ−Ｎａで置換された半導体磁器組成物に関して、Ｐｂを使用することなく優れたジャンプ特性を示し、且つ経時変化を低減したＰＴＣ素子およびこれを用いた発熱モジュールを提供する。
【解決手段】 少なくとも２つのオーミック電極と、前記電極の間に配置されたＢａＴｉＯ_３のＢａの一部がＢｉ−Ｎａで置換された半導体磁器組成物とを有するＰＴＣ素子であって、前記電極のうち正極側の電極が含む貴金属の量は、負極側の電極が含む貴金属の量よりも少ないことを特徴とするＰＴＣ素子である。 （もっと読む）

【課題】 室温抵抗率が小さく且つ経時変化率が小さい半導体磁器組成物の製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体磁器組成物の製造方法であって、前記半導体磁器組成物の組成は、組成式(Bi_0.5A_0.5)_W(Ba_1-XR_X)_1-W](Ti_1-YＭ_Y)O₃
で表され、かつ前記半導体磁器組成物の全体を100mol%としてCaを５mol％超30mol%以下含むものであり、BaCO₃相とTiO₂相の少なくとも一方を含む仮焼粉を製造する工程と、前記仮焼粉を成形して焼結する工程を有することを特徴とする半導体磁器組成物の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 ＢａＴｉＯ_３のＢａの一部がＢｉ−Ｎａで置換された半導体磁器組成物に関して、Ｐｂを使用することなく室温抵抗率を低減しながらも優れたジャンプ特性を示し、且つ経時変化を低減したＰＴＣ素子およびこれを用いた発熱モジュールを提供する。
【解決手段】 少なくとも２つの電極と、前記電極の間に配置されたＢａＴｉＯ_３のＢａの一部がＢｉ−Ｎａで置換された半導体磁器組成物とを有するＰＴＣ素子であって、前記半導体磁器組成物は少なくとも2種類の組成物が前記電極の通電方向に積層されてなり、前記電極のうち負極側の電極が配置される組成物のＢｉとＮａのモル比率Ｂｉ／Ｎａが０．７８を越え、１．０以下となし、正極側の電極が配置される組成物のＢｉとＮａのモル比率Ｂｉ／Ｎａが１．０を越え、１．５５以下となしたＰＴＣ素子である。 （もっと読む）

【課題】 ＢａＴｉＯ_３のＢａの一部がＢｉ−Ｎａで置換された半導体磁器組成物に関して、Ｐｂを使用することなく室温抵抗率を低減しながらも優れたジャンプ特性を示し、経時変化の少ないＰＴＣ素子を提供する。
【解決手段】 少なくとも２つの電極と、前記電極の間に配置されたＢａＴｉＯ_３のＢａの一部がＢｉ−Ｎａ及びＣａで置換された半導体磁器組成物とを有するＰＴＣ素子であって、前記半導体磁器組成物は少なくとも２種類の組成物が前記電極の通電方向に積層されてなり、前記電極のうち負極側の電極が配置される組成物のＢｉとＮａのモル比率Ｂｉ／Ｎａが０．７８を越え、１．０以下であり、正極側の電極が配置される組成物のＢｉとＮａのモル比率Ｂｉ／Ｎａが０．７５を越え、１．５５以下となしたＰＴＣ素子である。 （もっと読む）

本発明は、以下の組成：
（Ｂａ_１−ｘＭ^ｎ_ｘ）Ｏ・ｚ（Ｔｉ_１−ｙＭ^ｍ_ｙ）Ｏ_２・Ｄ_ｄ・Ｅ_ｅ
〔式中、（Ｂａ_１−ｘＭ^ｎ_ｘ）＝Ａ、および、（Ｔｉ_１−ｙＭ^ｍ_ｙ）＝Ｂである。Ｍ^ｎは、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｐｂおよびこれらの混合物から選択される少なくとも１つの元素を表し、Ｍ^ｍは、Ｓｎ、Ｚｒおよびこれらの混合物から選択される少なくとも１つの元素を表し、Ｄは、ドナー特性を有する少なくとも１つの元素を表し、Ｅは、アクセプタ特性を有する少なくとも１つの元素を表す。および、パラメータに関しては、０≦ｘ≦０．６、０≦ｙ≦０．３５、０≦ｄ≦０．０２、０≦ｅ≦０．０２、１＜ｚであり、および、Ａに対するＢのモル比は、１＜Ｂ／Ａである。および、前記セラミック材料は、Ｓｉをせいぜい不純物として含有する。〕
のセラミック材料に関する。
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【課題】常圧で汎用な焼成手法を用いて、成形性のよいＢａＴｉ_２Ｏ_５系強誘電性セラミックスを得ること。
【解決手段】 ＢａＴｉ_２Ｏ_５粉末を、Ｍｎを助剤として添加し１２００℃以上で焼成してＢａＴｉ_２Ｏ_５系の強誘電性セラミックスを得ることを特徴とするＢａＴｉ_２Ｏ_５系強誘電性セラミックス製造方法である。また、１２５０℃以上で焼成し、ε’≧３５０（周波数ｆ＝１ＭＨｚ）であるＢａＴｉ_２Ｏ_５系の強誘電性セラミックスを得ることができる。必要に応じて、焼成物を粉砕し再度成形して焼成する工程を繰り返し焼結度が８０％以上となるようにすることができる。 （もっと読む）

【課題】還元性雰囲気または中性雰囲気による特性劣化を防止でき、かつ一定レベル以上の耐電圧を保ちながら比抵抗が十分に小さい正特性サーミスタ磁器組成物を提供する。
【解決手段】正特性サーミスタ磁器組成物は、組成式が（Ｂａ_ｘＳｒ_ｙＣａ_ｚＰｂ_ｓＰｒ_ｔＳｍ_ｕ）Ｔｉ_ｖＯ_３(但し、ｘ＋ｙ＋ｚ＋ｓ＋t＋ｕ＝１、０．４１５≦ｘ≦０．８０５、０．０２≦ｙ≦０．３０、０．０５≦ｚ≦０．２０、０．０１≦ｓ≦０．２４、０．００２≦ｔ≦０．００４、０．００２≦ｕ≦０．００４、０．９７≦ｖ≦１．０５、ｔ／ｕ＝０．７４〜１．２５)で表される固溶体と、固溶体に対する重量が０．００１〜０．０３ｗｔ％のＭｎと、固溶体に対する重量が０．０９〜１．０ｗｔ％のＳｉとを含む。 （もっと読む）

【課題】 BaTiO₃系半導体磁器組成物において、Pbを使用することなく、キュリー温度を正の方向へシフトすることができるとともに、室温における抵抗率を大幅に低下させた、半導体磁器組成物の提供。
【解決手段】 Baの一部をA1元素(Na、K、Liの少なくとも一種)とA2元素(Bi)で置換するとともに、さらにBaを特定量のQ元素で置換するか、Baの一部をA1元素(Na、K、Liの少なくとも一種)とA2元素(Bi)で置換するとともに、Tiの一部を特定量のM元素で置換することにより、最適な原子価制御ができ、室温における抵抗率を大幅に低下させることができ、PTCサーミスタ、PTCヒータ、PTCスイッチ、温度検知器など、特に自動車用ヒータなどの用途に最適である。 （もっと読む）

【課題】 ＢａＴｉＯ_３のＢａの一部がＢｉ−Ｎａで置換され、結晶粒界にＰ型半導体を有する半導体磁器組成物に関して、室温抵抗率が5０Ω・ｃｍ以下と低く、且つジャンプ特性に優れた半導体磁器組成物を提供することを目的とする。
【解決手段】 （ＢａＲ）ＴｉＯ_３（但しＲは希土類元素のうち少なくとも一種）仮焼粉又はＢａ（ＴｉＭ）Ｏ_３（但しＭはＮｂ、Ｓｂのうち少なくとも一種）仮焼粉からなるＢＴ仮焼粉と（ＢｉＮａ）ＴｉＯ_３仮焼粉からなるＢＮＴ仮焼粉とを別々に用意し、該ＢＴ仮焼粉と該ＢＮＴ仮焼粉とを混合した混合仮焼粉から成形体を作製し、該成形体を１ｖｏｌ％以下の酸素濃度中で焼結して焼結体とし、さらに該焼結体を水素含有雰囲気中で熱処理する半導体磁器組成物の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】アルカリ金属元素やＢｉの含有量が少なくても、適度な高キュリー点を維持しつつ、製品間での抵抗値のバラツキを抑制できるようにした。
【解決手段】本発明の半導体セラミックは、一般式Ａ_ｍＢＯ_３で表されるペロブスカイト型構造を有するＢａ_ｍＴｉＯ_３系組成物を主成分とし、Ａサイトを構成するＢａの一部が、アルカリ金属元素、Ｂｉ、Ｃａ、及び希土類元素で置換され、前記Ａサイトを構成する元素の総モル数を１モルとしたときの前記アルカリ金属元素及び前記Ｂｉの含有量総計が、モル比換算で０．０２〜０．０９であり、かつ、前記Ａサイトを構成する元素の総モル数を１モルとしたときの前記Ｃａの含有量が、モル比換算で０．０５〜０．２０（好ましくは、０．１２５〜０．１７５）である。ＰＴＣサーミスタは、部品素体１が、この半導体セラミックで形成されている。 （もっと読む）

【課題】耐電圧レベルが高く、かつ低比抵抗である正特性サーミスタ素子に適した磁器組成物を提供する。
【解決手段】組成式(Ｂａ_ｘ Ｓｒ_ｙ Ｃａ_ｚ Ｐｂ_ｓ Ｐｒ_ｔ)Ｔｉ_ｕ Ｏ_３ （ｘ＋ｙ＋ｚ＋ｓ＋ｔ＝１） で表されるチタン酸バリウム系固溶体において、組成値ｘが０．３９８０≦ｘ≦０．６８３０、組成値ｙが０．０２００≦ｙ≦０．２１５０、組成値ｚが０．０４００≦ｚ≦０．２０００、組成値ｓが０．１６００≦ｓ≦０．２３５０、組成値ｔが０．００１５≦ｔ≦０．００３５、組成値ｕが０．９５００≦ｕ≦１．０５００であり、上記組成式で表されるチタン酸バリウム系固溶体中に、Ｍｎが０．００１０ｗｔ．％≦Ｍｎ≦０．００６５ｗｔ．％、Ｓｉが０．０９６１ｗｔ．％≦Ｓｉ≦０．９３７３ｗｔ．％含有されている。 （もっと読む）

【課題】 ＢａＴｉＯ_３のＢａの一部をＢｉ−Ｎａで置換した半導体磁器組成物において、一様なPTC特性を有する半導体磁器組成物の提供。
【解決手段】 ＢａＴｉＯ_３のＢａの一部がＢｉ−Ｎａで置換された第一相と、BaとTiを主とする酸化物からなる第二相を形成することでPTC特性のばらつきを低減させる。さらにSiO₂を添加し、第二相中のSiを第一相中のSiより高濃度で存在させるように制御することで、より安定して一様な特性のものを供給できるようにする。 （もっと読む）

【課題】電気抵抗が正の温度係数をもつとともに、機械的な強度が高く、かつ化学的安定性をも有する成形体、この成形体を用いる加熱装置、この成形体の製造方法を提供する。
【解決手段】成形体（３０）が、エレクトロセラミックスからなる第１部位（１０）と、セラミック構造材からなる第２部位（２０）を備えるようにして、この成形体を加熱装置に用いる。成形体（３０）を、エレクトロセラミックスの出発物質を用意する工程Ａ）と、セラミック構造材の出発物質を用意する工程Ｂ）と、エレクトロセラミックスの出発物質を含む第１部位（１０）と、セラミック構造材（２０）の出発物質を含む第２部位とからなる焼結素材を成形する工程Ｃ）と、エレクトロセラミックスの出発物質を、電気抵抗が正の温度係数をもつエレクトロセラミックスに転換させつつ、成形体製造のために焼結素材を焼結させる工程Ｄ）を含む方法によって製造する。 （もっと読む）

【課題】大気中の焼成においても半導体化し、Pb系材料を使用することなくキュリー温度を上昇させ比抵抗を減少させることができる、チタン酸バリウム系の正特性サーミスタ磁器組成物を提供する。
【解決手段】モル比による組成式が(Ba_a、Sr_b、A_c、Bi_d、M_e)(Ti_f、Q_g)O₃［但し、AはLi、NaおよびKからなる群から選ばれる少なくとも１種、MはNb,Ta,Sb,Y及びランタノイド元素(Pmを除く)からなる群から選ばれる少なくとも１種、QはNb、Ta及びSbからなる群から選ばれる少なくとも１種であり、前記a、b、c、d、e、f、gが、0.6≦a≦0.98、0≦b≦0.2、0.005＜c≦0.15、0.005＜d≦0.15、0≦e≦0.01、0.99≦f≦1、0≦g≦0.01であり、a+b+c+d+e=1、f+g=1である］で表されるものを主成分とし、該主成分に対して、Li、NaまたはKの少なくとも１種を元素換算で0.50mol%以上、45.0mol%以下の割合で、副成分として含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 本発明は発明者らによって提案されたＢａＴｉＯ_３のＢａの一部がＢｉ−Ｎａで置換され、結晶粒界にＰ型半導体を有する半導体磁器組成物に関して、室温抵抗率が１００Ω・ｃｍ以下と低く、通電による経時変化を小さくした半導体磁器組成物−電極接合体を提供することを目的とする。
【解決手段】 ＢａＴｉＯ_３のＢａの一部がＢｉ−Ｎａで置換され、結晶粒界にＰ型半導体を有する半導体磁器組成物に電極を接合した半導体磁器組成物−電極接合体であって、電極接合後に１００℃以上６００℃以下で０．５時間以上２４時間以下の熱処理を施す半導体磁器組成物−電極接合体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】ＢａＴｉＯ_３−（Ｂｉ_１/２Ｎａ_１/２）ＴｉＯ_３系材料のジャンプ特性を向上させる。
【解決手段】ＢａＴｉＯ_３のＢａの一部をＢｉ-Ｎａで置換した半導体磁器組成物の製造方法であって、（ＢａＱ）ＴｉＯ_３仮焼粉（Ｑは半導体化元素）を用意する工程、（ＢｉＮａ）ＴｉＯ_３仮焼粉を用意する工程、前記（ＢａＱ）ＴｉＯ_３仮焼粉及び前記（ＢｉＮａ）ＴｉＯ_３仮焼粉を混合する工程、混合した仮焼粉を成形し焼結する工程、得られた焼結体を６００℃以下で熱処理する工程、前記工程で作製した素子を用いたＰＴＣヒータを含む。 （もっと読む）