【課題】 比誘電率が高く、絶縁抵抗を維持でき、容量温度特性がＥＩＡ規格のＸ８Ｒ特性を満足し、還元性雰囲気中での焼成が可能であり、ＩＲ温度依存性が改善された誘電体磁器組成物の提供。
【解決手段】 チタン酸バリウムを含む主成分と、ＭｇＯ，ＣａＯ，ＢａＯ、ＳｒＯの内少なくとも１種を含む第１副成分と、酸化珪素が主成分の第２副成分と、Ｖ_２ Ｏ_５ ，ＭｏＯ_３ 及びＷＯ_３ の内少なくとも１種を含む第３副成分と、Ｒ１の酸化物（但し、Ｒ１はＳｃ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ及びＬｕの内少なくとも１種）の第４副成分と、ＣａＺｒＯ_３ 又はＣａＯ＋ＺｒＯ_２ の第５副成分と、Ａの酸化物（但し、Ａは６配位時有効イオン半径が０．０６５ｎｍ〜０．０８５ｎｍ陽イオン元素群の内少なくとも１種）の第８副成分を含む誘電体磁器組成物で、前記主成分１００モルに対する前記第８副成分の比率が０〜４モル（０と４モルを除く。Ａ酸化物に換算した値）である誘電体磁器組成物。 （もっと読む）

【課題】高強度、高靭性に加えて耐摩耗性に優れたジルコニア−アルミナ系セラミックスおよびその製法を提供する。
【解決手段】８〜１２モル％のＣｅＯ_２を含むジルコニア結晶相６７〜８９．５質量％と、アルミナ相１０〜３０質量％と、酸化亜鉛０．５〜３質量％とからなるとともに、アルミナに前記ＣｅＯ_２および酸化亜鉛の一部が固溶し析出した針状晶を有し、かつ前記ジルコニア結晶相および前記アルミナ相の平均結晶径は１μｍ以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 基板材料としてＳｉ、セラミックスの他、ステンレスや銅，鉄，ニッケルなどの安価な金属材料の使用が可能で、かつ、圧電特性が優れたＰＺＴ等の鉛を含む圧電セラミックス厚膜を有する、積層圧電セラミックス構造体とその製造方法を提供する。
【解決手段】 基板３と、鉛を含む圧電セラミックス厚膜１との間に、銅または白金族金属からなる金属層を中間層２として積層した積層圧電セラミックス構造体で、前記鉛を含む圧電セラミックスは、ＭｎＯ、Ｍｎ₂Ｏ₃、Ｍｎ₃Ｏ₄、ＢａＯ、ＣａＯ、ＳｒＯのうち、少なくとも一種を含有して、耐還元性を有しており、前記圧電セラミックス層は、エアロゾルデポジション法により形成し、前記積層圧電セラミックス構造体を不活性雰囲気中、または、還元性雰囲気中で熱処理を行う積層圧電セラミックス構造体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 積層セラミックコンデンサの誘電体層として使用し、微細な粒子から構成され、かつコンデンサを薄層化した場合においても、良好な電気特性や温度特性を有する誘電体磁器組成物の製造方法を提供すること。
【解決手段】 チタン酸バリウムと、ＳｉＯ_２ 及びＣａＯを主成分とするガラス成分と、添加物成分とを有する誘電体磁器組成物を製造する方法であって、前記添加物成分の原料を除いて、前記チタン酸バリウムの原料と前記ガラス成分の原料を混合し、前記チタン酸バリウムの原料をＢａＴｉＯ_３ に換算したときの該ＢａＴｉＯ_３ １００モルに対する前記ガラス成分の原料の比率が、Ｃａ量に換算して０〜２モル（但し、０モルと２モルを除く）である混合粉体を準備する工程と、準備された混合粉体を９５０℃未満で２時間超の時間、仮焼きして仮焼粉体を得る工程と、得られた仮焼粉体に前記添加物成分の原料を混合し、最終組成の誘電体原料を得る工程とを、有する誘電体磁器組成物の製造方法。
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【課題】誘電体層が薄い積層セラミックコンデンサであっても直流電圧による静電容量変化の少ない、即ち優れたＤＣバイアス特性を持つ積層セラミックコンデンサを提供することを目的とする。
【解決手段】チタン酸カルシウムが主成分の結晶粒子から構成され、この結晶粒子の中央部分を半導体相、周辺部分を常誘電体相としたセラミック誘電体を用いることにより、静電容量が大きく、かつＤＣバイアス特性に優れた積層セラミックコンデンサを得ることができる。 （もっと読む）

【課題】 容量の経時変化である容量温度特性がＥＩＡ規格のＸ８Ｒ特性（−５５〜１５０℃、ΔＣ／Ｃ＝±１５％以内）を満足し、加速試験における抵抗変化率が小さく（平均寿命が長く）、信頼性に優れる積層型セラミックコンデンサを提供する。
【解決手段】 誘電体層を構成する結晶粒子に第１の希土類元素（Ｒ１）および第２の希土類元素（Ｒ２）がそれぞれ拡散されており、平均粒径の結晶粒子において、第１の希土類元素（Ｒ１）の結晶粒子表面からの拡散層深さｄ１が結晶粒子の径Ｄに対して占める割合をＸ１（％）とし、第２の希土類元素（Ｒ２）の結晶粒子表面からの拡散層深さｄ２が結晶粒子の径Ｄに対して占める割合をＸ２（％）とした場合、第２の希土類元素（Ｒ２）の拡散層深さｄ２が第１の希土類元素（Ｒ１）の拡散層深さｄ１よりも深部に及んでおり、Ｘ１＝１０〜３５％、かつＸ２＞Ｘ１（ｄ２＞ｄ１と同義）の関係が成立してなるように構成される。 （もっと読む）

【課題】容量の経時変化である容量温度特性がＥＩＡ規格のＸ８Ｒ特性を満足し、Ｔｃバイアス特性変化率が小さく、加速試験における抵抗変化率が小さく、信頼性に優れる誘電体磁器組成物および電子部品を提供する。
【解決手段】チタン酸バリウムを含む主成分と、酸化シリコンを主成分とする第１副成分と、ＣａＺｒＯ₃、またはＣａＯとＺｒＯ₂の混合体を含む第２副成分と、Ｓｃ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕから選択される第１の希土類元素（Ｒ１）の酸化物からなる第３副成分と、Ｙ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｔｂ、Ｇｄ、Ｅｕのから選択される第２の希土類元素（Ｒ２）の酸化物からなる第４副成分と、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＢａＯ、ＳｒＯから選択される第５副成分と、Ｖ₂Ｏ₅、ＭｏＯ₃、ＷＯ₃から選択される第６副成分と、を少なくとも有する誘電体磁器組成物であって、第１副成分〜第４副成分の関係において、各副成分割合が所定の関係を満たすように構成する。 （もっと読む）

本発明は、少なくとも２つのセラミックスおよびこれらのセラミック素子の間に配置された銅を含有する電極が設けられている圧電トランスに関する。本発明によれば、Pb(Zr_ｘTi_１−ｘ)O_３ + y Pb(Mn_１／３ Nb_２／３)O_３ を含む組成から成るセラミックス素子が選ばれる。 （もっと読む）

積層セラミックコンデンサを構成している積層誘電体素子本体内部での残留応力、又は積層誘電体素子本体の外表面での残留応力を所定の値以上にすることにより、誘電率が高く且つ取得静電容量の大きい信頼性の高い積層型セラミックコンデンサを得ることができる。 （もっと読む）

本発明は、Ｃｕ−カチオンを有する本発明による組成のＰＺＴ−セラミックの少なくとも１つの含分を有する一般組成ＡＢＯ_３の圧電セラミック材料に関する。Ｚｒ−及びＴｉ−カチオンの含分は、Ｃｕ−カチオンの含量に応じて、セラミック材料がモルフォトロピック相境界に調節されているように選択される。さらに本発明は、そのようなセラミック材料の製造方法を記載する。 （もっと読む）

本発明は、エアロゾルデポジション法等で形成された微結晶セラミックス膜に、セラミックス自体は吸収しやすく、逆に金属では反射するという赤外線のセラミックス材料に対する光学特性を利用したレーザー照射による加熱処理を行うことにより、微結晶セラミックス膜が基板から剥離することなく粒成長及び欠陥回復が可能なセラミックス膜構造体、その形成方法及び装置を提供することを目的とする。
本発明のセラミックス膜構造体の形成方法は、金属基板上に微結晶セラミックス膜を形成した後、該微結晶セラミックス膜に赤外線レーザーを照射することを特徴とする。 （もっと読む）