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Fターム[4G031GA08]の内容

酸化物セラミックスの組成 (18,827) | 製法 (3,951) | 焼結方法 (1,683) | 焼結雰囲気 (556)

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【課題】焼結過程での高収縮に起因する型崩れやひずみが抑えられ、強度の高いチタン酸アルミニウム系セラミックス焼結体を製造し得る方法を提供すること。
【解決手段】本発明のチタン酸アルミニウム系セラミックス焼結体の製造方法は、チタニウム源粉末、アルミニウム源粉末および燃焼性粒子を含む前駆体混合物を所定の形状の成形体に成形し、該成形体を非燃焼性雰囲気下で1400℃以上の温度で焼結してチタン酸アルミニウムを生成させたのち、該成形体を燃焼性雰囲気下で焼結することにより前記燃焼性粒子を燃焼させることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】
【解決手段】
本願では、チタン酸アルミニウム組成を有する多孔質繊維性ハニカム基材およびその製造方法を提供する。チタン酸アルミニウムの前駆体が、繊維材料を含む押出し可能混合物で提供され、未焼成ハニカム基材を形成する。チタン酸アルミニウムの前駆体は、硬化されるとチタン酸アルミニウム組成を形成し、繊維材料が多孔質微細構造を定める。チタン酸アルミニウムを含むさまざまな複合体構造は、ろ過媒体および/または触媒母体になるよう構成可能な多孔質ハニカム基材を形成するために提供される。 (もっと読む)


薄い自立セラミックシートの製造方法は、キャリアフィルムを、約2cm/分〜約500cm/分の速度で、キャスティングヘッドに近接して、かつテープキャスターのキャスティングベッドを通過するように引張る工程を含んでもよい。キャスティングヘッドを使用して、約150μm未満のセラミックスリップの薄膜をキャリアフィルム上に堆積する。セラミックスリップは、セラミックスリップが約20体積%を超えるセラミック固形分分率を有するように流体媒体中に分散した約10μm未満の最終微結晶サイズを有するセラミック粉末を含んでもよい。堆積されたセラミックスリップを、キャリアフィルム上で乾燥させて、それによって未焼結セラミックシートをキャリアフィルム上に形成してもよい。未焼結セラミックシートを乾燥させた後、未焼結セラミックシートを焼結させてもよい。
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【課題】 本発明の態様は、快削性、高い曲げ強度、ヤング率、優れた加工精度が発現する快削性セラミックス複合材料を提供する。
【解決手段】 セラミックス粒子により構成されるマトリックスの粒界にh-BNが存在している快削性セラミックス複合材料であり、その快削性セラミックス複合材料に存在するh-BNの最大粒径が22μm未満とし、快削性セラミックス複合材料中の粒界に存在するh-BN量を測定したときの面積比の標準偏差が0.15以下を特徴とする快削性セラミックス複合材料とすることで、快削性、高い曲げ強度、ヤング率、優れた加工精度が発現する快削性セラミックス複合材料を提供できる。 (もっと読む)


【課題】セラミック素体のロットのばらつきや脱脂工程や内部電極の酸化状態のばらつき等の如何に関わらず、同様の焼結状態のセラミック焼結体を確実に得ることを可能とするセラミック素子を提供する。
【解決手段】未焼成のセラミック素体を焼成炉内において、加熱により焼成し、セラミック焼結体を得るに際し、予め焼成炉中において、セラミック素体サンプルに直流電圧を印加しつつ焼成し、温度による抵抗値の変化を測定し、最高温度に達した際の抵抗値をR、最高温度において焼結が完了することにより、抵抗値がRからRに変化した際の抵抗値Rを目標抵抗値として求めておき、セラミック素体を焼成炉内において焼成するに際し、抵抗値を測定しつつ、最高温度において抵抗値がRからRとなるように焼成条件を制御し、抵抗値がRとなった時点で焼成を完了し、次に焼成炉内の温度を降下させる、セラミック素子の製造方法。 (もっと読む)


【課題】室温より低い温度域において高いゼーベック係数を有する材料を提供すること。
【解決手段】ホウ素をドープしたルチル型酸化チタンを含む熱電変換材料である。特に、300K以下の温度域におけるゼーベック係数が500μV/K以上である、ホウ素をドープしたルチル型酸化チタンである。これらの熱電変換素子材料は、たとえば、チタニアと酸化ホウ素の粉末をプラズマ焼結させることによりドープできる。 (もっと読む)


【課題】本発明の目的は、低温での焼結が可能であり透明性に優れるとともに耐熱衝撃性にも優れた透光性セラミックスを提供することにある。
【解決手段】本発明の透光性セラミックスは、化学式Mg(1-x)ZnxAl24(ただし、0≦x≦1)で示されスピネル型結晶構造を有する第1の酸化物と、化学式Mg(1-y)ZnyO(ただし、0≦y≦0.2)で示されマグネシア型結晶構造を有する第2の酸化物とを含むことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 非酸化性雰囲気下において高い機械的強度を維持できる耐熱性セラミックスおよび断熱材を提供する。
【解決手段】 擬ブルッカイト型の結晶粒子1中に、Feが2価と3価として存在し、擬ブルッカイト型の結晶粒子1中の2価のFeと3価のFeとの合量に対する2価のFeの比率(2価のFe/(2価のFe+3価のFe))が0.45以上であるため、擬ブルッカイト型の結晶粒子中に2価のFeが既に十分存在しており、3価のFeが少ないため、非酸化性雰囲気下で耐熱性セラミックスを使用した場合、3価のFeが2価のFeに変化する割合が少ないか、もしくは変化せず、擬ブルッカイト型結晶の歪による応力発生を抑制し、非酸化性雰囲気下、特に還元雰囲気下で高い機械的強度を維持することができる。 (もっと読む)


【課題】従来よりも高密度でかつDCスパッタに際して割れが発生することが無い酸化チタンターゲットの製造方法を提供する。
【解決手段】Ti粉末およびTiO粉末を用意し、Ti粉末:1〜20質量%を含有し、残部:TiO粉末となるように配合し混合して得られた混合粉末を不活性ガス雰囲気中でホットプレスすることを特徴とする。 (もっと読む)


金属箔上で誘電体を作る方法が開示され、本方法から得られる金属箔上の誘電体を含んだ大面積コンデンサを作る方法が開示されている。誘電体の前駆体層及びベースメタル箔は、還元性ガスも含む湿潤雰囲気中で、350〜650℃の範囲内の予備焼成温度において予備焼成される。予備焼成された誘電体の前駆体層及びベースメタル箔はその後、誘電体を生成するために約10-6気圧未満の酸素分圧を有する雰囲気中で、700〜1200℃の範囲内の焼成温度において焼成される。本開示方法に従って作られるコンデンサの面積は10mm2を超え得る。そしてプリント配線板内に埋め込まれ得る複数の個々のコンデンサユニットを作製するために細分され得る。誘電体は、典型的には結晶質のチタン酸バリウム、又は結晶質のチタン酸バリウム・ストロンチウムを含む。
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【課題】 Q×f値を向上するとともに、十分に高い比誘電率εrを得ることも可能な誘電体磁器組成物を提供すること。
【解決手段】 本発明の誘電体磁器組成物は、下記組成式(1)で表される酸化物誘電体からなるものである。
a・CaO−b・LiO1/2−c・BiO3/2−d・REO3/2−e・TiO…(1)
[但し、上記式(1)中、REは、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Dy、Yb及びYからなる群より選ばれる少なくとも1種を表す。また、a〜eは、各成分の比率(モル%)を表し、
26<a≦45、
0<b≦12、
0<c≦(a+d)/4、
0≦d≦12.5、
50≦e≦60、
0.65≦b/(c+d)<1.0、
(a+b+d)/e<1.0、
dが0でない場合、b≧0.9×d、
a+b+c+d+e=100
となる関係を満たす値である。] (もっと読む)


【課題】単結晶粒子の集合体よりなる多結晶材料、特に各単結晶粒子が立方晶系の結晶構造を有する多結晶材料であって、各単結晶粒子の結晶方位が揃った配向多結晶材料を提供する。
【解決手段】この配向多結晶材料の製造方法は、希土類元素が添加された単結晶粒子を含む原料粉末を、溶液中に懸濁してなる懸濁液(スラリー1)を準備する準備工程と、磁場中でスリップキャスティングを行うことにより、懸濁液から成形体を得る成形工程と、成形体を焼成して、結晶方位が制御された多結晶構造を有する配向多結晶材料を得る焼成工程と、を備えている。 (もっと読む)


【課題】Si−SiCよりも単位体積当たりの熱容量が大きく、DPF等のフィルタの基材として使用した場合に、フィルタ特性(フィルタの有効面積、圧力損失等)に悪影響を与えるような高熱容量化手段を講じなくても、フィルタ再生処理時の熱を効果的に吸収して局所的な異常昇温を抑制できるような多孔質焼成体を提供する。
【解決手段】骨材が結合材により結合された構造を有する多孔質焼成体であって、前記骨材としてSiC粒子とSiCよりも単位体積当たりの熱容量が大きい酸化物の粒子とを含み、前記結合材として金属Siを含み、前記多孔質焼成体全体に占める前記金属Siの体積割合が8〜43体積%であり、前記骨材全体に占める前記酸化物の粒子の体積割合が14〜55体積%であり、前記SiC粒子と前記酸化物の粒子とがそれぞれ1以上の粒子群から構成され、各粒子群の平均粒径が、5〜100μmの範囲にある多孔質焼成体。 (もっと読む)


【課題】誘電体層が薄い場合においても、電気特性に優れ、ショート率の低い積層セラミックコンデンサを製造することができる誘電体材料を提供する。
【解決手段】チタン酸バリウムからなる1次原料粉末を粉砕処理して、2次原料粉末を得る工程を備えており、前記1次原料粉末の比表面積が、6.1〜11.0m/gであり、前記2次原料粉末の粒度分布のD99値が、0.35μm以下であり、前記1次原料粉末に対する前記2次原料粉末の比表面積の増加量が、5.0m/g以下であるようにした。 (もっと読む)


【課題】破壊電圧を良好にすることができ、定格電圧の高い(たとえば100V以上)中高圧用途に好適に用いることができる誘電体磁器組成物を提供すること。
【解決手段】BaTiOとBaZrOとを有する誘電体磁器組成物であって、該誘電体磁器組成物は、複数の誘電体粒子20と粒界相30とから構成されており、BaTiOを主成分とする誘電体粒子20を第1誘電体粒子21とし、BaZrOを主成分とする誘電体粒子20を第2誘電体粒子22とし、第1誘電体粒子21の平均結晶粒子径をD1とし、第2誘電体粒子22の平均結晶粒子径をD2とした場合に、D1に対するD2の比である(D2/D1)が0.04〜0.33であり、D2が0.02〜0.25μmであり、第1誘電体粒子21の合計個数に対する第2誘電体粒子22の合計個数の比が0.10〜2であることを特徴とする誘電体磁器組成物。 (もっと読む)


【課題】液晶プロジェクターの透明基板などに用いられる多結晶透明セラミックス基板の安価な製造方法を提供する。
【解決手段】所定の形状に成形されたセラミックス体を焼結して、多結晶透明セラミックス焼結体を作製する工程、前記多結晶透明セラミックス焼結体を切断して、複数の多結晶透明セラミックス切断体を作製する工程、前記多結晶透明セラミックス切断体の切断面を研磨して、多結晶透明セラミックス研磨体を作製する工程、前記多結晶透明セラミックス研磨体にARコーティングを施し、多結晶透明セラミックスコーティング体を作製する工程を含むことを特徴とする多結晶透明セラミックス基板の製造方法。 (もっと読む)


【課題】 耐熱分解性および耐熱性に優れた耐熱性セラミック部材およびフィルタを提供する。
【解決手段】 Al、TiおよびMgを含有し、モル比による組成式がAl2(1−x)MgTi(1+x)(0.21≦x≦0.5)で表される擬ブルッカイト型結晶を具備する耐熱性セラミック部材であって、実質的にSiを含有せず、かつアルカリ金属を酸化物換算で全量中0.21〜0.77質量%含有するもので、これにより、耐熱分解性および耐熱性を向上することができる。 (もっと読む)


【課題】この発明は、比表面積を一定の範囲とした高純度のAl粉末を原料とし、所定量のSiを焼結助剤とすることによって、厚さ3mmで可視光帯域波長400〜800nmにおける直線透過率が82%以上の透光性酸化イットリウムアルミニウムガーネット焼結体を得ようとするものである。
【解決手段】厚さ3mmで可視光帯域波長400〜800nmにおける直線透過率が82%以上の透光性酸化イットリウムアルミニウムガーネット焼結体を比表面積が3〜15m2/gで純度が99.99重量%以上のAl粉末を原料粉末として、焼結助剤としてSiを焼結体中に200wt ppm以上800wt ppm以下残存するものである。 (もっと読む)


【課題】高屈折率を有する光吸収率の小さい光学薄膜用材料であり、大電流の電子ビームの照射を行っても材料の割れやビーム照射面の陥没などの起こらない真空蒸着用材料として用いることのできる金属酸化物焼結体を提供する。
【解決手段】金属成分としてジルコニウムとチタニウムとニオブを含み、化学量論的にZrTiNbの組成で表され、かつ酸素欠損を有する複合酸化物であり、該w、x、y、zは、3.8≦w≦7.9、0.16≦x≦5.6、0.01≦y≦1.83、13.6≦z<20.15の範囲にあり、および、該酸素欠損の量は、完全酸化に対して0.089mol%以上17.084mol%以下の範囲にあることを特徴とする光学薄膜の形成材料。 (もっと読む)


【課題】本発明はイットリウムアルミニウムガーネットなどの透明セラミックスを製造する方法に関する。
【解決手段】この方法は、セラミック酸化物、分散剤および有機溶媒の混合物を形成する工程と、混合物を粉砕して、第1のスラリーを生成する工程と、第1のスラリーと、有機結合剤および可塑剤とを混合して、処理されたスラリーを形成する工程と、処理されたスラリーを粉砕して、粉砕されたスラリーを生成する工程と、粉砕されたスラリーをテープキャスティングして、成形テープを生成する工程と、成形テープを乾燥して、乾燥テープを生成する工程と、乾燥テープの一部を積み重ねて、アセンブリを形成する工程と、アセンブリを圧縮して、プレフォームを生成する工程と、プレフォームを加熱して、緑色のプレフォームを生成する工程と、緑色のプレフォームを焼結して、透明イットリウムアルミニウムガーネットを生成する工程と、を必要とする。 (もっと読む)


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