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Fターム[4G031GA09]の内容

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Fターム[4G031GA09]に分類される特許

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【課題】比較的に高い比誘電率を有し、しかも高温領域を含む広い温度範囲(−55〜400℃)において容量温度特性が良好である誘電体磁器組成物を提供する。
【解決手段】一般式KNbで表される第一の相と、一般式BaαTiβで表される第二の相との混晶体から成る主成分を有し、前記m、n、α、βが0.990≦m/n≦1.005、0.995≦α/β≦1.010、且つ、m/nとα/βとが同時に1を取らないことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】ナノ構造を有し、高い比誘電率を有する強誘電体を提供すること。
【解決手段】格子定数が下記式(1):
1≦(a/a)×100≦80 (1)
(式(1)中、aは第一強誘電材料の格子定数であり、aは第二強誘電材料の格子定数であり、a>aである。)
で表される条件を満たす第一強誘電材料および第二強誘電材料のうちの一方の無機成分からなるマトリックス中に、前記第一強誘電材料および前記第二強誘電材料のうちの他方の無機成分が、球状、柱状およびジャイロイド状からなる群から選択される形状で、三次元的且つ周期的に配置しており、繰り返し構造の一単位の長さの平均値が1nm〜100nmである三次元的周期構造を有していることを特徴とするナノヘテロ構造強誘電体。 (もっと読む)


【課題】比較的に高い比誘電率及び耐電圧を有し、しかも高温領域を含む広い温度範囲(−55〜400℃)において容量温度特性が良好である誘電体磁器組成物を提供する。
【解決手段】一般式KNbOで表される第一の相と、一般式BaTiOで表される第二の相との混晶体から成る主成分を有し、副成分としてMn、Siの元素を含有する。KNbOとBaTiOとの混晶体から成る主成分とすることで、100℃以下では、BaTiOが有する高い比誘電率を利用し、150℃以上では、KNbOが有する高い比誘電率を利用することができる。 (もっと読む)


【課題】比較的に高い比誘電率を有し、しかも高温領域を含む広い温度範囲(−55〜400℃)において容量温度特性が良好である誘電体磁器組成物を提供する。
【解決手段】一般式KNbOで表される第一の相と、一般式(Ba1−x)(Ti1−y)O(ただし、MはCa、SrおよびMgから選択される少なくとも1種類)、(ただし、LはZr、Hf、Co、V、Ta、Cr、Mo、W、Mgの中から選択される少なくとも1種類)で表される第二の相との混合相から成る。 (もっと読む)


【課題】LTD現象を有意に抑制する安定化ジルコニアを提供する
【解決手段】分極処理を施すことにより、相対的に正帯電性を有する側の表面で黒色または茶色、相対的に負帯電性を有する側の表面では白色を呈していることを特徴とするような安定化ジルコニアにおいて、低温劣化が有意に抑制される。 (もっと読む)


【課題】比誘電率が従来よりも高い多孔質金属酸化物誘電体粒子を提供すること。
【解決手段】本発明の多孔質金属酸化物誘電体粒子は、多数の開気孔を有し、JIS R 1655の水銀圧入法に準じて測定された細孔面積が3〜35m2/gであることを特徴とする。この誘電体粒子は、平均粒子径D50が0.1〜2μmであり、最大粒子径が10μm以下である。前記金属酸化物は、結晶構造がABO3(式中、A及びBはそれぞれ独立に1種以上の金属原子を表す。)で表されるペロブスカイト構造を有するものであることが好適である。 (もっと読む)


【課題】 広い実用温度領域で脱分極せず、良好な圧電定数を有する非鉛圧電材料を提供することができる。
【解決手段】 下記一般式(1):
一般式(1) 一般式(Ba1−xCa(Ti1−yZr)O(1.00≦a≦1.01、0.125≦x≦0.175、0.055≦y≦0.090)で表わされるペロブスカイト型金属酸化物を主成分とした圧電材料であって、前記金属酸化物にMnが含有されており、前記Mnの含有量が前記金属酸化物100重量部に対して金属換算で0.02重量部以上0.10重量部以下であることを特徴とする圧電材料。 (もっと読む)


【課題】ガーネット型イオン伝導性酸化物において、伝導度の低下をできるだけ抑えると共に、焼成エネルギーをより低減する。
【解決手段】ガーネット型イオン伝導性酸化物は、Liと、Laと、Zrとを含み、Laと異なる元素でありアルカリ土類金属及びランタノイド元素のうち少なくとも1種以上の元素Aと、Zrと異なる元素であり酸素と6配位をとることが可能な遷移元素及び第12族〜第15族に属する典型元素のうち少なくとも1種以上の元素Bとを含む。また、基本組成LiXLa3-YSrYZr2-ZNbZ12(式中、Xは、(La3-YSrY)の平均価数をa、(Zr2-ZNbZ)の平均価数をbとしたとき、X=24−3×a−2×bを満たし、且つ0<Y≦1.0,0<Z≦1.0)を満たす)で表されるものとしてもよい。 (もっと読む)


【課題】 共振周波数が大きく外れることなく、共振動作の最中に発生した熱を、表面から効率よく放熱することができる誘電体共振子を提供する。
【解決手段】 一方主面と、前記一方主面に平行な他方主面と、前記一方主面および前記他方主面に対して垂直な周面とを備え、前記一方主面および前記他方主面の少なくともいずれか一方に開口を有する、前記一方主面に垂直な方向に延びた複数の孔が設けられているとともに、複数の前記孔が、前記一方主面および前記他方主面に垂直な所定軸に対してn回対称(nは2以上の整数)となるように配置されていることを特徴とする誘電体共振子を提供する。 (もっと読む)


【課題】広範囲な温度領域(例えば、−55〜350℃)において比誘電率の変化率(例えば、ΔC/C=±22%以内)が小さく、350℃付近の高温領域に至るまでの諸特性に優れ、比誘電率が大きく、鉛を含有しないニオブ酸系の誘電体磁器組成物と、その誘電体磁器組成物を用いた電子部品を提供する。
【解決手段】一般式(K1−xNa)NbOで表されるニオブ酸化合物と、BaTiO3表されるチタン酸バリウムとを含有する誘電体磁器組成物中に、ニオブ酸化合物領域とチタン酸バリウム領域とがそれぞれコンポジット構造を形成し、 [(K1−xNaαBaβ](NbαTiβ)O12で表される固溶体の固溶体領域面積をA1、全体の領域面積をA2としたときに、A1/A2≦0.35とする。 (もっと読む)


【課題】セラミックスとセラミックスとの接合体およびその製造方法を提供する。さらには、セラミックスと透光性を有するセラミックスとの接合体、特に着色ジルコニア焼結体と透光性セラミックスとの接合体、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】着色ジルコニア焼結体1が接合材を介さずに透光性セラミックス2に接合してなるセラミックス接合体である。透光性セラミックス2と着色ジルコニア焼結体1を焼成することにより、着色ジルコニア焼結体1を収縮させて透光性セラミックス2と着色ジルコニア焼結体とを接合させる。 (もっと読む)


【課題】 材料に希土類を含むことなく38〜44の比誘電率を有する誘電体セラミックスを安価に作製することができ、誘電特性として、Qf値が高く、かつ広範囲な温度域における共振周波数の温度係数τfが小さく、かつ低温域(−40〜25℃)および高温域(25〜85℃)で共振周波数の温度係数τfの差(Δτf)の小さい誘電体セラミックスおよびこれを備える誘電体フィルタを提供する。
【解決手段】 組成式を、αZrO・βTiO・γMgO・δNbと表したとき、モル比α,β,γおよびδが、0.3200≦α≦0.5700,0.2800≦β≦0.5300,0.0101≦γ≦0.0774,0.0199≦δ≦0.1526,α+β+γ+δ=1および0.5<γ/δ≦1を満足
し、前記組成式の成分100質量%に対して、CaをCaO換算で0.01質量%を超え0.3質量%以下含む誘電体セラミックスである。 (もっと読む)


【課題】非鉛系でありながら安価で実用価値のある圧電部品を容易に得ることがきる圧電磁器組成物及び圧電部品を実現する。
【解決手段】圧電磁器組成物は、一般式{(1−x)(Bi,Na)TiO・xBa(Cu,Nb)O}で表わされる複合酸化物を主成分として含有し、前記xが、0.02≦x≦0.08(好ましくは、0.0475≦x≦0.055)である。MnOが、主成分100モル部に対し、0.98モル部以下の範囲で含有されているのが好ましい。また、Ba(Cu,Nb)Oを組成式{Ba(Cu(1+Z)/3Nb2/3)O(9+Z)/3}で表した場合、zが0.10〜0.15であるのが好ましい。この圧電磁器組成物を使用して圧電セラミック素体1を製造し、圧電部品を得る。 (もっと読む)


【課題】改善されたクリープ抵抗を有し、ガラス炉で利用することのできる生成物を提供する。
【解決手段】75から99%のジルコンを含む初期分量から製造され、及び酸化物に基づく重量パーセントで、重量あたり以下の平均化学組成を有している焼成生成物。60%<ZrO+HfO<75%;27%<SiO<34%;0<TiO;0<Y<3.5%;0.1%<Nb+Ta≦5%;及び他の酸化物:<1%;全体として100%。及びガラス炉での利用。 (もっと読む)


【課題】 Znを含むBaTiO系のPTC素子用焼結体においてジャンプ特性に優れたPTC素子用焼結体、その製造方法、及びこのPTC素子用焼結体を用いたPTC素子、発熱モジュールを提供する。
【解決手段】 Ba、Tiを必須とするペロブスカイト系のPTC素子用焼結体であって、Znを焼結体全体に対して酸化物換算でZnO:0.0001−0.0030mol%含み、平均結晶粒径が10μm以上100μm以下であり、室温抵抗率Rrが1×10Ω・cm以下、抵抗温度係数αが0.5%/℃以上であることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】交流破壊電界が高く、静電容量の温度特性が良好であり、比誘電率が高く、耐還元性が良好な誘電体磁器組成物を提供すること。
【解決手段】(BaBi)TiOの組成式で表わされる主成分と、第1副成分と、第2副成分と、を有する誘電体磁器組成物であって、前記組成式中のyが0.001≦y≦0.010であり、かつ、前記組成式中のxとyの合計が0.975≦x+y≦1.010であり、前記第1副成分は、酸化亜鉛であり、前記第2副成分は、Y、La、Ce、Nd、Sm、MnおよびNiから選ばれる少なくとも1種の酸化物であり、前記第1副成分が前記主成分100重量部に対して2重量部以上12重量部以下含有されており、前記第2副成分は前記主成分100重量部に対して酸化物換算で0.008重量部以上0.08重量部以下含有されている誘電体磁器組成物。 (もっと読む)


【課題】非鉛強誘電体組成物、非鉛強誘電体薄膜及び非鉛強誘電体光学素子を提供する。
【解決手段】ビスマス、チタン及びエルビウムを含有する酸化物からなる非鉛強誘電体組成物。また、ビスマス、チタン及びエルビウムを含有する酸化物からなる非鉛強誘電体薄膜。さらに、ビスマス、チタン及びエルビウムを含有する酸化物からなる非鉛強誘電体薄膜と、非鉛強誘電体薄膜の一方面及び他方面に配設された一対の電極とを備え、一対の電極のうち少なくともいずれかが透光性電極である非鉛強誘電体光学素子。 (もっと読む)


【課題】 高い比誘電率εrと、品質係数Qf値と、0ppm/℃に近い共振周波数の温度係数τfとを有する誘電体セラミックスを得ることと、良好な性能を有する誘電体フィルタを得ること。
【解決手段】 組成式をaBaO・bNd・c[{1-(x/2)-(y/2)}T
iO+1/2xTa+1/2yAl]と表したとき、a、b、c、x、yが、13.5≦a≦16.1、17.6≦b≦19.4、64.5≦c≦68.8、0.01≦x≦0.15、0.01≦y≦0.15、a+b+c=100を満足するので、高い比誘電率εrと、高い品質係数Qf値と、0
ppm/℃に近い共振周波数の温度係数τfとを有する誘電体セラミックスを得ることができる。また、上記誘電体セラミックスを備える誘電体フィルタは、良好な性能を有する誘電体フィルタとすることができる。 (もっと読む)


【課題】微粒チタン酸アルミニウム系セラミックスの有効利用を図り、BET比表面積が小さく、また粉末状に解砕した場合に細孔容量が小さいチタン酸アルミニウム系セラミックスの提供。
【解決手段】微粒チタン酸アルミニウム系セラミックス、チタニア源およびアルミナ源、場合によりマグネシア源やシリカ源とも混合した前駆体混合物を、または微粒チタン酸アルミニウム系セラミックス粉末自体を、好ましくは成形して、粉末状態或いは成形体の状態で焼成することによりチタン酸アルミニウム系セラミックスを製造する。 (もっと読む)


【課題】低温焼成が可能で、高周波領域での誘電損失が低く、メッキ耐食性に優れた焼結体を得ることが可能なセラミックス組成物及び電子部品を提供する。
【解決手段】Ba(Re(1−x),Bi9.33Ti1854で現わされる主相成分と、主相成分100質量部に対し酸化物換算で、B成分を0.3〜1.4質量部、Li成分を0.1〜0.3質量部、Zn成分を1.5〜7質量部及びAg成分を1.5〜2質量部含有する第1副成分と、主相成分100質量部に対し酸化物換算で、Si成分を0〜1.25質量部、Al成分を0〜1.25質量部、Bi成分を0〜5質量部含有する第2副成分とを含むセラミックス組成物。該セラミックス組成物を焼成して得られるセラミックス層と、該セラミックス層の表面及び/又は内部にあって、セラミックス組成物と同時焼成して得られる導体層とを有する電子部品。 (もっと読む)


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