【課題】ＰＺＴＮ複合酸化物（Ｐｂ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｔｉによる構成元素）を形成するための前駆体溶液の製造方法、および前駆体溶液を用いたＰＺＴＮ複合酸化物の製造方法を提供する。
【解決手段】カルボン酸鉛を、アルコキシ基を有する有機溶媒に溶解して、第１溶液を形成する工程と、前記第１溶液を加熱処理し、該カルボン酸鉛と前記アルコキシ基を有する有機溶媒との配位子置換反応によって鉛アルコキシドを形成し、該鉛アルコキシドを含む第２溶液を形成する工程と、前記第２溶液に、Ｐｂ以外のＺｒ、ＴｉおよびＮｂから選ばれる少なくとも１種の金属アルコキシドを混合して、Ｐｂ、Ｚｒ、ＴｉおよびＮｂのそれぞれの金属アルコキシドを含む第３溶液を形成する工程と、前記第３溶液に水を加え、金属アルコキシドの加水分解・縮合を行って、ＰＺＴＮ複合酸化物の前駆体を含む第４溶液を形成する工程と、を含む製造方法。 （もっと読む）

【課題】高い均質性、有機溶媒に対する高い溶解性、縮合安定性及び保存安定性に優れたＰＺＴの前駆物質及びその製造法を提供する。
【解決手段】Ｐｂ、Ｚｒ及びＴｉの錯体化合物とアルカノールアミンまたはＰｂのトリエタノールアミン又はジエタノールアミン錯体とＺｒ及びＴｉの錯体化合物を反応させて、錯体分子間でアルカノールアミンの水酸基を介した架橋反応を起こすことで得られる高分子量体の酸化物前駆物質、及びその製造法。 （もっと読む）

【課題】 酸化ストロンチウムイリジウム（ＳｒＩｒＯ₃）に基づく金属酸化物、特にペロブスカイト型のＳｒＩｒＯ₃に基づく金属酸化物の薄膜を提供する。
【解決手段】 有機ストロンチウム（Ｓｒ）化合物１１と有機イリジウム（Ｉｒ）化合物１２とを含有する原料ガスを用いる有機金属化学気相成長法によって、基材３の表面上に、特に立方晶系、正方晶系又は斜方晶系の（１００）面又は（１１０）面である基材３の表面上に、ＳｒＩｒＯ₃、特にペロブスカイト型構造のＳｒＩｒＯ₃に基づく金属酸化物の薄膜を製造する方法とする。 （もっと読む）

本発明は、２００℃以下の低温度での金属酸化物薄膜の製造、および均質な有機−無機複合体の製造に適した金属−酸素結合を有する分散質を提供するとともに、各種機能を有する金属酸化物薄膜および有機−無機複合体、特に高屈折率、高透明性を有する有機−無機複合体を提供することを目的とする。有機溶媒中、３以上の加水分解性基を有する金属化合物と該金属化合物に対して０．５倍モル以上２倍モル未満の水を、酸、塩基、及び／または分散安定化剤の非存在下に、加水分解開始温度以下で混合し、加水分解開始温度以上に昇温することにより得られてくることを特徴とする金属−酸素結合を有する分散質を用いる。 （もっと読む）

金属製基材、少なくとも一つの緩衝層及び高温超導電体層を有するテープ状高温超電導体を製造するための湿式化学的方法が、緩衝層の組織転写力が高められるように改良される。このために、金属製基材上に塗布されそして乾燥及びアニーリングされて緩衝層を形成する成膜液の調製時において、少なくとも一つの遊離のヒドロキシル基を有する極性溶剤が使用される。 （もっと読む）

本発明は、ニッケル含有材料からの導電性のニッケル酸化物表面の製造方法であって、このニッケル表面をまず脱脂し、引き続き約１０分間約１％の塩酸溶液中で粗面化し、その際過酸化水素溶液の添加によりこの進行を加速させて、かつこの電解質の緑色が現れ、前記ニッケル表面を短期間水処理し、このニッケル材料を約１０％の過酸化水素と混合した３．５モーラーのアルカリ溶液からなる溶液中に装入し、かつ前記溶液中で１０分間維持し、このようにして形成されたニッケル水酸化物表面を引き続く熱処理において脱水し、かつ引き続き更に酸化してニッケル酸化物にする、ニッケル酸化物表面の製造方法に関する。本発明は更に、前記方法により製造された境界導層並びに前記境界導層を含む電極、及び塩素−アルカリ電気分解方法、燃料電池、及び蓄電池におけるこれらの使用を含む。
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少なくとも１種の金属カルコゲニドを含有する２．９ｅＶ未満のバンド−ギャップを有する金属カルコゲニドナノ−粒子を用いて内部及び外部表面上においてその場で分光増感された２．９ｅＶより大きいバンド−ギャップを有するナノ−多孔質金属酸化物半導体であって、ナノ−多孔質金属酸化物がさらにリン酸又はリン酸塩を含有することを特徴とするナノ−多孔質金属酸化物半導体；ならびに２．９ｅＶより大きいバンド−ギャップを有するナノ−多孔質金属酸化物半導体をその内部及び外部表面上において、少なくとも１種の金属カルコゲニドを含有する２．９ｅＶ未満のバンド−ギャップを有する金属カルコゲニドナノ粒子を用いてその場で分光増感するための方法であって、ナノ−多孔質金属酸化物を金属イオンの溶液と接触させ；ナノ−多孔質金属酸化物をカルコゲニドイオンの溶液と接触させる段階を含んでなる金属カルコゲニド−生成サイクル；ならびに金属カルコゲニド生成に続いてリン酸又はリン酸塩を含有する水溶液でナノ−多孔質金属酸化物を濯ぐことを含んでなる方法。 （もっと読む）

２．９ｅＶ未満のバンド−ギャップを有する１種もしくはそれより多い金属酸化物又はそれらの混合物を用いて内部及び外部表面上で分光増感された２．９ｅＶより大きいバンドギャップを有する多孔質金属酸化物半導体；２．９ｅＶより大きいバンドギャップを有するナノ−多孔質金属酸化物を準備し、熱分解されるか又は加水分解され且つ続いて熱分解されると２．９ｅＶ未満のバンド−ギャップを有する金属酸化物を与える金属化合物又は塩の溶液を適用し、金属塩が適用された２．９ｅＶより大きいバンド−ギャップを有するナノ−多孔質金属酸化物を加熱して、塩を熱分解するか又は加水分解し且つ続いて熱分解し、２．９ｅＶ未満のバンド−ギャップを有する金属酸化物とする段階を含んでなる、２．９ｅＶより大きいバンド−ギャップを有するナノ多孔質金属酸化物をその内部及び外部表面上で分光増感するための方法；ならびに（ｉ）２．９ｅＶより大きいバンド−ギャップを有する金属酸化物半導体に熱分解されるか又は加水分解され且つ続いて熱分解される金属化合物又は塩ならびに２．９ｅＶ未満のバンド−ギャップを有する金属酸化物に熱分解されるか又は加水分解され且つ続いて熱分解される金属化合物又は塩を含有する溶液を調製し、（ｉｉ）段階（ｉ）で調製された溶液に水溶性ポリマーを加え、（ｉｉｉ）段階（ｉｉ）で調製された溶液を支持体上にコーティングし、そして（ｉｖ）段階（ｉｉｉ）で調製されたコーティングされた支持体を、水溶性ポリマーがもはやコーティング支持体中に存在しない温度に加熱する段階を含んでなる、２．９ｅＶより大きいバンド−ギャップを有するナノ−多孔質金属酸化物をその内部及び外部表面上で分光増感するための第２の方法。
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本発明は、回転炉または舟形炉（boat furnace）中で還元剤として水素を使用することにより、モリブデン酸アンモニウムまたは三酸化モリブデンを還元することによる高純度なＭｏＯ_２粉末に関する。加圧／焼結、ホットプレスおよび／またはＨＩＰによる粉末の圧密は、スパッタリングターゲットとして使用されるディスク、スラブまたは板を製造するために使用される。ＭｏＯ_２のディスク、スラブまたは板の形状物は、適当なスパッタリング方法または他の物理的手段を用いて支持体上にスパッタリングされ、望ましい膜厚を有する薄膜を提供する。薄膜は、透明度、導電率、仕事関数、均一性および表面粗さに関連してインジウム−酸化錫（ＩＴＯ）および亜鉛がドープされたＩＴＯの性質と比較可能かまたは前記性質よりも優れている性質、例えば電気的性質、光学的性質、表面粗さおよび均一性を有する。ＭｏＯ_２およびＭｏＯ_２を含有する薄膜は、有機発光ダイオード（OLED）、液晶ディスプレイ（LCD）、プラズマディスプレイパネル（PDP）、電界放出ディスプレイ（FED）、薄膜ソーラーセル、低抵抗オーミック接触ならびに他の電子デバイスおよび半導体デバイスに使用されてよい。 （もっと読む）

１５００以上の相対誘電率を有する、結晶質のＰｂＭｇ_０．３３Ｎｂ_０．６７Ｏ_３の単相の層が、大環状錯化剤を有する前駆体溶液の使用によって準備される。この錯化剤は、有機溶液内の鉛成分に付加される。得られる層は、半導体素子及び抵抗器を更に含み得るデバイスの一部である。
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