配向金属基板の曲面状の表面に、少なくとも一つの金属よりなる酸化物膜を堆積する方法であって、次の各ステップを含んでおり、(1)少なくとも一つの金属酸化物よりなるプリカーサ膜は、上記金属からなる少なくとも一つの上記プリカーサの有機溶液を用いて堆積され、上記溶液は、好ましくは、当該方法の温度で測定され、1mPa・s〜20mPa・sの間の値、さらに好ましくは２mPa・s〜10mPa・sの間の値の粘度を有しており、(2)上記酸化物プリカーサ膜は、好ましくは80℃〜100℃との間の値の温度にて、乾燥に晒され、(3)上記酸化物プリカーサ膜を熱分解すると共に上記金属酸化物を形成するために、熱処理が実行され、上記熱処理の少なくとも一部は、還元ガス流の下で実行され、上記還元ガスは、好ましく0.005cm/sよりも大きい流量を好ましくは有し、好ましく0.012cm/sと0.1cm/sとの間、より好ましくは0.04cm/sと0.08cm/sとの間の値の流量を有する。
（もっと読む）

【課題】コバルトカルボニル錯体を安定に保存することができるコバルトカルボニル錯体入り容器を提供すること。
【解決手段】上記コバルトカルボニル錯体入り容器は、コバルトカルボニル錯体および気体を収容した容器であって、前記気体が一酸化炭素を含むものである。
上記容器は、好ましくは容器本体並びにこれに備えられた気体導入口及び気体排出口を有し、かかる態様の上記容器は、これを加熱することにより、基体上にコバルト膜を形成するためのコバルトカルボニル錯体の昇華を該容器内から行うことができる。 （もっと読む）

配向金属基板の機能化表面上にエピタキシャル金属酸化物からなるバッファ膜を堆積する方法であって、前記方法は次の各ステップを含む、（１）Ａ_２−ｘＢ_２＋ｘＯ_７タイプの酸化物からなるプリカーサ膜が堆積され、ここでＡは、価数３の金属又はこれらの金属のうちの複数の金属混合物を表しており、Ｂは、価数４の金属を表しており、ｘは−０．１と＋０．１の間の数値であり、前記酸化物は、前記金属Ａ及びＢからなるカルボン酸塩溶液から得られ、（２）前記酸化プリカーサ膜は乾燥に晒され、（３）前記酸化プリカーサ膜を熱分解すると共に前記酸化物を形成するために、熱処理が実行され、前記熱処理の少なくとも一部は、還元ガス流の下で実行される。
（もっと読む）

【課題】プラグインハイブリッドや電気自動車用電源のような、極めて高い放電容量が求められる非水電解質二次電池に使用可能な正極活物質を提供する。
【解決手段】ＪＩＳ Ｚ ８７２９により規定される色空間であるＬ＊ａ＊ｂ系表色系色座標が０＜ａ＜１０、−１．２＜ｂ＜２０．０、及び０＜Ｌ＜３０であり、かつ、組成式がＬｉ_ｗＮｉ_ｘＭｎ_ｙＣｏ_ｚＯ_２＋δで表される、非水電解質二次電池用正極活物質である。その際、１．１＜ｗ＜１．５、０．１＜ｘ＜０．４、０．４＜ｙ＜０．９、０＜ｚ＜０．２、ｗ＋ｘ＋ｙ＋ｚ＝２、−０．２＜δ＜０．２である。 （もっと読む）

【課題】厳しい熱環境での使用を意図した、超合金基板上の遮熱コーティングとして有用な組成物を提供する。
【解決手段】このコーティングは、主に正方晶相の状態において安定化したジルコニアを含む。組成物は、基本的にジルコニア（ＺｒＯ₂）又はジルコニアとハフニア（ＨｆＯ₂）との組合せから成るセラミック成分と、ＹｂＯ_1.5、ＨｏＯ_1.5、ＥｒＯ_1.5、ＴｍＯ_1.5、ＬｕＯ_1.5、及びそれらの組合せより選択される第１の補助安定剤、並びにＴｉＯ₂、ＰｄＯ₂、ＶＯ₂、ＧｅＯ₂、及びそれらの組合せより選択される第２の補助安定剤を組み合わせて含む安定剤成分とを含む。任意で、この安定剤成分はＹ₂Ｏ₃を含む。この安定剤成分は、コーティング中で主に正方晶相の状態を実現するのに有効な量だけ存在する。
（もっと読む）

【課題】 ハフニウム含有酸化膜を提供できる半導体成膜用材料として好適なハフニウムアミド錯体を高収率でかつ簡便に製造する方法を提供する。
【解決手段】 一般式：Ｈｆ［Ｏ（ＣＲ_１Ｒ_２Ｒ_３）］_４で示される第３級ハフニウムアルコキシド錯体に、一般式：Ｌｉ（ＮＲ_４Ｒ_５）で示されるリチウムアルキルアミドを添加し反応させた後、減圧蒸留を行うことを特徴とする、一般式：Ｈｆ（ＮＲ_４Ｒ_５）_４で示されるハフニウムアミド錯体の製造方法。
（式中において、Ｒ_１、Ｒ_２、Ｒ_３はそれぞれ独立で、フェニル基、ベンジル基、炭素数１〜６の１級又は２級又は３級のアルキル基のいずれか一つを表し、Ｒ_４、Ｒ_５はそれぞれ独立で、メチル基又はエチル基のいずれか一つを表わす。但し、Ｒ_１、Ｒ_２、Ｒ_３が全てメチル基の場合及びＲ_１、Ｒ_２、Ｒ_３のいずれか一つがエチル基で他の二つがメチル基の場合は除く。） （もっと読む）

【課題】本発明は、キャップ層の形成に要する時間の短縮化及びコストの低減を図ることにより、酸化物超電導導体を生産性よく製造することができる酸化物超電導導体用基材の製造方法、酸化物超電導導体の製造方法、各製造方法で用いられる酸化物超電導導体用キャップ層の形成装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の酸化物超電導導体用基材の製造方法では、ＩＢＡＤ基材７上にキャップ層を形成する方法として、金属ターゲット１４ａ、１５ａを用いる反応性ＤＣスパッタ法を用いる。形成するキャップ層は、例えばＣｅＯ_２層である。キャップ層を形成する際には、走行系１１に沿って複数の金属ターゲット１４ａ、１５ａを配設し、ＩＢＡＤ基材７の温度及び成膜空間に導入するガスの酸素濃度を所定の範囲に設定するのが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 分散媒中に分散された光触媒酸化チタン粒子と光触媒酸化タングステン粒子との凝集が抑制されて固液分離を起こしにくく、優れた光触媒活性を発現しうる光触媒体分散液を提供する。
【解決手段】 光触媒酸化チタン粒子および光触媒酸化タングステン粒子が分散媒中に分散されてなり、光触媒酸化チタン粒子および光触媒酸化タングステン粒子は表面が互いに同じ極性に帯電しており、さらに、この光触媒酸化チタン粒子および光触媒酸化タングステン粒子と同じ極性に帯電するジルコニウム化合物を含む。 （もっと読む）

【課題】有機物に由来する不純物が含まれ難く、アルカリ環境下においてもβ型へ転移し難いアルミニウム置換α型水酸化ニッケルの製造方法およびこれを用いたニッケルイオン二次電池正極活物質を提供する。
【解決手段】金属アルミニウム及び／又はアルミニウムイオン（Ａｌ^3＋）を含むアルミニウム電解質の存在下で、ニッケルフッ化物錯体を含む反応溶液に基材を浸漬させ、基材表面にα型水酸化ニッケルを析出させる製造方法、および、当該方法により製造されたアルミニウム置換α型水酸化ニッケルを用いたアルカリ二次電池用正極活物質。 （もっと読む）

【課題】酸化タングステンまたは酸化タングステン複合材の微粒子をレンズの表面に具備し、長時間親水性を維持することにより、高い防曇性能を有するカメラを提供する。
【解決手段】酸化タングステンまたは酸化タングステンの複合材の微粒子をレンズの表面に具備するカメラにおいて、前記微粒子の平均粒径が１ｎｍから２００ｎｍの範囲であり、かつ微粒子のアスペクト比を１〜３．５の範囲とする。可視光照射下において光触媒性能に優れる酸化タングステンまたは酸化タングステン複合材の微粒子を用いた場合には、有機物汚れやガス分解、抗菌・除菌性能を付加することができる。 （もっと読む）

固体酸化物燃料電池用金属酸化物薄膜構造は、金属酸化物塩溶液に金属酸化物ナノ粉末を分散させること、次いで、得られた金属酸化物粉末分散ゾル及び金属酸化物塩溶液を多孔質基板に被覆させることを含む方法によって調製され、優れたガス不透過性及び優れた相安定性を有し、クラック又はピンホールがない。 （もっと読む）

【課題】種々の部材の高性能化に寄与できる積層体を提供する。
【解決手段】コバルト源を含有し、かつ、溶媒としてコバルト酸化物の単結晶２を形成可能な単結晶形成可能溶媒とジケトン類またはケトエステル類とを含有するコバルト酸化物膜３形成用溶液を、コバルト酸化物膜形成温度以上の温度まで加熱した基材１に接触させることにより、前記基材上にコバルト酸化物膜を形成する。この形成したコバルト酸化物膜の膜厚が、５００ｎｍ以上である。 （もっと読む）

【課題】高濃度でも分散性、安定性に優れた樹脂で被覆した金属酸化物粒子分散ゾルの製造方法を提供する。
【解決手段】予め100〜800℃で加熱処理した平均粒子径が５ｎｍ〜１０μｍの範囲にある金属酸化物粒子の有機溶媒分散液に、アクリル系樹脂および／またはメタクリル系樹脂からなる樹脂被覆材を添加し、ついで、メカノケミカル処理する樹脂被覆金属酸化物粒子分散ゾルの製造方法。マトリックス形成成分とかかる方法で得られた樹脂被覆金属酸化物粒子分散ゾルと有機溶媒とを含んでなる透明被膜形成用塗布液。 （もっと読む）

【課題】真空装置などの高度な設備や技術を必要とすることなく、基板上にモリブデン酸化物薄膜を容易に形成することができるモリブデン酸化物薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】基板の表面にモリブデン酸化物の薄膜を形成する製造方法に関する。酸化モリブデンを還元性を有する金属化合物で処理する工程と、この処理をした酸化モリブデンを有機基を有するカチオンで処理して酸化モリブデンを分散する工程と、分散した酸化モリブデンを含有する液に基板を浸漬するとともに電界を印加して基板の表面にモリブデン酸化物を吸着させる工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】電子部品の誘電材料として機能し得るセラミック酸化物材料を形成するプロセスにおいて、周囲の部品を劣化させるような温度を用いることなく、高い誘電率および低い誘電正接を有する材料を得ることができるプロセスを提供すること。
【解決手段】本発明のプロセスは、少なくとも１つのパイロクロール結晶相を含む鉛ベースのセラミック酸化物誘電材料を形成するプロセスであって、ａ）該鉛ベースのセラミック酸化物材料の少なくとも１つの非晶層を基板上に堆積させる工程と；ｂ）５５０℃を超えない温度で該非晶層に施され、それにより、少なくとも１つのパイロクロール結晶相を含む鉛ベースのセラミック酸化物誘電材料が得られる、結晶化アニール工程と；を含む。 （もっと読む）

【課題】本発明では、電圧印加時に局所的に微細な応力を緩和することができる圧電体膜、圧電体薄膜素子、及びそれらを用いるデバイスを得ることを目的とする。
【解決手段】鉛を主成分として含有し、ペロブスカイト型結晶構造を有する酸化膜であって、酸化膜の膜表面の複数の点について顕微ラマン分光分析を行って、電界１００ｋＶ／ｃｍを印加した場合と電界を印加しない場合とのラマンスペクトルを測定し、電界１００ｋＶ／ｃｍ印加時の５００〜６５０ｃｍ^−１におけるラマンスペクトルと、電界を印加しない時の５００〜６５０ｃｍ^−１におけるラマンスペクトルのピークシフト量の絶対値の平均値が、２．２ｃｍ^−１以下であることを特徴とするペロブスカイト型酸化膜からなる圧電体膜を提供することにより、上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、タングステン酸やペルオキソタングステン酸の水溶液を長時間安定して保存する方法を提供することを目的とする。また、前記水溶液を乾燥して得られるタングステン化合物の薄膜を製造する方法をも提供することを目的とする。
【解決手段】 タングステン酸および／またはペルオキソタングステン酸を含む水溶液の保存方法であって、該水溶液に炭素数３以下のアルコールを添加し、かつ、光を遮蔽して保存することを特徴とするタングステン酸および／またはペルオキソタングステン酸を含む水溶液の保存方法。 （もっと読む）

本発明は、ＹＳＺ／Ｘ／ＹＳＺ材料であって、ＸがＹＳＺとは異なる材料である少なくとも３層のスタックを、基板上に、ＣＶＤ（化学気相堆積）堆積する段階を含む、ＳＯＦＣ電池用電解質の製造方法に関する。
（もっと読む）

リチウムを含むアノードと、金属ドープ硫化鉄及び炭素粒子を含むカソードと、を有する一次電池。金属ドープ硫化鉄粉末、炭素、結合剤、及び液体溶媒を含むカソードスラリーが調製される。混合物を導電性基材上にコーティングし、溶媒を蒸発させて乾燥カソードコーティングを基材上に残す。アノード及びカソードは、間に挟まれたセパレータと共にらせん状に巻き付けられ、電池ケーシング内に挿入され得、次いで電解質が添加される。
（もっと読む）

【課題】高圧を要することなく、Ｂｉ欠陥を抑制でき、数十μｍ程度と比較的厚くかつ緻密な構造を得ることが可能な、Ｂｉ系ペロブスカイト型酸化物を主成分する酸化物体を提供する。
【解決手段】酸化物体１３は、基材１１上に形成され、ＡサイトがＢｉを主成分とするＢｉ系ペロブスカイト型酸化物を主成分とするものであり、下地１２との界面及びその近傍にアンカーリング層が形成されている。酸化物体１３は、エアロゾル化されたセラミックス原料粉を基材１１上に衝突させて、原料粉の破砕物を基材１１上に堆積させる堆積工程を有する製造方法により製造されたものである。 （もっと読む）