【課題】非晶質基材上に結晶性で配向性の良いＬａＮｉＯ_３、Ｌａ_２ＮｉＯ_４、ＳｒＲｕＯ_３などの導電性酸化物層を設けた基体を得ることを目的とする。
【解決手段】非晶質基材上にＬａ−Ｎｉ−Ｏ系材料の第１層を第一の温度で製膜した後、Ｌａ−Ｎｉ−Ｏ系材料の第１層の上に前記Ｌａ−Ｎｉ−Ｏ系材料の第２層を前記第一の温度より高い第二の温度条件で製膜し、Ｌａ−Ｎｉ−Ｏ系材料の第２層がＬａ−Ｎｉ−Ｏ系材料の第１層より結晶配向性が高いことを特徴とする非晶質基材上に結晶質Ｌａ−Ｎｉ−Ｏ系材料層を形成する方法。Ｌａ−Ｎｉ−Ｏ系材料の上にＳｒＲｕＯ_３などの導電性酸化物層を設けることができる。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタのスイッチング特性に優れており、特に保護膜形成後も良好な特性を安定して得ることが可能な薄膜トランジスタ半導体層用酸化物を提供する。
【解決手段】本発明に係る薄膜トランジスタの半導体層用酸化物は、薄膜トランジスタの半導体層に用いられる酸化物であって、前記酸化物は、Ｚｎ、ＳｎおよびＳｉを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】 フィルム、またはＲがＺｒとＨｆから選択されたＲ−Ｇｅ−Ｔｉ−Ｏを備えた誘電材料とその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、ＲがＺｒとＨｆから選択される、Ｒ−Ｇｅ−Ｔｉ−Ｏのフィルムを備えた誘電材料に関し、また、その製造方法に関連する。誘電材料は、公式Ｒ_x−Ｇｅ_y−Ｔｉ_z−Ｏ_wを有することが好ましく、ここで、．０５≧ｘ≦１、．０５≦ｙ≦１、０．１≧ｚ≦１、１≧ｗ≦２、ｘ＋ｙ＋ｚ≡１であり、さらに好ましくは、０．１５≧ｘ≦０．７、．０５≧ｙ≦０．３、０．２５≧ｚ≦０．７、１．９５≧ｗ≦２．０５であり、ｘ＋ｙ＋ｚ≡１である。本発明は、ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ（ＤＲＡＭ）装置のコンデンサを備えたシリコンチップ集積回路装置での使用に特に有用である。 （もっと読む）

【課題】高い圧電性能と良好な表面モフォロジを有する圧電体膜とその製造方法、圧電素子および液体吐出装置を提供する。
【解決手段】下記式（Ｐ）で表されるペロブスカイト型酸化物からなり、０．０９０≦ｂ≦０．２５を満たし、Ｂサイト中のＮｂ比率が、０．１３≦ａ×（１−ｂ）を満たすことを特徴とする圧電体膜とその製造方法である。また、この圧電体膜を用いた圧電素子および液体吐出装置である。
Ｐｂ_１＋δ（Ｚｒ_ｘＴｉ_ｙ）_１−ａ（Ｍｇ_ｂＮｂ_１−ｂ）_ａＯ_ｚ ・・・（Ｐ）
（なお、δ＝０、ｚ＝３が望ましいが、ペロブスカイト構造をとり得る範囲内で変更可能である。また、Ｐｂに変えてペロブスカイト構造をとり得る範囲の量で他のＡサイト元素に置換することも可能である。） （もっと読む）

【課題】気密性の高い酸素分離膜を備える酸素分離膜エレメント及びその製造方法を提供する。
【解決手段】
本発明によって提供される酸素分離膜エレメントの製造方法は、一般式：Ｌｎ_１−ｘＡｅ_ｘＣｏ_１−ｙＭ_ｙＯ_３で示されるペロブスカイト型酸化物を含む多孔質支持体用原料粉末であって、平均粒径１０μｍ以上の原料粉末を所定形状の成形体に成形する工程と、該成形体の表面部の少なくとも一部に、一般式：Ｌｎ_１−ｘＡｅ_ｘＣｏ_１−ｙＭ_ｙＯ_３で示されるペロブスカイト型酸化物から実質的に構成される酸素分離膜を形成するための前駆体を付与する工程と、成形体及び前駆体を１１５０℃〜１２５０℃の温度域にて２４時間以上同時焼成することにより、多孔質支持体と該多孔質支持体の表面部に設けられた酸素分離膜とを同時に形成する工程と、を包含する。 （もっと読む）

【課題】熱安定性が高く、柔軟性に優れた結晶成長用ナノシートつき粘土膜基板を提供する。
【解決手段】粘土膜基材上に積層した層状化合物から剥離されたナノシート層からなる、６００℃までの耐熱性、難燃性、柔軟性を有する結晶成長用ナノシートつき粘土膜基板であって、上記粘土膜基材が、粘土のみを含む、あるいは粘土及び添加物を含み、粘土が、水分散性あるいは有機溶剤分散性であり、添加物が、ポリアクリル酸ナトリウム、エポキシ樹脂、ポリイミド、又はポリアミドであり、上記ナノシート層が、層状化合物から剥離されたものであり、ナノシートが、粘土膜基材上に塗布法により積層された構造を有する、結晶成長用ナノシートつき粘土膜基板。
【効果】上記結晶成長用ナノシートつき粘土膜基板は、電子デバイス、発光デバイスなどとして有用である。 （もっと読む）

【課題】圧電体薄膜を短時間で微細加工することができるとともに、選択的に加工を停止させることができる圧電体薄膜ウェハの製造方法、圧電体薄膜素子、及び圧電体薄膜デバイスを提供する。
【解決手段】基板２上に圧電体薄膜４を備えた圧電体薄膜ウェハ１は、Ａｒを含むガスを用いてイオンエッチングを行う第１の加工工程と、反応性ガスとＡｒとを混合した混合エッチングガスを用いて反応性イオンエッチングを行う第２の加工工程とにより製造される。圧電体薄膜４だけを短時間でエッチングすることが可能である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、酸化物超電導層の下地として、拡散防止層を厚く成膜することなく元素拡散を効果的に抑制することができる技術の提供を目的とする。また、本発明は、拡散防止層を厚く成膜することなく元素拡散を効果的に抑制することができるため、基材表面の平坦性を損なうことなく、拡散防止機能を備えるバッファー層を形成することができる技術の提供を目的とする。
【解決手段】本発明の酸化物超電導導体用基材Ａは、クロムを含む金属基材２０と、前記クロムを含む金属基材２０内表面側に形成された厚さ５〜１０００ｎｍの酸化クロム層２５と、イオンビームアシスト成膜法により成膜された中間層２３とをこの順に備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】大容量を有し、かつ、高温保存時の劣化を抑制し、かつ、充電時の熱安定性を確保する安全性の高い正極活物質を提供する。
【解決手段】組成式Ｌｉ_ｘＮｉ_ａＭｎ_ｂＣｏ_ｃＭ^１_ｄＭ^２_ｅＯ_２（ただし、Ｍ^１は、Ａｌ、Ｔｉ及びＭｇからなる群から選択される少なくとも一種類以上の元素であり、Ｍ^２は、Ｍｏ、Ｗ及びＮｂからなる群から選択される少なくとも一種類以上の元素であり、０．２≦ｘ≦１．２、０．６≦ａ≦０．８、０．０５≦ｂ≦０．３、０．０５≦ｃ≦０．３、０．０２≦ｄ≦０．０４、０．０２≦ｅ≦０．０６、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＝１．０である。）で表される正極活物質を用いる。 （もっと読む）

【課題】凹凸形状部位にもリーク電流が小さく高誘電率のジルコニア系膜を確実に成膜することができる成膜方法および成膜装置を提供すること。
【解決手段】真空保持可能な処理容器内に被処理体を挿入し、処理容器内を真空に保持した状態とし、処理容器内にジルコニウム原料と酸化剤とをこの順に供給して被処理体上にＺｒＯ膜を形成する第１工程と、前記処理容器内にジルコニウム原料とシリコン原料と酸化剤とをこの順で供給して被処理体上にＳｉがドープされたＺｒＯ膜を形成する第２工程とを、それぞれの回数を調整して実施することにより、膜中のＳｉ濃度を制御しつつ所定膜厚のジルコニア系膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、容量および出力特性において、より優れた非水電解質二次電池を与える正極活物質に有用なリチウム複合金属酸化物を提供することにある。
【解決手段】リチウム二次電池用正極活物質の原料である遷移金属複合水酸化物であって、該遷移金属複合水酸化物がＬｉ以外のアルカリ金属とＳＯ_４とを少なくとも含有し、前記ＳＯ_４の含有量（モル）に対する前記アルカリ金属の含有量（モル）のモル比が、０．０５以上２未満である遷移金属複合水酸化物。
本発明によれば、従来のリチウム二次電池に比し、容量および出力特性において、より優れた非水電解質二次電池を与えることができ、特に、高い容量および高い電流レートにおける高出力を要求される用途、すなわち自動車用や電動工具等のパワーツール用の非水電解質二次電池に極めて有用となる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、粒子径の小さい有機−無機ハイブリッド粒子が得られるとともに、粒子径や無機層の膜厚を均一に制御することが可能な有機−無機ハイブリッド粒子の製造方法、及び、無機中空粒子の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】ハロゲンが表面に導入された樹脂粒子を作製する工程１、アミノ基を有するモノマーを用いてリビング重合を行うことで、前記ハロゲンが表面に導入された樹脂粒子の粒子表面にアミノ基を含有するシェルポリマー層を形成する工程２、及び、前記アミノ基を含有するシェルポリマー層中に無機物を析出させる工程３を有する有機−無機ハイブリッド粒子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 容量、耐久性、及びレート特性が従来よりも向上した、リチウム二次電池を提供する。
【解決手段】 一般式：Ｌｉ_ｐ（Ｎｉ_ｘ，Ｍｎ_ｙ）Ｏ_２（０．９≦ｐ≦１．３，０．4＜ｘ≦０．９，０．１＜ｙ≦０．６，ｘ＋ｙ＝１）で表され、層状岩塩構造を有する、リチウム二次電池の正極活物質用の板状粒子あるいは膜であって、（００３）面が、板面と交差するように配向している。 （もっと読む）

【課題】
レジストとして使用される有機組成物に変わる良好なパターニングの結果をもたらす組成物を提供すること。
【解決手段】
安定化させた前駆体溶液が放射状無機コーティング材を形成するべく使用され得る。該前駆体溶液は、一般的に金属亜酸化物陽イオン、過酸化物系リガンド、および多原子陰イオンを含む。この前駆体溶液の高レベルの安定性を得るために前駆体溶液の設計をし得る。得られるコーティング材は、紫外線、Ｘ線放射線又は電子ビーム放射線のような選択された放射線によるパターニング用に設計され得る。この放射状パターン形成されたコーティング材が材料特性に関して高いコントラストを有し得ることによって、潜像の現像にきわめて低いライン幅粗さを有するラインおよびきわめて小さなピッチを有する隣接構造体をうまく形成し得る。 （もっと読む）

【課題】電気二重層法を用いてチャンネルに高濃度の電荷注入を行うことで抵抗を変化させる電界効果トランジスタと、該電界効果トランジスタをスイッチング素子として利用したメモリ素子を提供する。
【解決手段】ペロブスカイト構造を有し且つ化学式がＡ_1-xＢ_xＮｉＯ₃（但し、Ａは希土類元素から選択された１種類の元素であり、ＢとしてＡ以外の少なくとも１種類の希土類元素であって、ｘは０≦ｘ≦１を満たす実数である）で表される複合酸化物からなる単結晶膜をチャンネル層に用いる。 （もっと読む）

【課題】無配向基板上の（００１）配向Ｄｉｏｎ−Ｊａｃｏｂｓｏｎペロブスカイト型酸化物薄膜及びその上部に（００１）配向し高特性が期待できる種々のペロブスカイト型酸化物薄膜を形成する製造方法及びそれによって得られるペロブスカイト型（００１）配向多層膜を提供する。
【解決手段】無配向基板上に形成された特定の組成式Ａで表されるＤｉｏｎ−Ｊａｃｏｂｓｏｎペロブスカイト型金属酸化物を形成することができる有機金属塩あるいはアルコキシド塩からなる薄膜又は非晶質薄膜を基板上に形成し、室温から６００℃の温度に保持し、基板上の薄膜に紫外レーザ等の紫外光を照射しつつ結晶化を行うことによって、基板上に（００１）方向に配向することを特徴とする配向Ｄｉｏｎ−Ｊａｃｏｂｓｏｎペロブスカイト型酸化物薄膜を形成することを含む方法。 （もっと読む）

【課題】ストロンチウム−ルテニウム酸化物系導電性膜を形成することができ、長期安定性およびプロセス性に優れる導電性膜形成用組成物を提供すること。
【解決手段】上記導電性膜形成用組成物は、ストロンチウムのカルボン酸塩とルテニウムのカルボン酸塩と溶媒とを含有する組成物であって、前記溶媒がケトンおよびカルボン酸よりなる群から選択される少なくとも１種を含有することを特徴とする。上記導電性膜形成用組成物は、前記溶媒がカルボン酸を含有するものであることが好ましい。 （もっと読む）

【解決課題】 モット絶縁体またはモット半導体に対する光照射による金属相転移過程において見いだされた多重キャリア励起を応用した高効率の太陽電池を提供する。
【解決手段】 絶縁体もしくは半導体を含む第一固体材料層３と該第一固体材料層３とは異なる型の絶縁体もしくは半導体を含む第二固体材料層５とのｐ−ｎ接合構造において、少なくとも一方の層の固体材料にモット絶縁体またはモット半導体を用いた太陽電池１。 （もっと読む）

【課題】光電変換層と透明導電膜間、透明導電膜と導電性反射膜間の接触抵抗を低下させ、発電の際の太陽電池における直列抵抗を低下させることにより、太陽電池の変換効率を向上させ得る太陽電池用の複合膜の形成方法及び複合膜並びに透明導電膜形成用組成物を提供する。
【解決手段】導電性酸化物微粒子はＩｎとＳｎ又はＺｎを構成元素とするＳｎ又はＺｎドープの酸化インジウムであるか、ＺｎとＩｎ、Ｓｎ、Ａｌ、Ｇａ又はＧｅを構成元素とするＩｎ、Ｓｎ、Ａｌ、Ｇａ又はＧｅドープの酸化亜鉛であるか、或いはＳｎとＩｎ、Ｇａ、Ａｌ又はＳｂを構成元素とするＩｎ、Ｇａ、Ａｌ又はＳｂドープの酸化スズであり、導電性酸化物微粒子は構成元素と異なる種類の添加元素を更に含み、添加元素の含有割合は導電性酸化物微粒子中の構成元素及び添加元素の合計１００モル％に対し、０．０１〜２０モル％であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】工程が煩雑でなく、基板の表裏で金属酸化物膜の材質や膜厚が異なる場合でも、適切なパターンを形成できる金属酸化物膜パターンの製造方法を提供すること。
【解決手段】基板の片面に、金属錯体Ａを含む膜αを形成する第１の膜形成工程と、反対側の面に、金属錯体Ｂを含む膜βを形成する第２の膜形成工程と、前記膜αを、波長領域λ₁を含む光を用い露光する第１の露光工程と、前記膜βを、波長領域λ₂の光を用い露光する第２の露光工程と、前記膜αを現像する第１の現像工程と、前記膜βを現像する第２の現像工程と、前記金属錯体Ａ及び前記金属錯体Ｂを、それぞれ、金属酸化物に転化する転化工程と、を備え、前記金属錯体Ｂは、前記波長領域λ₂の光を照射したとき、前記金属錯体Ａに前記波長領域λ₂の光を照射した場合よりも、前記現像液に対する溶解性が大きく変化することを特徴とする金属酸化物膜パターンの製造方法。 （もっと読む）