【課題】電気化学特性に優れた複合膜構造体及び燃料電池、並びにそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】水素透過性金属膜１と固体電解質膜２とからなる複合膜構造体であって、固体電解質膜２は、水素透過性金属膜１の熱酸化処理した表面上に塗布法により形成されたものであり、２価のアルカリ土類金属をＡサイトに配し、４価のセリウム及び４価のジルコニウムのうち少なくとも一方をＢサイトに配するペロブスカイト型酸化物を基本構造とし且つ４価のＢサイト元素の一部を３価の希土類元素で置換した結晶構造を有する化合物からなり、固体電解質膜２は、アルカリ土類金属と、セリウム及びジルコニウムのうち少なくとも一方と、希土類元素と、を含む有機金属酸塩溶液を塗布して第１固体電解質前駆体膜を形成し、前記第１固体電解質前駆体膜を急速昇温熱処理により結晶化させることにより形成した第１固体電解質膜２１を備える。 （もっと読む）

【課題】強誘電体等からなる金属酸化物膜を所望の位置に低温で低コストで形成する。
【解決手段】金属酸化物膜を形成するための前駆体溶液に、金属酸化物膜が成膜される基板を浸す工程と、前記基板と前記前駆体溶液との界面に光を集光した状態で、前記光を走査しながら照射する工程と、を有し、前記前駆体溶液は前記光を透過するものであって、前記基板上に前記金属酸化物膜を形成することを特徴とする金属酸化物膜の製造方法を提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】 透明性、導電性および塗膜の密着強度に優れた透明導電膜を形成可能な透明導電膜形成用分散液、およびこの透明導電膜形成用分散液により形成される透明導電膜、ならびに透明導電膜の製造方法を提供する。
【解決手段】 −（Ｃ＝Ｏ）−ＣＨ_２−（Ｃ＝Ｏ）−基を含む、酸化インジウム、酸化錫および酸化亜鉛からなる群より選ばれる少なくとも１種の金属酸化物の前駆体と、Ｓｎドープ酸化インジウム、Ｓｂドープ酸化錫、Ｚｎドープ酸化インジウム、Ｇａドープ酸化亜鉛およびＡｌドープ酸化亜鉛から選ばれる少なくとも１種の金属酸化物微粒子と、
溶媒と、を含むことを特徴とする、透明導電膜形成用分散液である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、結晶配向性に優れたペロブスカイト構造の中間薄膜を備えた酸化物超電導導体の提供を目的とする。
【解決手段】本発明は、基材と、該基材上に直接あるいは下地層を介し積層された中間薄膜と酸化物超電導層とを具備する酸化物超電導導体であって、前記中間薄膜が、粒子堆積により基材上にあるいは基材上に下地層を介し中間薄膜を形成する際、基材上方の成膜面に対し斜め方向からアシストイオンビームを照射しつつ成膜するイオンビームアシスト成膜法により形成されたペロブスカイト型酸化物の中間薄膜であって、該中間薄膜を構成する複数の結晶の結晶軸のうち２軸が配向され、これら結晶の配向度を示す正極点図において４回対称性を示す中間薄膜であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】優れたサーモクロミック性を有する合わせガラス用中間膜及び合わせガラスを提供する。
【解決手段】熱可塑性樹脂、可塑剤、及び、二酸化バナジウム粒子又は二酸化バナジウムのバナジウム原子の一部をタングステン、モリブデン、ニオブ、タンタルからなる群から選択される少なくとも１種の原子で置換した置換二酸化バナジウム粒子を含有する合わせガラス用中間膜であって、下記式（１）を満たす合わせガラス用中間膜。
［数１］
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【課題】溶融炉からの供給量を自動調整できるフレーク製造機を提供する。
【解決手段】上面が半径方向に傾斜したターンテーブル２と、ターンテーブル２に原料を供給する原料供給源１と、原料供給源１の供給量を制御する供給量制御装置Ｃとを備え、供給量制御装置Ｃは、原料供給源の供給量を調整する供給量調整機６と、ターンテーブルを撮影するカメラ４と、カメラ４の撮影画像における原料部分の面積から原料供給源の供給量を演算し、演算結果を基に供給量調整機に調整指示を与える演算機５とからなる。ターンテーブル２の上面に均一な厚さの原料凝固体を得ることができ、原料凝固体の面積を演算することで原料供給源の供給量を求めることができ、供給量制御装置Ｃを簡易なものにできる。 （もっと読む）

【課題】 粒子の形状・構造や配向性をよりいっそう良好に制御することができる、リチウム二次電池の正極活物質板状粒子の製造方法を提供すること。
【解決手段】 本発明の、リチウム二次電池の正極活物質用の板状粒子の製造方法は、以下の工程を含む。（１）スリットダイコーターを用いて、原料粒子を含むスラリーを所定の基体上にシート状に成膜する。（２）成膜工程によって基体上に形成されたシート状のスラリー膜を乾燥する。（３）乾燥工程を経て得られたシート状のスラリー乾燥膜を基体上から剥離する。 （もっと読む）

【課題】単一配向の結晶配向性が高いセラミックス薄膜を得ることができるセラミックス前駆体薄膜の製造方法および前駆体溶液を提供する。
【解決手段】本発明に係るセラミックス前駆体薄膜の製造方法は、金属アルコキシド溶液を希釈した希釈溶液に、アモルファス粉末を混合し、金属アルコキシド系化合物を含む前駆体溶液を作製する前駆体溶液作製工程と、前記前駆体溶液を用いてゲル膜を成膜するゲル膜成膜工程と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 金属酸化物からなる板状単結晶体、それを用いた金属酸化物薄膜、それらの製造方法、および、それらを用いた抵抗変化型素子を提供すること。
【解決手段】 本発明による板状単結晶体は、ＭＯまたはＭ_３Ｏ_４（ここで、Ｍは、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｎｉ、ＺｎおよびＣｕからなる群から少なくとも１つ選択される金属元素である）で表される金属酸化物からなり、その形状は、六角形状であり、そのアスペクト比は、１０〜５００であり、平面方向の面は、（１１１）結晶面である。 （もっと読む）

【課題】簡便な方法により製造することができ、かつ高い比表面積を有する水酸化ニッケルナノシートおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】比表面積が１５０ｍ^２／ｇ以上である、水酸化ニッケルナノシートおよびその製造方法である。 （もっと読む）

【課題】優れたイオン伝導性を有する複酸化物積層体、当該複酸化物積層体を備える固体電解質膜・電極接合体及びリチウム二次電池、並びに複酸化物積層体の製造方法を提供する。
【解決手段】下記一般式（１）で表される組成を有する第１の複酸化物層と、当該層の少なくとも一方の面に積層した、下記一般式（２）で表される組成を有する第２の複酸化物層を備えることを特徴とする、複酸化物積層体。
Ｃａ_ｘＮｂ_ｙＯ_ｚ 一般式（１）
（上記一般式（１）中、１≦ｘ≦３、２≦ｙ≦４、８≦ｚ≦１２である。）
Ｌｉ_ｐＬａ_ｑＴｉ_ｒＯ_ｓ 一般式（２）
（上記一般式（２）中、０＜ｐ≦１、０＜ｑ≦１、０＜ｒ≦２、１≦ｓ≦５である。） （もっと読む）

【課題】歪量が大きく且つ結晶粒径が均一な圧電体層を有する圧電素子を具備する液体噴射ヘッド及び液体噴射装置並びに圧電素子を提供する。
【解決手段】ノズル開口に連通する圧力発生室と、圧電体層と該圧電体層に設けられた電極とを備えた圧電素子と、を具備し、前記圧電体層は、鉄酸マンガン酸ビスマスとチタン酸ニオブ酸バリウムの混晶として表される複合酸化物であって、Ｎｂと、Ｎｂ及びＴｉの総量とのモル比であるＮｂ／（Ｎｂ＋Ｔｉ）が、０．０７２５以上０．１２５以下である液体噴射ヘッドとする。 （もっと読む）

【課題】アンモニアを燃料とした燃料電池において、高い起電力を得ることができる固体電解質を提供すること。
【解決手段】下記一般式（１）で表される層状金属酸化物を含む固体電解質。
（Ｌａ_１−ｘＡ_ｘ）（Ｓｒ_１−ｙＢ_ｙ）_３（Ｃｏ_１−ｚＣ_ｚ）_３Ｏ_１０−δ （１）
［式中、ＡはＬａ以外の希土類元素であり、ＢはＭｇ、Ｃａ又はＢａであり、ＣはＴｉ、Ｖ、Ｃｒ又はＭｎであり、０≦ｘ＜１、０≦ｙ＜１、０≦ｚ＜１、δは酸素欠損量である。］ （もっと読む）

【課題】全固体電池等の薄膜電池で使用する薄膜正極を形成するリチウム含有遷移金属酸化物ターゲット及びその製造方法並びにリチウムイオン薄膜二次電池を提供する。
【解決手段】結晶系が六方晶系を示すリチウム含有遷移金属酸化物の焼結体よりなるターゲットであって、相対密度が90％以上、平均結晶粒径が1μm以上50μm以下の焼結体よりなるリチウム含有遷移金属酸化物ターゲット及び結晶系が六方晶系を示すリチウム含有遷移金属酸化物の焼結体よりなるターゲットであって、CuKα線を使用したＸ線回折による(003)面、(101)面、(104)面の強度比が次の(1)及び（2）の条件を満たすリチウム含有遷移金属酸化物ターゲット。(1)(003)面に対する(101)面のピーク比が0．4以上1．1以下、(2)(104)面に対する(101)面のピーク比が1．0以上。 （もっと読む）

【課題】種々の金属イオンについて室温で高いイオン伝導性を示し、安価かつ簡便に製造可能な無機固体イオン伝導体とその製造方法およびそれを用いた電気化学デバイスを提供する。
【解決手段】無機固体イオン伝導体は、酸化ケイ素、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化アルミニウム、酸化セリウム、酸化ニオブ、酸化スズ、および酸化インジウムからなる群より選択される１または複数からなる非晶質の金属酸化物と、前記金属酸化物中に含有された１価、２価、または３価の金属イオンとを含み、２５℃（室温）において１×１０^−７Ｓ・ｃｍ^−１以上のイオン伝導度を有する。 （もっと読む）

【課題】Ｇａを含まないＩｎ−Ｚｎ−Ｏの酸化物半導体を備えた薄膜トランジスタのスイッチング特性およびストレス耐性が良好であり、特に正バイアスストレス印加前後のしきい値電圧変化量が小さく安定性に優れた薄膜トランジスタ半導体層用酸化物を提供する。
【解決手段】Ｉｎと；Ｚｎと；Ａｌ、Ｓｉ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｌａ、Ｍｇ、およびＮｂよりなる群から選択される少なくとも一種の元素（Ｘ群元素）と、を含む薄膜トランジスタの半導体層用酸化物である。 （もっと読む）

【課題】低原子価酸化ニオブの中でも、特にドーパントして好適な３価の微粒子酸化ニオブ（ＩＩＩ）を提供すること。
【解決手段】Ｘ線回折プロファイルにおいて、酸化ニオブ（ＩＩＩ）のピークを有し、１次粒子径が１００ｎｍ〜１μｍであることを特徴とする微粒子酸化ニオブ（ＩＩＩ）。 （もっと読む）

【課題】ポリマーが熱により変質することを抑制してポリマーの表面に好適に成膜できる成膜方法及び成膜装置を提供する。
【解決手段】超臨界流体に酸化剤のオゾンガスと酸化物用原料のＴＥＯＳとを供給し、構造体１及びその周囲を２００℃の温度で加熱することによって、酸化物であるＳｉＯ₂を生成させ、このＳｉＯ₂によって構造体１のマイクロ流路３の内壁全面（従ってポリマーであるＰＤＭＳ膜９の表面）に酸化物層５であるＳｉＯ₂層を形成する。これにより、従来に比べて低い温度で酸化物層５を形成できるので、ポリマーが変質する等の問題が生じないという顕著な効果を奏する。また、ポリマー表面を隙間無く覆う様に酸化物層５を形成できるので、親水性やガス透過防止性を高めることができるという利点もある。 （もっと読む）

【課題】拡散ブロッキング構造、透明導電構造及びその製造方法を提供する。
【解決手段】透明導電構造は、基板ユニット、第１のコーティングユニット、拡散ブロッキング構造、第２のコーティングユニット、第３のコーティングユニット及び導電ユニットを備える。基板ユニットは、プラスチック基板を有する。第１のコーティングユニットは、プラスチック基板上に形成された第１のコーティングを有する。拡散ブロッキング構造は、第１のコーティングに形成され、複数の第１の酸化層を有する第１の酸化ユニットと、複数の第２の酸化層を有する第２の酸化ユニットを備え、前記複数の第２の酸化層と前記複数の第１の酸化層とは交互に積層されている。第２のコーティングユニットは、拡散ブロッキング構造に形成された第２のコーティングを有する。第３のコーティングは、第２のコーティングに形成された第３のコーティングを有する。導電ユニットは、第３のコーティング上に形成された透明導電構造を有する。 （もっと読む）

【課題】バックゲート電極、しきい値電圧を制御するための回路、および不純物添加法を用いずにしきい値電圧が制御されたトランジスタを作製する。該トランジスタを用いて、電気特性が良好で、信頼性が高く、消費電力の小さい半導体装置を作製する。
【解決手段】組成の制御された酸化タングステン膜を有するゲート電極を用いる。酸化タングステン膜の成膜方法によって組成などを調整され、仕事関数を制御することができる。仕事関数の制御された酸化タングステン膜をゲート電極の一部に用いることでトランジスタのしきい値を制御できる。しきい値電圧が制御されたトランジスタを用いることで、電気特性が良好で、信頼性が高く、消費電力の小さい半導体装置を作製することができる。 （もっと読む）