本発明は、少なくとも一つの薄い誘電体層がコートされた基板（１）、例えばガラス基板、に関する。本発明によれば、誘電体層はカソード・スパッタリングによって、例えば、磁界によってたすけられる、好ましくは酸素および／または窒素の存在下で反応性であるカソード・スパッタリングによって、イオン源（４）からの少なくとも一つのイオンビーム（３）への曝露と、堆積される。本発明は、イオンビームに曝露された誘電体層が結晶化することを特徴とする。
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本発明は、少なくとも一つの薄い誘電体層がコートされた基板（１）、例えばガラス基板に関する。本発明によれば、誘電体層はカソード・スパッタリングによって、例えば、磁界によってたすけられる、好ましくは酸素および／または窒素の存在下で反応性であるカソード・スパッタリングによって、イオン源（４）からの少なくとも一つのイオンビーム（３）への曝露と、堆積される。本発明は、イオンビームに曝露された誘電体層がイオン源のパラメータに基づいて調整できる屈折率を有し、前記イオン源が線状源であることを特徴とする。 （もっと読む）

本発明は直接的な点取付け型積層システムであって、（１）熱可塑性中間層、（２）剛構造荷重担持層（構造層）の少なくとも１枚のシート、（３）少なくとも１つのレセプター手段、および（４）少なくとも１つの取付け手段、を含み、前記熱可塑性中間層が、少なくとも１つの表面においてその構造層の少なくとも１枚のシートに結合されており、そして、少なくとも１つのレセプター手段がさらに、熱可塑性中間層に接着的に結合され、それによって構造層に接着的に結合されており、
取付け手段および／またはレセプター手段が、構造層の膨張係数の約９０％〜約１１０％の膨張係数を有する材料から作られているという更なる条件で、レセプター手段が機械的に前記取付け手段を受け入れるような位置にある。

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【課題】 本発明は、陽極接合装置に関し、安定した接合を提供し、且つ量産化時の接合プロセス時間を短縮することが可能な陽極接合装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 絶縁性断熱材９上にヒーター４を内蔵したステージ１〜３を設け、ステージ１〜３上に半導体シリコン基板５、パイレックスガラス基板６を載置し、さらにその上に金属押さえ電極７を置き、ステージ間に熱反射板８を設け、高電圧切替器１２により高電圧を印加する金属押さえ電極７を切り替えて、基板の昇温、高電圧の印加、接合、基板の冷却の接合プロセスを並行して進めるようにする。 （もっと読む）