【課題】廉価にゲッタリング効果を得つつ高品質化を図る。
【解決手段】溶融シリコンを坩堝内の下方から上方に向けて一方向に凝固させることにより生成させた多結晶シリコンインゴットであって、上端部および下端部における酸素濃度が、この上端部とこの下端部との間の中央部における酸素濃度より高い。また、上端部における酸素濃度が下端部における酸素濃度より高い。 （もっと読む）

【課題】リチウムイオン二次電池用正極材料として有用であり、新規なリチウムシリケート系材料を提供する。
【解決手段】Li_1.5FeSiO_4.25で表されるリチウムシリケート系化合物。リチウム（Li）と、鉄（Fe）と、シリコン（Si）と、酸素（O）とからなるリチウムシリケート系化合物であり、組成式：Li_1+2δFeSiO_4+δ-C(-0.25≦δ≦0.25、0≦C≦0.5)で表されることを特徴とするリチウムシリケート系化合物。鉄(Fe)が三価に存在できるので、Li₂FeSiO₄に比べて化学的安定性に優れている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、珪藻土粒子の微小形態と多孔構造を利用し、高機能材料となる金属シリコンの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の金属シリコンの製造方法は、珪藻土の細孔内部に、炭素物質、難分解性有機塩素化合物又は有機物を混合又は吸収させ、不活性ガス、水素ガス、窒素ガス、空気又は真空雰囲気下で加熱することにより、炭素源と二酸化珪素の接触面積を増大させ、効率よく金属シリコンを製造することができる。また、前記有機物が、使用済珪藻土濾過助剤に充填された有機物である。 （もっと読む）

【課題】金属級シリコン材料からボロンおよびその他の不純物を効率的に除去でき、且つ連続的な処理が可能で、且つコンパクトな装置構成で、高純度シリコンの量産が可能なシリコンの精製方法を提供する。
【解決手段】金属級シリコンまたはシリカ粉末１を、２４００℃程度のオゾン含有酸素ガス雰囲気のプラズマ領域８に投入し、前記粉末に含まれるボロンを酸化して気化物として除去し、粉末１ａとして回収し、ボロン除去後の粉末１ａを、還元性雰囲気のプラズマ領域２８に投入し、還元処理により酸素を除去して、シリコン粉末１ｂとして回収し、前記シリコン粉末を加熱して溶湯１ｃとなし、電磁石３５の磁場中に前記溶湯を流すことで、金属不純物元素をトラップして除去する。さらに、金属不純物元素を除去したシリコンの溶湯１ｃを、遠心噴霧によりシリコンの粉末１ｄとなして回収する。 （もっと読む）

【課題】シリコン溶湯の表面に噴射ガスを噴射してＳｉＯｘナノ粉末を大量に生産できる揮発性に優れた高純度ＳｉＯｘナノ粉末の製造方法及びその製造装置について開示する。
【解決手段】本発明にかかるＳｉＯｘナノ粉末の製造装置は、真空チャンバ；前記真空チャンバの内部に装着され、シリコンが装入される黒鉛るつぼ；前記黒鉛るつぼに装入されたシリコンを誘導加熱してシリコン溶湯を形成させる誘導溶融部；前記黒鉛るつぼの内部で前記シリコン溶湯の表面と直接接触するように噴射ガスを噴射するガス噴射部；及び前記黒鉛るつぼと離隔された上部に配置され、前記シリコン溶湯と前記噴射ガスとの反応によって揮発するＳｉＯｘ蒸気を捕集する捕集部；を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明では、被表面処理部材の材質および形状を問わず、所望の位置に微細構造体を形成することができる、被表面処理部材の表面処理方法を提供することを目的とする。
【解決手段】被表面処理部材に対する表面処理方法であって、（ａ）被表面処理部材を準備するステップと、（ｂ）シリコン系高分子を含む表面処理剤を調製するステップと、（ｃ）前記被表面処理部材の少なくとも一部に、前記表面処理剤を設置するステップと、（ｄ）触媒を含み、ガス流が存在する環境下において、前記表面処理剤が設置された被表面処理部材を８００℃以上の温度で焼成することにより、ケイ化物の繊維状構造体を形成するステップであって、前記ガス流は、前記被表面処理部材の表面積５０ｍ^２あたり０．０１Ｌ／ｍｉｎ以上の流量で供給されるステップと、を有する表面処理方法。 （もっと読む）

【課題】比較的低純度のシリコン原料からボロンおよびその他の不純物を効率的に除去でき、且つ連続的な処理が可能で、且つコンパクトな装置構成で量産が可能なシリコン原料の精製方法を提供する。
【解決手段】原料となるシリコンまたはシリカの粉末１を落下させ、その粉末をオゾンを含む高温領域８を通過させる。高温領域中のオゾンにより粉末に含まれるボロンが酸化され、酸化物として気化して除去される。高温領域８を通過した粉末が冷却され、ボロンを除去した粉末として回収する。高温領域８を高周波誘導熱プラズマまたはレーザビーム照射にて形成する。また、ボロンを除去した粉末を水素を含む高温領域２８を通過させ、高温領域中の水素により粉末に含まれる二酸化硅素成分を還元してシリコンとなす。 （もっと読む）

【課題】低温で且つ迅速にＳｉＯ_２系セラミックス膜を形成する方法により、効率良くガスバリアフィルムを得て、最終的に得られるセラミックス膜のガスバリア性、耐傷性等の膜特性を向上したガスバリアフィルム及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ポリ珪素化合物を含有する塗工液をプラスチックフィルム支持体に塗布した後、該塗布されたポリ珪素化合物をＶＵＶ光によりセラミックに転化させたガスバリアフィルムであって、該ポリ珪素化合物の下記数式で定義する分散度が、３．００以上２０．００以下であることを特徴とするガスバリアフィルム及びその製造方法。 （もっと読む）

【解決手段】不純物を含む珪素を減圧雰囲気下でプラズマ炎により溶融した後、この溶融珪素に酸化性ガスを吹き付けることで上記不純物を除去することを特徴とする珪素の精製方法。
【効果】本発明によれば、従来の珪素の精製方法に比べ、珪素中の不純物、特に硼素とリンを安価に効率良く除去することができる。 （もっと読む）

【課題】 シリコン融液及び多結晶シリコンインゴットへの不純物汚染を十分に防止することができる能力を有し、かつ、離型性に優れた、低コストの多結晶シリコンインゴット製造用角形シリカ容器、及びそのような角形シリカ容器を製造する方法を提供する。
【解決手段】 シリコン融液を収容した後凝固して多結晶シリコンインゴットを製造するための角形シリカ容器であって、該角形シリカ容器は、少なくとも多孔質シリカ基体からなるものであり、前記多孔質シリカ基体は、かさ密度が１．８０〜２．１０ｇ／ｃｍ^３であり、Ａｌ濃度が５〜５００ｗｔ．ｐｐｍであり、ＯＨ基濃度が５〜５００ｗｔ．ｐｐｍであり、前記多孔質シリカ基体の内表面部分の少なくとも一部に、前記多結晶シリコンインゴットの離型を促進する離型促進剤が含有されているものである多結晶シリコンインゴット製造用角形シリカ容器、及びこのような角形シリカ容器を製造する方法。 （もっと読む）

【課題】溶融析出法による多結晶シリコンの製造において、原料ガスの反応管として用いられる筒状体の部材について、該部材組成に起因する生成シリコン中の炭素濃度の低減化を図ることができる多結晶シリコン製造用部材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】炭素からなる筒状体基材１の内表面に保護膜２を形成し、前記保護膜２を、前記筒状体基材１の内表面上に形成された炭化珪素層２ａと、前記炭化珪素層２ａ上に形成されたＳｉＯ_ｘＮ_ｙ（ｘ＞０、ｙ＞０）組成を有する酸窒化珪素層２ｃとにより構成する。 （もっと読む）

【課題】 酸化珪素の高い電池容量と低い体積膨張率を維持しつつ、初回充放電効率が高く、サイクル特性に優れた非水電解質二次電池用の負極材として有効な活物質としての珪素酸化物の製造方法を提供する。
【解決手段】 非水電解質を用いる二次電池用の負極材に用いられる珪素酸化物の製造方法であって、少なくとも、ＳｉＯガスを発生する原料を、不活性ガスの存在下もしくは減圧下で、１，１００〜１，６００℃の温度範囲で加熱してＳｉＯガスを発生させ、該発生したＳｉＯガスに、還元性ガスを供給して反応させ、該反応によって得られた反応物を回収する事を特徴とする非水電解質二次電池負極材用珪素酸化物の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、太陽電池用、半導体用高純度化シリコンの製造における原料シリコンの前処理に係わるものであり、原料シリコンに含まれる不純物を前もって効率的に除去することにより、後段の精製工程における高純度シリコンの生産性の向上と製品品質の安定化を図るものである。
【解決手段】 原料の金属シリコンを１ｍｍ以下に粉砕した後、酸性水溶液又は塩基性水溶液に分散させてスラリー状とし、浸出温度を１００℃以上、１ｔｏｍ以上の加圧下において浸出処理を行うことにより不純物を除去する。さらに効率的に不純物を除去するには、加圧下での浸出処理を行う前に、粉砕した原料シリコンを１０００〜１４００℃で焼成処理を行うことが望ましい。 （もっと読む）

本発明は、ホウ素含有化合物に関して特定純度のハロゲン化ポリシランを純粋な化合物又は化合物の混合物として生成する方法である。本発明の一実施形態は、一般式Ｈ_pＳｉ_n-pＸ_(2n+2)-p（式中、n=1〜50、0≦p≦2n+1、X=F,Cl,Br,I）のハロゲン化ポリシランを、ハロゲン化ポリシランを含有、又は混合物中でハロゲン化ポリシランが形成されている混合物から、個別の化合物、又は化合物の混合物として生成する方法である。混合物は、ホウ素含有不純物を含有する。方法は、ａ）混合物を、少なくとも1ppbw（10億分の1重量部）のシロキサン形成酸化剤又はシロキサン自体と反応させる方法ステップであって、ホウ素含有不純物が、シロキサンと、ハロゲン化ポリシランとは異なる揮発性及び／又は溶解性を有する化合物を形成する方法ステップと、ｂ）ハロゲン化ポリシランをこれらの化合物と分離する方法ステップとを含み、水が最高で1ppmw、シロキサンが最低で1ppbw存在する。 （もっと読む）

本発明は、長鎖ハロゲン化ポリシランの熱分解により、短鎖ハロゲン化ポリシラン、ならびに／または短鎖ハロゲン化ポリシランおよびハロゲン化物含有ケイ素を製造するための方法および装置に関する。低分子ハロシランで希釈された長鎖ハロゲン化ポリシランの熱分解がハロシランの雰囲気下で行われることにより、簡単で費用対効果の高い方法で、工業的な規模でそのような生成物を確実に製造する。
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本発明の対象は、一般式（１）及び（２）
Ｓｉ_nＸ_2n+2 （１）
Ｓｉ_mＸ_2m （２）
［式中、Ｘは、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩから選択され、ｎは、２〜１０の整数を意味し、かつｍは、３〜１０の整数を意味する］のオリゴハロゲンシランから選択されるオリゴハロゲンシランの製造方法であって、ケイ素と、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｗ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｃｄ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｐ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ及びＰｂ及びそれらの混合物から選択される金属のハロゲン化物とを含有する混合物を、−１２５℃〜１１００℃の温度で反応させ、そして形成されたオリゴハロゲンシランを、Ｎ₂、希ガス、ＣＨ₃Ｃｌ、ＨＣｌ、ＣＯ₂、ＣＯ、Ｈ₂及びＳｉＣｌ₄から選択されるキャリヤーガスで除去する、前記製造方法である。 （もっと読む）

【課題】チタン酸アルミニウムやチタン酸アルミニウムマグネシウムのようなチタン酸アルミニウム系セラミックスについて、耐熱分解性に優れ、熱膨張係数のより小さなものを製造する方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、チタン源化合物、アルミニウム源化合物および好ましくはマグネシウム源化合物と、屈服点が７００℃以上および／または９００℃の粘度値が１．０×１０^６ポイズ以上のガラスフリットとを含む原材料混合物を焼成するチタン酸アルミニウム系セラミックスの製造方法である。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板の鏡面加工面上にジグ跡のない高品質の酸化膜を有する酸化膜付きシリコン基板の製造方法及び酸化膜付きシリコン基板を製造する際に用いられる熱処理装置を提供する。
【解決手段】エッジ面取り加工が施されたシリコン基板を、少なくとも対向する側板と、該側板間に連結される溝を有する複数の支持棒とを具備するホルダに保持して、酸化性雰囲気下で熱処理することで表面に酸化膜を形成する酸化膜付きシリコン基板の製造方法において、前記シリコン基板の保持は、前記ホルダに具備された前記支持棒の溝と、前記シリコン基板の最外周端部及び面取り加工部の少なくとも一方とを接触させることのみで為すことを特徴とする酸化膜付きシリコン基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】金属シリコンを原料とする高純度シリコンの生産効率向上とコスト低減。
【解決手段】溶融した原料シリコンを収容した水冷ハース１３をハースの傾動によって溶湯から露出した底、内壁に形成された凝固層からなるスカル２２を溶湯２１から露出させてスカル２２の新しい溶解面に対して酸素ラジカルを供給してホウ素を酸化し、形成された酸化ホウ素を真空雰囲気において蒸発させ、しかる後、一方向性凝固等による固液分配係数の差を利用して不純物部分を除去して精製シリコンインゴットを形成した後、当該インゴットを電子ビーム１４照射と真空雰囲気に暴露し、これを溶解して溶融面を真空雰囲気中に暴露することによって、リンの蒸発除去過程を行い、高純度精製シリコンを得る。 （もっと読む）

【課題】 低品位の金属シリコンから冶金精錬法より太陽電池用高純度化シリコンを製造するに当たり、設備費用、エネルギーコストの低減及び原料シリコンの歩留り向上を図ると共に、品質が安定であり、かつ生産性の高い高純度シリコンの製造法を提供することを目的とする。
【解決手段】 金属シリコンを溶解する溶融炉において、電磁誘導方式、プラズマ方式、電子ビーム方式等の２種以上の加熱装置を有し、溶融した溶融シリコンを１基の溶融炉で真空処理及び、異なるガス雰囲気での酸化処理、還元処理を組み合わせて行うことにより原料シリコンに含まれる不純物を効率的に除去する。 （もっと読む）