ＣＶＤ単結晶ダイヤモンド材料中にブランドマークのような出所標識又は識別紋様を入れる方法は、ダイヤモンド基体を与える工程、原料ガスを与える工程、前記原料ガスを解離し、それによりホモエピタキシャルダイヤモンド成長を行わせる工程、及び前記原料ガス中へドーパントを制御された仕方で導入し、合成ダイヤモンド材料中に出所標識又は識別紋様を生成させる工程を含む。ドーパントは、出所標識又は識別紋様が、通常の見る条件下ではダイヤモンド材料の知覚される品質に影響を与えないか、又は容易には検出できないが、その出所標識又は識別紋様は、例えば特定の波長の光又は輻射線で照射した場合のように、特定化した条件下では検出できるか、又は検出可能にされるように選択されている。出所標識又は識別紋様の検出は、例えば目による検出、又は特定の光学的機器を用いた検出でもよい。
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化学気相輸送法（CVT）を用いて、低温低圧で、基板にダイヤモンドコーティングを製作する方法であって、ワイヤ巻付グラファイト組立部材と、基板とをチャンバ室内に提供するステップと、チャンバ室に水素を充填するステップと、チャンバ室の内部圧力を真空にしてから、水素を再度充填するステップと、1気圧未満の水素を含有したままチャンバ室を密閉するステップと、基板が125℃〜750℃の範囲に加熱されるまで、グラファイト棒に電流を流すステップと、を有する方法によって、優れた特性が得られる温度で、高品質ダイヤモンドが形成される。
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ウェーハスケール処理、例えば、ダイヤモンドプレートの上に電子又は他の装置構造体を製造する時のウェーハスケール処理をするのに適したダイヤモンドプレートのタイル張り状配列体である。ダイヤモンドプレートを、支持層、好ましくは多結晶質ダイヤモンド支持層に固定し、それぞれの固定されたダイヤモンドプレートの主要表面の少なくとも一つが、更に処理するために露出された製造表面を定めるように、実質的に平面状の配列として固定する。支持層は裏打層でもよく、その場合、ダイヤモンド基体の主要面のただ一つだけが更に処理するため露出されており、或いは支持層は、両方の主要表面が更に処理するため露出されるように、それぞれのダイヤモンド基体の間に伸びていてもよい。 （もっと読む）

マイクロ波プラズマ化学蒸着により成長した単結晶ダイヤモンドは、５０〜９０ ＧＰａの硬さおよび１１〜２０ ＭＰａ ｍ^1/2の破壊靱性を有する。単結晶ダイヤモンドを成長させる方法は、ホルダーに種晶ダイヤモンドを入れ、単結晶ダイヤモンドが１１〜２０ ＭＰａ ｍ^1/2の破壊靱性を有するように約１０００℃から約１１００℃の温度で単結晶ダイヤモンドを成長させることを含む。
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ＣＶＤダイヤモンドをダイヤモンド安定相外の少なくとも１５００度Ｃの設定温度および少なくとも４．０ ＧＰaの圧に上げることにより、ＣＶＤダイヤモンドが単結晶ＣＶＤダイヤモンドであるＣＶＤダイヤモンドの光学的透明度を改善する方法。 （もっと読む）

４．０ ＧＰａを超える圧で焼なましされ１５００度Ｃを超える温度に加熱されるマイクロ波プラズマ化学蒸着により成長した、１２０ ＧＰａより大きい硬さ(hardness)を有する単結晶ダイヤモンド。硬い単結晶ダイヤモンドを製造する方法は、単結晶ダイヤモンドを成長させ、１２０ ＧＰａを超える硬さを有するように４．０ ＧＰａを超える圧および１５００度Ｃを超える温度で単結晶ダイヤモンドを焼なましすることを含む。
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本発明は一つの観点において交差切子面のサブセットが実質上均一な厚みのダイヤモンド層を有する複数の交差切子面を備えた外面を有する自立内部支持三次元物体を製造する方法に向けられている。ダイヤモンド層は交差切子面のサブセットを規定するモールドを形成するように製造される基板の表面上に化学蒸着（ＣＶＤ）によって形成することができる。裏打層が露呈ダイヤモンド層の少なくとも一部上に形成され、基板が除去されたときに層の強度を高める。 （もっと読む）