【課題】 母材型基板を用いてダイヤモンド部品を製造する際に、ダイヤモンド部品のサイズが大きい場合や形状が複雑である場合にも、母材型基板から短時間でダイヤモンド部品を分離回収することができる方法を提供する。
【解決手段】 母材型基板上に中間犠牲層を被覆し、その上にダイヤモンド層を堆積した後、エッチングにより中間犠牲層を除去してダイヤモンド部品を分離するに際して、母材型基板として多孔質体を用いるか、エッチング溶液に超音波振動を印加する。また、電解溶液に浸漬して電気分解することにより、中間犠牲層を電解除去することもできる。 （もっと読む）

本発明は、無色の単結晶ダイヤモンドを高成長速度で製造するための方法に関する。このダイヤモンドの製造方法は、ダイヤモンドの成長表面の温度をそのダイヤモンドの成長表面を横断する全ての温度勾配が約２０℃未満となるように制御すること、および単結晶ダイヤモンドを、ダイヤモンドの成長表面上でのマイクロ波プラズマ化学蒸着により、成長温度で、Ｈ₂の単位あたり約８％〜約２０％のＣＨ₄およびＣＨ₄の単位あたり約５〜約２５％のＯ₂を含む雰囲気を有する被着チャンバ内で成長させることを含む。本発明の方法は１０カラットより大きいダイヤモンドを製造することができる。本発明の方法を用いる成長速度は５０μｍ／時を上回るものであり得る。
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【課題】半導体デバイス用基板として有用な大面積でかつ歪が少ない高品質単結晶ダイヤモンドおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】１主面から２つの互いに直交する直線偏光の合成とみなされる直線偏光を照射して、対面の主面から出射した２つの互いに直交する直線偏光の位相差が、試料全体にわたり、試料厚さ１００μｍあたり最大５０ｎｍ以下である単結晶ダイヤモンドであり、その製造方法は、高圧合成法、あるいは気相合成法により製造した種となる単結晶ダイヤモンド基板の１主面を反応性イオンエッチングによりエッチング除去してから、気相合成法により新たに単結晶ダイヤモンド層を成長させる工程と、種となる単結晶ダイヤモンド基板と、気相合成法により新たに成長させた単結晶ダイヤモンド層を分離する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】
DLC薄膜とターゲット基板との密着性を向上し、また、レーザーアブレーション法で問題となる溶融再凝固粒子（ドロップレット）や固体ターゲットのかけらなどの粗大粒子の混入によるなどによるDLC薄膜の品質低下の回避できるダイヤモンドライクカーボン薄膜の作製方法を提供する。
【解決手段】
原料ガス導入口に、炭酸ガスレーザーを照射することで，原料ガス分子を原子状に解離させ，基板構成原子の原子間結合エネルギーに相当する5eV程度の並進エネルギーを有する原子ビームを発生させる。原料ガスには、メタン、エチレン、アセチレンなどの直鎖炭化水素ガスを用いることで、炭素原子ビームを発生させ、シリコン基板などの固体ターゲット表面に共有結合によりダイヤモンドライクカーボン薄膜を形成する。シリコン基板上に炭素系薄膜の堆積を確認し、ラマン分光法による分析結果からDLC薄膜であるとことを確認した。 （もっと読む）

【課題】ダイヤモンド基板の変形が変形の許容範囲に収まり、ダイヤモンド基板の性能が高められるダイヤモンド基板とその製造方法を提供する。
【解決手段】化学蒸着法によってダイヤモンド・フィルム層を形成する工程で、ダイヤモンド・フィルム層の変形を低減するために、保護層がダイヤモンド・フィルム層の1つの表面上に形成される。 （もっと読む）

【課題】ダイヤモンド・フィルム層と半導体層の間の結晶格子ミスマッチがＳｉＣ層によって取り除かれ、さらに半導体層の結晶品質が改善され、ダイヤモンド基板の製造工程が単純化され、性能と安定性が高められるダイヤモンド基板とその製造方法を提供する。
【解決手段】ダイヤモンド基板を形成する工程でダイヤモンド・フィルム層の変形を防止するためダイヤモンド・フィルム層の下部表面にＳｉＣ層が形成され、次に半導体層がダイヤモンド・フィルム層の上に形成されるか、またはＳｉＣ層の下部表面に直接形成される。 （もっと読む）

【課題】半導体材料、電子部品、光学部品などに用いられる、小傾角粒界のない大面積・高品質なダイヤモンド単結晶基板の製造法及びダイヤモンド単結晶基板を提供することを目的とする。
【解決手段】種基板として、主面の面方位が、｛１００｝面または｛１１１｝面に対して８度以下の傾き範囲に収まる、ダイヤモンド単結晶種基板を用意する工程と、この種基板の片側の主面に対して、主面の外周方向に傾けた、それぞれ方位の異なる面を複数面加工形成する工程とを備え、しかる後に気相合成法によりダイヤモンド単結晶を成長させるダイヤモンド単結晶基板の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】 Ｐドープのｎ型ダイヤモンドを｛１００｝基板上に成長させるダイヤモンド半導体の安価な製造方法を提供する。
【解決手段】 ダイヤモンド基板上にガス中の窒素濃度／炭素濃度を０．１％以上５．０％以下の窒素添加条件で０．１μｍ以上の膜厚のダイヤモンド成長を行ったあと、続けて、燐添加条件でのダイヤモンド成長を行うことを特徴とするダイヤモンド半導体の製造方法及びそれによって得られたダイヤモンド半導体である。 （もっと読む）

【課題】 スピーカーの振動板に用いられるような立体的形状を有するダイヤモンド膜を製造する際に、ダイヤモンド膜を形成させる成形型に工夫を加えることにより、ダイヤモンド膜を量産できるようにする方法を提供する。
【解決手段】 ダイヤモンド膜１２の成形型として、このダイヤモンド膜１２の形状に合わせた形状を有する高融点金属材料の薄板１１よりなる成形型を用いる。この成形型の表面上に、化学的気相成長法によりダイヤモンド膜１２を形成し、その後、この成形型の表面上に形成されたダイヤモンド膜１２を前記成形型から分離して、立体的な形状の成型ダイヤモンド膜を得る。 （もっと読む）

【課題】 半導体ウェハプロセス等に適用可能で、背面給電デバイスの作製に適する大型の導電性ダイヤモンド基板、及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 凹部となる第１の領域と、該第１の領域を取り囲む第２の領域とを含む主面を有する導電性基板１と、前記主面の前記第１の領域上に設けられた板状の導電性単結晶ダイヤモンド部４と、前記主面の前記第２の領域上に設けられた層状の導電性多結晶ダイヤモンド部５と、を備え、前記導電性単結晶ダイヤモンド部４が、前記導電性多結晶ダイヤモンド部５と接続して、前記導電性基板１に固定されているダイヤモンド基板。 （もっと読む）

【課題】 比較的マイルドな工程を用いて高純度、高収率でナノダイヤモンド粉末を得ることのできるダイヤモンド精製方法及びこれにより得られるナノダイヤモンドを提供する。
【解決手段】ダイヤモンド精製方法は、ダイヤモンド表部を覆う表部炭素不純物その他の不純物を有する粗ダイヤモンドを、酸素を含んだ雰囲気下で加熱酸化する加熱酸化工程と、前記表部炭素不純物とダイヤモンドとの硬度差に基づく解砕により前記表部炭素不純物を剥離する剥離工程と、前記剥離された表部炭素不純物とダイヤモンドとの比重差または形状差に基づき表部炭素不純物とダイヤモンドとを分離する分離工程と、を含む。 （もっと読む）

本発明は、半導体層又はデバイスを加工するための基板を製造する方法に関するものであり、この方法は、ＣＶＤダイヤモンド合成の基板として使用するのに適している少なくとも１つの第１の表面を含むシリコンのウェハを形成する工程と、所定の厚さのＣＶＤダイヤモンドの層を成長させ、成長面をシリコンウェハの第１の表面上に設ける工程と、前記シリコンウェハの厚さを所定のレベルまで薄くする工程と、電子デバイスにおいて使用するのに適している少なくとも１つの半導体層のさらなる合成又は第２の表面自体の上での電子デバイスの合成に適しているシリコンウェハ上に第２の表面を設ける工程とを含み、また本発明は、シリコン表面に密着しているＣＶＤダイヤモンド層からなるＧａＮデバイス成長に好適な基板に関するものである。
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【課題】MgO基板とIr膜、Ir膜とダイヤモンド膜が各界面で剥離しにくく、特に大面積の単結晶ダイヤモンド膜を連続膜として有する積層基板を提供する。
【解決手段】少なくとも、単結晶MgO基板と、該MgO基板上にヘテロエピタキシャル成長させたイリジウム(Ir)膜と、該Ir膜上に気相合成させたダイヤモンド膜を有する積層基板であって、前記Ir膜の結晶性が、波長λ＝1.54ÅのX線回折法で分析したIr(200)帰属の2θ=46.5°または2θ=47.3°における回折強度ピークの半値幅(FWHM)が0.40°以下のものであることを特徴とする積層基板。 （もっと読む）

【課題】リン原子がドープされたn型(100)面方位ダイヤモンド半導体単結晶膜及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ダイヤモンド基板が、(100)面方位ダイヤモンドであり、気相成長手段により、水素、炭化水素及びリン化合物を気相中に存在させ、気相中の炭素原子に対するリン原子の比が0.1%以上であり、水素原子に対する炭素原子の比が0.05%以上である条件で(100)面方位ダイヤモンドを基板上にエピタキシャル成長させる。 （もっと読む）

【課題】 ＣＶＤ法による欠陥のないダイヤモンド、とりわけ、ｎ型半導体特性の確実に向上したダイヤモンドの合成方法を提供する。
【解決手段】 プラズマＣＶＤ法によるダイヤモンド薄膜の合成方法において、ダイヤモンド基板を反応性イオンによってエッチング処理し、この処理面に炭素源を含む原料ガスあるいはさらにリンを含むｎ型ドープ源を供給し、プラズマにより原料ガスを分解・析出するＣＶＤ法により欠陥のない高品質ダイヤモンド薄膜、とりわけ欠陥のないｎ型ダイヤモンド薄膜を生成させる。 （もっと読む）

【課題】坩堝内の加熱された単結晶原料が溶解している融液に種結晶を接触させ、前記融液から種結晶を引き上げることにより単結晶を成長させる液相エピタキシャル法によりバルク単結晶を効率よく製造する。
【解決手段】常伝導コイル５への交流電流の通電により誘起されるローレンツ力を融液４に作用させて融液の隆起と誘導加熱を行いながら、隆起した融液の頂点付近に種結晶７を接触させ、種結晶上に単結晶１５を成長させる。結晶成長開始前後および／または終了前後の非定常過程において結晶５または１５の近傍を補助加熱することにより結晶の熱流束量の急激な変化を防止して、亀裂のない良質な結晶を得る。補助加熱は、上昇させたコイル５または別のコイルによる誘導加熱、および／または治具１３の融液への浸漬により行われる。治具１３が融液に溶解可能であると、ヘテロエピタキシャル成長に必要な融液組成の調整機能も果たす。 （もっと読む）

【課題】 研磨性能がよく強固な凝集を生じにくい、Ｄ50値が50nm未満のダイヤモンド微粉を提供する。
【解決手段】1. Ｄ50値が50nm未満の単結晶質ダイヤモンド粒子の集合体であって、粒子の表面が一部、非ダイヤモンド構造炭素に転化され、かつ粒子間には、加熱操作時に生成した非ダイヤモンド構造炭素が介在する。2. 単結晶質原料ダイヤモンドを機械的な衝撃破砕手段によって粉砕し、さらに精密分級工程でＤ50値が50nm未満のダイヤモンド微粉とし、カーボン発生剤の溶液乃至分散液に浸して粒子表面にカーボン発生剤を付着せしめ、不活性雰囲気中800〜1400℃で加熱し、この際、予め生成した或はその場でカーボン発生剤から生成する非ダイヤモンド構造炭素をダイヤモンド粒子間の分離剤とすることで、粒子の凝集を効果的に回避する、上記のダイヤモンド微粉の製造法。 （もっと読む）

【課題】 高出力のビームを透過させても破損しにくい電子線透過用ダイヤモンドメンブレン及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 高抵抗Ｓｉ基板上に、多結晶ダイヤモンド薄膜からなる厚さが５μｍ以下の電子線透過膜２を気相合成する。次に、電子線透過膜２の中心部にマスクを形成し、電子線透過膜２の周縁部に多結晶ダイヤモンド薄膜からなる厚さが５０μｍ以上の支持枠３を気相合成する。その後、沸硝酸に浸漬することによって高抵抗Ｓｉ基板を溶解して、ダイヤモンドメンブレン１とする。 （もっと読む）

【課題】１時間当たり約１マイクロメートルより大きい成長速度で単結晶ダイヤモンドを製造すること。
【解決手段】ダイヤモンドを製造する方法は、前記ダイヤモンドの成長面の縁に隣接する前記ダイヤモンドの側面と熱的接触をするように、ホルダー内にダイヤモンドを配置するステップと、前記ダイヤモンドの前記成長面の温度を測定して温度計測値をもたらすステップと、前記温度測定値に基づいて前記成長面の温度を制御するステップと、マイクロ波プラズマ化学蒸着により、前記成長面に単結晶ダイヤモンドを成長させるステップとを含む。ダイヤモンドの成長速度が１時間当たり１マイクロメートルより大きい。 （もっと読む）

【課題】 半導体として実用可能なダイヤモンド単結晶膜を備えたダイヤモンド単結晶基板およびこれを容易に得ることができる製造方法を提供する。
【解決手段】 Ｓｉ単結晶基板１上に、厚さ１ｎｍ以上１００ｎｍ以下のＳｒＯ単結晶層２をエピタキシャル成長させた後、厚さ１〜２原子のＳｒまたはＴｉ層３を成膜させ、その上に、活性化炭化水素原料によりダイヤモンド単結晶層４をエピタキシャル成長させることにより、Ｓｉ単結晶基板上に、ＳｒＯ単結晶層、Ｓｒ層またはＴｉ層、ダイヤモンド単結晶層が順次積層されているダイヤモンド単結晶基板を得る。 （もっと読む）