ダイヤモンド膜の成長の核を形成するための新規な方法を提供する。該方法は、基体にダイヤモンドイドが化学的に付着された該基体であって、優れた核形成部位として働き、次いで、ダイヤモンド膜の成長を促進する該基体を提供する工程を含む。
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【課題】 基材の表面にダイヤモンド膜が被覆されたダイヤモンド膜被覆部材におけるダイヤモンド膜の密着力を評価する場合に、ダイヤモンド膜被覆部材の形状に関わらず、正確かつ容易にしかも低いランニングコストで評価できる膜密着力の評価方法及び評価装置を提供する。
【解決手段】 ダイヤモンド膜被覆部材１をステージ２に固定し、レーザー発振部３より発振されたレーザー８をレーザー照射部４で照射方向を制御しながらダイヤモンド膜被覆部材１に照射する装置を使い、ダイヤモンド膜１ａ表面の一部にレーザー８を照射し、ダイヤモンド膜１ａを除去した後、ダイヤモンド膜１ａが除去された面積を測定し、この面積の値を元に膜密着力を評価する。 （もっと読む）

【課題】開口部を有する金属基材の内面にダイヤモンド膜を均一に成膜する。
【解決手段】金属基材１ａ及び半導体材料１２，１３の混合体に、少なくとも炭素及び水素を含む第１の混合ガス内で６５０℃未満の温度で、前記金属材料１ａの表面にダイヤモンド核を形成するダイヤモンド核形成工程と、前記ダイヤモンド核が形成された前記混合体に、少なくとも炭素及び水素を含む第２の混合ガス内で７５０℃未満の温度で、前記ダイヤモンド核を成長させてダイヤモンド膜を成膜するダイヤモンド成膜工程とを具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＵＮＣＤを形成する技術を提供する。
【解決手段】グラファイトで構成されたカソード電極１３２とトリガ電極１３４の間にトリガ放電を発生させ、アノード電極１３１とカソード電極１３２の間にアーク放電を誘起させ、カーボン蒸気のイオンを真空槽１０内に放出させる。真空槽１０内は水素ガス雰囲気にしておき、電荷を有するカーボン蒸気を成膜対象物２０に到達させる。成膜対象物２０の表面にＳｉＣ膜２２を形成しておくと、ＵＮＣＤが成長する。 （もっと読む）

【課題】より確実に単結晶ダイヤモンドを成長させることができる単結晶ダイヤモンド成長用基材の製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶ダイヤモンド成長用基材の製造方法において、少なくとも、ダイヤモンド成長前の基材に対して予め基材側電極をカソードとした直流放電でダイヤモンド核形成を行うバイアス処理を行い、該処理において、少なくともバイアス処理開始４０秒後からバイアス処理終了までの基材温度を８００℃±６０℃に保つことを特徴とする単結晶ダイヤモンド成長用基材の製造方法。 （もっと読む）

【課題】安定性に優れたダイヤモンド電極、および低コストで該ダイヤモンド電極を製造する方法の提供。
【解決手段】ＣＶＤ工程を２０ｍＢａｒ未満の圧力および２％未満のメタン濃度になるように制御することにより、粒子サイズが１μｍ未満の多結晶ダイヤモンドからなる単一で均一な層を有し、５０％を超えるラマン品質を示すダイヤモンド電極を形成する。また、ＣＶＤ工程の前にナノサイズのダイヤモンドを種結晶として用いる工程を含む。 （もっと読む）

【課題】 単結晶ダイヤモンドを有するダイヤモンド製品を製造する場合に、ダイヤモンドの形状が複雑であっても、表面欠陥の少ないダイヤモンド製品の製造方法を提案する。
【解決手段】 ダイヤモンド研磨するにあたり、ダイヤモンドを機械研磨し、その後、大気中で加熱されて酸化銅が形成された銅板を前記ダイヤモンドに静的に接触させ、所定時間その状態を保持してダイヤモンドを摩耗させることにより、ダイヤモンド表面のマイクロクラックを除去して高品位なダイヤモンド製品を製造する。銅板の表面粗さは、機械研磨されたダイヤモンドの表面粗さ以下とするのが好ましい。 （もっと読む）

【課題】３次元形状試料に対して、均一に気相合成ダイヤモンド膜を効率良くコーティングするための装置を提供する。
【解決手段】熱フィラメント法による気相ダイヤモンド膜のコーティング方法において、コーティング装置の内部に、加熱用フィラメント１、加熱用フィラメント１の近傍に配置した被コーティング試料４及びフィラメント加熱用の上部電極と下部電極を配置し、コーティング装置本体に上部電極を固定すると共に、該上部電極にフィラメント１の上端部を固定し、フィラメント１の下端部を移動自在な下部電極に固定して、下部電極がフィラメント１により吊持された状態とし、下部電極の重量及びフィラメント１の自重によりフィラメント１を緊張させると共に、該緊張したフィラメント１を通電加熱し、かつダイヤモンド原料となるガスを供給して、ダイヤモンド膜を試料４に気相ダイヤモンド膜をコーティングする。 （もっと読む）

【課題】任意形状を持つダイヤモンドおよび立方晶窒化ホウ素（ｃ−ＢＮ）の合成方法を提供する。
【解決手段】パルスレーザーを多方向からグラファイトおよび六方晶窒化ホウ素（ｈ−ＢＮ）に照射し、瞬間かつ局所的に高温高圧環境を作り出し、グラファイトおよびｈ−ＢＮ上の集光点の位置を移動させることにより、合成点５が移動し、ミリオーダーの任意形状ダイヤモンドおよびｃ−BＮが合成される。またレーザー照射によりダイヤモンドおよびｃ−ＢＮを合成し、ダイヤモンドおよびｃ−ＢＮのコーティングが可能となる。 （もっと読む）

【課題】気相合成法によってダイヤモンド単結晶を成長させる方法において、規則正しい成長面を有し、かつ不純物含有が非常に少ない高品質のダイヤモンド単結晶を比較的簡単な方法によって製造することが可能であり、大型ダイヤモンド単結晶の合成方法として有効に利用できる新規なダイヤモンド単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】マイクロ波ＣＶＤ法によってダイヤモンド単結晶を成長させる方法であって、種結晶としてダイヤモンド(110)基板を用い、原料ガス流量比を、水素１００に対してメタン０．２〜２０、窒素０．１２未満とし、CVDチャンバー内の圧力を１３ｋＰａ〜３３ｋＰａ、成長温度を９５０℃〜１２５０℃として結晶成長を行うことにより、ダイヤモンド単結晶の（110）面に平行であって、最大高さが１〜１０μｍの表面粗さの成長面を有するダイヤモンド単結晶が得られる。 （もっと読む）

【課題】異種単結晶基板の上に成長したダイヤモンドヘテロエピタキシャル膜の特性を改善し、単結晶に近づける方法を提供する。
【解決手段】異種単結晶基板の上に成長するダイヤモンドヘテロエピタキシャル膜上に、１カ所もしくは複数箇所の凸部を形成し、形成した凸部を起点としてダイヤモンドをステップフロー成長させる。凸部の形成は、対応部分の選択成長により、もしくは、他の部分をレーザ加工やウェットあるいはドライエッチングすることにより形成される。また、ステップフロー成長は比較的低メタン濃度、高温での成長により得ることができる。 （もっと読む）

メタン／水素混合物を含むガス状の混合物（任意に窒素、酸素およびキセノン添加を共に含んでいてもよい）を用いて、部分的な真空中でマイクロ波プラズマ化学蒸着（ＣＶＤ）プロセスを用いて単結晶ダイヤモンド成長を形成するための材料および方法が提供される。このような単結晶サブストレートは、真空誘導溶解プロセスを用いて、改変された方向性凝固法で、純ニッケル、または、コバルト、鉄またはそれらの組み合わせを含むニッケル合金のうち少なくとも１種で開始して形成することができる。このような単結晶サブストレートの表面は、電子ビーム蒸着装置を用いて、純イリジウム、または、イリジウムと、鉄、コバルト、ニッケル、モリブデン、レニウムおよびそれらの組み合わせからなる群より選択される成分との合金でコーティングされる。このような合金でコーティングされた単結晶サブストレートは、マイクロ波プラズマＣＶＤ反応器中に入れられ、メタン、水素およびその他の任意のガスのガス状の混合物の存在下で、マイナス１００〜４００ボルトのバイアス電圧を用いてバイアス印加による核形成処理される間、そのコーティングされた表面上での大型の単結晶ダイヤモンドの成長を支持する。
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【課題】マイクロ波プラズマＣＶＤ法を用いて、高濃度の窒素原子がドープされたｎ型半導体ダイヤモンド膜の製造方法を提供する。
【解決手段】メチルアミン、ジメチルアミン、及びトリメチルアミンから選ばれた１種類又は２種類以上のガスを水素で希釈した混合ガス、又はメチルアミン、ジメチルアミン、及びトリメチルアミンから選ばれた１種類又は２種類以上のガスと炭化水素ガスと水素ガスとの混合ガスを原料ガスとして使用し、ガス圧８０Ｔｏｒｒ（１０６６４Ｐａ）以上の条件下で、マイクロ波プラズマ化学気相蒸着法を用いて、基板表面に窒素原子を１０^２０ｃｍ^−３以上含む窒素ドープダイヤモンド膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】マイクロ波プラズマＣＶＤ法によってダイヤモンド単結晶を成長させる際に、ダイヤモンドの成長面の形状（モフォロジー）を簡単に制御できる方法を提供する。
【解決手段】マイクロ波プラズマＣＶＤ法によって、ダイヤモンド基板上にダイヤモンド結晶を成長させる方法において、
ＣＶＤ装置内に設置する基板支持体として、基板載置部が凹部によって形成され、凹部の深さがダイヤモンド基板の厚さと同一又はダイヤモンド基板の厚さ以下である支持体を用い、
該基板載置部におけるダイヤモンド基板の載置位置を調整することによって、ダイヤモンドの成長面の形状を制御するダイヤモンド製造方法、並びに、
使用するダイヤモンド基板の形状に応じて形成された基板載置部を有する基板支持体。 （もっと読む）

【課題】低温で接合可能なため接合時に生じる歪みが小さくし、また、熱伝導性が高いため使用時の熱歪みも小さくし、さらには、高温耐性接合のため接合強度が十分あるダイヤモンド光学素子の接合方法を提供する。
【解決手段】Ｘ線回析用ダイヤモンド結晶31および歪緩和用ダイヤモンド結晶32を加圧および加熱して接合するに際し、接合材として、双方のダイヤモンド結晶体31、32の接合面にクラスター源から金属ナノ粒子のクラスターをそれぞれ照射し、接合面に反応層を形成させる。 （もっと読む）

【課題】基板とダイヤモンド層との密着性を高め、ダイヤモンド層の剥離、基板の浸食を防ぎ、基板の大型化やダイヤモンド厚みの増加を容易にし、ダイヤモンド被覆電極として背面側からの給電を可能にし、電力効率の向上を目的とする。
【解決手段】本発明は、多孔質の絶縁体基板上に導電性ダイヤモンド層を形成した構造の複合基板であって、前記導電性ダイヤモンド層が前記多孔質絶縁体基板の片側表面の空孔を塞いでいて、前記多孔質絶縁体基板の他方側から金属を含浸させることによって、前記導電性ダイヤモンド層を形成した側の表面と反対側の表面が電気的に導通することを特徴とする複合基板である。 （もっと読む）

【課題】電気化学的酸化処理中に基板自体が腐食する、又はダイヤモンド層と基板が剥離することにより電解が継続できなくなる、又は電気効率が著しく悪くなるという問題を解決する基板及び電極を提供する。
【解決手段】基板および該基板に被覆した導電性ダイヤモンド層からなり、ダイヤモンド膜の連続している部分の最大面積が１μｍ²以上１０００μｍ²以下であるダイヤモンド被覆基板である。特に基板の材質が、Ｎｂ、Ａｌ、Ｔａ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｚｎであり、また導電性ダイヤモンド層が、硼素、リン、窒素のうち一つ以上を不純物として含み、導電性ダイヤモンド層が、１ｐｐｍ〜１０００００ｐｐｍの範囲にある硼素を含有しても良い。 （もっと読む）

本発明は、Ｘ線トポグラフィーにより特徴付けられる拡張欠陥密度が、０．０１４ｃｍ^２を超える面積にわたって４００／ｃｍ^２未満である、単結晶ＣＶＤダイヤモンド材料に関する。本発明は、更に、基板が、０．０１４ｃｍ^２を超える面積にわたって４００／ｃｍ^２未満の、Ｘ線トポグラフィーにより特徴付けられる拡張欠陥の密度；０．１ｍｍ^３を超える容量にわたって１×１０^−５未満の光学等方性；及び２０アーク秒未満の、（００４）反射に対するＦＷＨＭ Ｘ線ロッキングカーブ幅の少なくとも１つを有する、その上でＣＶＤ単結晶ダイヤモンドを成長させるための基板を選択する工程を含む、前請求項のいずれかに記載のＣＶＤ単結晶ダイヤモンド材料の製造方法に関する。
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【課題】有毒ガスを使用することなく、また煩雑な操作を施すことなく、安全、かつ簡便にダイヤモンド材料表面上にチオアルキルチオールを導入したダイヤモンド材料及びその製造方法を提供する。
【解決手段】チオアルキルチオール基がダイヤモンド材料表面に結合していることを特徴とするダイヤモンド材料。チオアルキルチオール基を介して金属微粒子が結合した金属微粒子修飾ダイヤモンド材料。紫外線照射下、ダイヤモンド材料と一般式（１）で表される環状ジスルフィドを反応させチオアルキルチオールをダイヤモンド材料の表面に結合させることを特徴とするチオアルキルチオール基が表面に結合したダイヤモンド材料の製造方法。
【化５】
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【課題】高い成膜速度で、膜厚分布、抵抗率分布を小さくし、ダイヤモンドを気相合成する。
【解決手段】熱フィラメントＣＶＤ法でのダイヤモンドの気相合成において、複数のガス導入口４６，４７を設け、試料３及びフィラメント２から遠い他のガス導入口４７より水素及び酸素を導入４８し、試料等に近い第一のガス導入口４６よりメタン等炭素を含むガス４５を導入する。これにより試料近傍において、ダイヤモンド成長に寄与する炭素を含む活性種及び原子状水素の存在量の高い条件を形成することができる。 （もっと読む）