【課題】ダイヤモンド生成工程の際の放熱ホルダ上におけるダイヤモンド膜の剥離等による不良発生や、異常成長等を防ぐことを目的とする。
【解決手段】表面にダイヤモンドが蒸着しないホルダを準備し、もしくはダイヤモンドが蒸着した場合でも前記ホルダ温度１３００℃〜室温では蒸着したダイヤモンドが剥離せず、またダイヤモンド及び＼炭化物が異常成長しないホルダを準備した後、ダイヤモンドを成膜する基板を該ホルダ上に設置した後、該基板上にダイヤモンドの成膜を行うことを特徴とするダイヤモンド製造方法及び製造装置である。前記ホルダの基板近傍が表面粗さＲａ０．０１μｍ以下であることが好ましい。 （もっと読む）

熱フィラメント化学気相堆積プロセスによってダイヤモンド材料が作製され、大きい膜面積、良好な成長速度、相の純粋性、小さい平均粒径、平滑な表面、および他の有用な特性が提供される。低い基材温度を使用することができる。圧力およびフィラメント温度などのプロセス変数ならびに反応物の比を制御することによって、ダイヤモンドの特性を制御することが可能になる。用途としては、MEMS、耐摩耗低摩擦コーティング、バイオセンサー、および電子機器回路が挙げられる。

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本発明は、ダイヤモンド基材と、炭化物形成元素の第１の炭化層と、第１の層からの炭化物形成元素を実質的に含まないである、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｔａ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、又はその任意の組合せ若しくは合金から選択される高融点金属の第２の層と、第２の層の金属が、オーバーコーティングの金属と異なる、Ａｇ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｒｅ、その任意の組合せ又は合金のオーバーコーティングとを含むコーティングされたダイヤモンドに関する。本発明は、さらに、このようなコーティングされたダイヤモンド及びこのようなコーティングされたダイヤモンドを含む研磨材含有工具の製造方法に関する。
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【課題】基板に形成した気相ダイヤモンド薄膜あるいは基板を除去した自立ダイヤモンド薄膜（箔又は板）に存在する歪み、欠陥、色などを効果的に除去又は減少させ、あるいは配向性多結晶又は単結晶体へと改質できるダイヤモンド薄膜の改質方法及び薄膜形成方法を提供する。
【解決手段】ダイヤモンド等の黒鉛化を防止できる真空中、不活性ガス、還元性ガス、あるいはこれらの混合ガス等の雰囲気で、ダイヤモンド薄膜に１ＧＨｚ〜５００ＧＨｚのマイクロ波を照射して加熱し、たとえば、レーザーなどにより受けた損傷部を回復させるなど、ダイヤモンド薄膜を改質する。ダイヤモンド薄膜の膜厚方向に沿って、０．１μｍ以上のラマン分光法で評価したダイヤモンドスペクトルの半価幅がほぼ一定である改質された膜厚み領域を有し、その半価幅は膜厚み残部の同最大半価幅の８５％以下であるダイヤモンド薄膜が得られる。 （もっと読む）

【課題】鉄基合金上に密着性良くダイヤモンド膜が被覆されたダイヤモンド膜被覆部材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基材１上にタングステンから成る中間層１０と、中間層１０上にダイヤモンド膜を被覆する。また中間層１０上は溝部３によって分割された微小区域４を有し、微小区域４の表面上の最長距離８を１００μｍを超え４５０μｍ未満とする。さらに、溝深さ１２を１０μｍ以上中間層厚さ１１以下とする。また、溝部３によって分割された微小区域４と隣接する微小区域４との最短距離２を１０μｍ以上とする。 （もっと読む）

高温高圧プロセスによって成長させた、窒素で置換され、窒素が孤立して存在しているダイヤモンドから、窒素空孔中心を含むダイヤモンドを製造する方法であって、
−照射線量が１ｃｍ^２当たり１０^１７個から１０^１９個の電子になるように、前記ダイヤモンドに電子ビームを照射するステップ（１２）と、
−電子ビームを照射したダイヤモンドを、真空中または不活性雰囲気中で、７００℃を超える温度で少なくとも１時間アニールするステップ（１４）とを含み、
前記電子ビームが、７ＭｅＶを超える加速エネルギーを有することを特徴とする方法。
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【課題】ダイヤモンド層を丸鋸基板の外周縁部に側面方向から固着することにより、すくい角面の研磨量を少なくしつつ再研磨が容易に行えてコスト的に有利なダイヤモンドチップソー、あるいは、ダイヤモンド層の面積を少なくして、その使用の無駄を省きコスト的に有利なダイヤモンドチップーを提供する。
【解決手段】丸鋸基板の外周縁部に設けたチップ固着用凹部に超硬合金とダイヤモンド層を有するチップがロー付け固着されたダイヤモンドチップソーであって、チップは、そのダイヤモンド層が丸鋸基板の側面と平行となるように丸鋸基板のチップ固着用凹部に固着される。また、チップが略直方体形状に形成されてその一面にダイヤモンド層が設けられると共に、該ダイヤモンド層が丸鋸基板の側面側に位置したり、ダイヤモンド層が丸鋸基板の両側面側と回転方向側に位置するようにして固着される。 （もっと読む）

【課題】ダイヤモンド粒子からダイヤモンド−炭化ケイ素−ケイ素複合材料を製造する方法、および、この方法により製造されたダイヤモンド−炭化ケイ素−ケイ素複合材料を提供する。
【解決手段】加工物を形成し、その加工物を加熱し、その加熱温度と加熱時間を、ある一定の、所望とされる量の黒鉛がダイヤモンド粒子の黒鉛化により造り出されるように制御し、それによって中間物を造り、そしてその中間物にケイ素を浸透させることにより、２０〜７５容積％のダイヤモンド粒子、少なくとも５容積％、好ましくは１５容積％より多い炭化ケイ素、およびケイ素を含んで成る、ヤング率が４５０ＧＰａを越える物体を作製する。 （もっと読む）

【課題】特殊な表面加工設備を用いることなく、優れた密着性を得ることができるダイヤモンド薄膜素子を提供することを目的とする。
【解決手段】基材１にダイヤモンド薄膜２が被覆されたダイヤモンド薄膜素子である。前記基材１は、線膨張係数が１２×１０^-6／Ｋ以下の低熱膨張材で形成され、長さ方向に沿って任意の垂直な横断面の外周が凸状の曲線となる側面（円錐面）部を有し、前記側面部の横断面の周長ｐが９００μm 以下とされる。前記側面部に被覆されたダイヤモンド薄膜の膜厚をｔとするとき、ｔ／ｐが１．０×１０^-4以上、７．０×１０^-3以下とされる。 （もっと読む）

【課題】表面積が大きく、表面における導電性が高く、電気化学特性が経時変化しにくいダイヤモンド電極、触媒担持電極、及び電子デバイスを提供する。
【解決手段】ダイヤモンド基材の少なくとも表面近傍を含むドーパント領域に、ホウ素、窒素、アルミニウム、ケイ素、リン、硫黄、銅、ヒ素、モリブデン、白金、及び金のうち1種類以上のドーパントが３×１０²⁰〜８×１０²¹個／ｃｍ³の濃度でドープされたダイヤモンド基材に対し、酸素ガスによるドライエッチングによってダイヤモンド基材の表面を処理することによりダイヤモンド基材の表面に針状突起３配列構造を形成する。 （もっと読む）

【課題】簡便に行え、基体の硬さや形状によらず、良好なダイヤモンド膜の形成を可能にする前処理、及びダイヤモンド膜の製造方法を提供すること。
【解決手段】基体５にリード線１１を接続し、基体５を前処理液１３に浸漬する。前処理液１３は、微粒子を、電解質を濃度１Ｍで含む電解質溶液に懸濁させたものであり、微粒子の量は、電解質溶液１００ｍｌあたり、０．２５〜０．３５ｇである。次に、電源３を用い、基体５とルツボ９との間で通電し、電解処理を行う。通電は、交流または直流である。通電の条件は、交流の場合には、電圧１０Ｖ、周波数６０Ｈｚ、通電時間１分間であり、直流の場合には、電圧１２Ｖ、通電時間３０秒間である。その後、基体５の表面にダイヤモンド膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】 光学素子または光学素子成形用金型の加工用などのダイヤモンド工具で、特に先端切れ刃が微小の工具であっても摩耗の進展が遅く、しかも折損しにくい超精密切削加工用ダイヤモンド工具を提案する。
【解決手段】 窒素濃度が１〜１００ｐｐｍの気相合成単結晶ダイヤモンドに切れ刃を形成したダイヤモンド工具とする。切れ刃は、直線状の第１の縁部と、第１の縁部に交差する方向に形成された第２の縁部と、第１の縁部の端部と第２の縁部の端部とを結ぶ円弧状の第３の縁部とを有し、第１の縁部と前記第２の縁部とがなす角は、４５°以下である工具や、切れ刃の長さが１ｍｍ以下でかつ切れ刃は自由曲線、円弧、直線のいずれかを組み合わせた総形形状の切れ刃である工具であっても、折損しにくく摩耗も進展しにくいので、工具寿命を大幅に向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】ドライエッチングによって製造されるダイヤモンド構造体側壁の表面粗さの制御方法を提供する。
【解決手段】試料ホルダーＰ５に保持されたダイヤモンド試料Ｐ１をドライエッチングする方法において、ダイヤモンド試料Ｐ１と試料ホルダーＰ５の間に第3の層Ｐ３を形成して、ダイヤモンド試料Ｐ１の側壁の表面粗さを制御する。また、エッチングガス雰囲気中におけるダイヤモンド試料Ｐ１の表面温度を−１５０〜８００℃の範囲で制御する。 （もっと読む）

本発明は、アスペクト比が少なくとも1.5の単結晶ダイヤモンド種子を利用する、単結晶ダイヤモンドを合成するためのHPHT法に関する。アスペクト比が少なくとも1.5の単結晶ダイヤモンド種子及び上記方法で得られる合成単結晶ダイヤモンドについても述べる。成長表面は、該成長表面の平面内の＜100＞又は＜110＞方向に沿って実質的に整列している。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤ法で基板表面に合成したダイヤモンド膜に対して、レーザの使用により従来に比較して安定に平滑化加工する技術を提供する。
【解決手段】加工点近傍のダイヤモンド膜１２の表面の法線１５に対して８０°以上９０°未満の角度でレーザ４を照射し、レーザ４の反射効果を利用してダイヤモンド膜表面を安定に平滑化加工する。レーザ４にはＹＡＧレーザの第５高調波を用いる。さらに、減圧下でレーザを照射する。また、レーザ４のビーム径をビームエクスパンダ２で広げてから、アパチャ３で強度の均一な部分を切り出し、均一性の良いレーザをダイヤモンド膜表面に集光させる。さらに、ダイヤモンド膜１２上で反射したレーザ４を検出することにより、加工が完了したと判定する。 （もっと読む）

【課題】ダイヤモンドを主材料として有する電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）であって、高周波動作、高電流密度化に好適であると共に、閾値電圧の制御性に優れ、素子特性のウェーハ面内バラツキ、ロット間バラツキが小さいＦＥＴの提供。
【解決手段】基板１０、ダイヤモンド半導体層１１、化合物半導体層１２がこの順で形成された電界効果トランジスタにおいて、ダイヤモンド半導体層１１を（１１１）面ダイヤモンドにより構成すると共に、化合物半導体層１２を（０００１）面の六方晶化合物半導体、あるいは、（１１１）面の立方晶化合物半導体により構成する。これにより、電子供給層のダイヤモンド半導体層との界面には、自発性分極効果またはピエゾ分極効果に起因した正の固定電荷を有すると共に、電子供給層とダイヤモンド半導体層の界面近傍には２次元電子ガス１３が生成される。 （もっと読む）

ダイヤモンド成長表面の温度が９００〜１，４００℃の範囲であり、かつこのダイヤモンドがヒートシンクに取り付けられた方法により製造された単結晶ＣＶＤダイヤモンド。ダイヤモンドの成長は、単位Ｈ₂当たりＣＨ₄が８％超の、１５０トル超の雰囲気の成膜チャンバー内でマイクロ波プラズマＣＶＤ法により行われる。このダイヤモンドは、レーザー用ヒートシンクとして使用できる。周波数変換器として、単結晶ダイヤモンドを含むラマンレーザー変換器用χ⁽³⁾非線形結晶質としての別の用途がある。
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【課題】大面積のダイヤモンド基板を短時間、低コストで製造し、研磨時等における単結晶ダイヤモンド種基板の脱落を防止することを目的とする。
【解決手段】単結晶ダイヤモンド種基板とシリコン基板が、ダイヤモンド層を介して接合されたダイヤモンド基板において、この断面構造がシリコン基板上に単結晶ダイヤモンド種基板が配置されており、該単結晶ダイヤモンド種基板の上面の一部又は全部が傾斜しており、当該傾斜角が、１）底面と傾斜面が交わる一点と上面と対向する側面が交わる一点を結んだ直線と底面のなす角より大きく、２）９０°未満であることを特徴とするダイヤモンド基板である。 （もっと読む）

【課題】半導体用途にも使用できる高品質なダイヤモンド単結晶基板を短時間でコストを下げて製造する方法を提供する。
【解決手段】窒素原子含有量の異なる２つ以上の層からなり、少なくとも炭素原子に対する窒素原子含有量が０ｐｐｍ以上１０ｐｐｍ以下の層、及び５ｐｐｍ以上１００ｐｐｍ以下である層を有し、かつ０ｐｐｍ以上１０ｐｐｍ以下の層より５ｐｐｍ以上１００ｐｐｍ以下の層の窒素原子含有量が多いダイヤモンド単結晶基板であって、これらの層は気相合成法において窒素原子を含むガスの導入量を調整することにより形成される。 （もっと読む）

【課題】半導体リソグラフィープロセスや大型光学部品、半導体材料、放熱基板等に好適な大型ダイヤモンド基板、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板上に単結晶ダイヤモンド種基板１が配置されたダイヤモンド基板であって、シリコン基板に凹部が存在し、この凹部上に主面の面方位が（１１１）である単結晶ダイヤモンド種基板１が配置されており、シリコン基板の凹部以外の表面上に（１００）配向もしくは（１１０）配向の気相合成ダイヤモンド層８が設けられており、単結晶ダイヤモンド種基板１とシリコン基板が（１００）配向もしくは（１１０）配向の気相合成ダイヤモンド層８を介して接合され、ダイヤモンド層８と単結晶ダイヤモンド種基板１とが表面近傍で密着し、両者の表面が実質的に平坦化且つ一体化されているダイヤモンド基板。 （もっと読む）