【課題】半導体リソグラフィープロセスや大型光学部品、半導体材料、放熱基板等に好適な大型ダイヤモンド基板、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板上に単結晶ダイヤモンド種基板１が配置されたダイヤモンド基板であって、シリコン基板に凹部が存在し、この凹部上に主面の面方位が（１１１）である単結晶ダイヤモンド種基板１が配置されており、シリコン基板の凹部以外の表面上に（１００）配向もしくは（１１０）配向の気相合成ダイヤモンド層８が設けられており、単結晶ダイヤモンド種基板１とシリコン基板が（１００）配向もしくは（１１０）配向の気相合成ダイヤモンド層８を介して接合され、ダイヤモンド層８と単結晶ダイヤモンド種基板１とが表面近傍で密着し、両者の表面が実質的に平坦化且つ一体化されているダイヤモンド基板。 （もっと読む）

本発明は、第１の表面を有するホウ素ドープト単結晶ダイヤモンドの基体層と、前記第１の表面の上のホウ素ドープト単結晶ダイヤモンドの導電性層とを有するダイヤモンド材料において、前記導電性層中のホウ素の分布が、前記基体層中のホウ素の分布に比べてより一様である、ダイヤモンド材料に関する。
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【課題】ガラス転移点（Ｔｇ）が低い通常の多成分系ガラスであっても、高い被覆率でダイヤモンド薄膜を合成するダイヤモンド薄膜の合成方法及びガラス基板にダイヤモンドの薄膜が積層してなる複合体を提供する。
【解決手段】多成分系ガラスからなるガラス基板にダイヤモンドの薄膜が積層してなる複合体であって、ガラス基板が多成分系ガラスであり、かつダイヤモンドの被覆率が５０％以上である複合体であって、上記ダイヤモンド薄膜の合成方法は、（Ａ）内部に加熱手段を有する密閉されたチャンバ内に水素及びダイヤモンド薄膜の炭素源としての液体炭素源を導入する工程、（Ｂ）前記加熱手段にて加熱し、液体炭素源から炭素を蒸発させてガラス基板上にダイヤモンドとして析出させる工程を有する。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板上の任意の場所にダイヤモンドの薄膜を合成する方法を提供する。
【解決手段】ガラス基板４にダイヤモンドを合成する方法であって、（Ａ）所望の形状にマスキングする工程、（Ｂ）ダイヤモンドパウダーによりガラス基板４表面を傷つける工程、（Ｃ）内部に加熱手段を有する密閉されたチャンバ内にガラス基板４を設置し、チャンバ内に水素及びダイヤモンドの炭素源としての液体炭素源を導入する工程、（Ｄ）加熱手段２にて加熱し、液体炭素源から炭素を蒸発させてガラス基板４上にダイヤモンドとして析出させる工程を有するダイヤモンドの合成方法である。 （もっと読む）

【課題】切削工具、耐磨工具等の機械的用途、及び半導体材料、電子部品、光学部品等の機能品用途に適したダイヤモンド単結晶及びその製造方法を提供する。
【解決手段】結晶全体にわたり、波数１３３２ｃｍ^−１（波長７．５μｍ）のピーク吸収係数が０．０５ｃｍ^−１以上１０ｃｍ^−１以下である化学気相合成法により得られたダイヤモンド単結晶であり、この単結晶は化学気相合成時の気相における元素の組成比率を、水素原子に対する炭素原子濃度が２％以上１０％以下かつ、炭素原子に対する窒素原子濃度が０．１％以上６％以下かつ、炭素原子に対する酸素原子濃度が０．１％以上５％以下とすることによって得られる。 （もっと読む）

【課題】機械研磨によってダイヤモンド基板の表面形状を制御し、厚膜気相合成ダイヤモンド膜成膜に適したダイヤモンド基板を提供することを目的とする。
【構成】ダイヤモンド基板の表面に突設する複数の凸出部が形成され、前記凸出部がダイヤモンド基板の主面部に形成されているダイヤモンド基板である。また本発明に係るダイヤモンド基板において、凸出部の上面部に現れた模様の平面視面積が、ダイヤモンド基板の主面部の面積に対して１０％以上を占有していることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】カット面を着色したダイヤモンド粒子の製造方法、およびカット面に文様を描画したダイヤモンド粒子の製造方法を提供する。
【解決手段】着色しようとするダイヤモンド粒子１２のカット面に、常温〜約２００℃の温度範囲、１０^−３〜１０^−４Ｐａの真空雰囲気下、イオン加速器によって、加速エネルギーを１〜５ＭｅＶの範囲、イオンの照射量を1×１０^１２〜１×１０^１５ｉｏｎｓ／ｃｍ^２の範囲の高エネルギーイオン１３を照射することを特徴とする。また、カット面に文字またはマークなどの形に加工し穴を穿孔したマスクまたはフォトレジストによるマスクによって被覆した後に、高エネルギーイオン１３を照射する。 （もっと読む）

【課題】難加工物、特に近年電子デバイスの材料として重要性が高まっているＳｉＣやＧａＮ等を、加工効率が高く且つ数十μｍ以上の空間波長領域にわたって精度が高く加工する。
【解決手段】フッ化水素酸等のハロゲンを含む分子が溶けた処理液２２中に、ＧａＮやＳｉＣ等の被加工物２８を配し、モリブデンまたはモリブデン化合物からなる触媒２６を被加工物２８の被加工面に接触または極近接させながら該触媒２６と被加工物２８とを相対移動させて被加工物２８の被加工面を加工する。 （もっと読む）

【課題】比較的深い溝、穴及び貫通孔が精度良くダイヤモンドに形成可能なダイヤモンド構造体の製造方法とダイヤモンド構造体とを提供すること。
【解決手段】積層体５４に含まれる第２層５８〜第５層６４は、第１層５６に対するウェットエッチングに対しエッチング耐性のある材料から成り、第５層６４は、第２層５８〜第４層６２に対しドライエッチングが行われる場合、各ドライエッチングに対してエッチング耐性のある材料から成る。 （もっと読む）

【課題】電極として使用が可能で、電気化学的酸化処理中に基板自体が腐食する、又はダイヤモンド層と基板が剥離することにより電解が継続できなくなる、又は電解効率が著しく悪くなるという問題を解決する基板及び電極を提供する。
【解決手段】基板および該基板に被覆した導電性ダイヤモンド層からなり、該ダイヤモンド層を構成するダイヤモンド膜の連続している部分の最大面積が１μｍ^２以上１００ｍｍ^２以下であるダイヤモンド被覆基板である。特にダイヤモンド層厚は３〜１００μｍが好ましく、基板表面の粗さはＲａ０．１μｍ以上であることが好ましい。特に前記導電性ダイヤモンド層によって被覆される基板の材質は、Ｎｂ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｗのいずれかであることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】ダイヤモンド等の単結晶の気相合成において利用できるオフ基板の製造に際して、製造コストを削減でき、且つ同一のオフ角を有する単結晶基板を簡単かつ大量に製造することが可能な方法を提供する。
【解決手段】気相合成法によるエピタキシャル成長が可能な材料であって、その表面が、エピタキシャル成長が可能な結晶面に対してオフ角を有する材料を基板として用い、基板のオフ角を有する表面にイオン注入を行って、基板の表面近傍に結晶構造の変質した層を形成し、気相合成法によって基板のオフ角を有する表面上に結晶成長を行い、次いで、成長した結晶層と基板とを分離させる。 （もっと読む）

【課題】抵抗率のばらつきが少ないリンが高濃度にドーピングされた低抵抗リンドープダイヤモンド薄膜付きダイヤモンド単結晶の製造方法及び低抵抗リンドープダイヤモンド薄膜付きダイヤモンド単結晶を提供する。
【解決手段】原料ガス中のリン原子／炭素原子比を３％以上の条件で抵抗率３００Ωｃｍ以下の低抵抗リンドープダイヤモンドエピタキシャル薄膜２１を｛１１１｝単結晶基板１０の主面に成長させる方法であって、主面のオフ角は０．５０°以上２．７５°以下である。また、低抵抗リンドープダイヤモンド薄膜付きダイヤモンド単結晶２０は、｛１１１｝単結晶基板１０の主面のオフ角が０．５０°以上２．７５°以下であって、且つ、低抵抗リンドープダイヤモンドエピタキシャル薄膜２１の抵抗率が３００Ωｃｍ以下である。 （もっと読む）

（ＡｌＮ）_x（ＳｉＣ）_(1-x)のような金属―有機アロイ薄膜の上に、バッファーなしに、半導体結晶を成長させる基板及び方法が開示されている。出発材料としてＡｌＮとＳｉＣ粉末を用いた蒸着法により、ＳｉＣ基板の上に（ＡｌＮ）_x（ＳｉＣ）_(1-x)アロイ薄膜は形成されることができる。（ＡｌＮ）_x（ＳｉＣ）_(1-x)アロイ薄膜は、ＧａＮまたはＳｉＣのエピタキシャル成長のためのより良い格子整合を与え、よりよい格子整合と相性によりエピタキシャルに成長されたＧａＮにおける欠陥を減少させる。
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【課題】マイクロ波プラズマＣＶＤ法によってダイヤモンド基板上にダイヤモンド単結晶を成長させる際に、ダイヤモンドの成長面の形状（モフォロジー）を簡単に制御できる方法を提供する。
【解決手段】基板支持体７が、基板載置面７ａの周囲に基板囲繞部７ｂを備えた導電性材料からなる支持体７であって、基板囲繞部７ｂを含む基板支持体７は一体であるか又は基板囲繞部の天面７ｄから所定厚み部分が分離可能とされた構造であり、基板囲繞部の天面を含む部材７ｂの厚さを調整することによって、ダイヤモンド成長面の形状を制御してダイヤモンド成長を行うダイヤモンド製造方法、並びに、基板載置面７ａの周囲に基板囲繞部７ｂを備えた導電性材料からなる基板支持体７であって、基板囲繞部７ｂを含む基板支持体７は一体であるか又は天面７ｄから所定厚み部分が分離可能とされた構造であるダイヤモンド製造用基板支持体７。 （もっと読む）

【課題】本発明はナノ板状構造のダイヤモンドを形成する方法、特に電気化学的方法を使用して六角形のナノ板状構造のダイヤモンドを形成する方法を提供する。
【解決手段】ナノ板状構造のダイヤモンドの形成方法は、多数の孔隙を有するナノ型板を提供するステップと、電気化学的方法を使用して、前記ナノ型板の孔隙でナノ板状構造のダイヤモンドを形成するステップと、前記ナノ型板を除去して、前記ナノ板状構造のダイヤモンドを分離するステップとを含む。既存の形成方法より均一な厚さと大きさを有するナノ板状構造のダイヤモンドを合成することができる。 （もっと読む）

【課題】不活性ガス雰囲気中で熱フィラメントＣＶＤ法により安全にダイヤモンドを生成する。
【解決手段】チャンバー１２内に電源１６に接続された２本の電極棒１４が配置され、それらの間に熱フィラメントとして炭素系熱フィラメント１０が接続される。不活性ガス雰囲気中でフィラメント１０の表面温度が２０００℃以上、好ましくは２２００℃以上２５００℃以下の温度になるようにフィラメント１０に通電することによって、基板１８上にダイヤモンドを堆積させる。 （もっと読む）

電解槽（１２５）は電解液（１２３）を保持するための容器を備える。導電的にドーピングした単結晶ダイヤモンド陽極電極（１１０）は電解液（１２３）内に位置するように配置されている。導電性陰極電極（１２０）も同様に配置されている。電源（１３０）に接続するために、導体は電極に連結されている。電解液（１２３）が電極を通過して流れるように、容器に電解液入口（１５０）と電解液出口（１５５）が取り付けられている。一実施形態では、陽極電極（１１０）を陰極（１２０）電極の下流に配置し、酸素および／またはオゾンの生成によって水を含む電解液（１２３）が精製されるようになっている。
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【課題】結晶面の面内配向性を揃えることができると共に、ダイヤモンド膜の反り（ワープ）を低減することができる高配向性ダイヤモンド膜及びその製造方法を提供する
【解決手段】基板上に（１００）高配向膜又は（１００）単結晶ダイヤモンド膜を気相合成した後、前記基板を除去して形成した一次ダイヤモンド膜と、前記一次ダイヤモンド膜が前記基板と接触していた面（裏面）に（１００）配向成長条件で成長された二次ダイヤモンド膜とを有し、前記配向成長した二次ダイヤモンド膜が（１００）結晶面が配向成長した高配向膜、（１００）配向した無粒界膜、又は（１００）配向した単結晶膜のいずれかである。また、（１１１）高配向性膜の場合も同様である。 （もっと読む）

【課題】活性化水素によるエッチング作用に対する耐性が低い非ダイヤモンド炭素材料を基材とするダイヤモンド被覆非ダイヤモンド炭素部材を提供する。
【解決手段】ダイヤモンド被覆非ダイヤモンド炭素部材は、非ダイヤモンド炭素からなる基材１と、この基材上に形成され結晶子の平均直径が１０ｎｍ以下である微結晶ダイヤモンド膜２からなる中間層と、この中間層上に形成され結晶子の平均直径が２０ｎｍ以上であるダイヤモンド膜３と、を有する。基材１はアモルファス炭素又はグラファイトからなるか、又は熱間静水圧加圧処理された炭素材料からなることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤ法を使用してイリジウム下地上に直径１インチ（２.５ｃｍ）以上の大面積化された高品質のダイヤモンドをエピタキシャル成長させることができるエピタキシャルダイヤモンド膜下地基板およびその製造方法並びにこのエピタキシャルダイヤモンド膜下地基板により製造されるエピタキシャルダイヤモンド膜およびその製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶酸化マグネシウム（ＭｇＯ）または単結晶サファイア（α-Ａl₂Ｏ₃）基板上に、真空蒸着法またはスパッタリング法によりイリジウム（Ｉｒ）膜をエピタキシャル成長により成膜し、この成膜されたイリジウム（Ｉｒ）下地の表面へ、イオンを含む直流プラズマを暴露することによりエピタキシャルダイヤモンド核を形成するバイアス核発生処理を施す。 （もっと読む）