【課題】 金属液滴を成長核として用いるナノワイヤ形成法において、隔絶のための薄膜の厚さ等の制限無くかつ方向の揃ったナノワイヤを安定的にかつ再現性よく製造する。
【解決手段】 半導体ナノワイヤ４４の製造方法であって、半導体から成る基板４２上に非結晶から成る薄膜４３を形成する工程と、薄膜４３上に金属液滴４１を形成する工程と、金属液滴４１を成長核として上記半導体から成る半導体ナノワイヤ４４を結晶成長する工程とを有し、薄膜４３は金属液滴４１と化学反応する材料から成る。 （もっと読む）

本発明は、基板の表面に触媒元素（Ｐ）を形成する段階と、基板（Ｓ）の表面に形成された触媒元素からナノワイヤ（ｎｆ）を成長させる段階とを含み、触媒元素が金属ナノ粒子（Ｐ）であることと、基板の表面に触媒元素を形成する段階が、基板の表面にある固体油浸レンズによって収束された光線を用いた金属ナノ粒子の堆積から成ることとを特徴とする、固体油浸レンズに取り付けられた基板（Ｓ）の表面にナノワイヤ（ｎｆ）を形成する方法に関係する。
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【課題】ターンオン電界の低減、電流密度の向上、電子放出の均一化を達成できるナノワイヤ構造体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】酸化ガリウム単結晶基板上に、ＮｉまたはＰｔからなる触媒層を形成し、前記触媒層上でトリメチルガリウムおよびアンモニアをＣＶＤ法により８５０〜１０００℃の温度範囲で反応させ、径が５ｎｍ〜２００ｎｍ、長さが５μｍ〜５０μｍのワイヤ状の形態をした窒化ガリウムナノワイヤを形成する。 （もっと読む）

【課題】形成しようとする酸化物系ナノ構造物と同じ組成を持つナノ核を利用してナノ構造物を成長させる酸化物系ナノ構造物の製造方法を提供する。
【解決手段】Ｍ（Ｍは、遷移金属元素または半金属元素）を含む有機物前駆体が有機溶媒に溶解されている混合溶液を基板の表面にコーティングするステップと、混合溶液がコーティングされた基板を熱処理して、基板上にＭｘＯｙ（ｘは１〜３の整数、ｙは１〜６の整数）組成を持つナノ核を形成するステップと、Ｍを含む反応前駆体をナノ核に供給しつつナノ核を成長させて、ＭｘＯｙ（ｘは１〜３の整数、ｙは１〜６の整数）組成を持つナノ構造物を形成するステップと、ナノ構造物を熱処理するステップと、を含む酸化物系ナノ構造物の製造方法。 （もっと読む）

本発明はナノワイヤー成長用システム及び方法に関する。１態様では、１個以上の核生成粒子を堆積した基板材料を反応チャンバーに準備する段階と、基板材料の表面の洗浄を助長するエッチャントガスを第１の温度で反応チャンバーに導入する段階と、核生成粒子を少なくとも第１の前駆体ガスと接触させ、ナノワイヤー成長を開始する段階と、合金液滴を第２の温度まで加熱することにより、核生成粒子の部位にナノワイヤーを成長させる段階を含む、エピタキシャル垂直配向ナノワイヤー成長法を含むナノワイヤー成長及びドーピング方法を提供する。テーパーの小さいナノワイヤーを提供するために、ワイヤーの成長中にもエッチャントガスを反応チャンバーに導入することができる。 （もっと読む）

【課題】ＬＥＤの発光再結合効率を高める。
【解決手段】（１００）スピネル基板１をＭＯＣＶＤ装置にセッティングし、その上にノンドープＧａＮ薄膜２を形成し（図１（ａ））、抵抗加熱蒸着によって、カタリスト材料層となるＦｅ薄膜３を５ｎｍ蒸着する（図１（ｂ））。再び、そのスピネル基板１をＭＯＣＶＤ装置内にセッティングし、昇温アニールすることで前記Ｆｅ薄膜３を島状のＦｅ粒４とする（図１（ｃ））。以降、このＦｅ粒４からＧａとＮとを取込ませ、（１０−１１）面を有するＧａＮナノコラム５を成長させる（図１（ｄ））。したがって、得られたＧａＮナノコラム５の成長面は半極性面であり、ピエゾ電界の影響を緩和し、量子井戸内の電子と正孔との波動関数の重なりを大きくすることができる。また、ナノコラムによって貫通転位を減少することもできる。こうして、発光再結合効率を高めることができる。 （もっと読む）

【課題】サファイア基板上にIII族窒化物結晶成長用下地として好適なＡｌＮ単結晶膜を形成する方法を提供する。
【解決手段】Ｃ面サファイア単結晶基板の主面上に金属Ａｌ膜を蒸着させたＡｌ膜付きサファイア基板を、Ａｌに対する窒化能（窒化作用）を有する窒素元素含有ガス雰囲気の下で、少なくとも１４００℃以上に、好ましくは１５００℃以上に加熱する。これにより、サファイア基板の主面上に、表面平坦性の良好なＣ面ＡｌＮ単結晶膜を反応生成させることができる。さらに、上記の窒化処理を酸化物結晶の存在下で行うと、より表面平坦性の優れたＣ面ＡｌＮ単結晶膜を反応生成させることができる。 （もっと読む）

【課題】直進性および配列性に優れたナノワイヤの製造方法を提供する。
【解決手段】（ａ）多孔性テンプレートを準備する段階；（ｂ）前記多孔性テンプレートを金属触媒層が形成された基板上に配置する段階；および（ｃ）ＳＬＳ法またはＶＬＳ法によって前記多孔性テンプレート内の気孔に沿ってナノワイヤを形成する段階；を含む、ナノワイヤの製造方法である。 （もっと読む）

【解決手段】ナノロッドアレイを作製する方法であって、基板にパターンを画定し、次に、イオンビーム照射により、基板にイオンを注入することを含んでいる。次に、基板の上に薄膜が形成される。薄膜の成長中、ナノトレンチが生成され、キャピラリー凝縮によるナノロッドの作製が促進される。得られたナノロッドは、支持マトリックスと整列されており、格子及び熱歪効果を受けない。ナノロッドの密度、サイズ及びアスペクト比は、イオンビーム照射及び薄膜成長条件を変えることによって調整可能であり、ナノロッドの放出効率を制御することができる。 （もっと読む）

第１ステージと第２ステージとを有する、ツリーの形態を持つナノ構造を形成する方法。第１ステージは、基板表面上に少なくとも１つの触媒粒子を供給し、かつ、各触媒粒子を介して第１ナノウィスカーを成長させる工程を含む。第２ステージは、各第１ナノウィスカーの周囲に、１つ以上の第２触媒粒子を供給し、各第１ナノウィスカーの周囲から横方向に伸びる第２ナノウィスカーを成長させる工程を含む。更なるステージは、以前のステージのナノウィスカーから伸びる１つ以上のさらなるナノウィスカーを成長させる工程を含み得る。ヘテロ構造は、ナノウィスカー中に形成され得る。このようなナノ構造は、太陽電池アレイまたは光放出フラットパネルのコンポーネントを形成し得る。その構造において、ナノウィスカーは光電性材料から形成される。神経ネットワークは、複数の第１ナノウィスカーを近くに一緒に配置し、連続するステージで成長したナノウィスカーを通して隣接するツリーが互いに接触し、ナノウィスカー内のヘテロ結合が電流の流れに対してトンネル障壁を形成するようにすることによって、形成され得る。
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