【課題】酸素と亜鉛とが実質的に化学量論的に等量の組成、すなわちストイキオメトリー組成であって電気比抵抗が極めて高い酸化亜鉛単結晶、この酸化亜鉛単結晶より得られるエピタキシャル成長用基板及びこれらの製造方法を提供する。
【解決手段】酸素と亜鉛とが実質的に化学量論的に等量の組成であり、電気比抵抗が１×１０^９Ω・ｃｍ以上である酸化亜鉛単結晶、それより得られるエピタキシャル成長用基板およびそれらの製造方法を用いる。 （もっと読む）

【課題】
光触媒膜として窒素酸化物等の有害ガスの分解、除去などの環境浄化への応用やガスセンサー素子への応用が図れる、厚さが数百ｎｍ（ナノメートル）程度の非常に薄い膜状で、結晶配向により結晶欠陥を低減させた硫黄添加二酸化チタン膜の形成方法。
【解決手段】
イオン注入法により二酸化チタン単結晶膜に硫黄を添加し、イオン注入に伴い発生する結晶乱れをイオン注入後の熱処理により回復させ、結晶配向した硫黄添加二酸化チタン膜を得る。又、二硫化チタンを焼成して作製したターゲット材を用いてパルスレーザー蒸着を行うことによっても結晶配向した硫黄添加二酸化チタン膜を得る。 （もっと読む）

【課題】単結晶原料の単結晶育成用溶液への溶解速度を一定にする。
【解決手段】スラリー状原料にバインダを混合してバインダ混合原料を作製する（ステップＳ６）。ステップＳ６において作製したスラリー状のバインダ混合原料を脱水状態にさせ（ステップＳ７）、その後にスラリー状のバインダ混合原料を乾燥させる（ステップＳ８）。ステップＳ８において乾燥させたバインダ混合原料の粒を一定に揃えてバインダ混合原料の各位置における密度を均一にさせる（ステップＳ９）。そして、ステップＳ９の後、バインダ混合原料を、予め設定した形状寸法に成形する（ステップＳ１０）。ステップＳ１０により成形したバインダ混合原料を焼成して、焼成体５２を形成する（ステップＳ１１）。 （もっと読む）

【課題】 より簡便な方法により窒化物半導体単結晶の結晶度を向上させること。
【解決手段】酸化アルミニウム１に酸化ガリウム２を混合する工程と、該混合物を焼成して酸化アルミニウムと酸化ガリウムとの固溶体３を形成する工程と、該固溶体３を加熱溶融して融液４とする工程と、該融液４を徐冷してＡｌ_ｘＧａ_２−ｘＯ_３（０＜ｘ＜２）単結晶５を形成する工程とを含むことを特徴とする、窒化物半導体単結晶のエピタキシャル成長用基板６の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】単結晶原料から単結晶を育成する際に、単結晶原料の表面から浮遊して発生する微結晶を抑制する。
【解決手段】原料を焼成装置を用いて焼成し、焼成体を形成する（焼成工程）。そして、焼成工程において形成した焼成体を、再度、焼成工程より低い温度で焼成して、焼成体を形成する（第２の焼成工程）。次に、焼成工程及び第２の焼成工程において焼成させた焼成体の表面の表面処理を行う（表面処理工程）。ここでいう表面処理は、エッチング溶液を用いた化学的エッチングにより行われる（エッチング手段）。そして、表面処理された焼成体を、分割線Ａに沿って多数個に切断して、複数個の単結晶原料５が作製される。 （もっと読む）

【課題】 ０．５ｍｍ以上のシリカ多孔体結晶を再現性よく、効率的に合成する方法を提供する。
【解決手段】 水熱反応によりシリカ多孔体結晶を合成する方法において、水熱合成容器内の一部に珪素の高濃度領域を形成し、シリカ多孔体結晶の骨格構成元素の一部または全部の供給源として、珪素および酸素を含む化合物からなり、表面平滑化処理したバルク体を、少なくともその一部が前記珪素の高濃度域内にあるように存在させて水熱反応を行うことを特徴とするシリカ多孔体結晶の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 電気機械結合係数が大きく、かつ音速が小さいニオブ酸カリウムリチウム圧電単結晶を提供することである。
【解決手段】 酸化カリウムの含有量を、２６モル％〜３４モル％、酸化リチウムの含有量を１９モル％〜２７モル％、酸化ニオブの含有量を４５モル％〜５３モル％に、主成分の組成を設定したニオブ酸カリウムリチウム圧電単結晶における、酸化ニオブの５モル％以下（０を含まない）を、酸化モリブデンで置換する。また、単結晶の育成には、融液からの引き上げ法または引き下げ法を用いる。 （もっと読む）