【課題】結晶性及び導電性が共に優れた酸化ガリウム単結晶及びその製造方法、並びに窒化物半導体をエピタキシャル成長させるのに好適な窒化物半導体用基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】酸化ガリウム粉末にＳｎ、Ｇｅ、Ｓｉ又はこれらの酸化物から選ばれた１種以上からなる添加物を添加した粉末材料を圧縮成形し、これを１４００〜１６００℃で焼結して酸化ガリウム焼結体を得て、この酸化ガリウム焼結体を原料棒としてＦＺ法により酸素と不活性ガスとの混合ガス雰囲気下で、成長速度ｖを５mm/h＜ｖ＜１５mm/hとして酸化ガリウム単結晶を育成させる。また、この単結晶の表面を窒化処理して窒化物半導体用基板を得る。 （もっと読む）

【課題】クラックが発生することなく均一な組成を有するＬＴＧＡ（Ｌａ−Ｔａ−Ｇａ−Ａｌ酸化物）単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】坩堝３の内部にＬＴＧＡ種結晶５を充填すると共に、ＬＴＧＡ種結晶５上にＬＴＧＡ原料６を積み重ねて充填する充填工程と、坩堝３の垂直方向に温度勾配を有する炉の内部に坩堝３を配置し、ＬＴＧＡ原料６を融解して融液を形成する融解工程と、融液を下方から上方に向けて漸次固化させてＬＴＧＡ単結晶を育成する育成工程とを備え、ＬＴＧＡ原料６は、ＬＴＧＡ種結晶５から最も離間した部分のランタン及びタンタルの含有量が、それぞれＬＴＧＡ種結晶５と接する部分と比較して高い。 （もっと読む）

【課題】 ＦＺ法による半導体結晶の製造方法において、原料半導体棒の破損を防止することができる半導体結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】 少なくとも、原料となる半導体棒を保持具で鉛直方向に保持する工程と、前記原料半導体棒の下端部を溶融して種結晶に融着させる工程と、前記種結晶側から順次結晶化させるゾーニング工程とを含むＦＺ法による半導体結晶の製造方法において、前記原料半導体棒として、上端部に上方に向かって直径が拡大するテーパ部分が形成された半導体棒を用い、前記原料半導体棒のテーパ部分を前記保持具に形成されたテーパ面に係止することによって前記原料半導体棒を保持して結晶を製造する半導体結晶の製造方法。 （もっと読む）

【課題】特にＸ線検出器用のシンチレータに好適である、発光強度が高く、残光が小さな蛍光材料を提供することを目的としている。
【解決手段】本発明は、Ｃｅを発光元素とし、少なくともＧｄ、Ａｌ、ＧａおよびＯを含んだガーネット構造の蛍光材料であって、ユーロピウム（Ｅｕ）とイッテルビウム（Ｙｂ）を含み、ユーロピウムとイッテルビウムの含有率の和が１×１０^−５〜２×１０^−３ｍｏｌ％であることを特徴とする蛍光材料である。 （もっと読む）

【課題】微小な気泡に起因するピットやマイクロバブルが大幅に減少し、電子部品材料や光学用部品材料に適した高品質な酸化アルミニウム単結晶、及びマイクロバブルの発生を抑制して効率的に酸化アルミニウム単結晶を製造する方法を提供する。
【解決手段】原料融液から成長結晶を引き上げる溶融固化法において、単結晶用原料として、比表面積１ｍ^２／ｇ以下の酸化アルミニウム焼結体をイリジウム坩堝に入れて、１０時間以上かけて徐々に加熱溶融した後、炉体内雰囲気を酸素分圧１０〜５００Ｐａに設定し、酸化アルミニウム単結晶を育成する。これにより、原料に吸着または内包しているガス成分の取り込みを抑え、融液中での微小な気泡の発生を抑制する。 （もっと読む）

【課題】アモノサーマル法による単結晶窒化物の製造において、原料としての窒化物含有成型体ならびにこれを用いた単結晶窒化物の製造方法を提供する。
【解決手段】周期表第１３族元素の窒化物と鉱化剤とを含有する窒化物含有組成物をプレス成型等により窒化物含有成型体Ｂを成型する。つづいて、該窒化物含有成型体Ｂと種結晶Ａとを、超臨界状態のアンモニア及び／又はアンモニア誘導体（溶媒Ｃ）中に配置することにより、窒化物含有成型体Ｂを構成する窒化物含有組成物を超臨界状態のアンモニア及び／又はアンモニア誘導体に溶解し、溶解した窒化物含有成型体Ｂを種結晶Ａに供給して結晶育成する。 （もっと読む）

【課題】三酸化二アルミニウムに添加物を用いることなく、三酸化二アルミニウムを融解させて得られる無色透明なサファイア単結晶の新規な製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】極低酸素分圧の不活性ガス雰囲気に維持されている条件下に、三酸化二アルミニウム微粉末の成形体を焼結処理して得られる三酸化二アルミニウム焼結体３７と種結晶体３９を回転可能な固定手段上に固定維持し、固定手段を回転させて、前記三酸化二アルミニウム焼結体及び種結晶体の表面に赤外線を集光照射して加熱溶融することによりサフャイア単結晶を製造する。 （もっと読む）

【解決課題】 ブリッジマンるつぼ等に適用可能であり、長寿命でより高温での使用が可能な薄肉の耐熱容器を提供すること。
【解決手段】 本発明は、イリジウムからなり、厚さ０．３ｍｍ以下の薄肉の耐熱容器であって、イリジウム塩を含む溶融塩の溶融塩電解により形成されるイリジウム製耐熱容器である。この容器の構成材料は、貴金属を除く不純物元素の合計濃度が１００ｐｐｍ以下であり、更に、イリジウムを除く貴金属の合計濃度が１００００ｐｐｍ以下であるものが好ましい。 （もっと読む）

【解決課題】 融点１７００℃以上の高融点の単結晶材料を効率的に製造可能であり、欠陥の少ない高品質のものを製造可能な方法を提供すること。
【解決手段】 本発明は、金属又は金属化合物からなり、融点が１７００℃以上である高融点単結晶材料の製造方法において、単結晶種子が封入されたるつぼを、温度勾配を有する炉内を移動させて単結晶を育成するブリッジマン法を用いて単結晶を製造する方法である。ここで、使用するるつぼとしては、電気鋳造法により製造されたイリジウムよりなる厚さ０．３ｍｍ以下の薄型るつぼガ好ましい。 （もっと読む）

【課題】ドープ剤の投入時期、ドープ剤の性状、ドープ剤の投入位置を特定することによって、好適な単結晶を得ることができる半導体単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】粒径を選別した顆粒状のドープ剤１４を、原料溶融液上方に位置するドープ剤投入容器１０から原料溶融液６に向け、投入する工程において、前記原料溶融液６の湯面からのドープ剤投入位置をＸ（ｍ）とした場合、前記ドープ剤の粒径Ｙ（ｍｍ）がＹ≧０．８Ｘ＋０．０４の式を満足する粒径であって、かつ前記ドープ剤１４が単結晶引上線Ａ上から投入される。 （もっと読む）

【課題】 液相エピタキシャル成長により、基板上に膜厚ばらつきが少なく、表面平坦性に優れた単結晶膜を製造することを可能とする単結晶の製造方法を得る。
【解決手段】 複数の原料をルツボ２に供給し、複数の原料を溶解させてなる溶液９中に基板７を浸漬し、液相エピタキシャル法により単結晶基板表面において育成させるに際し、基板７が溶液９中に浸漬される際の高さ位置よりも下方に、溶液９内に生じた結晶粒９ａの上方への移動を抑制する遮蔽板１０を配置し、基板７の表面に単結晶膜を育成する、単結晶の製造方法。 （もっと読む）

【課題】ＦＺ法によって、現状よりも結晶性に優れたホウ化物単結晶を製造することができる新規な製造方法と、前記製造方法によって製造された、特に、ＧａＮ系半導体層等の半導体層をエピタキシャル成長させるのに適した基板とを提供する。
【解決手段】製造方法は、ホウ化物のもとになるホウ素と金属元素とを含む原料粉末によって形成した原料棒６の、長さ方向の一端に、前記ホウ化物の化学量論比組成よりもホウ素過剰の初期溶融領域９を設け、前記初期溶融領域９を、加熱により溶融させて溶融帯を形成し、前記溶融帯を、原料棒６の、長さ方向の他端へ向けて移動させることで、前記原料棒６の、溶融帯が通過した後の領域に、ＦＺ法によってホウ化物単結晶を成長させる。基板は、前記製造方法によって製造されたホウ化物単結晶からなる。 （もっと読む）

【課題】二ホウ化ジルコニウム単結晶よりも融点が低く、それ故、低コストで供給でき、且つ、二ホウ化ジルコニウム単結晶と同等の格子定数と熱膨張係数を有する新規な二ホウ化物単結晶を提供する。
【解決手段】 二ホウ化ジルコニウムと、所定の固溶度のＶ族二ホウ化物とからなる、固溶体単結晶である。Ｖ族二ホウ化物が二ホウ化ニオブである場合は、固溶度が５モル％から１２モル％の範囲で、また、Ｖ族二ホウ化物が二ホウ化タンタルである場合は、固溶度が５モル％から９モル％の範囲で、二ホウ化ジルコニウム単結晶と同等の格子定数と熱膨張係数を有する固溶体単結晶が得られる。 （もっと読む）

【課題】 結晶性の良好な圧電体層を含む圧電体堆積体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明に係る圧電体堆積体１００の製造方法は，
Ｒ面サファイア基板１１の上方に第１酸化マグネシウム層２０を形成する工程と、
第１酸化マグネシウム層２０の上方に第２酸化マグネシウム層１２を形成する工程と、
第２酸化マグネシウム層１２の上方に圧電体層１３を形成する工程と、を含み、
第１酸化マグネシウム層２０を形成する工程における酸素の供給量に対するマグネシウムの供給量は、第２酸化マグネシウム層１２を形成する工程における酸素の供給量に対するマグネシウムの供給量より多く、
第１酸化マグネシウム層２０を形成する工程における酸素分圧は，第２酸化マグネシウム層１２を形成する工程における酸素分圧より低い。 （もっと読む）

【課題】 III−Ｖ族窒化物と格子定数及び熱膨張係数が整合した基板を用い、その基板上に結晶性の良好なIII−Ｖ族窒化物単結晶膜を成長させた発光素子やダイオード等の半導体素子を提供する。
【解決手段】 １０ｐｐｂ以上０.１モル％以下の遷移金属を含有する窒化アルミニウム単結晶基板１１と、その単結晶基板１１上に直接形成された窒化ガリウム、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化インジウム及びこれらの物質からなる混晶の中から選ばれた少なくとも１種のIII−Ｖ族窒化物の単結晶膜１２、１４、１５とを備える半導体素子である。単結晶基板１１中には遷移金属又はその窒化物もしくは酸化物の析出がないか、又はその析出物が単結晶基板１１上に形成した半導体素子の特性に影響を与えることがない。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、トップシード溶融凝固法においてファセットの成長が失敗した試料を再度処理し、最終的にファセットを成長させた高品質の酸化物超電導バルク体を製造することができる方法の提供を目的とする。
【解決手段】 本発明は、トップシード溶融凝固法によってファセットが生成しないか、ファセットが生成したとしても前駆体中心部で生成停止した状態の未発達ファセット状態の試料に対し、結晶成長のための処理を複数段のステップで徐々に温度降下させるとともに、各ステップにおいては等温保持する段階降温等温処理を施すことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 Ｂｉ系超電導体に有効な磁束ピニング領域を導入することにより、臨界電流密度が高いＢｉ系超電導体、超電導線材および超電導機器を提供する。
【解決手段】 Ｂｉ原子、Ｓｒ原子、Ｃａ原子、Ｃｕ原子、Ｏ原子とＦｅ原子またはＹ原子を含むＢｉ系超電導体であって、Ｃｕ原子およびＦｅ原子の合計量に対するＦｅ原子の含有量が０．０１原子％以上１原子％以下、または、Ｃａ原子およびＹ原子の合計に対するＹ原子の含有量が０．０１原子％以上１原子％以下であることを特徴とするＢｉ系超電導体。 （もっと読む）

【課題】 高純度で大径の単結晶が得られるIII族酸化物系単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】 β−Ｇａ_２Ｏ_３系単結晶８は、ＦＺ法（フローティングゾーン法）により製造される。β−Ｇａ_２Ｏ_３系種結晶７と、目的のβ−Ｇａ_２Ｏ_３系単結晶８の外径に応じた量の熱融解性調整用添加物を添加したβ−Ｇａ_２Ｏ_３系多結晶からなる燒結素材９との接触部を加熱融解して融解帯８ｄを形成する。その融解帯８ｄの温度降下により、種結晶７の先端に単結晶８が育成する。 （もっと読む）

【課題】部材、特にアルミニウム−酸素網状組織によって結合された状態のレンズシステムなどの光学部材を低温で接合する方法を提供する。
【解決手段】２つの部材を、アルミン酸塩含有溶液を使用して接合し、前記アルミン酸塩溶液の成分を、接合された部材の表面の間で反応させる接合方法であり、好ましくは、水酸化ナトリウム等の塩基によって安定化されたテトラヒドロキシ・アルミン酸含有溶液を使用して、１００℃未満の温度で２つの部材を接合する方法。 （もっと読む）

【課題】 バルク結晶の製造方法及びバルク結晶製造装置に関し、均熱板を用いることなくソース材料の底部中央部とバルク混晶結晶との衝突による成長中断を防止する。
【解決手段】 成長装置内の成長方向に温度が傾斜している領域にゾーン成長用のルツボ１を配置し、ルツボ１内にソース材料５、メルト４、種結晶２を温度が高い方向から低い方向に順に配置するとともに、ソース材料５の外周部とルツボ１の内壁間に間隙８を設ける。 （もっと読む）